ईईपीरोम: Difference between revisions
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==फ्लोटॉक्स संरचना का सैद्धांतिक आधार== | ==फ्लोटॉक्स संरचना का सैद्धांतिक आधार== | ||
[[File:Flash-Programming.svg|thumb|एन.ओ.आर.-प्रकार फ्लैश मेमोरी [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]]] | [[File:Flash-Programming.svg|thumb|एन.ओ.आर.-प्रकार फ्लैश मेमोरी [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]]] | ||
[[File:Flash erase.svg|thumb|एन.ओ.आर.-प्रकार फ्लैश मेमोरी मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]जैसा कि पूर्व अनुभाग में वर्णित होता है कि पुराने ईईपीरोम उच्च [[ब्रेकडाउन वोल्टेज]] के साथ | [[File:Flash erase.svg|thumb|एन.ओ.आर.-प्रकार फ्लैश मेमोरी मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]]जैसा कि पूर्व अनुभाग में वर्णित होता है कि पुराने ईईपीरोम उच्च [[ब्रेकडाउन वोल्टेज]] के साथ हिमस्खलन ब्रेकडाउन-आधारित हॉट-कैरियर इंजेक्शन पर आधारित हैं। किन्तु फ्लोटॉक्स का सैद्धांतिक आधार क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग है। इस प्रकार फ्लोटिंग-गेट मॉसफेट और वेफर के मध्य पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत के माध्यम से फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन होते है। दूसरे शब्दों में, यह सुरंग जंक्शन का उपयोग करता है।<ref name="Gutmann-2001"> | ||
{{cite journal |last1=Gutmann |first1=Peter |title=Data Remanence in Semiconductor Devices |journal=10th USENIX SECURITY SYMPOSIUM |date=2001-08-15 |pages=39–54 |url=http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/#_Ref513619292 |publisher=IBM T. J. Watson Research Center |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20161012131700/http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/#_Ref513619292 |archive-date=2016-10-12}} | {{cite journal |last1=Gutmann |first1=Peter |title=Data Remanence in Semiconductor Devices |journal=10th USENIX SECURITY SYMPOSIUM |date=2001-08-15 |pages=39–54 |url=http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/#_Ref513619292 |publisher=IBM T. J. Watson Research Center |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20161012131700/http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/#_Ref513619292 |archive-date=2016-10-12}} | ||
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भौतिक घटना का सैद्धांतिक आधार भी आज की फ्लैश मेमोरी जैसा ही है। किन्तु प्रत्येक फ्लोटॉक्स संरचना अन्य रीड-कंट्रोल ट्रांजिस्टर के साथ संयोजन में है | भौतिक घटना का सैद्धांतिक आधार भी आज की फ्लैश मेमोरी जैसा ही होता है। किन्तु प्रत्येक फ्लोटॉक्स संरचना अन्य रीड-कंट्रोल ट्रांजिस्टर के साथ संयोजन में होती है जिससे कि फ्लोटिंग गेट स्वयं केवल डेटा बिट को प्रोग्रामिंग और मिटा रहा है।<ref> | ||
