सिलिकॉन फोटोनिक्स: Difference between revisions

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[[ग्राफीन]] फोटोडेटेक्टर्स में कई महत्वपूर्ण पहलुओं में जर्मेनियम उपकरणों को पार करने की क्षमता है, हालांकि वे तेजी से सुधार के बावजूद वर्तमान पीढ़ी की क्षमता के पीछे परिमाण के  आदेश के बारे में रहते हैं। ग्रैफेन डिवाइस बहुत उच्च आवृत्तियों पर कार्य कर सकते हैं, और सिद्धांत रूप में उच्च बैंडविड्थ तक पहुंच सकते हैं। ग्रैफेन जर्मेनियम की तुलना में तरंग दैर्ध्य की  विस्तृत श्रृंखला को अवशोषित कर सकता है। प्रकाश की  ही किरण में  साथ अधिक डेटा धाराओं को प्रसारित करने के लिए उस संपत्ति का शोषण किया जा सकता है। जर्मेनियम डिटेक्टरों के विपरीत, ग्राफीन फोटोडेटेक्टरों को लागू वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे ऊर्जा की जरूरत अल्प  हो सकती है। अंत में, ग्राफीन डिटेक्टर सिद्धांत रूप में  सरल और अल्प  खर्चीला ऑन-चिप एकीकरण की अनुमति देते हैं। हालांकि, ग्रैफेन प्रकाश को दृढ़ता से अवशोषित नहीं करता है। सिलिकॉन वेवगाइड को ग्राफीन शीट के साथ पेयर करने से प्रकाश बेहतर होता है और इंटरेक्शन अधिकतम होता है। इस तरह के पहले उपकरण का प्रदर्शन 2011 में किया गया था। पारंपरिक निर्माण तकनीकों का उपयोग करके ऐसे उपकरणों का निर्माण प्रदर्शित नहीं किया गया है।<ref>Orcutt, Mike (2 October 2013) [https://www.technologyreview.com/2013/10/02/176263/graphene-could-make-data-centers-and-supercomputers-more-efficient/ "Graphene-Based Optical Communication Could Make Computing More Efficient] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210510194440/https://www.technologyreview.com/2013/10/02/176263/graphene-could-make-data-centers-and-supercomputers-more-efficient/ |date=10 May 2021 }}. ''MIT Technology Review''.</ref>
[[ग्राफीन]] फोटोडेटेक्टर्स में कई महत्वपूर्ण पहलुओं में जर्मेनियम उपकरणों को पार करने की क्षमता है, हालांकि वे तेजी से सुधार के बावजूद वर्तमान पीढ़ी की क्षमता के पीछे परिमाण के  आदेश के बारे में रहते हैं। ग्रैफेन डिवाइस बहुत उच्च आवृत्तियों पर कार्य कर सकते हैं, और सिद्धांत रूप में उच्च बैंडविड्थ तक पहुंच सकते हैं। ग्रैफेन जर्मेनियम की तुलना में तरंग दैर्ध्य की  विस्तृत श्रृंखला को अवशोषित कर सकता है। प्रकाश की  ही किरण में  साथ अधिक डेटा धाराओं को प्रसारित करने के लिए उस संपत्ति का शोषण किया जा सकता है। जर्मेनियम डिटेक्टरों के विपरीत, ग्राफीन फोटोडेटेक्टरों को लागू वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे ऊर्जा की जरूरत अल्प  हो सकती है। अंत में, ग्राफीन डिटेक्टर सिद्धांत रूप में  सरल और अल्प  खर्चीला ऑन-चिप एकीकरण की अनुमति देते हैं। हालांकि, ग्रैफेन प्रकाश को दृढ़ता से अवशोषित नहीं करता है। सिलिकॉन वेवगाइड को ग्राफीन शीट के साथ पेयर करने से प्रकाश बेहतर होता है और इंटरेक्शन अधिकतम होता है। इस तरह के पहले उपकरण का प्रदर्शन 2011 में किया गया था। पारंपरिक निर्माण तकनीकों का उपयोग करके ऐसे उपकरणों का निर्माण प्रदर्शित नहीं किया गया है।<ref>Orcutt, Mike (2 October 2013) [https://www.technologyreview.com/2013/10/02/176263/graphene-could-make-data-centers-and-supercomputers-more-efficient/ "Graphene-Based Optical Communication Could Make Computing More Efficient] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20210510194440/https://www.technologyreview.com/2013/10/02/176263/graphene-could-make-data-centers-and-supercomputers-more-efficient/ |date=10 May 2021 }}. ''MIT Technology Review''.</ref>
=== प्रकाशिकी राउटर और सिग्नल प्रोसेसर ===
=== प्रकाशिकी राउटर और सिग्नल प्रोसेसर ===
फाइबर ऑप्टिक दूरसंचार के लिए सिग्नल राउटर में सिलिकॉन फोटोनिक्स का अन्य अनुप्रयोग है। कई घटकों में फैले होने के अतिरिक्त , ही चिप पर प्रकाशिकी और इलेक्ट्रॉनिक भागों को बनाकर निर्माण को बहुत सरल बनाया जा सकता है।<ref name="analui_2006">{{cite journal
प्रकाशिकी संचार के लिए सिग्नल राउटर में सिलिकॉन फोटोनिक्स का अन्य अनुप्रयोग है। अनेक घटकों में विस्तारित होने के अतिरिक्त, चिप पर प्रकाशिकी और इलेक्ट्रॉनिक भागों को बनाकर निर्माण को अधिक सरल बनाया जा सकता है।<ref name="analui_2006">{{cite journal
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2013 में, [[कैलिफोर्निया]] और [[इजराइल]] में स्थित कम्पास-ईओएस नामक [[ स्टार्ट - अप कंपनी |स्टार्ट - अप कंपनी]] , वाणिज्यिक सिलिकॉन-टू-फोटोनिक्स राउटर पेश करने वाली पहली कंपनी थी।
2013 में, [[कैलिफोर्निया]] और [[इजराइल]] में स्थित कम्पास-ईओएस नामक [[ स्टार्ट - अप कंपनी |स्टार्ट-अप कंपनी]], वाणिज्यिक सिलिकॉन-टू-फोटोनिक्स राउटर प्रस्तुत करने वाली प्रथम कंपनी थी।<ref>{{cite web |url=https://venturebeat.com/2013/03/12/after-six-years-of-planning-compass-eos-takes-on-cisco-to-make-blazing-fast-routers/ |title=छह साल की योजना के बाद, कम्पास-ईओएस सिस्को को धधकते-तेज़ राउटर बनाने के लिए ले जाता है|publisher=venturebeat.com |date=12 March 2013 |accessdate=25 April 2013 |archive-date=5 May 2013 |archive-url=https://web.archive.org/web/20130505002536/http://venturebeat.com/2013/03/12/after-six-years-of-planning-compass-eos-takes-on-cisco-to-make-blazing-fast-routers/ |url-status=live }}</ref>
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=== सिलिकॉन फोटोनिक्स का उपयोग कर लंबी दूरी की दूरसंचार ===
=== सिलिकॉन फोटोनिक्स का उपयोग कर लंबी दूरी की दूरसंचार ===

Revision as of 20:27, 14 May 2023

सिलिकॉन फोटोनिक्स फोटोनिक प्रणाली का अध्ययन और अनुप्रयोग है जो प्रकाशिकी माध्यम के रूप में सिलिकॉन का उपयोग करता है।[1][2][3][4][5] सिलिकॉन को सामान्यतः उप-माइक्रोमीटर परिशुद्धता के साथ माइक्रोफोटोनिक घटकों में प्रतिरूपित किया जाता है।[4] ये अवरक्त में कार्य करते हैं, सामान्यतः अधिकांश फाइबर ऑप्टिक दूरसंचार प्रणालियों द्वारा उपयोग किए जाने वाले 1.55 माइक्रोमीटर तरंग दैर्ध्य पर होता है।[6] सिलिकॉन सामान्यतः सिलिका की परत के शीर्ष पर स्थित होता है, जिसे (माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स में समान निर्माण के अनुरूप) इन्सुलेटर (एसओआई) पर सिलिकॉन के रूप में जाना जाता है।[4][5]

सिलिकॉन फोटोनिक्स 300 मिमी वेफर

सिलिकॉन फोटोनिक उपकरणों को उपस्थित अर्धचालक निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करके निर्माण किया जा सकता है, और क्योंकि सिलिकॉन पूर्व से ही अधिकांश एकीकृत परिपथ के लिए सब्सट्रेट के रूप में उपयोग किया जाता है, इसलिए हाइब्रिड डिवाइस बनाना संभव है जिसमें प्रकाशिकी और इलेक्ट्रानिक्स घटक माइक्रोचिप पर एकीकृत होते हैं।[6] परिणामस्वरुप, माइक्रोचिप्स के मध्य और अंदर दोनों में तीव्रता से डेटा ट्रांसफर प्रदान करने के लिए प्रकाशिकी इंटरकनेक्ट का उपयोग करके, आईबीएम और इंटेल सहित अनेक इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माताओं के साथ-साथ शैक्षणिक अनुसंधान समूहों के माध्यम से सिलिकॉन फोटोनिक्स पर सक्रिय रूप से शोध किया जा रहा है।[7][8][9]

