चार्ज घनत्व तरंग: Difference between revisions

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आवेश घनत्व तरंग (सीडीडब्ल्यू) एक रैखिक श्रृंखला यौगिक या स्तरित क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉनों का तर्कसंगत क्वांटम तरल पदार्थ है। सीडीडब्ल्यू (CDW) के भीतर इलेक्ट्रॉन एक स्थायी तरंग प्रतिरूप बनाते हैं और कभी-कभी सामूहिक रूप से विद्युत प्रवाह करते हैं। इस तरह के सीडीडब्ल्यू (CDW) में इलेक्ट्रॉन, एक [[सुपरकंडक्टर|अतिचालक]] की तरह, अत्यधिक सहसंबद्ध रूप में [[रैखिक श्रृंखला यौगिक]] सामूहिक रूप से प्रवाह कर सकते हैं। एक अतिचालक के विपरीत, हालांकि, विद्युत सीडीडब्ल्यू (CDW) धारा प्रायः एक झटकेदार रूप में बहती है, जैसे कि इसके स्थिर विद्युत गुणों के कारण एक नल से पानी टपकता है। सीडीडब्ल्यू (CDW) में, परिबद्ध (अशुद्धियों के कारण) और स्थिर विद्युत परस्पर क्रिया (किसी भी सीडीडब्ल्यू (CDW) बाधाओं के शुद्ध विद्युत आवेशों के कारण) के संयुक्त प्रभाव संभवतः सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत के झटकेदार व्यवहार में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जैसा कि नीचे अनुभाग 4 और 5 में चर्चा की गई है।
आवेश घनत्व तरंग (सीडीडब्ल्यू) एक रैखिक श्रृंखला यौगिक या स्तरित क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉनों का तर्कसंगत क्वांटम तरल पदार्थ है। सीडीडब्ल्यू (CDW) के भीतर इलेक्ट्रॉन एक स्थायी तरंग प्रतिरूप बनाते हैं और कभी-कभी सामूहिक रूप से विद्युत प्रवाह करते हैं। इस तरह के सीडीडब्ल्यू (CDW) में इलेक्ट्रॉन, एक [[सुपरकंडक्टर|अतिचालक]] की तरह, अत्यधिक सहसंबद्ध रूप में [[रैखिक श्रृंखला यौगिक]] सामूहिक रूप से प्रवाह कर सकते हैं। एक अतिचालक के विपरीत, हालांकि, विद्युत सीडीडब्ल्यू (CDW) धारा प्रायः एक झटकेदार रूप में बहती है, जैसे कि इसके स्थिर विद्युत गुणों के कारण एक नल से पानी टपकता है। सीडीडब्ल्यू (CDW) में, परिबद्ध (अशुद्धियों के कारण) और स्थिर विद्युत परस्पर क्रिया (किसी भी सीडीडब्ल्यू (CDW) बाधाओं के शुद्ध विद्युत आवेशों के कारण) के संयुक्त प्रभाव संभवतः सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत के झटकेदार व्यवहार में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जैसा कि नीचे अनुभाग 4 और 5 में चर्चा की गई है।


धात्विक क्रिस्टल में अधिकांश सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉनों की तरंग जैसी प्रकृति के कारण बनते हैं - क्वांटम यांत्रिक [[तरंग-कण द्वैत]] की अभिव्यक्ति - जिसके कारण इलेक्ट्रॉनिक आवेश घनत्व स्थानिक रूप से संशोधित हो जाता है, अर्थात, आवधिक "धक्कों" का निर्माण करने के लिए। यह अप्रगामी तरंग प्रत्येक इलेक्ट्रॉनिक तरंग फलन को प्रभावित करती है, और विपरीत गति के इलेक्ट्रॉन अवस्थाओं, या [[तरंग क्रिया|तरंग फलनों]] के संयोजन से बनाई जाती है। प्रभाव कुछ हद तक एक गिटार के तार में [[खड़ी लहर|अप्रगामी तरंग]] के समान होता है, जिसे दो हस्तक्षेप करने वाली, विपरीत दिशाओं में चलने वाली यात्रा तरंगों के संयोजन के रूप में देखा जा सकता है (हस्तक्षेप देखें (तरंग संचरण))।
धात्विक क्रिस्टल में अधिकांश सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉनों की तरंग जैसी प्रकृति के कारण बनते हैं - क्वांटम यांत्रिक [[तरंग-कण द्वैत]] की अभिव्यक्ति - जिसके कारण इलेक्ट्रॉनिक आवेश घनत्व स्थानिक रूप से संशोधित हो जाता है, अर्थात, आवधिक "धक्कों" का निर्माण करने के लिए। यह अप्रगामी तरंग प्रत्येक इलेक्ट्रॉनिक तरंग फलन को प्रभावित करती है, और विपरीत गति के इलेक्ट्रॉन अवस्थाओं, या [[तरंग क्रिया|तरंग फलनों]] के संयोजन से बनाई जाती है। प्रभाव कुछ हद तक एक गिटार के तार में [[खड़ी लहर|अप्रगामी तरंग]] के समान होता है, जिसे दो व्यतिकरण करने वाली, विपरीत दिशाओं में चलने वाली यात्रा तरंगों के संयोजन के रूप में देखा जा सकता है (व्यतिकरण देखें (तरंग संचरण))।


इलेक्ट्रॉनिक आवेश में सीडीडब्ल्यू (CDW) एक आवधिक विकृति के साथ होता है - अनिवार्य रूप से एक अति जालक - परमाणु जाली का।<ref>{{cite journal|author=G. Grüner|title=चार्ज घनत्व तरंगों की गतिशीलता|journal=Reviews of Modern Physics|year=1988|volume=60|issue=4|pages=1129–1181