{{cite web |last1=Janwadkar |first1=Sudhanshu |title=Fabrication of Floating Gate MOS (FLOTOX) |url=https://www.slideshare.net/shudhanshu29/fabrication-of-floating-gate-mos-flotox |website=www.slideshare.net |date=2017-10-24}} | {{cite web |last1=Janwadkar |first1=Sudhanshu |title=Fabrication of Floating Gate MOS (FLOTOX) |url=https://www.slideshare.net/shudhanshu29/fabrication-of-floating-gate-mos-flotox |website=www.slideshare.net |date=2017-10-24}} | ||
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इंटेल की फ्लोटॉक्स डिवाइस संरचना ने ईईपीरोम विश्वसनीयता में सुधार किया, दूसरे शब्दों में, लिखने और मिटाने के चक्र की सहनशक्ति और डेटा अवधारण अवधि में सुधार | इंटेल की फ्लोटॉक्स डिवाइस संरचना ने ईईपीरोम विश्वसनीयता में सुधार किया जाता है, दूसरे शब्दों में, लिखने और मिटाने के चक्र की सहनशक्ति और डेटा अवधारण अवधि में सुधार किया जाता है। इस प्रकार फ्लोटॉक्स के बारे में सिंगल-इवेंट प्रभाव के लिए अध्ययन की सामग्री उपलब्ध होती है।<ref> | ||
{{cite web |last1=Koga |first1=R. |last2=Tran |first2=V. |last3=George |first3=J. |last4=Crawford |first4=K. |last5=Crain |first5=S. |last6=Zakrzewski |first6=M. |last7=Yu |first7=P. |title=SEE Sensitivities of Selected Advanced Flash and First-In-First-Out Memories |url=http://www.ti.com/pdfs/hirel/space/V3690SEE.pdf |publisher=The Aerospace Corporation |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20180314042641/http://www.ti.com/pdfs/hirel/space/V3690SEE.pdf |archive-date=2018-03-14}} | {{cite web |last1=Koga |first1=R. |last2=Tran |first2=V. |last3=George |first3=J. |last4=Crawford |first4=K. |last5=Crain |first5=S. |last6=Zakrzewski |first6=M. |last7=Yu |first7=P. |title=SEE Sensitivities of Selected Advanced Flash and First-In-First-Out Memories |url=http://www.ti.com/pdfs/hirel/space/V3690SEE.pdf |publisher=The Aerospace Corporation |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20180314042641/http://www.ti.com/pdfs/hirel/space/V3690SEE.pdf |archive-date=2018-03-14}} | ||
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वर्तमान में, फ्लोटॉक्स डिवाइस संरचना का विस्तृत अकादमिक विवरण विभिन्न सामग्रियों में पाया जा सकता है।<ref> | |||
{{cite book |last1=Fuller |first1=Dr. Lynn |title=CMOS Process Variations EEPROM Fabrication Technology |date=2012-02-22 |publisher=Microelectronic Engineering, Rochester Institute of Technology |url=https://people.rit.edu/lffeee/EEPROM}} | {{cite book |last1=Fuller |first1=Dr. Lynn |title=CMOS Process Variations EEPROM Fabrication Technology |date=2012-02-22 |publisher=Microelectronic Engineering, Rochester Institute of Technology |url=https://people.rit.edu/lffeee/EEPROM}} | ||
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{{cite conference |last=Skorobogatov |first=Sergei |title=2017 Euromicro Conference on Digital System Design (DSD) |chapter=How Microprobing Can Attack Encrypted Memory |conference=2017 Euromicro Conference on Digital System Design (DSD) |date=2017 |location=Vienna |pages=244–251 |doi=10.1109/DSD.2017.69 |chapter-url=https://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/ahsa2017_prob.pdf#page=2 |isbn=978-1-5386-2146-2}}</ref> | {{cite conference |last=Skorobogatov |first=Sergei |title=2017 Euromicro Conference on Digital System Design (DSD) |chapter=How Microprobing Can Attack Encrypted Memory |conference=2017 Euromicro Conference on Digital System Design (DSD) |date=2017 |location=Vienna |pages=244–251 |doi=10.1109/DSD.2017.69 |chapter-url=https://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/ahsa2017_prob.pdf#page=2 |isbn=978-1-5386-2146-2}}</ref> | ||
=='''सुरक्षा सुरक्षा'''== | =='''सुरक्षा सुरक्षा'''== | ||
[[File:Sim Chip.jpg|thumbnail|[[ग्राहक पहचान मॉड्यूल]] के अंदर]] | [[File:Sim Chip.jpg|thumbnail|[[ग्राहक पहचान मॉड्यूल]] के अंदर]]जिससे कि ईईपीरोम विधि का उपयोग कुछ सुरक्षा गैजेटों के लिए किया जाता है, जैसे क्रेडिट कार्ड, सिम कार्ड, की-लेस एंट्री, आदि, कुछ उपकरणों में सुरक्षा सुरक्षा तंत्र होते हैं, जैसे कॉपी-प्रोटेक्शन इत्यादि।<ref name="Skorobogatov 2017"/><ref> | ||
{{cite web|title=Breaking copy protection in microcontrollers|url=https://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/mcu_lock.html|website=www.cl.cam.ac.uk|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20171022043128/http://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/mcu_lock.html|archive-date=2017-10-22}} | {{cite web|title=Breaking copy protection in microcontrollers|url=https://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/mcu_lock.html|website=www.cl.cam.ac.uk|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20171022043128/http://www.cl.cam.ac.uk/~sps32/mcu_lock.html|archive-date=2017-10-22}} | ||
</ref> | </ref> | ||
=='''इलेक्ट्रिकल इंटरफ़ेस'''== | =='''इलेक्ट्रिकल इंटरफ़ेस'''== | ||
ईईपीरोम | ईईपीरोम डिवाइस डेटा इनपुट/आउटपुट के लिए सीरियल या समानांतर इंटरफ़ेस का उपयोग करते हैं। | ||
==='''सीरियल बस डिवाइस'''=== | ==='''सीरियल बस डिवाइस'''=== | ||
सामान्य सीरियल इंटरफ़ेस [[सीरियल पेरिफेरल इंटरफ़ेस बस]], I²C, [[माइक्रोवायर]], यूएनआई/ओ और [[1-तार]] हैं। यह 1 से 4 डिवाइस पिन का उपयोग करते हैं और डिवाइस को 8 पिन या उससे कम वाले पैकेज का उपयोग करने की अनुमति देते हैं। | सामान्य सीरियल इंटरफ़ेस [[सीरियल पेरिफेरल इंटरफ़ेस बस]], I²C, [[माइक्रोवायर]], यूएनआई/ओ और [[1-तार]] हैं। यह 1 से 4 डिवाइस पिन का उपयोग करते हैं और डिवाइस को 8 पिन या उससे कम वाले पैकेज का उपयोग करने की अनुमति देते हैं। | ||
विशिष्ट ईईपीरोम सीरियल प्रोटोकॉल में तीन चरण ओपी-कोड चरण, पता चरण और डेटा चरण होते हैं। इस प्रकार ओपी-कोड सामान्यतः ईईपीरोम डिवाइस के सीरियल इनपुट पिन का पहला 8 बिट इनपुट होता है (या अधिकांश I²C डिवाइस के साथ, यह अंतर्निहित होता है)। इसके पश्चात् डिवाइस की गहराई के आधार पर 8 से 24 बिट एड्रेसिंग होती है, अतः फिर डेटा पढ़ा या लिखा जाता है। | |||
प्रत्येक ईईपीरोम डिवाइस में सामान्यतः विभिन्न कार्यों के लिए मानचित्र किए गए ओपी-कोड निर्देशों का अपना समूह होता है। सीरियल पेरिफेरल इंटरफ़ेस बस ईईपीरोम उपकरणों पर सामान्य संचालन | प्रत्येक ईईपीरोम डिवाइस में सामान्यतः विभिन्न कार्यों के लिए मानचित्र किए गए ओपी-कोड निर्देशों का अपना समूह होता है। इस प्रकार सीरियल पेरिफेरल इंटरफ़ेस बस ईईपीरोम उपकरणों पर सामान्य संचालन होता हैं। | ||