सिलिकॉन उपकरणों के माध्यम से प्रकाश का प्रसार केर प्रभाव, रमन प्रभाव, दो फोटॉन अवशोषण और फोटॉन मुक्त आवेश वाहकों के मध्य अन्योन्यक्रियाओं सहित अरेखीय प्रकाशिकी परिघटनाओं की श्रृंखला द्वारा नियंत्रित होता है।[10] अरैखिकता की उपस्थिति मौलिक महत्व की है, क्योंकि यह प्रकाश को प्रकाश के साथ परस्पर क्रिया करने में सक्षम बनाती है,[11] इस प्रकार प्रकाश के निष्क्रिय संचरण के अतिरिक्त तरंगदैर्घ्य रूपांतरण और ऑल-प्रकाशिकी सिग्नल रूटिंग जैसे अनुप्रयोगों की अनुमति देता है।

सिलिकॉन वेवगाइड्स भी महान शैक्षणिक रुचि के हैं, उनके अद्वितीय मार्गदर्शक गुणों के कारण, उनका उपयोग संचार, इंटरकनेक्ट, बायोसेंसर, के लिए किया जा सकता है।[12][13] और वे सॉलिटॉन प्रचार जैसे विदेशी अरैखिक प्रकाशिकी घटनाओं का समर्थन करने की संभावना प्रदान करते हैं।[14][15][16]

अनुप्रयोग

प्रकाशिकी संचार

विशिष्ट प्रकाशिकी लिंक में, आँकड़ों को प्रथम इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर या सीधे मॉड्यूटेड लेजर का उपयोग करके विद्युतीय से प्रकाशिकी डोमेन में स्थानांतरित किया जाता है। इलेक्ट्रो-ऑप्टिक न्यूनाधिक तीव्रता और प्रकाशिकी वाहक के चरण को परिवर्तित कर सकता है। सिलिकॉन फोटोनिक्स में, मॉडुलन प्राप्त करने की सामान्य प्रौद्योगिकी मुक्त आवेश वाहकों के घनत्व में परिवर्तन करना है। सोरेफ और बेनेट के अनुभवजन्य समीकरणों के माध्यम से वर्णित इलेक्ट्रॉन और छेद घनत्व के परिवर्तन सिलिकॉन के अपवर्तक सूचकांक के वास्तविक और काल्पनिक भाग को परिवर्तित करते हैं।[17] माड्युलेटर में आगे-पक्षपाती पिन डायोड दोनों सम्मलित हो सकते हैं, जो सामान्यतः बड़े फेज-शिफ्ट उत्पन्न करते हैं किन्तु अल्प गति से पीड़ित होते हैं,[18] और साथ ही रिवर्स-बायस्ड पीएन जंक्शन भी होते हैं।Cite error: Closing </ref> missing for <ref> tag

जर्मेनियम डिटेक्टरों के साथ एकीकृत माइक्रोरिंग मॉड्यूलेटर के साथ एक प्रोटोटाइप प्रकाशिकी इंटरकनेक्ट का प्रदर्शन किया गया है। मच-जेन्डर इंटरफेरोमीटर जैसे गैर-अनुनाद मॉड्यूलेटर, मिलीमीटर श्रेणी में विशिष्ट आयाम होते हैं और सामान्यतः दूरसंचार या डेटाकॉम अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाते हैं। उपकरण, जैसे कि रिंग-रेज़ोनेटर, केवल कुछ दसियों माइक्रोमीटर के आयाम हो सकते हैं, इसलिए अधिक छोटे क्षेत्रों पर अधिकार कर लेते हैं। 2013 में, शोधकर्ताओं ने अल्पता न्यूनाधिक का प्रदर्शन किया जिसे मानक सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर पूरक धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (एसओआई सीएमओएस) निर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करके बनाया जा सकता है। इसी प्रकार के उपकरण को एसओआई के अतिरिक्त बल्क सीएमओएस में भी प्रदर्शित किया गया है।[19][20]

रिसीवर पक्ष पर, प्रकाशिकी सिग्नल सामान्यतः अर्धचालक फोटोडिटेक्टर का उपयोग कर विद्युत डोमेन में परिवर्तित हो जाता है। वाहक उत्पादन के लिए उपयोग किए जाने वाले अर्धचालक में सामान्यतः फोटॉन ऊर्जा की तुलना में बैंड-गैप छोटा होता है, और सबसे सामान्य विकल्प शुद्ध जर्मेनियम है।[21][22] अधिकांश डिटेक्टर वाहक निष्कर्षण के लिए पीएन जंक्शन का उपयोग करते हैं, हालांकि, मेटल-अर्धचालक जंक्शनों (अर्धचालक के रूप में जर्मेनियम के साथ) पर आधारित डिटेक्टरों को सिलिकॉन वेवगाइड्स में भी एकीकृत किया गया है।[23] अभी हाल ही में, सिलिकॉन-जर्मेनियम हिमस्खलन फोटोडायोड 40 Gbit/s पर संचालित करने में सक्षम बनाया गया है।[24][25] सक्रिय प्रकाशिकी केबलों के रूप में पूर्ण ट्रांससीवर्स का व्यवसायीकरण किया गया है। रेफरी>Narasimha, A. (2008). "एक 0.13 µm CMOS सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर तकनीक में एक 40-Gb/s QSFP ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक ट्रांसीवर". Proceedings of the Optical Fiber Communication Conference (OFC): OMK7. ISBN 978-1-55752-859-9. Archived from the original on 16 April 2023. Retrieved 14 September 2012.</ref>

प्रकाशिकी संचार को उनके लिंक की पहुंच या लंबाई के आधार पर आसानी से वर्गीकृत किया जाता है। अधिकांश सिलिकॉन फोटोनिक संचार अब तक दूरसंचार तक ही सीमित रहे हैं रेफरी>Doerr, Christopher R.; et al. (2015). "Silicon photonic integration in telecommunications". In Yamada, Koji (ed.). Photonic Integration and Photonics-Electronics Convergence on Silicon. p. 7. Bibcode:2015FrP.....3...37D. doi:10.3389/fphy.2015.00037. {{cite book}}: |journal= ignored (help)</ref> और डेटाकॉम अनुप्रयोग, रेफरी>Orcutt, Jason; et al. (2016). 25Gb/s पर मोनोलिथिक सिलिकॉन फोटोनिक्स. Optical Fiber Communication Conference. OSA. pp. Th4H.1. doi:10.1364/OFC.2016.Th4H.1.</ref>[26] जहां पहुंच क्रमशः कई किलोमीटर या कई मीटर की हो।

हालाँकि, सिलिकॉन फोटोनिक्स से कंप्यूटरकॉम में भी महत्वपूर्ण भूमिका निभाने की उम्मीद है, जहाँ प्रकाशिकी लिंक की सेंटीमीटर से मीटर श्रेणी तक पहुँच होती है। वास्तव में, कंप्यूटर प्रौद्योगिकी में प्रगति (और मूर के नियम की निरंतरता) तेजी से एकीकृत परिपथ के मध्यऔर भीतर तेजी से डेटा हस्तांतरण पर निर्भर होती जा रही है।[27] प्रकाशिकी इंटरकनेक्ट आगे बढ़ने का रास्ता प्रदान कर सकते हैं, और बार मानक सिलिकॉन चिप्स पर एकीकृत होने पर सिलिकॉन फोटोनिक्स विशेष रूप से उपयोगी साबित हो सकते हैं।[6][28][29] 2006 में, Intel के वरिष्ठ उपाध्यक्ष - और भावी CEO - पैट जेलसिंगर ने कहा कि, आज ऑप्टिक्स विशिष्ट तकनीक है। कल, यह हमारे के माध्यम से निर्मित प्रत्येक चिप की मुख्य धारा है।[8]

प्रकाशिकी इनपुट/आउटपुट (I/O) के साथ पहला माइक्रोप्रोसेसर दिसंबर 2015 में शून्य-परिवर्तन CMOS फोटोनिक्स के रूप में ज्ञात दृष्टिकोण का उपयोग करके प्रदर्शित किया गया था।[30] यह पहला प्रदर्शन 45 nm SOI नोड पर आधारित था, और द्वि-दिशात्मक चिप-टू-चिप लिंक 2×2.5 Gbit/s की दर से संचालित किया गया था। लिंक की कुल ऊर्जा खपत की गणना 16 pJ/b की गई थी और ऑफ-चिप लेज़र के योगदान का प्रभुत्व था।

कुछ शोधकर्ताओं का मानना ​​है कि ऑन-चिप लेजर स्रोत की आवश्यकता है।[31] दूसरों को लगता है कि थर्मल समस्याओं (तापमान के साथ क्वांटम दक्षता अल्प हो जाती है, और कंप्यूटर चिप्स सामान्यतः गर्म होते हैं) और सीएमओएस-संगतता के मुद्दों के कारण इसे ऑफ-चिप रहना चाहिए। ऐसा ही उपकरण हाइब्रिड सिलिकॉन लेजर है, जिसमें सिलिकॉन को लेज़िंग माध्यम के रूप में अलग अर्धचालक (जैसे इंडियम फास्फाइड ) से जोड़ा जाता है।[32] अन्य उपकरणों में ऑल-सिलिकॉन रमन लेजर सम्मलित हैं[33] या ऑल-सिलिकॉन ब्रिलौइन लेज़र <रेफरी नाम = ओटरस्ट्रॉम 1113–1116 >Otterstrom, Nils T.; Behunin, Ryan O.; Kittlaus, Eric A.; Wang, Zheng; Rakich, Peter T. (2018-06-08). "एक सिलिकॉन ब्रिलॉइन लेजर". Science. 360 (6393): 1113–1116. arXiv:1705.05813. Bibcode:2018Sci...360.1113O. doi:10.1126/science.aar6113. ISSN 0036-8075. PMID 29880687. S2CID 46979719.</ref> जिसमें सिलिकॉन लेज़िंग माध्यम के रूप में कार्य करता है।

