इंटरपोजर: Difference between revisions

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[[File:BGA Package Sideview.svg|thumb|[[बॉल ग्रिड ऐरे]] के लिए डाई (एकीकृत सर्किट) के बीच एक इंटरपोजर के साथ बीजीए]]
[[File:BGA Package Sideview.svg|thumb|[[बॉल ग्रिड ऐरे|बॉल ग्रिड सरणी]] के लिए डाई (एकीकृत परिपथ) के बीच एक तनर्निविष्ट के साथ बीजीए]]
[[File:Intel Pentium II die-to-BGA-interposter.png|thumb|पेंटियम II: इंटरपोजर का उदाहरण, डाई (इंटीग्रेटेड सर्किट) टू बॉल ग्रिड ऐरे [[ चिप वाहक ]]]]एक इंटरपोजर एक सॉकेट या दूसरे से कनेक्शन के बीच एक विद्युत इंटरफ़ेस रूटिंग है। एक इंटरपोजर का उद्देश्य एक व्यापक पिच के लिए एक कनेक्शन फैलाना या एक अलग कनेक्शन के लिए एक कनेक्शन को फिर से रूट करना है।<ref name="sub">[http://www.siliconfareast.com/substrates.htm Package Substrates/Interposers<!-- Bot generated title -->]</ref>
[[File:Intel Pentium II die-to-BGA-interposter.png|thumb|पेंटियम II: तनर्निविष्ट का उदाहरण, डाई (एकीकृत परिपथ) टू बॉल ग्रिड सरणी [[ चिप वाहक |चिप वाहक]]]]एक तनर्निविष्ट सॉकेट या दूसरे से संपर्क के बीच एक विद्युत अंतरापृष्ठ अनुमार्गण है। एक तनर्निविष्ट का उद्देश्य व्यापक अन्तराल के लिए संपर्क फैलाना या अलग संपर्क के लिए संपर्क को फिर से अनुमार्गण करना है।<ref name="sub">[http://www.siliconfareast.com/substrates.htm Package Substrates/Interposers<!-- Bot generated title -->]</ref>
इंटरपोजर लैटिन शब्द इंटरपोनेरे से आया है, जिसका अर्थ है बीच में रखना।<ref name="def">[http://www.thefreedictionary.com/interposes interposes - definition of interposes by the Free Online Dictionary, Thesaurus and Encyclopedia<!-- Bot generated title -->]</ref> वे अक्सर बॉल ग्रिड ऐरे पैकेज, [[मल्टी-चिप मॉड्यूल]] और [[ उच्च बैंडविड्थ मेमोरी ]] में उपयोग किए जाते हैं।<ref>{{Cite web|url=https://semiengineering.com/knowledge_centers/packaging/advanced-packaging/2-5d-ic/|title = 2.5D}}</ref>
तनर्निविष्ट लैटिन शब्द इंटरपोनेरे से आया है, जिसका अर्थ है बीच में रखना।<ref name="def">[http://www.thefreedictionary.com/interposes interposes - definition of interposes by the Free Online Dictionary, Thesaurus and Encyclopedia<!-- Bot generated title -->]</ref> वे प्रायः बॉल ग्रिड सरणी संवेष्‍टन, [[मल्टी-चिप मॉड्यूल|बहु-चिप मॉड्यूल]] और [[ उच्च बैंडविड्थ मेमोरी |उच्च बैंड विस्तार मेमोरी]] में उपयोग किए जाते हैं।<ref>{{Cite web|url=https://semiengineering.com/knowledge_centers/packaging/advanced-packaging/2-5d-ic/|title = 2.5D}}</ref>
इंटरपोजर का एक सामान्य उदाहरण बीजीए के लिए डाई (एकीकृत सर्किट) है, जैसे [[पेंटियम द्वितीय]] में। यह विभिन्न सबस्ट्रेट्स के माध्यम से किया जाता है, कठोर और लचीले दोनों, कठोर के लिए सबसे अधिक [[FR-4]], और लचीले के लिए [[ polyimide ]]।<ref name="sub" />एकीकरण विधि के रूप में सिलिकॉन और ग्लास का भी मूल्यांकन किया जाता है।<ref>[http://electroiq.com/blog/2011/06/silicon-interposers-building-blocks-for-3d-ics/ Silicon interposers: building blocks for 3D-ICs] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180130094258/http://electroiq.com/blog/2011/06/silicon-interposers-building-blocks-for-3d-ics/ |date=2018-01-30 }} / ElectroIQ, 2011</ref><ref>[http://www.prc.gatech.edu/Articles/25D%20Interposers-Organics%20vs%20Silicon%20vs%20Glass%20-%20R%20Tummala%20-%20GA-Tech.pdf 2.5D Interposers; Organics vs. Silicon vs. Glass] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20151010214219/http://www.prc.gatech.edu/Articles/25D%20Interposers-Organics%20vs%20Silicon%20vs%20Glass%20-%20R%20Tummala%20-%20GA-Tech.pdf |date=2015-10-10 }} /  Rao R. Tummala, ChipScaleReview Volume 13, Number 4, July–August 2013, pages 18-19</ref> इंटरपोजर स्टैक भी व्यापक रूप से स्वीकृत, लागत प्रभावी [[त्रि-आयामी एकीकृत सर्किट]] का विकल्प है।<ref>{{Cite book|last=Lau|first=John H.|date=2011-01-01|chapter=The Most Cost-Effective Integrator (TSV Interposer) for 3D IC Integration System-in-Package (SiP)|pages=53–63|doi=10.1115/ipack2011-52189|title=ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS: Volume 1|isbn=978-0-7918-4461-8}}</ref><ref>{{Cite news|url=https://www.3dincites.com/2013/05/semicon-singapore-3d-ic-wrap-up-bring-down-the-cost-and-bring-out-the-tsv-alternatives/|title=SEMICON Singapore 3D IC Wrap-Up: Bring down the cost and bring out the TSV alternatives - 3D InCites|date=2013-05-22|work=3D InCites|access-date=2017-08-21|language=en-US}}</ref> बाजार में पहले से ही इंटरपोजर तकनीक वाले कई उत्पाद हैं, विशेष रूप से AMD Radeon RX 300 सीरीज|AMD फिजी/फ्यूरी GPU,<ref>{{Cite news|url=http://www.anandtech.com/print/9390/the-amd-radeon-%20r9-fury-x-review|title=The AMD Radeon R9 Fury X Review: Aiming For the Top|access-date=2017-08-17}}</ref> और [[वर्टेक्स 7]]|Xilinx विर्टेक्स-7 एफपीजीए।<ref>{{Cite web|url=https://www.xilinx.com/support/documentation/white_papers/wp380_Stacked_Silicon_Interconnect_Technology.pdf|title=White Paper: Virtex-7 FPGAs}}</ref> 2016 में, CEA-लेटी: Laboratoire d'électronique des Technologies de l'सूचना ने अपनी दूसरी पीढ़ी की 3D-[[NoC]] तकनीक का प्रदर्शन किया, जो 65 nm [[CMOS]] इंटरपोज़र पर इंसुलेटर 28 nm नोड पर सिलिकॉन पर निर्मित छोटे डाई (चिपलेट) को जोड़ती है।<ref>{{Cite web|url=http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330129 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160715161537/http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330129 |archive-date=2016-07-15 |title=Leti Unveils New 3D Network-on-Chip {{!}} EE Times|website=EETimes|access-date=2017-08-17}}</ref>
 