इलेक्ट्रॉनिक आवेश में सीडीडब्ल्यू (CDW) एक आवधिक विकृति के साथ होता है - अनिवार्य रूप से एक अति जालक - परमाणु जाली का।<ref>{{cite journal|author=G. Grüner|title=चार्ज घनत्व तरंगों की गतिशीलता|journal=Reviews of Modern Physics|year=1988|volume=60|issue=4|pages=1129–1181
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== अतिचालकता का फ्रोहलिच मॉडल ==
== अतिचालकता का फ्रोहलिच मॉडल ==
1954 में, हर्बर्ट फ्रोहलिच ने एक सूक्ष्म सिद्धांत प्रस्तावित किया,<ref>{{cite journal|author=H. Fröhlich|title=सुपरकंडक्टिविटी के सिद्धांत पर: एक आयामी मामला|journal=[[Proceedings of the Royal Society A]]|year=1954|volume=223|issue=1154|pages=296–305
1954 में, हर्बर्ट फ्रोहलिच ने एक सूक्ष्म सिद्धांत प्रस्तावित किया,<ref>{{cite journal|author=H. Fröhlich|title=सुपरकंडक्टिविटी के सिद्धांत पर: एक आयामी मामला|journal=[[Proceedings of the Royal Society A]]|year=1954|volume=223|issue=1154|pages=296–305
|doi= 10.1098/rspa.1954.0116|bibcode = 1954RSPSA.223..296F |s2cid=122157741}}</ref>  जिसमें तरंग सदिश ''Q''=2''k<sub>F</sub>'' के  [[इलेक्ट्रॉनों]] और [[फोनन]] के बीच परस्पर क्रिया के परिणामस्वरूप ±''k<sub>F</sub>'' पर ऊर्जा अंतराल एक संक्रमण तापमान से नीचे बनेगा। उच्च तापमान पर चालन एक अर्ध-1-डी चालक में धात्विक होता है, जिसकी [[फर्मी सतह]] में ±''k<sub>F</sub>'' पर श्रृंखला की दिशा में लंबवत समतल चादर होती हैं। फर्मी सतह के पास के इलेक्ट्रॉन 'नेस्टिंग' तरंग संख्या ''Q'' = 2''k<sub>F</sub>'' के फ़ोनों के साथ दृढ़ता से जोड़े जाते हैं। 2''k<sub>F</sub>'' मोड इस प्रकार इलेक्ट्रॉन-फोनन इंटरैक्शन के परिणामस्वरूप नरम हो जाता है।<ref>{{cite journal|author=John Bardeen|title=सुपरकंडक्टिविटी और अन्य मैक्रोस्कोपिक क्वांटम घटनाएं|journal=Physics Today|year=1990|volume=43|issue=12|pages=25–31|doi= 10.1063/1.881218|bibcode = 1990PhT....43l..25B}}</ref> 2kF फोनन मोड आवृत्ति घटते तापमान के साथ घट जाती है, और अंत में पीयरल्स संक्रमण तापमान पर शून्य हो जाती है। चूंकि फोनोन बोसोन[[बोसॉन]] हैं, इसलिए यह मोड मैक्रोस्कोपिक रूप से कम तापमान पर व्याप्त हो जाता है, और एक स्थिर आवधिक जाली विरूपण द्वारा प्रकट होता है। उसी समय, एक इलेक्ट्रॉनिक सीडीडब्ल्यू बनता है, और पीयरल्स गैप ±kF पर खुलता है। Peierls संक्रमण तापमान के नीचे, एक पूर्ण Peierls अंतर सामान्य असंघनित इलेक्ट्रॉनों के कारण चालकता में ऊष्मीय रूप से सक्रिय व्यवहार की ओर जाता है।   
|doi= 10.1098/rspa.1954.0116|bibcode = 1954RSPSA.223..296F |s2cid=122157741}}</ref>  जिसमें तरंग सदिश ''Q''=2''k<sub>F</sub>'' के  [[इलेक्ट्रॉनों]] और [[फोनन]] के बीच परस्पर क्रिया के परिणामस्वरूप ±''k<sub>F</sub>'' पर ऊर्जा अंतराल एक संक्रमण तापमान से नीचे बनेगा। उच्च तापमान पर चालन एक अर्ध-1-डी चालक में धात्विक होता है, जिसकी [[फर्मी सतह]] में ±''k<sub>F</sub>'' पर श्रृंखला की दिशा में लंबवत समतल चादर होती हैं। फर्मी सतह के पास के इलेक्ट्रॉन 'नेस्टिंग' तरंग संख्या ''Q''=2''k<sub>F</sub>'' के फ़ोनों के साथ दृढ़ता से जोड़े जाते हैं। 2''k<sub>F</sub>'' मोड इस प्रकार इलेक्ट्रॉन-फोनन पारस्परिक प्रभाव के परिणामस्वरूप मंद हो जाता है।<ref>{{cite journal|author=John Bardeen|title=सुपरकंडक्टिविटी और अन्य मैक्रोस्कोपिक क्वांटम घटनाएं|journal=Physics Today|year=1990|volume=43|issue=12|pages=25–31|doi= 10.1063/1.881218|bibcode = 1990PhT....43l..25B}}</ref> 2''k<sub>F</sub>'' फोनन मोड आवृत्ति घटते तापमान के साथ घट जाती है, और अंत में पीयरल्स संक्रमण तापमान पर शून्य हो जाती है। चूंकि फोनोन [[बोसॉन]] हैं, इसलिए यह मोड मैक्रोस्कोपिक रूप से कम तापमान पर व्याप्त हो जाता है, और एक स्थिर आवधिक जाली विरूपण द्वारा प्रकट होता है। उसी समय, एक इलेक्ट्रॉनिक सीडीडब्ल्यू (CDW) बनता है, और पीयरल्स अन्तराल ±''k<sub>F</sub>'' पर खुलता है। पीयरल्स संक्रमण तापमान के नीचे, एक पूर्ण पीयरल्स अन्तराल सामान्य असंघनित इलेक्ट्रॉनों के कारण चालकता में ऊष्मीय रूप से सक्रिय व्यवहार की ओर जाता है।   