2012 में, आईबीएम ने घोषणा की कि उसने 90 नैनोमीटर पैमाने पर प्रकाशिकी घटकों को हासिल किया है जिसे मानक तकनीकों का उपयोग करके निर्मित किया जा सकता है और पारंपरिक चिप्स में सम्मलित किया जा सकता है।[7][34] सितंबर 2013 में, इंटेल ने डेटा केंद्रों के अंदर सर्वर को जोड़ने के लिए लगभग पांच मिलीमीटर व्यास वाली केबल के साथ प्रति सेकंड 100 गीगाबिट्स की गति से डेटा संचारित करने की तकनीक की घोषणा की। पारंपरिक PCI-E डेटा केबल आठ गीगाबिट प्रति सेकंड तक डेटा ले जाते हैं, जबकि नेटवर्किंग केबल 40 Gbit/s तक पहुँचते हैं। USB मानक का नवीनतम संस्करण दस Gbit/s पर सबसे ऊपर है। प्रौद्योगिकी सीधे उपस्थित केबलों को प्रतिस्थापित नहीं करती है क्योंकि इसमें विद्युत और प्रकाशिकी संकेतों को आपस में जोड़ने के लिए अलग परिपथ बोर्ड की आवश्यकता होती है। इसकी उन्नत गति रैक पर ब्लेड को जोड़ने वाले केबलों की संख्या को अल्प करने की क्षमता प्रदान करती है और यहां तक ​​कि प्रोसेसर, स्टोरेज और मेमोरी को अलग-अलग ब्लेड में अलग करने की क्षमता प्रदान करती है ताकि अधिक कुशल शीतलन और गतिशील कॉन्फ़िगरेशन की अनुमति मिल सके।[35] ग्राफीन फोटोडेटेक्टर्स में कई महत्वपूर्ण पहलुओं में जर्मेनियम उपकरणों को पार करने की क्षमता है, हालांकि वे तेजी से सुधार के बावजूद वर्तमान पीढ़ी की क्षमता के पीछे परिमाण के आदेश के बारे में रहते हैं। ग्रैफेन डिवाइस बहुत उच्च आवृत्तियों पर कार्य कर सकते हैं, और सिद्धांत रूप में उच्च बैंडविड्थ तक पहुंच सकते हैं। ग्रैफेन जर्मेनियम की तुलना में तरंग दैर्ध्य की विस्तृत श्रृंखला को अवशोषित कर सकता है। प्रकाश की ही किरण में साथ अधिक डेटा धाराओं को प्रसारित करने के लिए उस संपत्ति का शोषण किया जा सकता है। जर्मेनियम डिटेक्टरों के विपरीत, ग्राफीन फोटोडेटेक्टरों को लागू वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे ऊर्जा की जरूरत अल्प हो सकती है। अंत में, ग्राफीन डिटेक्टर सिद्धांत रूप में सरल और अल्प खर्चीला ऑन-चिप एकीकरण की अनुमति देते हैं। हालांकि, ग्रैफेन प्रकाश को दृढ़ता से अवशोषित नहीं करता है। सिलिकॉन वेवगाइड को ग्राफीन शीट के साथ पेयर करने से प्रकाश बेहतर होता है और इंटरेक्शन अधिकतम होता है। इस तरह के पहले उपकरण का प्रदर्शन 2011 में किया गया था। पारंपरिक निर्माण तकनीकों का उपयोग करके ऐसे उपकरणों का निर्माण प्रदर्शित नहीं किया गया है।[36]

प्रकाशिकी राउटर और सिग्नल प्रोसेसर

प्रकाशिकी संचार के लिए सिग्नल राउटर में सिलिकॉन फोटोनिक्स का अन्य अनुप्रयोग है। अनेक घटकों में विस्तारित होने के अतिरिक्त, चिप पर प्रकाशिकी और इलेक्ट्रॉनिक भागों को बनाकर निर्माण को अधिक सरल बनाया जा सकता है।[37] व्यापक उद्देश्य ऑल-प्रकाशिकी सिग्नल प्रोसेसिंग है, जिससे पारंपरिक रूप से इलेक्ट्रॉनिक रूप में संकेतों में हेरफेर करके किए जाने वाले कार्य सीधे प्रकाशिकी रूप में किए जाते हैं।[3][38] महत्वपूर्ण उदाहरण ऑल-प्रकाशिकी स्विचिंग है, जिससे प्रकाशिकी सिग्नल की रूटिंग को अन्य प्रकाशिकी सिग्नल के माध्यम से सीधे नियंत्रित किया जाता है।[39] अन्य उदाहरण ऑल-प्रकाशिकी तरंग दैर्ध्य रूपांतरण है।[40]

2013 में, कैलिफोर्निया और इजराइल में स्थित कम्पास-ईओएस नामक स्टार्ट-अप कंपनी, वाणिज्यिक सिलिकॉन-टू-फोटोनिक्स राउटर प्रस्तुत करने वाली प्रथम कंपनी थी।[41]

सिलिकॉन फोटोनिक्स का उपयोग कर लंबी दूरी की दूरसंचार

सिलिकॉन माइक्रोफोटोनिक्स संभावित रूप से माइक्रो-स्केल, अल्ट्रा लो पावर डिवाइस प्रदान करके इंटरनेट की बैंडविड्थ क्षमता बढ़ा सकता है। इसके अतिरिक्त, यदि इसे सफलतापूर्वक प्राप्त किया जाता है तो डेटा सेंटर की विद्युत व्यय में अधिक अल्पता आ सकती है। सांडिया राष्ट्रीय प्रयोगशालाएँ के शोधकर्ता,[42] कोटुरा, निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन, द्रोह और विभिन्न शैक्षणिक संस्थान इस कार्यक्षमता को प्रमाणित करने का प्रयास कर रहे हैं। 2010 के पेपर में माइक्रोरिंग सिलिकॉन उपकरणों का उपयोग करते हुए 80 किमी, 12.5 Gbit/s ट्रांसमिशन के प्रोटोटाइप पर रिपोर्ट किया गया।[43]

प्रकाश-क्षेत्र प्रदर्शन

2015 तक, यूएस स्टार्टअप कंपनी मैजिक लीप संवर्धित वास्तविकता प्रदर्शन के उद्देश्य के लिए सिलिकॉन फोटोनिक्स का उपयोग करके प्रकाश क्षेत्र चिप पर कार्य कर रही है।[44]

भौतिक गुण

प्रकाशिकी गाइडिंग और विस्तार टेलरिंग

सिलिकॉन लगभग 1.1 माइक्रोमीटर से ऊपर तरंग दैर्ध्य के साथ अवरक्त प्रकाश के लिए पारदर्शिता (प्रकाशिकी) है।[45] सिलिकॉन का भी अधिक उच्च अपवर्तक लगभग 3.5 होता है।[45] इस उच्च सूचकांक के माध्यम से प्रदान किया गया तंग प्रकाशिकी कारावास सूक्ष्म प्रकाशिकी वेवगाइड्स के लिए अनुमति देता है, जिसमें एकमात्र कुछ सौ नैनोमीटर के क्रॉस-आंशिक आयाम हो सकते हैं।[10] एकल मोड प्रचार प्राप्त किया जा सकता है,[10]इस प्रकार (सिंगल-मोड प्रकाशिकी फाइबर की तरह) मोडल विस्तार की समस्या को दूर करता है।

इस तंग बंधन से उत्पन्न विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों के लिए स्थिर इंटरफ़ेस की स्थिति विस्तार (ऑप्टिक्स) को अधिक सीमा तक परिवर्तित कर देती है। वेवगाइड ज्यामिति का चयन करके, वांछित गुणों के लिए विस्तार को तैयार करना संभव है, जो अल्ट्राशॉर्ट दालों की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण महत्व है।[10] विशेष रूप से, समूह वेग विस्तार (अर्थात, तरंग दैर्ध्य के साथ समूह वेग किस सीमा तक भिन्न होता है) को बारीकी से नियंत्रित किया जा सकता है। 1.55 माइक्रोमीटर पर बल्क सिलिकॉन में, समूह वेग विस्तार (जीवीडी) उस दालों में सामान्य होता है, जिसमें लंबी तरंग दैर्ध्य वाली तरंगें अल्प तरंग दैर्ध्य वाले लोगों की समानता में उच्च समूह वेग के साथ यात्रा करती हैं। उपयुक्त वेवगाइड ज्यामिति का चयन करके, चूंकि, इसे उल्टा करना और विषम जीवीडी प्राप्त करना संभव है, जिसमें अल्प तरंग दैर्ध्य वाली दालें तीव्रता से यात्रा करती हैं।[46][47][48] विषम विस्तार महत्वपूर्ण है, क्योंकि यह सॉलिटन प्रचार और मॉडुलन संबंधी अस्थिरता के लिए नियम है।[49]

सिलिकॉन फोटोनिक घटकों के लिए वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स) के बल्क सिलिकॉन से वैकल्पिक रूप से स्वतंत्र रहने के लिए जिस पर वे गढ़े जाते हैं, इसमें हस्तक्षेप करने वाली सामग्री की परत होना आवश्यक है। यह सामान्यतः सिलिका होता है, जिसका अपवर्तक सूचकांक अधिक अल्प होता है (रुचि के तरंग दैर्ध्य क्षेत्र में लगभग 1.44)।[50]), और इस प्रकार सिलिकॉन-सिलिका इंटरफ़ेस पर प्रकाश (सिलिकॉन-एयर इंटरफ़ेस पर प्रकाश के जैसे) पूर्ण आंतरिक परावर्तन से निकलता है, और सिलिकॉन में बना रहता है। इस निर्माण को इन्सुलेटर पर सिलिकॉन के रूप में जाना जाता है।[4][5] इसका नाम इलेक्ट्रॉनिक्स में इन्सुलेटर पर सिलिकॉन की प्रौद्योगिकी के नाम पर रखा गया है, जिससे परजीवी संधारित्र को अल्प करने और प्रदर्शन में सुधार करने के लिए इन्सुलेटर (विद्युत) की परत पर घटकों का निर्माण किया जाता है।[51]

