22 एनएम प्रक्रिया

22 एनएम नोड सीएमओएस मॉस्फेट अर्धचालक उपकरण निर्माण में 32 एनएम प्रक्रिया के बाद की प्रक्रिया का चरण है। सामान्य अर्ध-पिच अर्थात इस प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी लगभग 22 नैनोमीटर होती है। इसका पहली बार 2008 में रैंडम एक्सेस मेमोरी मेमोरी में उपयोग के लिए अर्धचालक कंपनियों द्वारा प्रदर्शन किया गया था। 2010 मेंतोशीबा ने 24 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप की शिपिंग प्रारंभ की गई थी और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था। इंटेल आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुई 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर प्रथम उपभोक्ता स्तर सीपीयू डिलीवरी शुरू हुई थी।

अर्धचालक 2006 फ्रंट एंड प्रक्रिया अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप इंगित करता है कि समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम एक सिलिकॉन परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना से कम नहीं होती है, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य के रूप में है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है और इस प्रकार संभवतः मूर के नियम को को बाधित करती है।

20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती आधा-नोड डाई श्रिंक के रूप में होते है।

टीएसएमसी ने 2014 में 20 एनएम नोड्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था। वर्ष 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम फिनफिट प्रौद्योगिकी द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान दिया गया था।

प्रौद्योगिकी डेमो

18 अगस्त, 2008 को, एएमडी, फ्रीस्केल, आईबीएम, STMicroelectronics, तोशिबा और कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी सेल का विकास और निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-ट्रांजिस्टर पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र (इलेक्ट्रॉनिक्स) पर डिज़ाइन, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर|μm था^{2</उप>। सेल को विसर्जन लिथोग्राफी का उपयोग करके मुद्रित किया गया था। 22 एनएम नोड पहली बार हो सकता है जहां गेट की लंबाई आवश्यक रूप से प्रौद्योगिकी नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए, 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट होगी।}

22 सितंबर, 2009 को, इंटेल डेवलपर फोरम#2009 इवेंट्स के दौरान, इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम तकनीक वाले चिप 2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे। SRAM सेल का आकार 0.092 माइक्रोन बताया गया है², अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट।

3 जनवरी, 2010 को इंटेल और माइक्रोन प्रौद्योगिकी ने 25 एनएम एनएएनडी गेट उपकरणों के परिवार में पहली घोषणा की।

2 मई, 2011 को, इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) की घोषणा की, जिसमें 3-डी त्रि-गेट नामक FinFET तकनीक का उपयोग किया गया था। IBM POWER8 प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 nm सिलिकॉन में निर्मित होता है।

शिप किए गए उपकरण

• तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।
• 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया उसे जाना होगा एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रहा है।
• इसके अतिरिक्त 2010 में, हाइनिक्स ने 64 प्रस्तुत किया जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रही है।
• 23 अप्रैल 2012 को, Intel के आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 nm तकनीक दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई। 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।
• 3 जून 2013 को, Intel ने Intel के Haswell (माइक्रोआर्किटेक्चर) माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 nm ट्राई-गेट FinFET तकनीक में शिपिंग करना प्रारंभ किया।

संदर्भ

Preceded by 32 nm (CMOS)

MOSFET manufacturing processes

Succeeded by 14 nm (FinFET)