हालाँकि, एक CDW जिसका तरंग दैर्ध्य अंतर्निहित परमाणु जाली के साथ असंगत है, अर्थात, जहाँ CDW तरंगदैर्घ्य जाली स्थिरांक का एक पूर्णांक गुणक नहीं है, उसके चार्ज मॉड्यूलेशन ρ0 + ρ1cos [2kFx - φ] में कोई पसंदीदा स्थिति या चरण φ नहीं होगा। फ्रोहलिच ने इस प्रकार प्रस्तावित किया कि सीडीडब्ल्यू आगे बढ़ सकता है और, इसके अलावा, कि पीयरल्स अंतराल पूरे [[फर्मी समुद्र]] के साथ-साथ संवेग स्थान में विस्थापित हो जाएगा, जिससे विद्युत धारा dφ/dt के समानुपातिक हो जाएगी। हालाँकि, जैसा कि बाद के खंडों में चर्चा की गई है, यहां तक ​​कि एक असंगत CDW भी स्वतंत्र रूप से आगे नहीं बढ़ सकता है, लेकिन अशुद्धियों से परिबद्ध है। इसके अलावा, एक सुपरकंडक्टर के विपरीत, सामान्य वाहकों के साथ बातचीत से अपव्यय परिवहन होता है।
हालाँकि, एक सीडीडब्ल्यू (CDW) जिसका तरंग दैर्ध्य अंतर्निहित परमाणु जाली के साथ असंगत है, अर्थात, जहाँ सीडीडब्ल्यू (CDW) तरंगदैर्घ्य जाली स्थिरांक का एक पूर्णांक गुणक नहीं है, उसके आवेश प्रतिरूपण ''ρ<sub>0</sub>'' + ''ρ<sub>1</sub>''cos[2''k<sub>F</sub>x – φ''] में कोई अधिमान्य स्थिति या चरण φ नहीं होगा। फ्रोहलिच ने इस प्रकार प्रस्तावित किया कि सीडीडब्ल्यू (CDW) आगे बढ़ सकता है और, इसके अलावा, कि पीयरल्स अंतराल पूरे [[फर्मी समुद्र]] के साथ-साथ संवेग स्थान में विस्थापित हो जाएगा, जिससे विद्युत धारा ''dφ/dt'' के समानुपातिक हो जाएगी। हालाँकि, जैसा कि बाद के अनुभागों में चर्चा की गई है, यहां तक ​​कि एक असंगत सीडीडब्ल्यू (CDW) भी स्वतंत्र रूप से आगे नहीं बढ़ सकता है, लेकिन अशुद्धियों से परिबद्ध है। इसके अलावा, एक अतिचालक के विपरीत, सामान्य वाहकों के साथ पारस्परिक क्रिया से अपव्यय अभिगमन होता है।


== अर्ध-2-डी स्तरित सामग्री में सीडीडब्ल्यू ==
== अर्ध-2-डी स्तरित पदार्थ में सीडीडब्ल्यू (CDW) ==
कई क्वैसी-2-डी प्रणालियां, जिनमें लेयर्ड ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स शामिल हैं,<ref>{{cite journal|author=W. L. McMillan|title=संक्रमण-धातु डाइक्लेकोजेनाइड्स में चार्ज-घनत्व तरंगों का लैंडौ सिद्धांत|journal=Physical Review B|year=1975|volume=12|issue=4|pages=1187–1196
कई अर्ध-2-डी प्रणालियां, जिनमें स्तरित संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स सम्मिलित हैं,<ref>{{cite journal|author=W. L. McMillan|title=संक्रमण-धातु डाइक्लेकोजेनाइड्स में चार्ज-घनत्व तरंगों का लैंडौ सिद्धांत|journal=Physical Review B|year=1975|volume=12|issue=4|pages=1187–1196
|doi=10.1103/PhysRevB.12.1187|url= http://x-ray.ucsd.edu/mediawiki/images/b/bc/McMillan_Landau_theory_PRB_75.pdf|bibcode = 1975PhRvB..12.1187M }}</ref>अर्ध-2-डी सीडीडब्ल्यू बनाने के लिए पीयरल्स ट्रांजिशन से गुजरती हैं। ये फर्मी सतह के विभिन्न समतल क्षेत्रों को युग्मित करने वाले अनेक नेस्टिंग वेववेक्टरों के परिणाम हैं।<ref>{{cite journal|author=A. A. Kordyuk |title=ARPES प्रयोग से स्यूडोगैप: कप्रेट और टोपोलॉजिकल सुपरकंडक्टिविटी में तीन अंतराल (समीक्षा लेख)|journal=Low Temperature Physics|volume=41|issue=5|pages=319–341|year=2015|arxiv=1501.04154 |doi=10.1063/1.4919371|bibcode=2015LTP....41..319K|s2cid=56392827}}</ref> चार्ज मॉड्यूलेशन या तो हेक्सागोनल समरूपता या चेकरबोर्ड पैटर्न के साथ एक छत्ते की जाली बना सकता है। एक सहवर्ती आवधिक जाली विस्थापन CDW के साथ होता है और क्रायोजेनिक इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी का उपयोग करके 1T-TaS2 में सीधे देखा गया है।<ref>{{cite journal|author=R. Hovden|display-authors=et al|title=एक्सफ़ोलीएटेड डाइक्लोजेनाइड्स के चार्ज डेंसिटी वेव चरणों में परमाणु जाली विकार (1T-TaS<sub>2</sub>)|journal=Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. |year=2016|volume=113|issue=41|pages=11420–11424|doi=10.1073/pnas.1606044113|pmid=27681627|pmc=5068312|arxiv = 1609.09486 |bibcode = 2016PNAS..11311420H |doi-access=free}}</ref> 2012 में, YBCO जैसे स्तरित कप्रेट [[उच्च तापमान सुपरकंडक्टर्स]] के लिए प्रतिस्पर्धी, प्रारंभिक CDW चरणों के साक्ष्य की सूचना दी गई थी।<ref>{{cite journal|author=T. Wu, H. Mayaffre, S. Krämer, M. Horvatić, C. Berthier, W. N. Hardy, R. Liang, D. A. Bonn, M.