एक इंटरपोजर का एक और उदाहरण एक [[सीरियल एटीए]] ड्राइव को अनावश्यक बंदरगाहों के साथ सीरियल से जुड़े एससीएसआई बैकप्लेन में प्लग करने के लिए इस्तेमाल किया जाने वाला एडाप्टर होगा। जबकि SAS ड्राइव में दो पोर्ट होते हैं जिनका उपयोग निरर्थक पथ या स्टोरेज कंट्रोलर से कनेक्ट करने के लिए किया जा सकता है, SATA ड्राइव में केवल एक ही पोर्ट होता है। सीधे तौर पर, वे केवल एक नियंत्रक या पथ से जुड़ सकते हैं। SATA ड्राइव को एडेप्टर के बिना लगभग सभी SAS बैकप्लेन से जोड़ा जा सकता है, लेकिन पोर्ट स्विचिंग लॉजिक के साथ एक इंटरपोज़र का उपयोग करने से पाथ [[ अतिरेक (इंजीनियरिंग) ]] प्रदान करने की अनुमति मिलती है।<ref>{{cite web
तनर्निविष्ट का सामान्य उदाहरण बीजीए के लिए डाई (एकीकृत परिपथ) है, जैसे [[पेंटियम द्वितीय]] में। यह विभिन्न कार्यद्रव के माध्यम से किया जाता है, दृढ़ और नम्य दोनों, दृढ़ के लिए सबसे अधिक [[FR-4|एफआर-4]], और नम्य के लिए [[ polyimide |पॉलीमाइड]]।<ref name="sub" /> एकीकरण विधि के रूप में सिलिकॉन और काँच का भी मूल्यांकन किया जाता है।<ref>[http://electroiq.com/blog/2011/06/silicon-interposers-building-blocks-for-3d-ics/ Silicon interposers: building blocks for 3D-ICs] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180130094258/http://electroiq.com/blog/2011/06/silicon-interposers-building-blocks-for-3d-ics/ |date=2018-01-30 }} / ElectroIQ, 2011</ref><ref>[http://www.prc.gatech.edu/Articles/25D%20Interposers-Organics%20vs%20Silicon%20vs%20Glass%20-%20R%20Tummala%20-%20GA-Tech.pdf 2.5D Interposers; Organics vs. Silicon vs. Glass] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20151010214219/http://www.prc.gatech.edu/Articles/25D%20Interposers-Organics%20vs%20Silicon%20vs%20Glass%20-%20R%20Tummala%20-%20GA-Tech.pdf |date=2015-10-10 }} /  Rao R. Tummala, ChipScaleReview Volume 13, Number 4, July–August 2013, pages 18-19</ref> तनर्निविष्ट स्टैक भी व्यापक रूप से स्वीकृत, लागत प्रभावी [[त्रि-आयामी एकीकृत सर्किट|त्रि-आयामी एकीकृत परिपथ]] का विकल्प है।<ref>{{Cite book|last=Lau|first=John H.|date=2011-01-01|chapter=The Most Cost-Effective Integrator (TSV Interposer) for 3D IC Integration System-in-Package (SiP)|pages=53–63|doi=10.1115/ipack2011-52189|title=ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS: Volume 1|isbn=978-0-7918-4461-8}}</ref><ref>{{Cite news|url=https://www.3dincites.com/2013/05/semicon-singapore-3d-ic-wrap-up-bring-down-the-cost-and-bring-out-the-tsv-alternatives/|title=SEMICON Singapore 3D IC Wrap-Up: Bring down the cost and bring out the TSV alternatives - 3D InCites|date=2013-05-22|work=3D InCites|access-date=2017-08-21|language=en-US}}</ref> बाजार में पहले से ही तनर्निविष्ट तकनीक वाले कई उत्पाद हैं, विशेष रूप से एएमडी रेडोन आरएक्स 300 शृंखला,<ref>{{Cite news|url=http://www.anandtech.com/print/9390/the-amd-radeon-%20r9-fury-x-review|title=The AMD Radeon R9 Fury X Review: Aiming For the Top|access-date=2017-08-17}}</ref> और [[वर्टेक्स 7]] एफपीजीए।<ref>{{Cite web|url=https://www.xilinx.com/support/documentation/white_papers/wp380_Stacked_Silicon_Interconnect_Technology.pdf|title=White Paper: Virtex-7 FPGAs}}</ref> 2016 में, सीईए-लेटी ने अपनी दूसरी पीढ़ी की 3डी-[[NoC|एनओसी]] तकनीक का निष्पादन किया, जो 65 nm [[CMOS|सीएमओएस]] तनर्निविष्ट पर विद्युत रोधी 28 nm नोड पर सिलिकॉन पर निर्मित छोटे डाई (चिपलेट) को जोड़ती है।<ref>{{Cite web|url=http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330129 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160715161537/http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330129 |archive-date=2016-07-15 |title=Leti Unveils New 3D Network-on-Chip {{!}} EE Times|website=EETimes|access-date=2017-08-17}}</ref>
 
