ईईपीरोम: Difference between revisions
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संग्रहीत जानकारी की दो सीमाएँ सहनशक्ति और डेटा प्रतिधारण होती हैं। | संग्रहीत जानकारी की दो सीमाएँ सहनशक्ति और डेटा प्रतिधारण होती हैं। | ||
पुनर्लेखन के समय, फ्लोटिंग | पुनर्लेखन के समय, फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर में गेट ऑक्साइड धीरे-धीरे फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों को जमा करता है। फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों का विद्युत क्षेत्र फ्लोटिंग गेट में इलेक्ट्रॉनों को जोड़ता है, जिससे शून्य बनाम के लिए थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के मध्य की खिड़की कम हो जाती है। पर्याप्त संख्या में पुनर्लेखन चक्रों के पश्चात्, अंतर पहचानने योग्य होने के लिए बहुत छोटा हो जाता है, कोशिका क्रमादेशित अवस्था में फंस जाती है, और सहनशक्ति विफलता हो जाती है। इस प्रकार निर्माता सामान्यतः पुनर्लेखन की अधिकतम संख्या 1 मिलियन या उससे अधिक निर्दिष्ट करते हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|title=अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न -आरओएचएम सेमीकंडक्टर|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20110219060902/http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|archive-date=2011-02-19}}</ref> | ||
भंडारण के समय, फ्लोटिंग गेट में इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन, विशेष रूप से बढ़े हुए तापमान पर, इंसुलेटर के माध्यम से बह सकते हैं, और चार्ज हानि का कारण बन सकते हैं, जिससे सेल मिटी हुई स्थिति में वापस आ सकता है। निर्माता सामान्यतः 10 साल या उससे अधिक के डेटा प्रतिधारण की गारंटी देते हैं।<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref> | भंडारण के समय, फ्लोटिंग गेट में इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन, विशेष रूप से बढ़े हुए तापमान पर, इंसुलेटर के माध्यम से बह सकते हैं, और चार्ज हानि का कारण बन सकते हैं, जिससे सेल मिटी हुई स्थिति में वापस आ सकता है। अतः निर्माता सामान्यतः 10 साल या उससे अधिक के डेटा प्रतिधारण की गारंटी देते हैं।<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref> | ||
=='''संबंधित प्रकार'''== | =='''संबंधित प्रकार'''== | ||
फ़्लैश मेमोरी ईईपीरोम का | फ़्लैश मेमोरी ईईपीरोम का बाद का रूप है। इस प्रकार उद्योग में, ईईपीरोम शब्द को ब्लॉक-वार मिटाने योग्य फ्लैश मेमोरी की तुलना में बाइट-वार मिटाने योग्य यादों में आरक्षित करने की परंपरा होती है। सामान्यतः ईईपीरोम समान क्षमता के लिए फ्लैश मेमोरी की तुलना में अधिक डाई क्षेत्र घेरता है, जिससे कि प्रत्येक सेल को सामान्यतः पढ़ने, लिखने और मिटाने वाले [[ट्रांजिस्टर]] की आवश्यकता होती है, जबकि फ्लैश मेमोरी इरेज़ परिपथ को कोशिकाओं के बड़े ब्लॉक (अधिकांशतः 512×8) द्वारा साझा किया जाता है। | ||
नई गैर-वाष्पशील मेमोरी प्रौद्योगिकियाँ जैसे कि [[फेरोइलेक्ट्रिक रैम]] और एमआरएएम धीरे-धीरे कुछ अनुप्रयोगों में ईईपीरोम की स्थान | नई गैर-वाष्पशील मेमोरी प्रौद्योगिकियाँ जैसे कि [[फेरोइलेक्ट्रिक रैम]] और एमआरएएम धीरे-धीरे कुछ अनुप्रयोगों में ईईपीरोम की स्थान ले रही हैं, किन्तु निकट भविष्य में ईईपीरोम बाजार का छोटा सा भाग बने रहने की उम्मीद होती है। | ||
==='''ईपीरोम और ईईपीरोम /फ्लैश के साथ तुलना'''=== | ==='''ईपीरोम और ईईपीरोम /फ्लैश के साथ तुलना'''=== | ||
ईपीरोम और ईईपीरोम के मध्य अंतर यह होता है कि मेमोरी कैसे प्रोग्राम करती है और मिटा देती है। इस प्रकार ईईपीरोम [[क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन]] (उद्योग में सामान्यतः फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग के रूप में जाना जाता है) का उपयोग करके विद्युत रूप से प्रोग्राम और मिटाया जा सकता है। | |||
ईपीरोम को विद्युतीय रूप से मिटाया नहीं जा सकता है और इन्हें फ्लोटिंग गेट पर हॉट-कैरियर इंजेक्शन द्वारा प्रोग्राम किया जाता है। मिटाना [[पराबैंगनी]] प्रकाश स्रोत द्वारा होता है, चूंकि व्यवहार में अनेक ईपीरोम प्लास्टिक में संपुटित होते हैं जो यूवी प्रकाश के लिए अपारदर्शी होते हैं, जो उन्हें बार प्रोग्राम करने योग्य बनाते हैं। | |||
अधिकांश एन.ओ.आर. फ्लैश मेमोरी हाइब्रिड शैली है - प्रोग्रामिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन के माध्यम से होती है और मिटाना क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन के माध्यम से होता है | फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग। | अधिकांश एन.ओ.आर. फ्लैश मेमोरी हाइब्रिड शैली है - प्रोग्रामिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन के माध्यम से होती है और मिटाना क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन के माध्यम से होता है | फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग। | ||
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* [[एसआरईसी (फ़ाइल प्रारूप)]] - फ़ाइल प्रारूप | * [[एसआरईसी (फ़ाइल प्रारूप)]] - फ़ाइल प्रारूप | ||
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* [[ पढ़ें-अधिकतर स्मृति | पढ़ें-अधिकतर | * [[ पढ़ें-अधिकतर स्मृति | पढ़ें-अधिकतर मेमोरी]] (आरएमएम) | ||
=='''संदर्भ'''== | =='''संदर्भ'''== | ||
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* [http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/ Gutmann (2001) papaer: "Data Remanence in Semiconductor Devices" {{!}} USENIX] | * [http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/ Gutmann (2001) papaer: "Data Remanence in Semiconductor Devices" {{!}} USENIX] | ||
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Latest revision as of 10:11, 28 July 2023
| कंप्यूटर मेमोरी और डेटा स्टोरेज प्रकार |
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| वाष्पशील |
| गैर-वाष्पशील |