-H. Julien |year=2011|title=उच्च-तापमान सुपरकंडक्टर YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub> में चुंबकीय-क्षेत्र-प्रेरित चार्ज-स्ट्राइप क्रम|journal=Nature |volume=477|issue=7363|pages=191–194|doi=10.1038/nature10345|pmid=21901009|bibcode=2011Natur.477..191W|arxiv=1109.2011|s2cid=4424890}}</ref><ref>{{cite journal|author1=J. Chang |author2=E. Blackburn |author3=A. T. Holmes |author4=N. B. Christensen |author5=J. Larsen |author6=J. Mesot |author7=R. Liang |author8=D. A. Bonn |author9=W. N. Hardy |author10=A. Watenphul |author11=M. v. Zimmermann |author12=E. M. Forgan |author13=S. M. Hayden |title=YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>6.67</sub> में सुपरकंडक्टिविटी और चार्ज डेंसिटी वेव ऑर्डर के बीच प्रतिस्पर्धा का प्रत्यक्ष अवलोकन|journal=Nature Physics|year=2012|volume=8|issue=12|pages=871–876|doi= 10.1038/nphys2456|arxiv = 1206.4333 |bibcode = 2012NatPh...8..871C |s2cid=118408656 }}</ref><ref>{{cite journal|author1=G. Ghiringhelli |author2=M. Le Tacon |author3=M. Minola |author4=S. Blanco-Canosa |author5=C. Mazzoli |author6=N. B. Brookes |author7=G. M. De Luca |author8=A. Frano |author9=D. G. Hawthorn |author10=F. He |author11=T. Loew |author12=M. M. Sala |author13=D. C. Peets |author14=M. Salluzzo |author15=E. Schierle |author16=R. Sutarto |author17=G. A. Sawatzky |author18=E. Weschke |author19=B. Keimer |author20=L. Braicovich |title=(Y,Nd)Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>6+x</sub> में लंबी दूरी के असंगत चार्ज उतार-चढ़ाव|journal=Science|year=2012|volume=337|issue=6096|pages=821–825
|doi=10.1103/PhysRevB.12.1187|url= http://x-ray.ucsd.edu/mediawiki/images/b/bc/McMillan_Landau_theory_PRB_75.pdf|bibcode = 1975PhRvB..12.1187M }}</ref> अर्ध-2-डी सीडीडब्ल्यू (CDW) बनाने के लिए पीयरल्स संक्रमण से गुजरती हैं। ये फर्मी सतह के विभिन्न समतल क्षेत्रों को युग्मित करने वाले अनेक नेस्टिंग तरंग सदिशो के परिणाम हैं।<ref>{{cite journal|author=A. A. Kordyuk |title=ARPES प्रयोग से स्यूडोगैप: कप्रेट और टोपोलॉजिकल सुपरकंडक्टिविटी में तीन अंतराल (समीक्षा लेख)|journal=Low Temperature Physics|volume=41|issue=5|pages=319–341|year=2015|arxiv=1501.04154 |doi=10.1063/1.4919371|bibcode=2015LTP....41..319K|s2cid=56392827}}</ref> आवेश प्रतिरूपण या तो षटकोणीय सममिति या चेकरबोर्ड पैटर्न के साथ एक छत्ते की जाली बना सकता है। एक सहवर्ती आवधिक जाली विस्थापन सीडीडब्ल्यू (CDW) के साथ होता है और निम्नतापी इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी का उपयोग करके 1T-TaS<sub>2</sub> में सीधे देखा गया है।<ref>{{cite journal|author=R. Hovden|display-authors=et al|title=एक्सफ़ोलीएटेड डाइक्लोजेनाइड्स के चार्ज डेंसिटी वेव चरणों में परमाणु जाली विकार (1T-TaS<sub>2</sub>)|journal=Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. |year=2016|volume=113|issue=41|pages=11420–11424|doi=10.1073/pnas.1606044113|pmid=27681627|pmc=5068312|arxiv = 1609.09486 |bibcode = 2016PNAS..11311420H |doi-access=free}}</ref> 2012 में, वाईबीसीओ (YBCO) जैसे स्तरित क्यूप्रेट [[उच्च तापमान सुपरकंडक्टर्स|उच्च तापमान अतिचालको]] के लिए प्रतिस्पर्धी, प्रारंभिक सीडीडब्ल्यू (CDW) चरणों के साक्ष्य की सूचना दी गई थी।<ref>{{cite journal|author=T. Wu, H. Mayaffre, S. Krämer, M. Horvatić, C. Berthier, W. N. Hardy, R. Liang, D. A. Bonn, M.-H. Julien |year=2011|title=उच्च-तापमान सुपरकंडक्टर YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub> में चुंबकीय-क्षेत्र-प्रेरित चार्ज-स्ट्राइप क्रम|journal=Nature |volume=477|issue=7363|pages=191–194|doi=10.1038/nature10345|pmid=21901009|bibcode=2011Natur.477..191W|arxiv=1109.2011|s2cid=4424890}}</ref><ref>{{cite journal|author1=J. Chang |author2=E. Blackburn |author3=A. T. Holmes |author4=N. B. Christensen |author5=J. Larsen |author6=J. Mesot |author7=R. Liang |author8=D. A. Bonn |author9=W. N. Hardy |author10=A. Watenphul |author11=M. v. Zimmermann |author12=E. M. Forgan |author13=S. M. Hayden |title=YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>6.67</sub> में सुपरकंडक्टिविटी और चार्ज डेंसिटी वेव ऑर्डर के बीच प्रतिस्पर्धा का प्रत्यक्ष अवलोकन|journal=Nature Physics|year=2012|volume=8|issue=12|pages=871–876|doi= 