ईईपीरोम: Difference between revisions

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{{Distinguish|EPROM}}
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[[File:AT24C02 EEPROM 1480355 6 7 HDR Enhancer.jpg|thumbnail|[[STMicroelectronics]] [http://www.st.com/resource/en/dataSheet/m24c02-f.pdf M24C02] I²C सीरियल प्रकार EEPROM]]
[[File:AT24C02 EEPROM 1480355 6 7 HDR Enhancer.jpg|thumbnail|[[STMicroelectronics|एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स]] [http://www.st.com/resource/en/dataSheet/m24c02-f.pdf M24C02] I²C सीरियल प्रकार ईईपीरोम ]]
[[File:ATMEL048 93C46A SC.jpg|thumbnail|[[एटमेल]] [http://ww1.microchip.com/downloads/en/devicedoc/doc0539.pdf AT93C46A] [[डाई (एकीकृत सर्किट)]]]]
[[File:ATMEL048 93C46A SC.jpg|thumbnail|[[एटमेल]] [http://ww1.microchip.com/downloads/en/devicedoc/doc0539.pdf AT93C46A] [[डाई (एकीकृत सर्किट)|डाई (एकीकृत परिपथ)]]]]
[[File:Atmel-avr-atusb162-HD.jpg|thumbnail| [http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/7707S.pdf AT90USB162] [[ microcontroller |microcontroller]] 512 बाइट EEPROM को एकीकृत करता है]]
[[File:Atmel-avr-atusb162-HD.jpg|thumbnail| [http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/7707S.pdf AT90USB162] [[ microcontroller |माइक्रोकंट्रोलर्स]] 512 बाइट ईईपीरोम को एकीकृत करता है]]
[[File:Floating gate transistor-en.svg|thumb|UV-EPROM संरचना का क्रॉस सेक्शन।<br />ऊपरी इन्सुलेटर: {{abbr|ONO|Oxide–nitride–oxide}}<br />लोअर इंसुलेटर: [[क्वांटम टनलिंग]] [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]]]]EEPROM (जिसे E भी कहा जाता है)<sup>2</sup>PROM) का मतलब विद्युत रूप से मिटाने योग्य प्रोग्रामयोग्य रीड-ओनली मेमोरी है और यह कंप्यूटर में उपयोग की जाने वाली प्रकार की गैर-वाष्पशील मेमोरी है, जो आमतौर पर [[स्मार्ट कार्ड]] और [[रिमोट कीलेस सिस्टम]] जैसे माइक्रोकंट्रोलर में या स्टोर करने के लिए अलग चिप डिवाइस के रूप में एकीकृत होती है। व्यक्तिगत बाइट्स को मिटाने और पुन: प्रोग्राम करने की अनुमति देकर अपेक्षाकृत कम मात्रा में डेटा।
[[File:Floating gate transistor-en.svg|thumb|यूवी-ईपीरोम संरचना का क्रॉस सेक्शन।<br />ऊपरी इन्सुलेटर: {{abbr|ONO|Oxide–nitride–oxide}}<br />लोअर इंसुलेटर: [[क्वांटम टनलिंग]] [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]]]]'''ईईपीरोम''' (जिसे '''ई<sup>2</sup>पीरोम''' भी कहा जाता है) का तात्पर्य '''विद्युत रूप से मिटाने योग्य प्रोग्राम योग्य रीड-ओनली मेमोरी''' है और यह कंप्यूटर में उपयोग की जाने वाली विशेष प्रकार की गैर-वाष्पशील मेमोरी होती है, जो सामान्यतः [[स्मार्ट कार्ड]] और [[रिमोट कीलेस सिस्टम|रिमोट कीलेस]] प्रणाली जैसे माइक्रोकंट्रोलर में एकीकृत होती है। इस प्रकार भिन्न-भिन्न बाइट्स को मिटाने और पुन: प्रोग्राम करने की अनुमति देकर अपेक्षाकृत कम मात्रा में डेटा संग्रहीत करने के लिए भिन्न चिप डिवाइस के रूप में एकीकृत होती है।