* सक्षम लिखें ( | * सक्षम लिखें (रेनल) | ||
* अक्षम लिखें (डब्ल्यूआरडीआई) | * अक्षम लिखें (डब्ल्यूआरडीआई) | ||
* स्थिति रजिस्टर पढ़ें (आरडीएसआर) | * स्थिति रजिस्टर पढ़ें (आरडीएसआर) | ||
| Line 190: | Line 190: | ||
* डेटा लिखें (लिखें) | * डेटा लिखें (लिखें) | ||
कुछ ईईपीरोम उपकरणों द्वारा समर्थित अन्य ऑपरेशन | कुछ ईईपीरोम उपकरणों द्वारा समर्थित अन्य ऑपरेशन हैं। | ||
* कार्यक्रम | * कार्यक्रम | ||
* सेक्टर मिटाएँ | * सेक्टर मिटाएँ | ||
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===समानांतर बस उपकरण=== | ===समानांतर बस उपकरण=== | ||
समानांतर ईईपीरोम उपकरणों में सामान्यतः 8-बिट डेटा बस और एड्रेस बस होती है जो | समानांतर ईईपीरोम उपकरणों में सामान्यतः 8-बिट डेटा बस और एड्रेस बस होती है जो पूर्ण मेमोरी को कवर करने के लिए पर्याप्त होती है। अधिकांश उपकरणों में चिप सेलेक्ट और राइट प्रोटेक्ट पिन होते हैं। कुछ माइक्रोकंट्रोलर्स ने समानांतर ईईपीरोम को भी एकीकृत किया है। | ||
सीरियल ईईपीरोम की तुलना में समानांतर ईईपीरोम का संचालन सरल और तेज़ है, किन्तु यह डिवाइस उच्च पिन गिनती (28 पिन या अधिक) के कारण बड़े हैं और सीरियल ईईपीरोम या फ्लैश के पक्ष में लोकप्रियता में कमी आ रही है। | सीरियल ईईपीरोम की तुलना में समानांतर ईईपीरोम का संचालन सरल और तेज़ होत्ता है, किन्तु यह डिवाइस उच्च पिन गिनती (28 पिन या अधिक) के कारण बड़े हैं और सीरियल ईईपीरोम या फ्लैश के पक्ष में लोकप्रियता में कमी आ रही है। | ||
===अन्य उपकरण=== | ===अन्य उपकरण=== | ||
ईईपीरोम मेमोरी का उपयोग अन्य प्रकार के उत्पादों में सुविधाओं को सक्षम करने के लिए किया जाता है जो पूरी तरह से मेमोरी उत्पाद नहीं हैं। वास्तविक समय की घड़ियां, डिजिटल [[ तनाव नापने का यंत्र |तनाव नापने का यंत्र]] , डिजिटल [[सिलिकॉन बैंडगैप तापमान सेंसर]] जैसे उत्पादों में अंशांकन जानकारी या अन्य डेटा संग्रहीत करने के लिए छोटी मात्रा में ईईपीरोम हो सकता है जो | ईईपीरोम मेमोरी का उपयोग अन्य प्रकार के उत्पादों में सुविधाओं को सक्षम करने के लिए किया जाता है जो पूरी तरह से मेमोरी उत्पाद नहीं हैं। वास्तविक समय की घड़ियां, डिजिटल [[ तनाव नापने का यंत्र |तनाव नापने का यंत्र]] , डिजिटल [[सिलिकॉन बैंडगैप तापमान सेंसर]] जैसे उत्पादों में अंशांकन जानकारी या अन्य डेटा संग्रहीत करने के लिए छोटी मात्रा में ईईपीरोम हो सकता है जो विद्युत हानि की स्थिति में उपलब्ध होने की आवश्यकता होती है। | ||
बाहरी और आंतरिक फ़्लैश मेमोरी के उपयोग से पहले, गेम की प्रगति और | |||
बाहरी और आंतरिक फ़्लैश मेमोरी के उपयोग से पहले, गेम की प्रगति और विन्यास को सहेजने के लिए इसका उपयोग [[ वीडियो गेम कारतूस |वीडियो गेम कारतूस]] पर भी किया जाता था। | |||
=='''विफलता मोड'''== | =='''विफलता मोड'''== | ||
संग्रहीत जानकारी की दो सीमाएँ | संग्रहीत जानकारी की दो सीमाएँ सहनशक्ति और डेटा प्रतिधारण होती हैं। | ||