10.1038/nphys2456|arxiv = 1206.4333 |bibcode = 2012NatPh...8..871C |s2cid=118408656 }}</ref><ref>{{cite journal|author1=G. Ghiringhelli |author2=M. Le Tacon |author3=M. Minola |author4=S. Blanco-Canosa |author5=C. Mazzoli |author6=N. B. Brookes |author7=G. M. De Luca |author8=A. Frano |author9=D. G. Hawthorn |author10=F. He |author11=T. Loew |author12=M. M. Sala |author13=D. C. Peets |author14=M. Salluzzo |author15=E. Schierle |author16=R. Sutarto |author17=G. A. Sawatzky |author18=E. Weschke |author19=B. Keimer |author20=L. Braicovich |title=(Y,Nd)Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>6+x</sub> में लंबी दूरी के असंगत चार्ज उतार-चढ़ाव|journal=Science|year=2012|volume=337|issue=6096|pages=821–825
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== रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू परिवहन ==
== रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन ==
अर्ध-1-डी कंडक्टरों के प्रारंभिक अध्ययन 1964 में एक प्रस्ताव से प्रेरित थे, कि कुछ प्रकार के बहुलक श्रृंखला यौगिक एक उच्च महत्वपूर्ण तापमान Tc के साथ अतिचालकता प्रदर्शित कर सकते हैं।<ref>{{cite journal | author = W. A. Little | journal = [[Physical Review]] | volume = 134 | year = 1964 | pages = A1416–A1424 | doi = 10.1103/PhysRev.134.A1416 | title = एक कार्बनिक सुपरकंडक्टर को संश्लेषित करने की संभावना| issue = 6A|bibcode = 1964PhRv..134.1416L }}</ref> सिद्धांत इस विचार पर आधारित था कि सुपरकंडक्टिविटी[[अतिचालकता]] के बीसीएस सिद्धांत[[बीसीएस सिद्धांत]] में इलेक्ट्रॉनों की जोड़ी को कुछ पार्श्व श्रृंखलाओं में गैर-चालक इलेक्ट्रॉनों के साथ एक श्रृंखला में इलेक्ट्रॉनों के संचालन की बातचीत से मध्यस्थ किया जा सकता है। (इसके विपरीत, पारंपरिक सुपरकंडक्टर्स के बीसीएस सिद्धांत में, इलेक्ट्रॉन जोड़ी फोनन, या कंपन आयनों द्वारा मध्यस्थता की जाती है।) चूंकि प्रकाश इलेक्ट्रॉन, भारी आयनों के बजाय, कूपर जोड़े के निर्माण के लिए उनकी विशेषता आवृत्ति का नेतृत्व करेंगे और इसलिए, ऊर्जा पैमाने और टीसी को बढ़ाया जाएगा। 1970 के दशक में TTF-TCNQ जैसे जैविक पदार्थों को सैद्धांतिक रूप से मापा और अध्ययन किया गया था।<ref>{{cite journal |author1=P. W. Anderson |author2=P. A. Lee |author3=M. Saitoh | journal = [[Solid State Communications]] | volume = 13 | year = 1973 | pages = 595–598 | doi = 10.1016/S0038-1098(73)80020-1 | title = TTF-TCNQ में विशाल चालकता पर टिप्पणी| bibcode=1973SSCom..13..595A | issue = 5}}</ref>  इन सामग्रियों को अतिचालक, संक्रमण के बजाय धातु-इन्सुलेटर से गुजरना पाया गया। यह अंततः स्थापित किया गया था कि इस तरह के प्रयोगों ने पीयरल्स संक्रमण के पहले अवलोकनों का प्रतिनिधित्व किया।   
अर्ध-1-डी चालको के प्रारंभिक अध्ययन 1964 में एक प्रस्ताव से प्रेरित थे, कि कुछ प्रकार के बहुलक श्रृंखला यौगिक एक उच्च महत्वपूर्ण तापमान ''T<sub>c</sub>'' के साथ अतिचालकता प्रदर्शित कर सकते हैं।<ref>{{cite journal | author = W. A. Little | journal = [[Physical Review]] | volume = 134 | year = 1964 | pages = A1416–A1424 | doi = 10.1103/PhysRev.134.A1416 | title = एक कार्बनिक सुपरकंडक्टर को संश्लेषित करने की संभावना| issue = 6A|bibcode = 1964PhRv..134.1416L }}</ref> सिद्धांत इस विचार पर आधारित था कि [[अतिचालकता]] के [[बीसीएस सिद्धांत|बीसीएस (BCS) सिद्धांत]] में इलेक्ट्रॉनों के युगमन को कुछ पार्श्व श्रृंखलाओं में गैर-चालक इलेक्ट्रॉनों के साथ एक श्रृंखला में इलेक्ट्रॉनों के संचालन की पारस्परिक क्रिया से मध्यस्थ किया जा सकता है। (इसके विपरीत, पारंपरिक अतिचालको के बीसीएस (BCS) सिद्धांत में, इलेक्ट्रॉन युग्मन फोनन, या कंपन आयनों द्वारा मध्यस्थता की जाती है।) चूंकि प्रकाश इलेक्ट्रॉन, भारी आयनों के स्थान पर, कूपर युग्म के निर्माण के लिए उनकी विशेषता आवृत्ति का नेतृत्व करेंगे और इसलिए, ऊर्जा पैमाने और ''T<sub>c</sub>'' को बढ़ाया जाएगा। 1970 के दशक में टीटीएफ-टीसीएनक्यू (TTF-TCNQ) जैसे जैविक पदार्थों को सैद्धांतिक रूप से मापा और अध्ययन किया गया था।<ref>{{cite journal |author1=P. W. Anderson |author2=P. A. Lee |author3=M. Saitoh | journal = [[Solid State Communications]] | volume = 13 | year = 1973 | pages = 595–598 | doi = 10.1016/S0038-1098(73)80020-1 | title = TTF-TCNQ में विशाल चालकता पर टिप्पणी| bibcode=1973SSCom..13..595A | issue = 5}}</ref>  इन पदार्थों को अतिचालक, संक्रमण के स्थान पर धातु-विसंवाहक से गुजरना पाया गया। यह अंततः स्थापित किया गया था कि इस तरह के प्रयोगों ने पीयरल्स संक्रमण के पहले अवलोकनों का प्रतिनिधित्व किया।   