EEPROMs को [[फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर]] की सारणी के रूप में व्यवस्थित किया जाता है। EEPROM को विशेष प्रोग्रामिंग सिग्नल लागू करके इन-सर्किट प्रोग्राम और मिटाया जा सकता है। मूल रूप से, EEPROMs एकल-बाइट संचालन तक सीमित थे, जिससे वे धीमे हो गए, लेकिन आधुनिक EEPROMs मल्टी-बाइट पृष्ठ संचालन की अनुमति देते हैं। EEPROM में मिटाने और पुन:प्रोग्रामिंग के लिए सीमित जीवन होता है, जो अब आधुनिक EEPROM में दस लाख ऑपरेशन तक पहुंच गया है। EEPROM में जिसे बार-बार पुन: प्रोग्राम किया जाता है, EEPROM का जीवन महत्वपूर्ण डिज़ाइन विचार है।
ईईपीरोम को [[फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर]] की सारणी के रूप में व्यवस्थित किया जाता है। इस प्रकार ईईपीरोम को विशेष प्रोग्रामिंग सिग्नल प्रयुक्त करके इन-परिपथ प्रोग्राम और मिटाया जा सकता है। चूँकि मूल रूप से, ईईपीरोम एकल-बाइट संचालन तक सीमित थे, जिससे वह धीमे हो गए, किन्तु आधुनिक ईईपीरोम मल्टी-बाइट पृष्ठ संचालन की अनुमति देते हैं। अतः ईईपीरोम में मिटाने और पुन: प्रोग्रामिंग के लिए सीमित जीवन होता है, जो अभी आधुनिक ईईपीरोम में दस लाख ऑपरेशन तक पहुंच गया है। इस प्रकार ईईपीरोम में जिसे बार-बार पुन: प्रोग्राम किया जाता है, अतः ईईपीरोम का जीवन महत्वपूर्ण डिज़ाइन विचार होता है।


फ़्लैश मेमोरी प्रकार की EEPROM है जिसे उच्च गति और उच्च घनत्व के लिए डिज़ाइन किया गया है, बड़े मिटाने वाले ब्लॉक (आमतौर पर 512 बाइट्स या बड़े) और सीमित संख्या में लिखने के चक्र (अक्सर 10,000) की कीमत पर। दोनों को विभाजित करने वाली कोई स्पष्ट सीमा नहीं है, लेकिन EEPROM शब्द का उपयोग आम तौर पर छोटे मिटाने वाले ब्लॉक (एक बाइट जितना छोटा) और लंबे जीवनकाल (आमतौर पर 1,000,000 चक्र) के साथ गैर-वाष्पशील मेमोरी का वर्णन करने के लिए किया जाता है। कई पिछले [[माइक्रोकंट्रोलर्स]] में दोनों ([[फर्मवेयर]] के लिए [[फ्लैश मेमोरी]] और मापदंडों के लिए छोटा ईईपीरोम) शामिल थे, हालांकि आधुनिक माइक्रोकंट्रोलर्स का रुझान फ्लैश का उपयोग करके ईईपीरोम का [[अनुकरण (कंप्यूटिंग)]] करना है।
फ़्लैश मेमोरी विशेष प्रकार की ईईपीरोम होती है जिसे उच्च गति और उच्च घनत्व के लिए डिज़ाइन किया गया है, अतः बड़े मिटाने वाले ब्लॉक (सामान्यतः 512 बाइट्स या बड़े) और सीमित संख्या में लिखने के चक्र (अधिकांशतः 10,000) की कीमत पर होते है। इस प्रकार दोनों को विभाजित करने वाली कोई स्पष्ट सीमा नहीं होती है, किन्तु ईईपीरोम शब्द का उपयोग सामान्यतः छोटे मिटाने वाले ब्लॉक (बाइट जितना छोटा) और लंबे जीवनकाल (सामान्यतः 1,000,000 चक्र) के साथ गैर-वाष्पशील मेमोरी का वर्णन करने के लिए किया जाता है। इस प्रकार अनेक पिछले [[माइक्रोकंट्रोलर्स]] में दोनों ([[फर्मवेयर]] के लिए [[फ्लैश मेमोरी]] और मापदंडों के लिए छोटा ईईपीरोम) सम्मिलित होते थे, चूंकि आधुनिक माइक्रोकंट्रोल का रुझान फ्लैश का उपयोग करके ईईपीरोम का [[अनुकरण (कंप्यूटिंग)]] करना है।