केर अरेखीयता

सिलिकॉन में फोकसिंग केर अरेखीयता है, जिसमें अपवर्तक सूचकांक प्रकाशिकी तीव्रता के साथ बढ़ता है।[10]बल्क सिलिकॉन में यह प्रभाव विशेष रूप से स्थिर नहीं है, किन्तु अधिक छोटे क्रॉस-सेक्शनल क्षेत्र में प्रकाश को केंद्रित करने के लिए सिलिकॉन वेवगाइड का उपयोग करके इसे अधिक बढ़ाया जा सकता है।[14] यह गैर-रैखिक प्रकाशिकी प्रभावों को अल्प शक्तियों पर देखने की अनुमति देता है। स्लॉट वेवगाइड का उपयोग करके अरैखिकता को और बढ़ाया जा सकता है, जिसमें सिलिकॉन के उच्च अपवर्तक सूचकांक का उपयोग प्रकाश को केंद्रीय क्षेत्र में दृढ़ता से गैर-रैखिक बहुलक से भरने के लिए किया जाता है।[52]

केर अरैखिकता प्रकाशिकी घटनाओं की विस्तृत विविधता को रेखांकित करती है।[49] उदाहरण चार तरंग मिश्रण है, जिसे प्रकाशिकी पैरामीट्रिक प्रवर्धन प्राप्त करने के लिए सिलिकॉन में प्रारम्भ किया गया है,[53] पैरामीट्रिक वेवलेंथ कनवर्ज़न,[40]और आवृत्ति कंघी पीढ़ी है।[54][55]

केर गैर-रेखिकता भी मॉडुलन संबंधी अस्थिरता उत्पन्न कर सकता है, जिसमें यह प्रकाशिकी तरंग से विचलन को स्थिर करता है, जिससे आवृत्ति स्पेक्ट्रम-साइडबैंड की पीढ़ी और दालों की ट्रेन में तरंग के अंतिम विभक्त की ओर अग्रसर होता है।[56] अन्य उदाहरण (जैसा कि नीचे वर्णित है) सॉलिटॉन प्रचार है।

दो फोटॉन अवशोषण

सिलिकॉन दो फोटॉन अवशोषण (टीपीए) प्रदर्शित करता है, जिसमें फोटोन की जोड़ी इलेक्ट्रॉन-छिद्र जोड़ी को उत्तेजित करने के लिए कार्य कर सकती है।[10] यह प्रक्रिया केर प्रभाव से संबंधित है, और अपारदर्शिता के गणितीय विवरण के अनुरूप, जटिल संख्या केर गैर-रैखिकता के काल्पनिक संख्या-भाग के रूप में सोचा जा सकता है।[10] 1.55 माइक्रोमीटर दूरसंचार तरंग दैर्ध्य पर, यह काल्पनिक भाग वास्तविक भाग का लगभग 10% है।[57]

टीपीए का प्रभाव अत्यधिक विघटनकारी है, क्योंकि यह प्रकाश को बर्बाद करता है और अवांछित गर्मी उत्पन्न करता है।[58] इसे अल्प किया जा सकता है, चूंकि, या तो लंबी तरंग दैर्ध्य पर स्विच करके (जिस पर टीपीए से केर अनुपात गिरता है),[59] या स्लॉट वेवगाइड्स का उपयोग करके किया जा सकता है (जिसमें आंतरिक अरैखिक सामग्री का टीपीए से केर अनुपात अल्प होता है)।[52] वैकल्पिक रूप से, टीपीए के माध्यम से विलुप्त ऊर्जा को आंशिक रूप से पुनर्प्राप्त किया जा सकता है (जैसा कि नीचे वर्णित है) इसे उत्पन्न आवेश वाहकों से निकालकर होता है।[60]

मुक्त आवेश वाहक अन्योन्यक्रिया

सिलिकॉन के अंदर अर्धचालकों में आवेश वाहक फोटॉन को अवशोषित कर सकते हैं और इसके अपवर्तक सूचकांक को परिवर्तित कर सकते हैं।[61] यह उच्च तीव्रता और लंबी अवधि के लिए विशेष रूप से महत्वपूर्ण है, क्योंकि टीपीए के माध्यम से वाहक एकाग्रता का निर्माण किया जा रहा है।मुक्त आवेश वाहक का प्रभाव अधिकांशतः (किन्तु सदैव नहीं) अवांछित होता है, और उन्हें विस्थापित करने के लिए विभिन्न विधि का प्रस्ताव किया गया है। ऐसी ही योजना वाहक पुनर्संयोजन को बढ़ाने के लिए हीलियम के साथ सिलिकॉन को आयनित करना है।[62] वाहक के जीवनकाल को अल्प करने के लिए ज्यामिति के उपयुक्त विकल्प का भी उपयोग किया जा सकता है। रिब वेवगाइड्स (जिसमें वेवगाइड्स सिलिकॉन की व्यापक परत में मोटे क्षेत्रों से युक्त होते हैं) सिलिका-सिलिकॉन इंटरफ़ेस पर वाहक पुनर्संयोजन और वेवगाइड कोर से वाहकों के प्रसार दोनों को बढ़ाते हैं।[63]

वाहक विस्थापित करने के लिए अधिक उन्नत योजना पिन डायोड के आंतरिक अर्धचालक में वेवगाइड को एकीकृत करना है, जो रिवर्स बायस्ड है जिससे वाहक वेवगाइड कोर से दूर आकर्षित हों।[64] अभी भी अधिक परिष्कृत योजना है, डायोड को परिपथ के भाग के रूप में उपयोग करना जिसमें वोल्टेज और विद्युत प्रवाह चरण से बाहर हैं, इस प्रकार वेवगाइड से विद्युत निकालने की अनुमति मिलती है।[60] इस शक्ति का स्रोत दो फोटॉन अवशोषण के लिए विलुप्त प्रकाश है, और इसलिए इसमें से कुछ को पुनर्प्राप्त करके, शुद्ध हानि (और जिस दर पर गर्मी उत्पन्न होती है) को अल्प किया जा सकता है।

जैसा ऊपर बताया गया है, प्रकाश को संशोधित करने के लिए, मुक्त आवेश वाहक प्रभाव का रचनात्मक रूप से भी उपयोग किया जा सकता है।[18][65][66]

दूसरे क्रम की अरैखिकता

इसकी क्रिस्टलीय संरचना के सेंट्रोसिमेट्री के कारण बल्क सिलिकॉन में दूसरे क्रम की अरैखिकता उपस्थित नहीं हो सकती है। चूँकि, तनाव लगाने से, सिलिकॉन की व्युत्क्रम समरूपता को तोड़ा जा सकता है। यह पतली सिलिकॉन फिल्म पर सिलिकॉन नाइट्राइड परत जमा करके उदाहरण के लिए प्राप्त किया जा सकता है।[67]

ऑप्टिकल मॉड्यूलेशन, सहज पैरामीट्रिक डाउन-रूपांतरण, पैरामीट्रिक प्रवर्धन, अल्ट्रा-फास्ट प्रकाशिकी सिग्नल प्रोसेसिंग और मध्य-इन्फ्रारेड पीढ़ी के लिए दूसरे क्रम की गैर-रैखिक घटना का शोषण किया जा सकता है। कुशल गैर-रैखिक रूपांतरण के लिए चूँकि सम्मलित प्रकाशिकी तरंगों के मध्य चरण मिलान की आवश्यकता होती है। तनावग्रस्त सिलिकॉन पर आधारित द्वितीय-क्रम की अरैखिक वेवगाइड, मोडल विस्तार-अभियांत्रिकी[68] द्वारा चरण मिलान प्राप्त कर सकते हैं।

अभी तक चूँकि, प्रायोगिक प्रदर्शन एकमात्र उन डिजाइनों पर आधारित होते हैं जो चरण मिलान नहीं होते हैं।[69]

यह दिखाया गया है कि चरण मिलान सिलिकॉन डबल स्लॉट वेवगाइड्स में भी प्राप्त किया जा सकता है, जो अत्यधिक गैर-रैखिक कार्बनिक क्लैडिंग[70] और समय-समय पर तनावग्रस्त सिलिकॉन वेवगाइड्स के साथ लेपित होते हैं।[71]

रमन प्रभाव

सिलिकॉन रमन प्रभाव को प्रदर्शित करता है, जिसमें फोटॉन को थोड़ी भिन्न ऊर्जा के साथ फोटॉन के लिए आदान-प्रदान किया जाता है, जो सामग्री की उत्तेजना या विश्राम के अनुरूप होता है। सिलिकॉन के रमन ट्रांज़िशन में एकल, अधिक संकीर्ण आवृत्ति शिखर का प्रभुत्व है, जो रमन प्रवर्धन जैसी ब्रॉडबैंड घटनाओं के लिए समस्याग्रस्त है, किन्तु रमन लेसरों जैसे नैरोबैंड उपकरणों के लिए लाभदायक है।[10]रमन प्रवर्धन और रमन लेसरों के प्रारंभिक अध्ययन यूसीएलए में प्रारंभ हुए, जिसके कारण फ़ाइबर रेज़ोनेटर (ऑप्टिक्स एक्सप्रेस 2004) के साथ सिलिकॉन रमन एम्पलीफायरों और सिलिकॉन स्पंदित रमन लेज़र के शुद्ध लाभ का प्रदर्शन हुआ। परिणाम स्वरुप , 2005 में ऑल-सिलिकॉन रमन लेसरों का निर्माण किया गया।[33]

