शॉकली डायोड
| आविष्कार किया | William Shockley |
|---|---|
| Pin configuration | Anode and Cathode |
| Electronic symbol | |
| Shockley diode schematic symbol | |
शॉकली डायोड (भौतिक विज्ञानी विलियम शॉकली के नाम पर) एक चार-परत अर्धचालक डायोड है, जो आविष्कार किए गए पहले अर्धचालक उपकरणों में से एक थे। यह एक पीएनपीएन डायोड है, जिसमें P-प्रकार और N-प्रकार पदार्थ की वैकल्पिक परतें होती हैं। यह वियोजित द्वार वाले थाइरिस्टर के बराबर है। 1950 के दशक के अंत में शॉकली डायोड का निर्माण और विपणन शॉकली अर्धचालक प्रयोगशाला द्वारा किया गया था। शॉकली डायोड में एक ऋणात्मक प्रतिरोध विशेषता होती है।[1] यह व्यापक रूप से डियाक द्वारा प्रतिस्थापित किया गया था।
कार्यचालन
शॉकली डायोड का आरेख
अन्य अर्धचालक डायोड के विपरीत, शॉकली डायोड में एक से अधिक PN-संधि होते हैं। निर्माण में पीएनपीएन के प्रतिरूप में एनोड और कैथोड के बीच वैकल्पिक रूप से अर्धचालकों के चार खंड सम्मिलित हैं। यद्यपि इसके कई संधि हैं, इसे दो- अंतस्थ उपकरण होने के लिए डायोड कहा जाता है।
शॉकली डायोड एक बहुत ही उच्च प्रतिरोध के साथ संवृत स्थिति में रहता है, जब तक कि इसके अंतस्थों पर ट्रिगर वोल्टता से अधिक वोल्टता लागू नहीं हो जाता। जब वोल्टता ट्रिगर मान से अधिक हो जाता है, तो प्रतिरोध बहुत कम मान पर गिर जाता है और उपकरण चालू हो जाता है। घटक ट्रांजिस्टर चालू और बंद स्थिति को बनाए रखने में सहायता करता है। जैसा कि निर्माण अंतर्योजित द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर, एक पीएनपी और अन्य एनपीएन जोड़ी जैसा दिखता है, आधार - उत्सर्जक संधि के माध्यम से किसी भी धारा की अनुपस्थिति के कारण न तो ट्रांजिस्टर तब तक चालू हो सकता है जब तक कि दूसरा चालू न हो जाए। एक बार जब पर्याप्त वोल्टता लगाया जाता है और ट्रांजिस्टर में से एक टूट जाता है, तो यह संचालन शुरू कर देता है और आधार धारा को दूसरे ट्रांजिस्टर के माध्यम से प्रवाहित करने की अनुमति देता है, जिसके परिणामस्वरूप दोनों ट्रांजिस्टर की संतृप्ति होती है, दोनों को स्थिति में रखते हुए।
वोल्टता को पर्याप्त रूप से निम्न स्तर तक कम करने पर, वर्तमान प्रवाह ट्रांजिस्टर पूर्वाग्रह को बनाए रखने के लिए अपर्याप्त हो जाता है। अपर्याप्त धारा के कारण, ट्रांजिस्टर में से एक कट जाएगा, दूसरे ट्रांजिस्टर के आधार धारा को बाधित करेगा, इसलिए दोनों ट्रांजिस्टर को संवृत स्थिति में सील कर दिया जाएगा।
उपयोग
सामान्य अनुप्रयोग:
- सिलिकॉन नियंत्रित करनेवाला के लिए ट्रिगर स्विच
- विश्राम थरथरानवाला / सॉटूथ ऑसिलेटर
आला अनुप्रयोग:
विशिष्ट मूल्य
| Description | Range[4] | Typically |
|---|---|---|
| Forward operation | ||
| Switching voltage Vs | 10 V to 250 V | 50 V ± 4 V |
| Holding voltage Vh | 0.5 V to 2 V | 0.8 V |
| Switching current Is | a few µA to some mA | 120 µA |
| Hold current IH | 1 to 50 mA | 14 to 45 mA |
| Reverse operation | ||
| Reverse current IR | 15 µA | |
| Reverse breakdown voltage Vrb | 10 V to 250 V | 60 V |
डाइनिस्टर
स्मॉल-सिग्नल शॉकले डायोड अब निर्मित नहीं होते हैं, लेकिन यूनिडायरेक्शनल थाइरिस्टर ब्रेकओवर डायोड, जिसे थाइरिस्टर#प्रकार्स के रूप में भी जाना जाता है, कार्यात्मक रूप से समतुल्य पावर उपकरण है। डायनिस्टर्स के बारे में एक प्रारंभिक प्रकाशन 1958 में प्रकाशित हुआ था।[5] 1988 में सिलिकन कार्बाइड का उपयोग करने वाला पहला डाइनिस्टर बनाया गया था।[6] डाइनिस्टर्स को माइक्रो- और नैनोसेकंड पावर पल्स जेनरेटर में स्विच के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।[7]
संदर्भ
- Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.
- ↑ "Transistor Museum Photo Gallery Shockley Diode 4 LayerTransistor". semiconductormuseum.com. Retrieved 2019-04-09.
- ↑ "Transistor Museum Photo Gallery Shockley Diode Transistor 4 Layer". semiconductormuseum.com. Retrieved 2019-04-09.
- ↑ "हाई-फाई एम्पलीफायर में सिर्फ डायोड". 2007-02-21. Archived from the original on 2007-02-21. Retrieved 2019-04-09.
- ↑ Willfried Schurig (1971), amateurreihe electronica: Kennlinien elektronischer Bauelemente. Teil II: Halbleiter Dioden (in German), Berlin: Deutscher Militärverlag, p. 119
{{citation}}: CS1 maint: unrecognized language (link) - ↑ Pittman, P. (Spring 1958). ऑफ-ऑन नियंत्रकों के लिए डायनिस्टर डायोड का अनुप्रयोग. 1958 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. Vol. I. pp. 55–56. doi:10.1109/ISSCC.1958.1155602.
- ↑ Chelnokov, V. E.; Vainshtein, S. N.; Levinshtein, M. E.; Dmitriev, V. A. (1988-08-04). "पहला SiC डाइनिस्टर". Electronics Letters (in English). 24 (16): 1031–1033. doi:10.1049/el:19880702. ISSN 1350-911X.
- ↑ Aristov, Yu.V.; Grekhov, I.V.; Korotkov, S.V.; Lyublinsky, A.G. (September 22–26, 2008). "डायनिस्टर माइक्रो- और नैनोसेकंड पावर पल्स जेनरेटर के लिए स्विच करता है". Acta Physica Polonica A. Proceedings of the 2nd Euro-Asian Pulsed Power Conference, Vilnius, Lithuania, September 22–26, 2008. 115 (6): 1031–1033. doi:10.12693/APhysPolA.115.1031.
बाहरी संबंध
- Shockley diode analysis
- Shockley diode information
- Transistor Diodes, by Shockley himself (Jan. 1960)