2020 तक, फ्लैश मेमोरी की लागत बाइट-प्रोग्रामेबल EEPROM से बहुत कम है और यह प्रमुख मेमोरी प्रकार है जहां किसी सिस्टम को महत्वपूर्ण मात्रा में गैर-वाष्पशील [[ ठोस अवस्था भंडारण |ठोस अवस्था भंडारण]] की आवश्यकता होती है। हालाँकि, EEPROMs का उपयोग अभी भी उन अनुप्रयोगों पर किया जाता है जिनके लिए केवल थोड़ी मात्रा में भंडारण की आवश्यकता होती है, जैसे कि सीरियल उपस्थिति का पता लगाना।<ref>{{cite web |url=https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram-modules/tn_04_42.pdf?rev=e5a1537ce3214de5b695f17c340fd023 |title=TN-04-42: Memory Module Serial Presence-Detect |publisher=Micron Technology |date=2002}}</ref><ref>{{cite web |url=https://whatis.techtarget.com/definition/serial-presence-detect-SPD#:~:text=When%20a%20computer%20is%20booted,%2C%20data%20width%2C%20speed%2C%20and |title=क्रमिक उपस्थिति का पता लगाना (एसपीडी)|website=TechTarget |date=July 2015}}</ref>
सन्न 2020 तक, फ्लैश मेमोरी की निवेश बाइट-प्रोग्रामेबल ईईपीरोम से बहुत कम होती है और यह प्रमुख मेमोरी का विशेष प्रकार होता है जहां किसी प्रणाली को महत्वपूर्ण मात्रा में गैर-वाष्पशील [[ ठोस अवस्था भंडारण |ठोस अवस्था भंडारण]] की आवश्यकता होती है। चूँकि, ईईपीरोम का उपयोग अभी भी उन अनुप्रयोगों पर किया जाता है जिनके लिए केवल थोड़ी मात्रा में भंडारण की आवश्यकता होती है, जैसे कि सीरियल उपस्थिति का पता लगाना इत्यादि।<ref>{{cite web |url=https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram-modules/tn_04_42.pdf?rev=e5a1537ce3214de5b695f17c340fd023 |title=TN-04-42: Memory Module Serial Presence-Detect |publisher=Micron Technology |date=2002}}</ref><ref>{{cite web |url=https://whatis.techtarget.com/definition/serial-presence-detect-SPD#:~:text=When%20a%20computer%20is%20booted,%2C%20data%20width%2C%20speed%2C%20and |title=क्रमिक उपस्थिति का पता लगाना (एसपीडी)|website=TechTarget |date=July 2015}}</ref>
==इतिहास==
=='''इतिहास'''==
1970 के दशक की शुरुआत में, विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील मेमोरी के लिए कुछ अध्ययन, [[आविष्कार]] और विकास विभिन्न कंपनियों और संगठनों द्वारा किए गए थे।1971 में, सबसे प्रारंभिक शोध रिपोर्ट जापान में [[टोक्यो]] में [[सॉलिड-स्टेट इलेक्ट्रॉनिक्स]] पर तीसरे सम्मेलन में [[इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला]] में यासुओ तारुई, युताका हयाशी और कियोको नागाई द्वारा प्रस्तुत की गई थी; जापानी राष्ट्रीय अनुसंधान संस्थान।<ref>
सन्न 1970 के दशक के प्रारंभ में, विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील मेमोरी के लिए कुछ अध्ययन, [[आविष्कार]] और विकास विभिन्न कंपनियों और संगठनों द्वारा किए गए थे। इस प्रकार सन्न 1971 में, सबसे प्रारंभिक शोध सूची जापान में [[टोक्यो]] में [[सॉलिड-स्टेट इलेक्ट्रॉनिक्स]] पर तीसरे सम्मेलन में [[इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला]] में यासुओ तारुई, युताका हयाशी और कियोको नागाई द्वारा जापानी राष्ट्रीय अनुसंधान संस्थान प्रस्तुत की गई थी।<ref>
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उन्होंने 1972 में EEPROM डिवाइस का सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण किया,<ref>
 