ब्रिलौइन प्रभाव

रमन प्रभाव में, फोटॉन लगभग 15 THz की आवृत्ति के साथ फ़ोनॉन ध्वनिक और प्रकाशिकी फ़ोनॉन के माध्यम से लाल- या नीले रंग में स्थानांतरित होते हैं। चूंकि, सिलिकॉन वेवगाइड्स भी फोनोन अकॉस्टिक और प्रकाशिकी फोनॉन उत्तेजनाओं का समर्थन करते हैं। प्रकाश के साथ इन ध्वनिक फ़ोनों की परस्पर क्रिया को ब्रिलौइन स्कैटरिंग कहा जाता है। इन ध्वनिक फ़ोनों की आवृत्तियाँ और मोड आकार सिलिकॉन वेवगाइड्स की ज्यामिति और आकार पर निर्भर होते हैं, जिससे कुछ मेगाहर्ट्ज से लेकर दसियों गीगाहर्ट्ज़ तक की आवृत्तियों पर दृढ़ ब्रिलौइन स्कैटरिंग का उत्पादन संभव हो जाता है।[72][73] संकीर्ण बैंड प्रकाशिकी एम्पलीफायरों को बनाने के लिए उत्तेजित ब्रिलौइन स्कैटरिंग का उपयोग किया गया है[74][75][76] साथ ही ऑल-सिलिकॉन ब्रिलौइन लेज़र बनाने के लिए किया गया है। <रेफरी नाम = ओटरस्ट्रॉम 1113–1116 /> कैविटी ऑप्टोमैकेनिक्स के क्षेत्र में फोटॉन और ध्वनिक फोनन के मध्य की परस्परक्रिया का भी अध्ययन किया जाता है, चूंकि इंटरेक्शन का निरीक्षण करने के लिए 3डी प्रकाशिकी कैविटी आवश्यक नहीं हैं।[77] उदाहरण के लिए, सिलिकॉन वेवगाइड्स के अतिरिक्त और क्लैकोजेनाइड वेवगाइड्स में[78] ऑप्टोमैकेनिकल कपलिंग का भी प्रदर्शन किया गया है ।[79]

सोलिटन्स

सिलिकॉन वेवगाइड्स के माध्यम से प्रकाश के विकास को क्यूबिक नॉनलाइनियर श्रोडिंगर समीकरण के साथ अनुमानित किया जा सकता है,[10]जो अतिशयोक्तिपूर्ण छेदक-जैसे सॉलिटॉन समाधानों को स्वीकार करने के लिए उल्लेखनीय है।[80] ये प्रकाशिकी सॉलिटॉन (जिन्हें प्रकाशित तंतु में भी जाना जाता है) स्व चरण मॉडुलन (जिसके कारण पल्स के अग्रणी किनारे को रेडशिफ्ट किया जाता है भौतिक ऑप्टिक्स या रेडिएटिव ट्रांसफर और ट्रेलिंग एज के कारण प्रभाव ब्लूशिफ्टेड) ​​और विषम समूह वेग विस्तार के मध्य संतुलन का परिणाम होता है।[49] कोलंबिया के विश्वविद्यालयों,[14]रोचेस्टर,[15]और बाथ[16] के समूहों के माध्यम से सिलिकॉन वेवगाइड्स में ऐसे सॉलिटॉन देखे गए हैं ।