एक तनर्निविष्ट का एक और उदाहरण [[सीरियल एटीए|आनुक्रमिक एटीए]] ड्राइव को अनावश्यक पोर्टों के साथ आनुक्रमिक से जुड़े एससीएसआई बैकप्लेन में प्लग करने के लिए उपयोग किया जाने वाला एडाप्टर होगा। जबकि एसएएस ड्राइव में दो पोर्ट होते हैं जिनका उपयोग निरर्थक पथ या स्टोरेज कंट्रोलर से कनेक्ट करने के लिए किया जा सकता है, सैटा ड्राइव में मात्र एक ही पोर्ट होता है। प्रत्यक्ष रूप से, वे मात्र नियंत्रक या पथ से जुड़ सकते हैं। सैटा ड्राइव को एडाप्टर के बिना लगभग सभी एसएएस बैकप्लेन से जोड़ा जा सकता है, परन्तु पोर्ट स्विचन तर्क के साथ तनर्निविष्ट का उपयोग करने से पथ [[ अतिरेक (इंजीनियरिंग) |अतिरेक (इंजीनियरिंग)]] प्रदान करने की अनुमति मिलती है।<ref>{{cite web
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== यह भी देखें ==
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* [[मरने की तैयारी]]
* [[मरने की तैयारी|डाई तैयारी]]
* [[एकीकृत परिपथ]]
* [[एकीकृत परिपथ]]
* [[सेमीकंडक्टर निर्माण]]
* [[सेमीकंडक्टर निर्माण|अर्धचालक निर्माण]]


== संदर्भ ==
== संदर्भ ==
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Latest revision as of 14:04, 14 June 2023

बॉल ग्रिड सरणी के लिए डाई (एकीकृत परिपथ) के बीच एक तनर्निविष्ट के साथ बीजीए
पेंटियम II: तनर्निविष्ट का उदाहरण, डाई (एकीकृत परिपथ) टू बॉल ग्रिड सरणी चिप वाहक