उन्होंने सन्न 1972 में ईईपीरोम डिवाइस का अर्धचालक डिवाइस निर्माण किया जाता है,<ref>
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इन दस्तावेज़ों को बाद के दस्तावेज़ों और पेटेंटों द्वारा बार-बार उद्धृत किया गया है।<ref name="Iizuka-1976">
 
इन दस्तावेज़ों को पश्चात् के दस्तावेज़ों और पेटेंटों द्वारा बार-बार उद्धृत किया गया है।<ref name="Iizuka-1976">
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उनके शोध अध्ययन में मोनोस ([[ धातु |धातु]] -[[ऑक्साइड]]-[[नाइट्राइड]]-ऑक्साइड-[[ अर्धचालक | अर्धचालक]]) विधि सम्मिलित होती है,<ref>
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1972 में, तोशिबा में [[फुजियो मासुओका]] द्वारा प्रकार की विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील मेमोरी का आविष्कार किया गया था, जिन्हें फ्लैश मेमोरी के आविष्कारक के रूप में भी जाना जाता है।<ref name="Masuoka-1972">
सन्न 1972 में, तोशिबा में [[फुजियो मासुओका]] द्वारा प्रकार की विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील मेमोरी का आविष्कार किया गया था, जिन्हें फ्लैश मेमोरी के आविष्कारक के रूप में भी जाना जाता है।<ref name="Masuoka-1972">
{{cite journal|last1=Masuoka|first1=Fujio|title=Avalanche injection type mos memory|date=31 August 1972|url=https://patents.google.com/patent/US3868187A/en}}
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अधिकांश प्रमुख अर्धचालक निर्माता, जैसे
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[[तोशीबा]],<ref name="Masuoka-1972" /><ref name="Iizuka-1976" />[[सान्यो]] (बाद में, [[सेमीकंडक्टर पर]]),<ref>
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[[सीमेंस]] (पश्चात् में, [[इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीज|इन्फिनियॉन तकनीकज]]),<ref>
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[[हनीवेल]] (बाद में, एटमेल),<ref>
[[हनीवेल]] (पश्चात् में, एटमेल),<ref>
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1977 तक कुछ विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील उपकरणों का अध्ययन, आविष्कार और निर्माण किया गया।
सन्न 1977 तक कुछ विद्युतीय रूप से पुन: प्रोग्राम करने योग्य गैर-वाष्पशील उपकरणों का अध्ययन, आविष्कार और निर्माण किया गया था।