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ Soref, Richard A.; Lorenzo, Joseph P. (1986). "All-silicon active and passive guided-wave components for lambda= 1.3 and 1.6 microns". IEEE Journal of Quantum Electronics. 22 (6): 873–879. Bibcode:1986IJQE...22..873S. doi:10.1109/JQE.1986.1073057. Archived from the original on 2 December 2020. Retrieved 2 July 2019.
  2. ↑ Jalali, Bahram; Fathpour, Sasan (2006). "सिलिकॉन फोटोनिक्स". Journal of Lightwave Technology. 24 (12): 4600–4615. Bibcode:2006JLwT...24.4600J. doi:10.1109/JLT.2006.885782.
  3. ↑ 3.0 3.1 Almeida, V. R.; Barrios, C. A.; Panepucci, R. R.; Lipson, M (2004). "एक सिलिकॉन चिप पर प्रकाश का ऑल-ऑप्टिकल नियंत्रण". Nature. 431 (7012): 1081–1084. Bibcode:2004Natur.431.1081A. doi:10.1038/nature02921. PMID 15510144. S2CID 4404067.
  4. ↑ 4.0 4.1 4.2 4.3 सिलिकॉन फोटोनिक्स. Springer. 2004. ISBN 3-540-21022-9.
  5. ↑ 5.0 5.1 5.2 {{cite book |title = सिलिकॉन फोटोनिक्स: एक परिचय|isbn = 0-470-87034-6 |publisher = John Wiley and Sons |year = 2004 }
  6. ↑ 6.0 6.1 6.2 {{cite journal |doi = 10.1109/JLT.2005.858225 |title = सिलिकॉन पर गाइडिंग, मॉड्यूलेटिंग और एमिटिंग लाइट - चुनौतियां और अवसर|journal = Journal of Lightwave Technology |year = 2005 |volume = 23 |issue = 12 |pages = 4222–4238 |author = Lipson, Michal | bibcode = 2005JLwT...23.4222L |s2cid = 42767475 }
  7. ↑ 7.0 7.1 "सिलिकॉन एकीकृत नैनोफोटोनिक्स". IBM Research. Archived from the original on 9 August 2009. Retrieved 14 July 2009.
  8. ↑ 8.0 8.1 "सिलिकॉन फोटोनिक्स". Intel. Archived from the original on 28 June 2009. Retrieved 14 July 2009.
  9. ↑ SPIE (5 March 2015). "Yurii A. Vlasov plenary presentation: Silicon Integrated Nanophotonics: From Fundamental Science to Manufacturable Technology". SPIE Newsroom. doi:10.1117/2.3201503.15.
  10. ↑ 10.0 10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 Dekker, R; Usechak, N; Först, M; Driessen, A (2008). "सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर वेवगाइड्स में अल्ट्राफास्ट नॉनलाइनियर ऑल-ऑप्टिकल प्रक्रियाएं". Journal of Physics D. 40 (14): R249–R271. Bibcode:2007JPhD...40..249D. doi:10.1088/0022-3727/40/14/r01. S2CID 123008652.
  11. ↑ {{cite book |title = नॉनलाइनियर ऑप्टिक्स के तत्व|isbn = 0-521-42424-0 |publisher = Cambridge University Press |year = 1991 |author1 = Butcher, Paul N. |author2 = Cotter, David }
  12. ↑ Talebi Fard, Sahba; Grist, Samantha M.; Donzella, Valentina; Schmidt, Shon A.; Flueckiger, Jonas; Wang, Xu; Shi, Wei; Millspaugh, Andrew; Webb, Mitchell; Ratner, Daniel M.; Cheung, Karen C.; Chrostowski, Lukas (2013). "Label-free silicon photonic biosensors for use in clinical diagnostics". In Kubby, Joel; Reed, Graham T (eds.). सिलिकॉन फोटोनिक्स VIII. Vol. 8629. p. 862909. doi:10.1117/12.2005832. S2CID 123382866.
  13. ↑ Donzella, Valentina; Sherwali, Ahmed; Flueckiger, Jonas; Grist, Samantha M.; Fard, Sahba Talebi; Chrostowski, Lukas (2015). "सब-वेवलेंथ ग्रेटिंग वेवगाइड्स पर आधारित SOI माइक्रो-रिंग रेज़ोनेटर का डिज़ाइन और निर्माण". Optics Express. 23 (4): 4791–803. Bibcode:2015OExpr..23.4791D. doi:10.1364/OE.23.004791. PMID 25836514.
  14. ↑ 14.0 14.1 14.2 Hsieh, I.-Wei; Chen, Xiaogang; Dadap, Jerry I.; Panoiu, Nicolae C.; Osgood, Richard M.; McNab, Sharee J.; Vlasov, Yurii A. (2006). "सी फोटोनिक वायर-वेवगाइड्स में अल्ट्राफास्ट-पल्स सेल्फ-फेज मॉड्यूलेशन और थर्ड-ऑर्डर डिस्पर्सन". Optics Express. 14 (25): 12380–12387. Bibcode:2006OExpr..1412380H. doi:10.1364/OE.14.012380. PMID 19529669.
  15. ↑ 15.0 15.1 Zhang, Jidong; Lin, Qiang; Piredda, Giovanni; Boyd, Robert W.; Agrawal, Govind P.; Fauchet, Philippe M. (2007). "एक सिलिकॉन वेवगाइड में ऑप्टिकल सॉलिटॉन". Optics Express. 15 (12): 7682–7688. Bibcode:2007OExpr..15.7682Z. doi:10.1364/OE.15.007682. PMID 19547096. S2CID 26807722.
  16. ↑ 16.0 16.1 Ding, W.; Benton, C.; Gorbach, A. V.; Wadsworth, W. J.; Knight, J. C.; Skryabin, D. V.; Gnan, M.; Sorrel, M.; de la Rue, R. M. (2008). "लंबे सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर फोटोनिक तारों में सॉलिटॉन और वर्णक्रमीय विस्तार". Optics Express. 16 (5): 3310–3319. Bibcode:2008OExpr..16.3310D. doi:10.1364/OE.16.003310. PMID 18542420.
  17. ↑ Soref, Richard A.; Bennett, Brian R. (1987). "Electrooptical effects in silicon". IEEE Journal of Quantum Electronics. 23 (1): 123–129. Bibcode:1987IJQE...23..123S. doi:10.1109/JQE.1987.1073206. Archived from the original on 2 December 2020. Retrieved 2 July 2019.
  18. ↑ 18.0 18.1 Barrios, C.A.; Almeida, V.R.; Panepucci, R.; Lipson, M. (2003). "सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर सबमाइक्रोमीटर-साइज़ वेवगाइड डिवाइसेस का इलेक्ट्रोऑप्टिक मॉड्यूलेशन". Journal of Lightwave Technology. 21 (10): 2332–2339. Bibcode:2003JLwT...21.2332B. doi:10.1109/JLT.2003.818167.
  19. ↑ "प्रमुख सिलिकॉन फोटोनिक्स सफलता माइक्रोप्रोसेसरों में निरंतर घातीय वृद्धि की अनुमति दे सकती है". KurzweilAI. 8 October 2013. Archived from the original on 8 October 2013. Retrieved 8 October 2013.
  20. ↑ Shainline, J. M.; Orcutt, J. S.; Wade, M. T.; Nammari, K.; Tehar-Zahav, O.; Sternberg, Z.; Meade, R.; Ram, R. J.; Stojanović, V.; Popović, M. A. (2013). "थोक पूरक धातु-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर प्रक्रिया में डिप्लेशन-मोड पॉलीसिलिकॉन ऑप्टिकल मॉड्यूलेटर". Optics Letters. 38 (15): 2729–2731. Bibcode:2013OptL...38.2729S. doi:10.1364/OL.38.002729. PMID 23903125. S2CID 6228126.
  21. ↑ Kucharski, D.; et al. (2010). "10 Gb/s 15mW optical receiver with integrated Germanium photodetector and hybrid inductor peaking in 0.13µm SOI CMOS technology". Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC): 360–361.
  22. ↑ Gunn, Cary; Masini, Gianlorenzo; Witzens, J.; Capellini, G. (2006). "जर्मेनियम फोटोडिटेक्टरों का उपयोग करते हुए सीएमओएस फोटोनिक्स". ECS Transactions. 3 (7): 17–24. Bibcode:2006ECSTr...3g..17G. doi:10.1149/1.2355790. S2CID 111820229.
  23. ↑ Vivien, Laurent; Rouvière, Mathieu; Fédéli, Jean-Marc; Marris-Morini, Delphine; Damlencourt, Jean François; Mangeney, Juliette; Crozat, Paul; El Melhaoui, Loubna; Cassan, Eric; Le Roux, Xavier; Pascal, Daniel; Laval, Suzanne (2007). "सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर माइक्रोवेवगाइड में एकीकृत उच्च गति और उच्च प्रतिक्रियाशीलता जर्मेनियम फोटोडेटेक्टर". Optics Express. 15 (15): 9843–9848. Bibcode:2007OExpr..15.9843V. doi:10.1364/OE.15.009843. PMID 19547334.
  24. ↑ Kang, Yimin; Liu, Han-Din; Morse, Mike; Paniccia, Mario J.; Zadka, Moshe; Litski, Stas; Sarid, Gadi; Pauchard, Alexandre; Kuo, Ying-Hao; Chen, Hui-Wen; Zaoui, Wissem Sfar; Bowers, John E.; Beling, Andreas; McIntosh, Dion C.; Zheng, Xiaoguang; Campbell, Joe C. (2008). "340 GHz गेन-बैंडविड्थ उत्पाद के साथ मोनोलिथिक जर्मेनियम/सिलिकॉन हिमस्खलन फोटोडायोड". Nature Photonics. 3 (1): 59–63. Bibcode:2009NaPho...3...59K. doi:10.1038/nphoton.2008.247.
  25. ↑ Modine, Austin (8 December 2008). "इंटेल ने दुनिया के सबसे तेज सिलिकॉन फोटोनिक डिटेक्टर का बिगुल फूंका". The Register. Archived from the original on 10 August 2017. Retrieved 10 August 2017.
  26. ↑ Frederic, Boeuf; et al. (2015). Recent Progress in Silicon Photonics R&D and Manufacturing on 300mm Wafer Platform. Optical Fiber Communication Conference. OSA. pp. W3A.1. doi:10.1364/OFC.2015.W3A.1.
  27. ↑ {{cite journal |doi = 10.1109/MCISE.2003.1166548 |title = बियॉन्ड मूर्स लॉ: द इंटरकनेक्ट एरा|journal = Computing in Science & Engineering |year = 2003 |volume = 5 |issue = 1 |pages = 20–24 |author = Meindl, J. D. |bibcode = 2003CSE.....5a..20M |s2cid = 15668981 }
  28. ↑ Barwicz, T.; Byun, H.; Gan, F.; Holzwarth, C. W.; Popovic, M. A.; Rakich, P. T.; Watts, M. R.; Ippen, E. P.; Kärtner, F. X.; Smith, H. I.; Orcutt, J. S.; Ram, R. J.; Stojanovic, V.; Olubuyide, O. O.; Hoyt, J. L.; Spector, S.; Geis, M.; Grein, M.; Lyszczarz, T.; Yoon, J. U. (2006). "कॉम्पैक्ट, ऊर्जा-कुशल इंटरकनेक्ट के लिए सिलिकॉन फोटोनिक्स". Journal of Optical Networking. 6 (1): 63–73. Bibcode:2007JON.....6...63B. doi:10.1364/JON.6.000063. S2CID 10174513.
