3डी एक्सपॉइंट
| कंप्यूटर मेमोरी और डेटा स्टोरेज प्रकार |
|---|
| वाष्पशील |
| गैर-वाष्पशील |
3D एक्सपॉइंट (उच्चारण 3-डी क्रॉस पॉइंट) इंटेल और माइक्रोन तकनीक द्वारा संयुक्त रूप से विकसित एक बंद गैर-अस्थिर मेमोरी (एनवीएम) तकनीक है। इसकी घोषणा जुलाई 2015 में की गई थी और यह अप्रैल 2017 से जुलाई 2022 तक ऑप्टेन (इंटेल) ब्रांड नाम के अंतर्गत मुक्त विक्रय में उपलब्ध था।[1] बिट भंडारण एक स्टैक करने योग्य क्रॉस-ग्रिड डेटा अभिगम्य सरणी के संयोजन के साथ विस्तृत प्रतिबन्ध के परिवर्तन पर आधारित है।[2][3] प्रारंभिक कीमतें गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीआरएएम) से कम हैं लेकिन फ्लैश मेमोरी से अधिक हैं।[4]
गैर-अस्थिर मेमोरी के रूप में, 3D एक्सपॉइंट में कई विशेषताएं हैं जो इसे वर्तमान में उपलब्ध अन्य रैंडम-एक्सेस मेमोरी और गैर-अस्थिर रैंडम एक्सेस मेमोरी से अलग करती हैं। हालाँकि 3D एक्सपॉइंट की पहली पीढ़ी विशेष रूप से बड़ी या तीव्र नहीं थीं, लेकिन 3D एक्सपॉइंट का उपयोग 2019 तक उपलब्ध कुछ सबसे तीव्र[5] एसएसडी बनाने के लिए किया गया था, जिसमें छोटे-लेखन अन्तर्हित थी। चूंकि मेमोरी स्वाभाविक रूप से तीव्र है, और बाइट-एड्रैस योग है, पारंपरिक एसएसडी को बढ़ाने के लिए उपयोग की जाने वाले पठन लेखन संशोधन और कैशिंग जैसी तकनीकों को उच्च प्रदर्शन प्राप्त करने की आवश्यकता नहीं है। इसके अतिरिक्त, कैसकेड लेक जैसे चिपसेट को 3D एक्सपॉइंट के लिए अंतर्निर्मित समर्थन के साथ डिज़ाइन किया गया है,[citation needed] जो इसे कैशिंग या त्वरित डिस्क के रूप में उपयोग करने की स्वीकृति देता है, और यह डीआईएमएम पैकेज में गैर-अस्थिर रैम (एनवीआरएएम) के रूप में उपयोग करने के लिए पर्याप्त तीव्र है।
इतिहास
विकास
3D एक्सपॉइंट का विकास 2012 के आसपास प्रारंभ हुआ।[6] इंटेल और माइक्रोन ने पहले अन्य गैर-अस्थिर फेज विस्थापन मेमोरी (पीसीएम) प्रौद्योगिकियों का विकास किया था;[note 1] माइक्रोन के मार्क डर्कन ने कहा कि 3डी एक्सपॉइंट संरचना फेज विस्थापन मेमोरी की पूर्व पेशकशों से अलग है, और मेमोरी सेल के संवरक और भंडारण भागों दोनों के लिए चाकोजेनाइड पदार्थ का उपयोग करता है जो जीईएसबीटी जैसी पारंपरिक फेज विस्थापन मेमोरी वस्तुओ की तुलना में तीव्र और अधिक स्थिर हैं।[8] लेकिन वर्तमान मे, इसे प्रतिबन्ध रैंडम-एक्सेस मेमोरी के उप-समूह के रूप