एक तनर्निविष्ट सॉकेट या दूसरे से संपर्क के बीच एक विद्युत अंतरापृष्ठ अनुमार्गण है। एक तनर्निविष्ट का उद्देश्य व्यापक अन्तराल के लिए संपर्क फैलाना या अलग संपर्क के लिए संपर्क को फिर से अनुमार्गण करना है।[1]

तनर्निविष्ट लैटिन शब्द इंटरपोनेरे से आया है, जिसका अर्थ है बीच में रखना।[2] वे प्रायः बॉल ग्रिड सरणी संवेष्‍टन, बहु-चिप मॉड्यूल और उच्च बैंड विस्तार मेमोरी में उपयोग किए जाते हैं।[3]

तनर्निविष्ट का सामान्य उदाहरण बीजीए के लिए डाई (एकीकृत परिपथ) है, जैसे पेंटियम द्वितीय में। यह विभिन्न कार्यद्रव के माध्यम से किया जाता है, दृढ़ और नम्य दोनों, दृढ़ के लिए सबसे अधिक एफआर-4, और नम्य के लिए पॉलीमाइड[1] एकीकरण विधि के रूप में सिलिकॉन और काँच का भी मूल्यांकन किया जाता है।[4][5] तनर्निविष्ट स्टैक भी व्यापक रूप से स्वीकृत, लागत प्रभावी त्रि-आयामी एकीकृत परिपथ का विकल्प है।[6][7] बाजार में पहले से ही तनर्निविष्ट तकनीक वाले कई उत्पाद हैं, विशेष रूप से एएमडी रेडोन आरएक्स 300 शृंखला,[8] और वर्टेक्स 7 एफपीजीए।[9] 2016 में, सीईए-लेटी ने अपनी दूसरी पीढ़ी की 3डी-एनओसी तकनीक का निष्पादन किया, जो 65 nm सीएमओएस तनर्निविष्ट पर विद्युत रोधी 28 nm नोड पर सिलिकॉन पर निर्मित छोटे डाई (चिपलेट) को जोड़ती है।[10]

एक तनर्निविष्ट का एक और उदाहरण आनुक्रमिक एटीए ड्राइव को अनावश्यक पोर्टों के साथ आनुक्रमिक से जुड़े एससीएसआई बैकप्लेन में प्लग करने के लिए उपयोग किया जाने वाला एडाप्टर होगा। जबकि एसएएस ड्राइव में दो पोर्ट होते हैं जिनका उपयोग निरर्थक पथ या स्टोरेज कंट्रोलर से कनेक्ट करने के लिए किया जा सकता है, सैटा ड्राइव में मात्र एक ही पोर्ट होता है। प्रत्यक्ष रूप से, वे मात्र नियंत्रक या पथ से जुड़ सकते हैं। सैटा ड्राइव को एडाप्टर के बिना लगभग सभी एसएएस बैकप्लेन से जोड़ा जा सकता है, परन्तु पोर्ट स्विचन तर्क के साथ तनर्निविष्ट का उपयोग करने से पथ अतिरेक (इंजीनियरिंग) प्रदान करने की अनुमति मिलती है।[11]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. 1.0 1.1 Package Substrates/Interposers
  2. interposes - definition of interposes by the Free Online Dictionary, Thesaurus and Encyclopedia
  3. "2.5D".
  4. Silicon interposers: building blocks for 3D-ICs Archived 2018-01-30 at the Wayback Machine / ElectroIQ, 2011
  5. 2.5D Interposers; Organics vs. Silicon vs. Glass Archived 2015-10-10 at the Wayback Machine / Rao R. Tummala, ChipScaleReview Volume 13, Number 4, July–August 2013, pages 18-19
  6. Lau, John H. (2011-01-01). "The Most Cost-Effective Integrator (TSV Interposer) for 3D IC Integration System-in-Package (SiP)". ASME 2011 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Systems, MEMS and NEMS: Volume 1. pp. 53–63. doi:10.1115/ipack2011-52189. ISBN 978-0-7918-4461-8.
  7. "SEMICON Singapore 3D IC Wrap-Up: Bring down the cost and bring out the TSV alternatives - 3D InCites". 3D InCites (in English). 2013-05-22. Retrieved 2017-08-21.
  8. "The AMD Radeon R9 Fury X Review: Aiming For the Top". Retrieved 2017-08-17.
  9. "White Paper: Virtex-7 FPGAs" (PDF).
  10. "Leti Unveils New 3D Network-on-Chip | EE Times". EETimes. Archived from the original on 2016-07-15. Retrieved 2017-08-17.
  11. Willis Whittington (2007). "Desktop, Nearline & Enterprise Disk Drives" (PDF). Storage Networking Industry Association (SNIA). p. 17. Retrieved 2014-09-22.