इन उपकरणों का सैद्धांतिक आधार एवलांच ब्रेकडाउन [[गर्म वाहक इंजेक्शन]] है। लेकिन सामान्य तौर पर, 1970 के दशक की शुरुआत में ईपीरोम सहित प्रोग्रामयोग्य यादों में विश्वसनीयता और सहनशक्ति संबंधी समस्याएं थीं, जैसे डेटा प्रतिधारण अवधि और मिटाने/लिखने के चक्रों की संख्या।<ref name="Moskowitz 2016">
इन उपकरणों का सैद्धांतिक आधार एवलांच ब्रेकडाउन [[गर्म वाहक इंजेक्शन]] है। किन्तु सामान्यतः, सन्न 1970 के दशक के प्रारंभ में ईपीरोम सहित प्रोग्रामयोग्य यादों में विश्वसनीयता और सहनशक्ति संबंधी समस्याएं होती थीं, जैसे डेटा प्रतिधारण अवधि और मिटाने/लिखने के चक्रों की संख्या होती है।<ref name="Moskowitz 2016">
{{cite book|last1=Moskowitz|first1=Sanford L.|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|date=2016|publisher=John Wiley & Sons|isbn=9781118986097|url=https://books.google.com/books?id=FyT3DAAAQBAJ&q="reliability%20problems"+EPROM+1970s&pg=PA187|language=en}}
{{cite book|last1=Moskowitz|first1=Sanford L.|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|date=2016|publisher=John Wiley & Sons|isbn=9781118986097|url=https://books.google.com/books?id=FyT3DAAAQBAJ&q="reliability%20problems"+EPROM+1970s&pg=PA187|language=en}}
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1975 में, NEC की सेमीकंडक्टर संचालन इकाई, बाद में NEC इलेक्ट्रॉनिक्स, वर्तमान में रेनेसा इलेक्ट्रॉनिक्स, ने जापान पेटेंट कार्यालय में [[ट्रेडमार्क]] नाम EEPROM® लागू किया।<ref>
सन्न 1975 में, एनईसी की अर्धचालक संचालन इकाई, पश्चात् में एनईसी इलेक्ट्रॉनिक्स, वर्तमान में रेनेसा इलेक्ट्रॉनिक्स, ने जापान पेटेंट कार्यालय में [[ट्रेडमार्क]] नाम ईईपीरोम प्रयुक्त किया जाता है।<ref>
{{cite web|title=EEPROM|url=https://www.tmdn.org/tmview/get-detail?st13=JP501975000139811|website=TMview|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180310010029/https://www.tmdn.org/tmview/get-detail?st13=JP501975000139811|archive-date=2018-03-10}}
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</ref><ref>{{cite web|title=Reg. No.1342184 {{endash}} LIVE {{endash}} REGISTRATION {{endash}} Issued and Active|url=https://www.j-platpat.inpit.go.jp/web/TR/JPT_1342184/1767B48BDBDDD17B2CDA0380D54389D9}}</ref>
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1978 में, यह ट्रेडमार्क अधिकार प्रदान किया गया और जापान में No.1,342,184 के रूप में पंजीकृत किया गया, और मार्च 2018 तक अभी भी जीवित है।
सन्न 1978 में, यह ट्रेडमार्क अधिकार प्रदान किया गया और जापान में No.1,342,184 के रूप में पंजीकृत किया गया, और मार्च, सन्न 2018 तक अभी भी जीवित है।


फरवरी 1977 में, [[ह्यूजेस एयरक्राफ्ट कंपनी]] में एलियाहौ हरारी ने फ्लोटिंग-गेट MOSFET|फ्लोटिंग-गेट और [[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] के बीच पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के माध्यम से फील्ड इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन#फाउलर-नॉर्डहेम टनलिंग|फाउलर-नॉर्डहेम टनलिंग का उपयोग करके नई EEPROM तकनीक का आविष्कार किया। ).
फरवरी, सन्न 1977 में, [[ह्यूजेस एयरक्राफ्ट कंपनी]] में एलियाहौ हरारी ने फ्लोटिंग-गेट और [[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]] के मध्य पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के माध्यम से क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन फाउलर-नॉर्डहेम टनलिंग का उपयोग करके नई ईईपीरोम विधि का आविष्कार किया गया था।


ह्यूजेस ने इस नए EEPROM उपकरणों का उत्पादन किया।<ref>{{cite web |url=http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/2012/03/102745933-05-01-acc.pdf |title= 1027459330501acc.pdf |access-date=2015-02-05 |url-status=live |archive-url=http://archive.wikiwix.com/cache/20150207004103/http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/2012/03/102745933-05-01-acc.pdf |archive-date=2015-02-07 }}</ref>
ह्यूजेस ने इस नए ईईपीरोम उपकरणों का उत्पादन किया है।<ref>{{cite web |url=http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/2012/03/102745933-05-01-acc.pdf |title= 1027459330501acc.pdf |access-date=2015-02-05 |url-status=live |archive-url=http://archive.wikiwix.com/cache/20150207004103/http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/2012/03/102745933-05-01-acc.pdf |archive-date=2015-02-07 }}</ref>