अकार्बनिक रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू परिवहन के लिए पहला सबूत, जैसे ट्रांज़िशन मेटल ट्राइकलकोजेनाइड्स, 1976 में मोंसेउ एट अल द्वारा रिपोर्ट किया गया था,<ref>{{cite journal
अकार्बनिक रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन के लिए पहला साक्ष्य, जैसे संक्रमण धातु ट्राइकलकोजेनाइड्स, 1976 में मोंसेउ एट अल द्वारा रिपोर्ट किया गया था,<ref>{{cite journal
  |author1=P. Monceau  
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  |author2=N. P. Ong  
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}}</ref> जिन्होंने एनबीएसई3 में बढ़े हुए विद्युत क्षेत्रों में विद्युत चालन में वृद्धि देखी। विद्युत चालकता σ बनाम फील्ड ई में गैर-रैखिक योगदान एक लैंडौ-जेनर टनलिंग विशेषता ~ ऍक्स्प [-E0/E] के लिए फिट था (लैंडौ-जेनर सूत्र देखें), लेकिन जल्द ही यह महसूस किया गया कि विशिष्ट जेनर क्षेत्र E0 पीयरल्स गैप में सामान्य इलेक्ट्रॉनों के जेनर टनलिंग का प्रतिनिधित्व करने के लिए बहुत छोटा था। बाद के प्रयोगों<ref>{{cite journal
}}</ref> जिन्होंने NbSe<sub>3</sub> में बढ़े हुए विद्युत क्षेत्रों में विद्युत चालन में वृद्धि देखी। विद्युत चालकता σ बनाम क्षेत्र ''E'' में गैर-रैखिक योगदान एक लैंडौ-जेनर टनलिंग विशेषता ~ exp[-''E''<sub>0</sub>/''E''] (लैंडौ-जेनर सूत्र देखें), के लिए अनुरूप था लेकिन जल्द ही यह सिद्ध किया गया कि विशिष्ट जेनर क्षेत्र ''E''<sub>0</sub> पीयरल्स अन्तराल में सामान्य इलेक्ट्रॉनों के जेनर टनलिंग का प्रतिनिधित्व करने के लिए बहुत छोटा था। बाद के प्रयोगों<ref>{{cite journal
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  |author2=C. C. Grimes  
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}}</ref> ने एक तेज थ्रेशोल्ड विद्युत क्षेत्र, साथ ही साथ शोर स्पेक्ट्रम (संकीर्ण बैंड शोर) में चोटियों को दिखाया, जिनकी मौलिक आवृत्ति सीडीडब्ल्यू वर्तमान के साथ होती है। ये और अन्य प्रयोग (उदाहरण के लिए,<ref>{{cite journal
}}</ref> ने एक तेज प्रभावसीमा विद्युत क्षेत्र, साथ ही साथ ध्वनि स्पेक्ट्रम (संकीर्ण बैंड ध्वनि) में शीर्ष को दिखाया, जिनकी मौलिक आवृत्ति सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत के साथ होती है। ये और अन्य प्रयोग (उदाहरण के लिए,<ref>{{cite journal
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}}</ref>) पुष्टि करते हैं कि सीडीडब्ल्यू सामूहिक रूप से दहलीज क्षेत्र के ऊपर एक झटकेदार तरीके से विद्युत प्रवाह करता है।   
}}</ref>) पुष्टि करते हैं कि सीडीडब्ल्यू (CDW) सामूहिक रूप से प्रभावसीमा क्षेत्र के ऊपर एक झटकेदार तरीके से विद्युत प्रवाह करता है।   


== सीडीडब्ल्यू डिपिनिंग के शास्त्रीय मॉडल ==
== सीडीडब्ल्यू (CDW) डिपिनिंग के चिरसम्मत मॉडल ==
CDW परिवहन प्रदर्शित करने वाले रेखीय श्रृंखला यौगिकों में CDW तरंग दैर्ध्य λcdw = π/kF जाली स्थिरांक के साथ असंगत (यानी, एक पूर्णांक बहु नहीं) है। ऐसी सामग्रियों में, पिनिंग उन अशुद्धियों के कारण होती है जो φ के संबंध में CDW की ट्रांसलेशनल समरूपता को तोड़ती हैं।<ref>{{cite book|author=George Gruner|title=ठोस पदार्थों में घनत्व तरंगें|publisher=Addison-Wesley|year=1994|isbn=0-201-62654-3}}</ref> सरलतम मॉडल पिनिंग को u(φ) = u0[1 - cosφ] रूप की साइन-गॉर्डन क्षमता के रूप में मानता है, जबकि [[विद्युत क्षेत्र]] आवधिक पिनिंग क्षमता को तब तक झुकाता है जब तक कि चरण क्लासिकल डिपिनिंग क्षेत्र के ऊपर बाधा पर स्लाइड नहीं कर सकता। ओवरडैम्प्ड [[overdamped]] ऑसिलेटर मॉडल के रूप में जाना जाता है, चूंकि यह ऑसिलेटरी (AC) विद्युत क्षेत्रों के लिए डैम्प्ड CDW प्रतिक्रिया को भी मॉडल करता है, यह चित्र संकीर्ण-बैंड शोर के स्केलिंग के लिए सीडीडब्ल्यू वर्तमान सीमा से ऊपर है।<ref>{{cite journal
सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन प्रदर्शित करने वाले रेखीय श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) तरंग दैर्ध्य ''λ<sub>cdw</sub>'' = ''π/k<sub>F</sub>'' जालक स्थिरांक के साथ असंगत (यानी, एक पूर्णांक गुणक नहीं) है। ऐसे पदार्थों में, प्रकाश केंद्रण उन अशुद्धियों के कारण होती है जो φ के संबंध में सीडीडब्ल्यू (CDW) की स्थानांतरीय सममिति को तोड़ती हैं।<ref>{{cite book|author=George Gruner|title=ठोस पदार्थों में घनत्व तरंगें|publisher=Addison-Wesley|year=1994|isbn=0-201-62654-3}}</ref> सरलतम मॉडल प्रकाश केंद्रण को ''u''(''φ'') = ''u''<sub>0</sub>[1 – cos''φ''], रूप की साइन-गॉर्डन क्षमता के रूप में मानता है, जबकि [[विद्युत क्षेत्र]] आवधिक प्रकाश केंद्रण क्षमता को तब तक झुकाता है जब तक कि चरण चिरसम्मत डिपिनिंग क्षेत्र के ऊपर बाधा पर स्खलन नहीं कर सकता। [[overdamped|अति अवमंदित]] दोलक मॉडल के रूप में जाना जाता है, चूंकि यह दोलन (AC) विद्युत क्षेत्रों के लिए अवमन्दित सीडीडब्ल्यू (CDW) प्रतिक्रिया को भी मॉडल करता है, यह चित्र संकीर्ण-बैंड ध्वनि के प्रवर्धन के लिए सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत सीमा से ऊपर है।<ref>{{cite journal
  |author1=G. Grüner  
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  |author2=A. Zawadowski  
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हालांकि, चूंकि अशुद्धियां बेतरतीब ढंग से पूरे क्रिस्टल में वितरित की जाती हैं, इसलिए एक अधिक यथार्थवादी तस्वीर को स्थिति के साथ इष्टतम सीडीडब्ल्यू चरण φ में बदलाव की अनुमति देनी चाहिए - अनिवार्य रूप से एक अव्यवस्थित वॉशबोर्ड क्षमता के साथ एक संशोधित साइन-गॉर्डन तस्वीर। यह फुकुयामा-ली-राइस (FLR) मॉडल में किया जाता है, यह फुकुयामा-ली-राइस (FLR) मॉडल में किया जाता है,<ref>{{cite journal
हालांकि, चूंकि अशुद्धियां बेतरतीब ढंग से पूरे क्रिस्टल में वितरित की जाती हैं, इसलिए एक अधिक यथार्थवादी छवि को स्थिति के साथ इष्टतम सीडीडब्ल्यू (CDW) चरण φ में बदलाव की अनुमति देनी चाहिए - अनिवार्य रूप से एक अव्यवस्थित प्रक्षालन पट्ट क्षमता के साथ एक संशोधित साइन-गॉर्डन छवि। यह फुकुयामा-ली-राइस (FLR) मॉडल में किया जाता है,<ref>{{cite journal
  |author1=H. Fukuyama  
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  |author2=P. A. Lee  
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}}</ref> जिसमें CDW φ और पिनिंग ऊर्जा में स्थानिक प्रवणता के कारण लोचदार तनाव ऊर्जा दोनों को अनुकूलित करके अपनी कुल ऊर्जा को कम करता है। एफएलआर से उभरने वाली दो सीमाओं में कमजोर पिनिंग शामिल है, आमतौर पर आइसोइलेक्ट्रॉनिक अशुद्धियों से, जहां इष्टतम चरण कई अशुद्धियों पर फैला हुआ है और एनआई 2 के रूप में डिपिनिंग फील्ड स्केल (नी अशुद्धता एकाग्रता है)और मजबूत पिनिंग जहां प्रत्येक अशुद्धता सीडीडब्ल्यू चरण को पिन करने के लिए पर्याप्त मजबूत है और नी के साथ रैखिक रूप से परिभाषित क्षेत्र को मापता है। इस विषय की विविधताओं में संख्यात्मक सिमुलेशन शामिल हैं जो अशुद्धियों के यादृच्छिक वितरण (यादृच्छिक पिनिंग मॉडल) को शामिल करते हैं।<sup><ref>{{cite journal
}}</ref> जिसमें सीडीडब्ल्यू (CDW) φ और प्रकाश केंद्रण ऊर्जा में स्थानिक प्रवणता के कारण प्रत्यास्थ तनाव ऊर्जा दोनों को अनुकूलित करके अपनी कुल ऊर्जा को कम करता है। एफएलआर (FLR) से उभरने वाली दो सीमाओं में कमजोर प्रकाश केंद्रण सम्मिलित है, प्रायः  समइलेक्ट्रॉनिक अशुद्धियों से, जहां अनुकलतम चरण कई अशुद्धियों पर फैला हुआ है और ''n<sub>i</sub>''<sup>2</sup> के रूप में डिपिनिंग क्षेत्र पैमाना (''n<sub>i</sub>'' अशुद्धता एकाग्रता है) और मजबूत प्रकाश केंद्रण जहां प्रत्येक अशुद्धता सीडीडब्ल्यू (CDW) चरण को पिन करने के लिए पर्याप्त मजबूत है और ''n<sub>i</sub>'' के साथ रैखिक रूप से परिभाषित क्षेत्र को मापता है। इस विषय की विविधताओं में संख्यात्मक अनुरूपण सम्मिलित हैं जो अशुद्धियों के यादृच्छिक वितरण (यादृच्छिक प्रकाश केंद्रण मॉडल) को सम्मिलित करते हैं।<sup><ref>{{cite journal
  |author=P. B. Littlewood  
  |author=P. B. Littlewood  
  |title=स्लाइडिंग चार्ज-घनत्व तरंगें: एक संख्यात्मक अध्ययन|journal=Physical Review B  
