ईईपीरोम

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File:Atmel-avr-atusb162-HD.jpg
AT90USB162 माइक्रोकंट्रोलर्स 512 बाइट ईईपीरोम को एकीकृत करता है
File:Floating gate transistor-en.svg
यूवी-ईपीरोम संरचना का क्रॉस सेक्शन।
ऊपरी इन्सुलेटर: ONO
लोअर इंसुलेटर: क्वांटम टनलिंग सिलिकॉन डाइऑक्साइड

ईईपीरोम (जिसे 2पीरोम भी कहा जाता है) का तात्पर्य विद्युत रूप से मिटाने योग्य प्रोग्राम योग्य रीड-ओनली मेमोरी है और यह कंप्यूटर में उपयोग की जाने वाली विशेष प्रकार की गैर-वाष्पशील मेमोरी होती है, जो सामान्यतः स्मार्ट कार्ड और रिमोट कीलेस प्रणाली जैसे माइक्रोकंट्रोलर में एकीकृत होती है। इस प्रकार भिन्न-भिन्न बाइट्स को मिटाने और पुन: प्रोग्राम करने की अनुमति देकर अपेक्षाकृत कम मात्रा में डेटा संग्रहीत करने के लिए भिन्न चिप डिवाइस के रूप में एकीकृत होती है।

ईईपीरोम को फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर की सारणी के रूप में व्यवस्थित किया जाता है। इस प्रकार ईईपीरोम को विशेष प्रोग्रामिंग सिग्नल प्रयुक्त करके इन-परिपथ प्रोग्राम और मिटाया जा सकता है। चूँकि मूल रूप से, ईईपीरोम एकल-बाइट संचालन तक सीमित थे, जिससे वह धीमे हो गए, किन्तु आधुनिक ईईपीरोम मल्टी-बाइट पृष्ठ संचालन की अनुमति देते हैं। अतः ईईपीरोम में मिटाने और पुन: प्रोग्रामिंग के लिए सीमित जीवन होता है, जो अभी आधुनिक ईईपीरोम में दस लाख ऑपरेशन तक पहुंच गया है। इस प्रकार ईईपीरोम में जिसे बार-बार पुन: प्रोग्राम किया जाता है, अतः ईईपीरोम का जीवन महत्वपूर्ण डिज़ाइन विचार होता है।

फ़्लैश मेमोरी विशेष प्रकार की ईईपीरोम होती है जिसे उच्च गति और उच्च घनत्व के लिए डिज़ाइन किया गया है, अतः बड़े मिटाने वाले ब्लॉक (सामान्यतः 512 बाइट्स या बड़े) और सीमित संख्या में लिखने के चक्र (अधिकांशतः 10,000) की कीमत पर होते है। इस प्रकार दोनों को विभाजित करने वाली कोई स्पष्ट सीमा नहीं होती है, किन्तु ईईपीरोम शब्द का उपयोग सामान्यतः छोटे मिटाने वाले ब्लॉक (बाइट जितना छोटा) और लंबे जीवनकाल (सामान्यतः 1,000,000 चक्र) के साथ गैर-वाष्पशील मेमोरी का वर्णन करने के लिए किया जाता है। इस प्रकार अनेक पिछले माइक्रोकंट्रोलर्स में दोनों (फर्मवेयर के लिए फ्लैश मेमोरी और मापदंडों के लिए छोटा ईईपीरोम) सम्मिलित होते थे, चूंकि आधुनिक माइक्रोकंट्रोल का रुझान फ्लैश का उपयोग करके ईईपीरोम का अनुकरण (कंप्यूटिंग) करना है।

सन्न 2020 तक, फ्लैश मेमोरी की निवेश बाइट-प्रोग्रामेबल ईईपीरोम से बहुत कम होती है और यह प्रमुख मेमोरी का विशेष प्रकार होता है जहां किसी प्रणाली को महत्वपूर्ण मात्रा में गैर-वाष्पशील ठोस अवस्था भंडारण की आवश्यकता होती है। चूँकि, ईईपीरोम का उपयोग अभी भी उन अनुप्रयोगों पर किया जाता है जिनके लिए केवल थोड़ी मात्रा में भंडारण की आवश्यकता होती है, जैसे कि सीरियल उपस्थिति का पता लगाना इत्यादि।[1][2]