  29. ↑ {{cite conference |author = Orcutt, J. S. |title = एक वाणिज्यिक स्केल्ड बल्क सीएमओएस प्रक्रिया में एक इलेक्ट्रॉनिक फोटोनिक इंटीग्रेटेड सर्किट का प्रदर्शन|conference = Conference on Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference and Photonic Applications Systems Technologies |year = 2008 |display-authors=etal}
  30. ↑ Sun, Chen; et al. (2015). "Single-chip microprocessor that communicates directly using light". Nature. 528 (7583): 534–538. Bibcode:2015Natur.528..534S. doi:10.1038/nature16454. PMID 26701054. S2CID 205247044. Archived from the original on 23 June 2020. Retrieved 2 July 2019.
  31. ↑ Bowers, John E (2014). Semiconductor lasers on silicon. 2014 International Semiconductor Laser Conference\. IEEE. p. 29.
  32. ↑ {{cite web |url = http://techresearch.intel.com/articles/Tera-Scale/1448.htm |title = हाइब्रिड सिलिकॉन लेजर - इंटेल प्लेटफॉर्म रिसर्च|publisher = Intel |accessdate = 14 July 2009 |archive-date = 28 June 2009 |archive-url = https://web.archive.org/web/20090628011649/http://techresearch.intel.com/articles/Tera-Scale/1448.htm |url-status = live }
  33. ↑ 33.0 33.1 {{cite journal |title = एक ऑल-सिलिकॉन रमन लेजर|doi = 10.1038/nature03273 |journal = Nature |pmid = 15635371 |year = 2005 |volume = 433 |issue = 7023 |pages = 292–294 | bibcode = 2005Natur.433..292R |last1 = Rong |first1 = H |last2 = Liu |first2 = A |last3 = Jones |first3 = R |last4 = Cohen |first4 = O |last5 = Hak |first5 = D |last6 = Nicolaescu |first6 = R |last7 = Fang |first7 = A |last8 = Paniccia |first8 = M |s2cid = 4407228 }
  34. ↑ Borghino, Dario (13 December 2012). "आईबीएम एक चिप पर प्रकाशिकी और इलेक्ट्रॉनिक्स को एकीकृत करता है". Gizmag.com. Archived from the original on 22 April 2013. Retrieved 20 April 2013.
  35. ↑ Simonite, Tom. "Intel Unveils Optical Technology to Kill Copper Cables and Make Data Centers Run Faster | MIT Technology Review". Technologyreview.com. Archived from the original on 5 September 2013. Retrieved 4 September 2013.
  36. ↑ Orcutt, Mike (2 October 2013) "Graphene-Based Optical Communication Could Make Computing More Efficient Archived 10 May 2021 at the Wayback Machine. MIT Technology Review.
  37. ↑ Analui, Behnam; Guckenberger, Drew; Kucharski, Daniel; Narasimha, Adithyaram (2006). "एक मानक 0.13-μm CMOS SOI प्रौद्योगिकी में कार्यान्वित एक पूरी तरह से एकीकृत 20-Gb/s ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक ट्रांसीवर". IEEE Journal of Solid-State Circuits. 41 (12): 2945–2955. Bibcode:2006IJSSC..41.2945A. doi:10.1109/JSSC.2006.884388. S2CID 44232146.
  38. ↑ {{cite journal |doi = 10.1364/OPEX.12.004094 |title = सिलिकॉन वेवगाइड्स में सभी ऑप्टिकल स्विचिंग और कॉन्टिनम जनरेशन|journal = Optics Express |year = 2004 |volume = 12 |issue = 17 |pages = 4094–4102 | bibcode = 2004OExpr..12.4094B |last1 = Boyraz |first1 = ÖZdal |last2 = Koonath |first2 = Prakash |last3 = Raghunathan |first3 = Varun |last4 = Jalali |first4 = Bahram |pmid = 19483951 |s2cid = 29225037 |doi-access = free }
  39. ↑ {{cite journal |doi = 10.1038/nphoton.2008.31 |title = ऑन-चिप ऑप्टिकल नेटवर्क के लिए उच्च-थ्रूपुट सिलिकॉन नैनोफोटोनिक वेवलेंथ-असंवेदनशील स्विच|journal = Nature Photonics |year = 2008 |volume = 2 |issue = 4 |pages = 242–246 |last1 = Vlasov |first1 = Yurii |last2 = Green |first2 = William M. J. |last3 = Xia |first3 = Fengnian }
  40. ↑ 40.0 40.1 Foster, Mark A.; Turner, Amy C.; Salem, Reza; Lipson, Michal; Gaeta, Alexander L. (2007). "सिलिकॉन नैनोवेवगाइड्स में ब्रॉड-बैंड निरंतर-लहर पैरामीट्रिक तरंग दैर्ध्य रूपांतरण". Optics Express. 15 (20): 12949–12958. Bibcode:2007OExpr..1512949F. doi:10.1364/OE.15.012949. PMID 19550563. S2CID 12219167.
  41. ↑ "छह साल की योजना के बाद, कम्पास-ईओएस सिस्को को धधकते-तेज़ राउटर बनाने के लिए ले जाता है". venturebeat.com. 12 March 2013. Archived from the original on 5 May 2013. Retrieved 25 April 2013.
  42. ↑ {{cite journal |title = सिलिकॉन माइक्रोडिस्क गुंजयमान मॉड्यूलेटर में पावर पेनल्टी माप और आवृत्ति चिरप निष्कर्षण|journal = Proc. Optical Fiber Communication Conference (OFC) |year = 2010 |issue = OMI7 |pages = OMI7 |author = Zortman, W. A. |doi = 10.1364/OFC.2010.OMI7 |isbn = 978-1-55752-885-8 |s2cid = 11379237 }
  43. ↑ Biberman, Aleksandr; Manipatruni, Sasikanth; Ophir, Noam; Chen, Long; Lipson, Michal; Bergman, Keren (2010). "सिलिकन माइक्रोरिंग माड्युलेटर्स का उपयोग करते हुए लंबी दूरी के संचरण का पहला प्रदर्शन". Optics Express. 18 (15): 15544–15552. Bibcode:2010OExpr..1815544B. doi:10.1364/OE.18.015544. PMID 20720934. S2CID 19421366.
  44. ↑ Bourzac, Katherine (2015-06-11). "Can Magic Leap Do What It Claims with $592 Million?". MIT Technology Review. Archived from the original on 14 June 2015. Retrieved 2015-06-13.
  45. ↑ 45.0 45.1 "सिलिकॉन (एसआई)". University of Reading Infrared Multilayer Laboratory. Archived from the original on 14 May 2016. Retrieved 17 July 2009.
  46. ↑ Yin, Lianghong; Lin, Q.; Agrawal, Govind P. (2006). "सिलिकॉन वेवगाइड्स में फैलाव टेलरिंग और सॉलिटॉन प्रचार". Optics Letters. 31 (9): 1295–1297. Bibcode:2006OptL...31.1295Y. doi:10.1364/OL.31.001295. PMID 16642090. S2CID 43103486.
  47. ↑ Turner, Amy C.; Manolatou, Christina; Schmidt, Bradley S.; Lipson, Michal; Foster, Mark A.; Sharping, Jay E.; Gaeta, Alexander L. (2006). "सिलिकॉन चैनल वेवगाइड्स में अनुरूपित विषम समूह-वेग फैलाव". Optics Express. 14 (10): 4357–4362. Bibcode:2006OExpr..14.4357T. doi:10.1364/OE.14.004357. PMID 19516587. S2CID 41508892.
  48. ↑ Talukdar, Tahmid H.; Allen, Gabriel D.; Kravchenko, Ivan; Ryckman, Judson D. (2019-08-05). "अल्ट्रा-सेंसिटिव सरफेस एडलेयर सेंसिंग के लिए एकता परिरोध कारकों के साथ सिंगल-मोड झरझरा सिलिकॉन वेवगाइड इंटरफेरोमीटर". Optics Express (in English). 27 (16): 22485–22498. Bibcode:2019OExpr..2722485T. doi:10.1364/OE.27.022485. ISSN 1094-4087. OSTI 1546510. PMID 31510540.
  49. ↑ 49.0 49.1 49.2 Agrawal, Govind P. (1995). नॉनलाइनियर फाइबर ऑप्टिक्स (2nd ed.). San Diego (California): Academic Press. ISBN 0-12-045142-5.
  50. ↑ Malitson, I. H. (1965). "इंटरस्पेसिमेन कंपेरिजन ऑफ द रिफ्रैक्टिव इंडेक्स ऑफ फ्यूज्ड सिलिका". Journal of the Optical Society of America. 55 (10): 1205–1209. Bibcode:1965JOSA...55.1205M. doi:10.1364/JOSA.55.001205.
  51. ↑ Celler, G. K.; Cristoloveanu, Sorin (2003). "सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर के फ्रंटियर्स". Journal of Applied Physics. 93 (9): 4955. Bibcode:2003JAP....93.4955C. doi:10.1063/1.1558223.
  52. ↑ 52.0 52.1 Koos, C; Jacome, L; Poulton, C; Leuthold, J; Freude, W (2007). "ऑल-ऑप्टिकल सिग्नल प्रोसेसिंग के लिए नॉनलाइनियर सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर वेवगाइड्स". Optics Express. 15 (10): 5976–5990. Bibcode:2007OExpr..15.5976K. doi:10.1364/OE.15.005976. hdl:10453/383. PMID 19546900. S2CID 7069722.
  53. ↑ Foster, M. A.; Turner, A. C.; Sharping, J. E.; Schmidt, B. S.; Lipson, M; Gaeta, A. L. (2006). "सिलिकॉन फोटोनिक चिप पर ब्रॉड-बैंड ऑप्टिकल पैरामीट्रिक लाभ". Nature. 441 (7096): 960–3. Bibcode:2006Natur.441..960F. doi:10.1038/nature04932. PMID 16791190. S2CID 205210957.
  54. ↑ Griffith, Austin G.; Lau, Ryan K.W.; Cardenas, Jaime; Okawachi, Yoshitomo; Mohanty, Aseema; Fain, Romy; Lee, Yoon Ho Daniel; Yu, Mengjie; Phare, Christopher T.; Poitras, Carl B.; Gaeta, Alexander L.; Lipson, Michal (24 February 2015). "सिलिकॉन-चिप मध्य-अवरक्त आवृत्ति कंघी पीढ़ी". Nature Communications. 6: 6299. arXiv:1408.1039. Bibcode:2015NatCo...6.6299G. doi:10.1038/ncomms7299. PMID 25708922. S2CID 1089022.
  55. ↑ Kuyken, Bart; Ideguchi, Takuro; Holzner, Simon; Yan, Ming; Hänsch, Theodor W.; Van Campenhout, Joris; Verheyen, Peter; Coen, Stéphane; Leo, Francois; Baets, Roel; Roelkens, Gunther; Picqué, Nathalie (20 February 2015). "एक सिलिकॉन नैनोफोटोनिक वायर वेवगाइड में उत्पन्न एक ऑक्टेव-स्पैनिंग मिड-इन्फ्रारेड फ़्रीक्वेंसी कॉम्ब". Nature Communications. 6: 6310. arXiv:1405.4205. Bibcode:2015NatCo...6.6310K. doi:10.1038/ncomms7310. PMC 4346629. PMID 25697764.