पुनर्लेखन के समय, फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर में गेट ऑक्साइड धीरे-धीरे फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों को जमा करता है। फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों का विद्युत क्षेत्र फ्लोटिंग गेट में इलेक्ट्रॉनों को जोड़ता है, जिससे शून्य बनाम के लिए थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के मध्य की खिड़की कम हो जाती है। पर्याप्त संख्या में पुनर्लेखन चक्रों के पश्चात्, अंतर पहचानने योग्य होने के लिए बहुत छोटा हो जाता है, कोशिका क्रमादेशित अवस्था में फंस जाती है, और सहनशक्ति विफलता हो जाती है। निर्माता सामान्यतः पुनर्लेखन की अधिकतम संख्या 1 मिलियन या उससे अधिक निर्दिष्ट करते हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|title=अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न -आरओएचएम सेमीकंडक्टर|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20110219060902/http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|archive-date=2011-02-19}}</ref> | पुनर्लेखन के समय, फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर में गेट ऑक्साइड धीरे-धीरे फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों को जमा करता है। फंसे हुए इलेक्ट्रॉनों का विद्युत क्षेत्र फ्लोटिंग गेट में इलेक्ट्रॉनों को जोड़ता है, जिससे शून्य बनाम के लिए थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के मध्य की खिड़की कम हो जाती है। पर्याप्त संख्या में पुनर्लेखन चक्रों के पश्चात्, अंतर पहचानने योग्य होने के लिए बहुत छोटा हो जाता है, कोशिका क्रमादेशित अवस्था में फंस जाती है, और सहनशक्ति विफलता हो जाती है। इस प्रकार निर्माता सामान्यतः पुनर्लेखन की अधिकतम संख्या 1 मिलियन या उससे अधिक निर्दिष्ट करते हैं।<ref>{{cite web|url=http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|title=अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न -आरओएचएम सेमीकंडक्टर|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20110219060902/http://www.rohm.com/products/lsi/eeprom/faq.html|archive-date=2011-02-19}}</ref> | ||
भंडारण के समय, फ्लोटिंग गेट में इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन, विशेष रूप से बढ़े हुए तापमान पर, इंसुलेटर के माध्यम से बह सकते हैं, और चार्ज हानि का कारण बन सकते हैं, जिससे सेल मिटी हुई स्थिति में वापस आ सकता है। निर्माता सामान्यतः 10 साल या उससे अधिक के डेटा प्रतिधारण की गारंटी देते हैं।<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref> | भंडारण के समय, फ्लोटिंग गेट में इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन, विशेष रूप से बढ़े हुए तापमान पर, इंसुलेटर के माध्यम से बह सकते हैं, और चार्ज हानि का कारण बन सकते हैं, जिससे सेल मिटी हुई स्थिति में वापस आ सकता है। अतः निर्माता सामान्यतः 10 साल या उससे अधिक के डेटा प्रतिधारण की गारंटी देते हैं।<ref>System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits</ref> | ||
=='''संबंधित प्रकार'''== | =='''संबंधित प्रकार'''== | ||