लेकिन यह पेटेंट<ref>
किन्तु यह पेटेंट<ref>
{{cite journal|last1=Harari|first1=Eliyahou|title=Electrically erasable non-volatile semiconductor memory|date=22 February 1977|url=https://patents.google.com/patent/US4115914A/en|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180503153251/https://patents.google.com/patent/US4115914A/en|archive-date=3 May 2018}}
{{cite journal|last1=Harari|first1=Eliyahou|title=Electrically erasable non-volatile semiconductor memory|date=22 February 1977|url=https://patents.google.com/patent/US4115914A/en|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180503153251/https://patents.google.com/patent/US4115914A/en|archive-date=3 May 2018}}
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</ref> ईईपीरोम प्रौद्योगिकी और एनईसी के ईईपीरोम आविष्कार में IBMआईबीएम के योगदान का हवाला दिया गया था।<ref>
 
EEPROM प्रौद्योगिकी और NEC के EEPROM® आविष्कार में IBM के योगदान का हवाला दिया गया।<ref>
{{cite journal|last1=Augusta|first1=Benjamin|title=Method of forming self-aligned field effect transistor and charge-coupled device|date= 30 May 1972|url=https://patents.google.com/patent/US3865652A/en|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180503153251/https://patents.google.com/patent/US3865652A/en|archive-date=15 August 2022}}
{{cite journal|last1=Augusta|first1=Benjamin|title=Method of forming self-aligned field effect transistor and charge-coupled device|date= 30 May 1972|url=https://patents.google.com/patent/US3865652A/en|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180503153251/https://patents.google.com/patent/US3865652A/en|archive-date=15 August 2022}}
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</ref><ref name="NEC-1974" />