  56. ↑ {{cite journal |title = सिलिकॉन फोटोनिक नैनोवायरों में मॉड्यूलेशन अस्थिरता|journal = Optics Letters |year = 2006 |volume = 31 |pages = 3609–11 |pmid=17130919 | bibcode = 2006OptL...31.3609P |doi = 10.1364/OL.31.003609 |issue = 24 |last1 = Panoiu |first1 = Nicolae C. |last2 = Chen |first2 = Xiaogang |last3 = Osgood Jr. |first3 = Richard M. }
  57. ↑ Yin, Lianghong; Agrawal, Govind P. (2006). "सिलिकॉन वेवगाइड्स में स्व-चरण मॉडुलन पर दो-फोटॉन अवशोषण का प्रभाव: मुक्त-वाहक प्रभाव". Optics Letters. 32 (14): 2031–2033. Bibcode:2007OptL...32.2031Y. doi:10.1364/OL.32.002031. PMID 17632633. S2CID 10937266.
  58. ↑ {{cite news |author = Nikbin, Darius |title = सिलिकॉन फोटोनिक्स इसकी "मौलिक समस्या" हल करता है|publisher = IOP publishing |url = http://optics.org/cws/article/research/25379 |date = 20 July 2006 |access-date = 27 July 2009 |archive-date = 31 May 2008 |archive-url = https://web.archive.org/web/20080531024216/http://optics.org/cws/article/research/25379 |url-status = live }
  59. ↑ {{cite journal |title = 850- Template:कन्वर्ट |journal = Applied Physics Letters |year = 2007 |volume = 90 |page = 191104 | bibcode = 2007ApPhL..90b1104R |doi = 10.1063/1.2430400 |issue = 2 |last1 = Rybczynski |first1 = J. |last2 = Kempa |first2 = K. |last3 = Herczynski |first3 = A. |last4 = Wang |first4 = Y. |last5 = Naughton |first5 = M. J. |last6 = Ren |first6 = Z. F. |last7 = Huang |first7 = Z. P. |last8 = Cai |first8 = D. |last9 = Giersig |first9 = M. |s2cid = 122887780 }
  60. ↑ 60.0 60.1 Tsia, K. M. (2006). सिलिकॉन रमन एम्पलीफायरों में ऊर्जा संचयन. 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics.
  61. ↑ {{cite journal |doi = 10.1109/JQE.1987.1073206 |title = सिलिकॉन में इलेक्ट्रोऑप्टिकल प्रभाव|journal = IEEE Journal of Quantum Electronics |year = 1987 |volume = 23 |issue = 1 |pages = 123–129 |bibcode = 1987IJQE...23..123S |last1 = Soref |first1 = R. |last2 = Bennett |first2 = B. |url = https://zenodo.org/record/1232209 |access-date = 2 July 2019 |archive-date = 2 December 2020 |archive-url = https://web.archive.org/web/20201202224441/https://zenodo.org/record/1232209 |url-status = live }
  62. ↑ {{cite journal |doi = 10.1364/OL.31.001714 |pmid = 16688271 |title = गैर-रैखिक अवशोषण और हीलियम-आयन-प्रत्यारोपित सिलिकॉन वेवगाइड्स में रमन लाभ|journal = Optics Letters |year = 2006 |volume = 31 |issue = 11 |pages = 1714–1716 | bibcode = 2006OptL...31.1714L |last1 = Liu |first1 = Y. |last2 = Tsang |first2 = H. K. |author-link2=Hon Ki Tsang }
  63. ↑ Zevallos l., Manuel E.; Gayen, S. K.; Alrubaiee, M.; Alfano, R. R. (2005). "सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर रिब वेवगाइड्स में फोटोजेनरेटेड कैरियर्स का जीवनकाल". Applied Physics Letters. 86 (1): 071115. Bibcode:2005ApPhL..86a1115Z. doi:10.1063/1.1846145. S2CID 37590490.
  64. ↑ {{cite journal |doi = 10.1364/OPEX.13.000519 |pmid = 19488380 |title = उत्तेजित रमन स्कैटरिंग द्वारा कम नुकसान वाले सिलिकॉन-ऑन-इन्सुलेटर वेवगाइड में शुद्ध निरंतर तरंग ऑप्टिकल लाभ|journal = Optics Express |year = 2005 |volume = 13 |issue = 2 |pages = 519–525 | bibcode = 2005OExpr..13..519J |last1 = Jones |first1 = Richard |last2 = Rong |first2 = Haisheng |last3 = Liu |first3 = Ansheng |last4 = Fang |first4 = Alexander W. |last5 = Paniccia |first5 = Mario J. |last6 = Hak |first6 = Dani |last7 = Cohen |first7 = Oded |s2cid = 6804621 |doi-access = free }
  65. ↑ Cite error: Invalid <ref> tag; no text was provided for refs named liu_2007
  66. ↑ Manipatruni, Sasikanth; et al. (2007). "हाई स्पीड कैरियर इंजेक्शन 18 Gbit/s सिलिकॉन माइक्रो-रिंग इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्यूलेटर". Proceedings of Lasers and Electro-Optics Society: 537–538. doi:10.1109/leos.2007.4382517. ISBN 978-1-4244-0924-2. S2CID 26131159.
  67. ↑ Jacobsen, Rune S.; Andersen, Karin N.; Borel, Peter I.; Fage-Pedersen, Jacob; Frandsen, Lars H.; Hansen, Ole; Kristensen, Martin; Lavrinenko, Andrei V.; Moulin, Gaid; Ou, Haiyan; Peucheret, Christophe; Zsigri, Beáta; Bjarklev, Anders (2006). "एक नई इलेक्ट्रो-ऑप्टिक सामग्री के रूप में तनावग्रस्त सिलिकॉन". Nature. 441 (7090): 199–202. Bibcode:2006Natur.441..199J. doi:10.1038/nature04706. ISSN 0028-0836. PMID 16688172. S2CID 205210888.
  68. ↑ Avrutsky, Ivan; Soref, Richard (2011). "तनावग्रस्त सिलिकॉन वेवगाइड्स में चरण-मिलान योग आवृत्ति पीढ़ी उनके दूसरे क्रम के गैर-रैखिक ऑप्टिकल संवेदनशीलता का उपयोग कर रही है". Optics Express. 19 (22): 21707–16. Bibcode:2011OExpr..1921707A. doi:10.1364/OE.19.021707. ISSN 1094-4087. PMID 22109021.
  69. ↑ Cazzanelli, M.; Bianco, F.; Borga, E.; Pucker, G.; Ghulinyan, M.; Degoli, E.; Luppi, E.; Véniard, V.; Ossicini, S.; Modotto, D.; Wabnitz, S.; Pierobon, R.; Pavesi, L. (2011). "सिलिकॉन नाइट्राइड द्वारा तनावग्रस्त सिलिकॉन वेवगाइड्स में दूसरी-हार्मोनिक पीढ़ी". Nature Materials. 11 (2): 148–154. Bibcode:2012NatMa..11..148C. doi:10.1038/nmat3200. hdl:11379/107111. ISSN 1476-1122. PMID 22138793.
  70. ↑ Alloatti, L.; Korn, D.; Weimann, C.; Koos, C.; Freude, W.; Leuthold, J. (2012). "दूसरे क्रम के नॉनलाइनियर सिलिकॉन-ऑर्गेनिक हाइब्रिड वेवगाइड्स". Optics Express. 20 (18): 20506–15. Bibcode:2012OExpr..2020506A. doi:10.1364/OE.20.020506. ISSN 1094-4087. PMID 23037098. Archived from the original on 29 February 2020. Retrieved 2 July 2019.
  71. ↑ Hon, Nick K.; Tsia, Kevin K.; Solli, Daniel R.; Jalali, Bahram (2009). "समय-समय पर पोला सिलिकॉन". Applied Physics Letters. 94 (9): 091116. arXiv:0812.4427. Bibcode:2009ApPhL..94i1116H. doi:10.1063/1.3094750. ISSN 0003-6951. S2CID 28598739.
  72. ↑ Rakich, Peter T.; Reinke, Charles; Camacho, Ryan; Davids, Paul; Wang, Zheng (2012-01-30). "सबवेवलेंग्थ लिमिट में स्टिम्युलेटेड ब्रिलौइन स्कैटरिंग की विशाल वृद्धि". Physical Review X. 2 (1): 011008. Bibcode:2012PhRvX...2a1008R. doi:10.1103/PhysRevX.2.011008. ISSN 2160-3308.
  73. ↑ Shin, Heedeuk; Qiu, Wenjun; Jarecki, Robert; Cox, Jonathan A.; Olsson, Roy H.; Starbuck, Andrew; Wang, Zheng; Rakich, Peter T. (December 2013). "नैनोस्केल सिलिकॉन वेवगाइड्स में टेलरेबल स्टिमुलेटेड ब्रिलौइन स्कैटरिंग". Nature Communications. 4 (1): 1944. arXiv:1301.7311. Bibcode:2013NatCo...4.1944S. doi:10.1038/ncomms2943. ISSN 2041-1723. PMC 3709496. PMID 23739586.
  74. ↑ Kittlaus, Eric A.; Shin, Heedeuk; Rakich, Peter T. (2016-07-01). "सिलिकॉन में बड़ा ब्रिलॉइन प्रवर्धन". Nature Photonics. 10 (7): 463–467. arXiv:1510.08495. Bibcode:2016NaPho..10..463K. doi:10.1038/nphoton.2016.112. ISSN 1749-4885. S2CID 119159337.
  75. ↑ Van Laer, Raphaël; Kuyken, Bart; Van Thourhout, Dries; Baets, Roel (2015-03-01). "सिलिकॉन फोटोनिक नैनोवायर में प्रकाश और अत्यधिक सीमित हाइपरसाउंड के बीच परस्पर क्रिया". Nature Photonics. 9 (3): 199–203. arXiv:1407.4977. Bibcode:2015NaPho...9..199V. doi:10.1038/nphoton.2015.11. ISSN 1749-4885. S2CID 55218097.
  76. ↑ Van Laer, Raphaël; Bazin, Alexandre; Kuyken, Bart; Baets, Roel; Thourhout, Dries Van (2015-01-01). "निलंबित सिलिकॉन नैनोवायरों के आधार पर नेट ऑन-चिप ब्रिलॉइन लाभ". New Journal of Physics. 17 (11): 115005. arXiv:1508.06318. Bibcode:2015NJPh...17k5005V. doi:10.1088/1367-2630/17/11/115005. ISSN 1367-2630. S2CID 54539825.
  77. ↑ Van Laer, Raphaël; Baets, Roel; Van Thourhout, Dries (2016-05-20). "ब्रिलौइन स्कैटरिंग और कैविटी ऑप्टोमैकेनिक्स को एकीकृत करना". Physical Review A. 93 (5): 053828. arXiv:1503.03044. Bibcode:2016PhRvA..93e3828V. doi:10.1103/PhysRevA.93.053828. S2CID 118542296.
  78. ↑ Levy, Shahar; Lyubin, Victor; Klebanov, Matvei; Scheuer, Jacob; Zadok, Avi (2012-12-15). "सेंटीमीटर-लंबे सीधे लिखे गए चाकोजेनाइड वेवगाइड्स में उत्तेजित ब्रिलौइन स्कैटरिंग प्रवर्धन". Optics Letters. 37 (24): 5112–4. Bibcode:2012OptL...37.5112L. doi:10.1364/OL.37.005112. ISSN 1539-4794. PMID 23258022. S2CID 11976822.
  79. ↑ Kobyakov, Andrey; Sauer, Michael; Chowdhury, Dipak (2010-03-31). "ऑप्टिकल फाइबर में उत्तेजित ब्रिलौइन स्कैटरिंग". Advances in Optics and Photonics. 2 (1): 1. Bibcode:2010AdOP....2....1K. doi:10.1364/AOP.2.000001. ISSN 1943-8206.
  80. ↑ {{cite book |title = सोलिटन्स: एक परिचय|publisher = Cambridge University Press |year = 1989 |isbn = 0-521-33655-4 |author1=Drazin, P. G. |author2=Johnson, R. S. |name-list-style=amp }
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