फ़्लैश मेमोरी ईईपीरोम का | फ़्लैश मेमोरी ईईपीरोम का बाद का रूप है। इस प्रकार उद्योग में, ईईपीरोम शब्द को ब्लॉक-वार मिटाने योग्य फ्लैश मेमोरी की तुलना में बाइट-वार मिटाने योग्य यादों में आरक्षित करने की परंपरा होती है। सामान्यतः ईईपीरोम समान क्षमता के लिए फ्लैश मेमोरी की तुलना में अधिक डाई क्षेत्र घेरता है, जिससे कि प्रत्येक सेल को सामान्यतः पढ़ने, लिखने और मिटाने वाले [[ट्रांजिस्टर]] की आवश्यकता होती है, जबकि फ्लैश मेमोरी इरेज़ परिपथ को कोशिकाओं के बड़े ब्लॉक (अधिकांशतः 512×8) द्वारा साझा किया जाता है। | ||
नई गैर-वाष्पशील मेमोरी प्रौद्योगिकियाँ जैसे कि [[फेरोइलेक्ट्रिक रैम]] और एमआरएएम धीरे-धीरे कुछ अनुप्रयोगों में ईईपीरोम की स्थान | नई गैर-वाष्पशील मेमोरी प्रौद्योगिकियाँ जैसे कि [[फेरोइलेक्ट्रिक रैम]] और एमआरएएम धीरे-धीरे कुछ अनुप्रयोगों में ईईपीरोम की स्थान ले रही हैं, किन्तु निकट भविष्य में ईईपीरोम बाजार का छोटा सा भाग बने रहने की उम्मीद होती है। | ||
==='''ईपीरोम और ईईपीरोम /फ्लैश के साथ तुलना'''=== | ==='''ईपीरोम और ईईपीरोम /फ्लैश के साथ तुलना'''=== | ||
ईपीरोम और ईईपीरोम के मध्य अंतर यह होता है कि मेमोरी कैसे प्रोग्राम करती है और मिटा देती है। इस प्रकार ईईपीरोम [[क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन]] (उद्योग में सामान्यतः फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग के रूप में जाना जाता है) का उपयोग करके विद्युत रूप से प्रोग्राम और मिटाया जा सकता है। | |||
ईपीरोम को विद्युतीय रूप से मिटाया नहीं जा सकता है और इन्हें फ्लोटिंग गेट पर हॉट-कैरियर इंजेक्शन द्वारा प्रोग्राम किया जाता है। मिटाना [[पराबैंगनी]] प्रकाश स्रोत द्वारा होता है, चूंकि व्यवहार में अनेक ईपीरोम प्लास्टिक में संपुटित होते हैं जो यूवी प्रकाश के लिए अपारदर्शी होते हैं, जो उन्हें बार प्रोग्राम करने योग्य बनाते हैं। | |||
अधिकांश एन.ओ.आर. फ्लैश मेमोरी हाइब्रिड शैली है - प्रोग्रामिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन के माध्यम से होती है और मिटाना क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन के माध्यम से होता है | फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग। | अधिकांश एन.ओ.आर. फ्लैश मेमोरी हाइब्रिड शैली है - प्रोग्रामिंग हॉट-कैरियर इंजेक्शन के माध्यम से होती है और मिटाना क्षेत्र इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन के माध्यम से होता है | फाउलर-नॉर्डहाइम टनलिंग। | ||
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* [[एसआरईसी (फ़ाइल प्रारूप)]] - फ़ाइल प्रारूप | * [[एसआरईसी (फ़ाइल प्रारूप)]] - फ़ाइल प्रारूप | ||
* सुरंग जंक्शन | * सुरंग जंक्शन | ||
* [[ पढ़ें-अधिकतर स्मृति | पढ़ें-अधिकतर | * [[ पढ़ें-अधिकतर स्मृति | पढ़ें-अधिकतर मेमोरी]] (आरएमएम) | ||
=='''संदर्भ'''== | =='''संदर्भ'''== | ||
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* [http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/ Gutmann (2001) papaer: "Data Remanence in Semiconductor Devices" {{!}} USENIX] | * [http://static.usenix.org/legacy/events/sec01/full_papers/gutmann/gutmann_html/ Gutmann (2001) papaer: "Data Remanence in Semiconductor Devices" {{!}} USENIX] | ||
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Latest revision as of 10:11, 28 July 2023
| कंप्यूटर मेमोरी और डेटा स्टोरेज प्रकार |
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