मई 1977 में, [[ फेयरचाइल्ड कैमरा और उपकरण |फेयरचाइल्ड कैमरा और उपकरण]] और सीमेंस द्वारा कुछ महत्वपूर्ण शोध परिणाम का खुलासा किया गया था। उन्होंने फ़ील्ड इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन का उपयोग करने के लिए क्रमशः 30 Ångström|Å से कम [[सिलिकॉन]] डाइऑक्साइड की मोटाई के साथ SONOS ([[पॉलीसिलिकॉन]]-[[सिलिकॉन ऑक्सीनाइट्राइड]]-नाइट्राइड-ऑक्साइड-सिलिकॉन) संरचना और SIMOS (स्टैक्ड-गेट हॉट-कैरियर इंजेक्शन [[MOSFET]]) संरचना का उपयोग किया। फाउलर-नोर्डहाइम टनलिंग|फाउलर-नोर्डहेम टनलिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन।<ref>
मई, सन्न 1977 में, [[ फेयरचाइल्ड कैमरा और उपकरण |फेयरचाइल्ड कैमरा और उपकरण]] और सीमेंस द्वारा कुछ महत्वपूर्ण शोध परिणाम का खुलासा किया गया था। उन्होंने क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन का उपयोग करने के लिए क्रमशः 30 Å से कम [[सिलिकॉन]] डाइऑक्साइड की मोटाई के साथ सोनोस ([[पॉलीसिलिकॉन]]-[[सिलिकॉन ऑक्सीनाइट्राइड]]-नाइट्राइड-ऑक्साइड-सिलिकॉन) संरचना और सिमोस (स्टैक्ड-गेट हॉट-कैरियर इंजेक्शन [[MOSFET|मॉसफेट]]) संरचना का उपयोग किया था। इस प्रकार फाउलर-नोर्डहेम टनलिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन होता है।<ref>
{{cite journal|last1=Chen|first1=P. C. Y.|title=Threshold-alterable Si-gate MOS devices|journal=IEEE Transactions on Electron Devices|date=May 1977|volume=24|issue=5|pages=584–586|doi=10.1109/T-ED.1977.18783|issn=0018-9383|bibcode=1977ITED...24..584C|s2cid=25586393}}
{{cite journal|last1=Chen|first1=P. C. Y.|title=Threshold-alterable Si-gate MOS devices|journal=IEEE Transactions on Electron Devices|date=May 1977|volume=24|issue=5|pages=584–586|doi=10.1109/T-ED.1977.18783|issn=0018-9383|bibcode=1977ITED...24..584C|s2cid=25586393}}
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1976 से 1978 के आसपास, [[जॉर्ज पेरलेगोस]] समेत इंटेल की टीम ने इस टनलिंग ई को बेहतर बनाने के लिए कुछ आविष्कार किए।<sup>2</sup>PROM तकनीक.<ref>
सन्न 1976 से 1978 के आसपास, [[जॉर्ज पेरलेगोस]] समेत इंटेल की टीम ने इस टनलिंग ई को उत्तम बनाने के लिए कुछ आविष्कार किए आई<sup>2</sup>पीरोम तकनीक होती है।<ref>
{{cite web|last1=Simko|first1=Richard T.|title=Electrically programmable and electrically erasable MOS memory cell|url=https://patents.google.com/patent/US4119995A/en|date=17 March 1977}}
{{cite web|last1=Simko|first1=Richard T.|title=Electrically programmable and electrically erasable MOS memory cell|url=https://patents.google.com/patent/US4119995A/en|date=17 March 1977}}
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1978 में, उन्होंने पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के साथ 16K (2K शब्द × 8) बिट इंटेल 2816 चिप विकसित की, जो 200 Ångström|Å से कम थी।<ref>
सन्न 1978 में, उन्होंने पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के साथ 16K (2K शब्द × 8) बिट इंटेल 2816 चिप विकसित की, जो 200 Å से कम होती थी।<ref>
{{cite book|last1=Dummer|first1=G. W. A.|title=Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from Its Earliest Beginnings to the Present Day|date=2013|publisher=Elsevier|isbn=9781483145211|url=https://books.google.com/books?id=PbYgBQAAQBAJ&q=Intel+FLOTOX&pg=PA212|language=en}}
{{cite book|last1=Dummer|first1=G. W. A.|title=Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from Its Earliest Beginnings to the Present Day|date=2013|publisher=Elsevier|isbn=9781483145211|url=https://books.google.com/books?id=PbYgBQAAQBAJ&q=Intel+FLOTOX&pg=PA212|language=en}}
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1980 में इस संरचना को सार्वजनिक रूप से FLOTOX के रूप में पेश किया गया था; फ्लोटिंग-गेट MOSFET [[ सुरंग जंक्शन |सुरंग जंक्शन]] ऑक्साइड।<ref>
सन्न 1980 में इस संरचना को सार्वजनिक रूप से फ्लोटॉक्स के रूप में फ्लोटिंग-गेट मॉसफेट [[ सुरंग जंक्शन |सुरंग जंक्शन]] ऑक्साइड प्रस्तुत किया गया था।<ref>
{{cite journal|last1=Johnson|first1=W.|last2=Perlegos|first2=G.|last3=Renninger|first3=A.|last4=Kuhn|first4=G.|last5=Ranganath|first5=T.|title=A 16Kb electrically erasable nonvolatile memory|journal=1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers|date=1980|volume=XXIII|pages=152–153|doi=10.1109/ISSCC.1980.1156030|s2cid=44313709}}
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FLOTOX संरचना ने प्रति बाइट मिटाने/लिखने के चक्र की विश्वसनीयता में 10,000 गुना तक सुधार किया।<ref>
 
फ्लोटॉक्स संरचना ने प्रति बाइट मिटाने/लिखने के चक्र की विश्वसनीयता में 10,000 गुना तक सुधार किया था।<ref>
{{cite journal|last1=Euzent|first1=B.|last2=Boruta|first2=N.|last3=Lee|first3=J.|last4=Jenq|first4=C.|title=Reliability Aspects of a Floating Gate E2 PROM|journal=19th International Reliability Physics Symposium|date=1981|pages=11–16|doi=10.1109/IRPS.1981.362965|s2cid=41116025|quote=The Intel 2816 uses the FLOTOX structure, which has been discussed in detail in the literaturel. Basically, it uses an oxide of less than 200A thick between the floating polysilicon gate and the N+ region as shown in Figure 1.}}
{{cite journal|last1=Euzent|first1=B.|last2=Boruta|first2=N.|last3=Lee|first3=J.|last4=Jenq|first4=C.|title=Reliability Aspects of a Floating Gate E2 PROM|journal=19th International Reliability Physics Symposium|date=1981|pages=11–16|doi=10.1109/IRPS.1981.362965|s2cid=41116025|quote=The Intel 2816 uses the FLOTOX structure, which has been discussed in detail in the literaturel. Basically, it uses an oxide of less than 200A thick between the floating polysilicon gate and the N+ region as shown in Figure 1.}}
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लेकिन इस उपकरण के लिए अतिरिक्त 20 की आवश्यकता थी{{endash}}22वी वी<sub>PP</sub> 5V रीड ऑपरेशंस को छोड़कर, बाइट इरेज़ के लिए बायस वोल्टेज सप्लाई।<ref>
किन्तु इस उपकरण के लिए अतिरिक्त 20{{endash}}22वी वी<sub>पीपी</sub> 5वी रीड ऑपरेशंस को छोड़कर, बाइट इरेज़ के लिए बायस वोल्टेज सप्लाई की आवश्यकता होती थी।<ref>
{{cite book|title=2816A-2 PDF Datasheet - Intel Corporation - Datasheets360.com|date=October 1983|publisher=Intel|url=http://www.datasheets360.com/pdf/3161437977278813752}}
{{cite book|title=2816A-2 PDF Datasheet - Intel Corporation - Datasheets360.com|date=October 1983|publisher=Intel|url=http://www.datasheets360.com/pdf/3161437977278813752}}
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1981 में, पेरलेगोस और 2 अन्य सदस्यों ने एटमेल#फाउंडिंग और 1980 के दशक के विकास के लिए इंटेल छोड़ दिया,<ref>
सन्न 1981 में, पेरलेगोस और 2 अन्य सदस्यों ने एटमेल फाउंडिंग और सन्न 1980 के दशक के विकास के लिए इंटेल छोड़ दिया था।<ref>
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{{cite web|url=http://www.antiquetech.com/?page_id=900|title=Seeq Technology » AntiqueTech|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20141002212230/http://www.antiquetech.com/?page_id=900|archive-date=2014-10-02}}</ref>


जो प्रोग्रामिंग ई के लिए आवश्यक उच्च वोल्टेज की आपूर्ति के लिए ऑन-डिवाइस [[चार्ज पंप]]ों का उपयोग करता था<sup>2</sup>प्रोम.
जो प्रोग्रामिंग ई<sup>2</sup>पीरोम के लिए आवश्यक उच्च वोल्टेज की आपूर्ति के लिए ऑन-डिवाइस [[चार्ज पंप]] का उपयोग करता था।


1984 में, पेरलोगोस ने सीक टेक्नोलॉजी को छोड़कर एटमेल की स्थापना की, फिर सीक टेक्नोलॉजी को एटमेल द्वारा अधिग्रहित कर लिया गया।<ref>{{Cite journal
सन्न 1984 में, पेरलोगोस ने सीक तकनीक को छोड़कर एटमेल की स्थापना की थी, फिर सीक तकनीक को एटमेल द्वारा अधिग्रहित कर लिया गया था।<ref>{{Cite journal
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{{cite book|title=Atmel AT28C16 datasheet|date=October 1998|edition=0540B|url=http://cva.stanford.edu/classes/cs99s/datasheets/at28c16.pdf|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20170829005334/http://cva.stanford.edu/classes/cs99s/datasheets/at28c16.pdf|archive-date=2017-08-29}}
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==FLOTOX संरचना का सैद्धांतिक आधार==
==फ्लोटॉक्स संरचना का सैद्धांतिक आधार==
[[File:Flash-Programming.svg|thumb|आज के NOR गेट का विद्युत चार्ज तंत्र|NOR-प्रकार फ्लैश मेमोरी [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]]]
[[File:Flash-Programming.svg|thumb|एन.ओ.आर.-प्रकार फ्लैश मेमोरी [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]]]
[[File:Flash erase.svg|thumb|आज के NOR गेट का विद्युत निर्वहन तंत्र|NOR-प्रकार फ्लैश मेमोरी मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]जैसा कि पूर्व अनुभाग में वर्णित है, पुराने