  |title=स्लाइडिंग चार्ज-घनत्व तरंगें: एक संख्यात्मक अध्ययन|journal=Physical Review B  
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== सीडीडब्ल्यू परिवहन के क्वांटम मॉडल ==
== सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन के क्वांटम मॉडल ==
प्रारंभिक क्वांटम मॉडल में माकी<ref>{{cite journal|author=Kazumi Maki |title=आवेश-घनत्व-तरंग संघनन में विद्युत क्षेत्रों द्वारा सॉलिटॉन जोड़े का निर्माण|journal=Physical Review Letters |year=1977 |volume=39 |issue=1 |pages=46–48 |doi=10.1103/PhysRevLett.39.46 |bibcode=1977PhRvL..39...46M }}</ref> द्वारा एक सॉलिटॉन जोड़ी निर्माण मॉडल और [[जॉन बार्डीन]]  का एक प्रस्ताव शामिल था, जो एक छोटे से पिनिंग गैप के माध्यम से सुसंगत रूप से CDW इलेक्ट्रॉन सुरंग को संघनित करता है,<ref>{{cite journal|author=John Bardeen |title=NbSe<sub>3</sub> में आवेश-घनत्व तरंगों से गैर-ओमिक चालन का सिद्धांत|journal=Physical Review Letters |year=1979 |volume=42 |issue=22 |pages=1498–1500 |doi=10.1103/PhysRevLett.42.1498 |bibcode=1979PhRvL..42.1498B }}</ref> पीयरल्स गैप के विपरीत ±kF पर तय किया गया। माकी के सिद्धांत में एक तेज थ्रेसहोल्ड क्षेत्र का अभाव था और बारडीन ने केवल थ्रेशोल्ड क्षेत्र की घटनात्मक व्याख्या की थी।<ref>{{cite journal|author=John Bardeen |title=चार्ज-डेंसिटी-वेव डिपिनिंग का टनलिंग सिद्धांत|journal=Physical Review Letters |year=1980 |volume=45 |issue=24 |pages=1978–1980 |doi=10.1103/PhysRevLett.45.1978|bibcode=1980PhRvL..45.1978B }}</ref> हालांकि, 1985 में क्रिव और रोझाव्स्की के एक पेपर<ref>{{cite journal|author1=I. V. Krive |author2=A. S. Rozhavsky |title= अर्ध-एक-आयामी अनुरूप चार्ज-घनत्व-तरंगों में दहलीज विद्युत क्षेत्र की प्रकृति पर|journal= Solid State Communications |year=1985|volume=55|issue=8|pages=691–694
प्रारंभिक क्वांटम मॉडल में माकी<ref>{{cite journal|author=Kazumi Maki |title=आवेश-घनत्व-तरंग संघनन में विद्युत क्षेत्रों द्वारा सॉलिटॉन जोड़े का निर्माण|journal=Physical Review Letters |year=1977 |volume=39 |issue=1 |pages=46–48 |doi=10.1103/PhysRevLett.39.46 |bibcode=1977PhRvL..39...46M }}</ref> द्वारा एक सॉलिटॉन युग्म निर्माण मॉडल और [[जॉन बार्डीन]]  का एक प्रस्ताव सम्मिलित था, जो एक छोटे से प्रकाश केंद्रण अन्तराल के माध्यम से सुसंगत रूप से सीडीडब्ल्यू (CDW)  इलेक्ट्रॉन सुरंग को संघनित करता है,<ref>{{cite journal|author=John Bardeen |title=NbSe<sub>3</sub> में आवेश-घनत्व तरंगों से गैर-ओमिक चालन का सिद्धांत|journal=Physical Review Letters |year=1979 |volume=42 |issue=22 |pages=1498–1500 |doi=10.1103/PhysRevLett.42.1498 |bibcode=1979PhRvL..42.1498B }}</ref> पीयरल्स अन्तराल के विपरीत ±''k<sub>F</sub>'' पर तय किया गया। माकी के सिद्धांत में एक तीव्र प्रभावसीमा क्षेत्र का अभाव था और बारडीन ने केवल प्रभावसीमा क्षेत्र की घटनात्मक व्याख्या की थी।<ref>{{cite journal|author=John Bardeen |title=चार्ज-डेंसिटी-वेव डिपिनिंग का टनलिंग सिद्धांत|journal=Physical Review Letters |year=1980 |volume=45 |issue=24 |pages=1978–1980 |doi=10.1103/PhysRevLett.45.1978|bibcode=1980PhRvL..45.1978B }}</ref> हालांकि, 1985 में क्रिव और रोझाव्स्की के एक पेपर<ref>{{cite journal|author1=I. V. Krive |author2=A. S. Rozhavsky |title= अर्ध-एक-आयामी अनुरूप चार्ज-घनत्व-तरंगों में दहलीज विद्युत क्षेत्र की प्रकृति पर|journal= Solid State Communications |year=1985|volume=55|issue=8|pages=691–694
|doi= 10.1016/0038-1098(85)90235-2|bibcode = 1985SSCom..55..691K }}</ref> ने बताया कि ±q के न्यूक्लियेटेड सॉलिटॉन और एंटीसोलिटोन चार्ज ±q एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र E* उत्पन्न करते हैं जो q/ε के समानुपाती होता है। इलेक्ट्रोस्टैटिक ऊर्जा (1/2) ε [ई ± ई *] 2 ऊर्जा संरक्षण का उल्लंघन किए बिना एक थ्रेशोल्ड ईटी = ई * / 2 से कम लागू क्षेत्रों के लिए सॉलिटॉन टनलिंग को रोकता है। हालांकि यह कूलम्ब नाकाबंदी [[कूलम्ब नाकाबंदी]] दहलीज शास्त्रीय डिपिनिंग क्षेत्र की तुलना में बहुत छोटा हो सकता है, यह अशुद्धता एकाग्रता के साथ समान स्केलिंग दिखाता है क्योंकि सीडीडब्ल्यू की ध्रुवीकरण और ढांकता हुआ प्रतिक्रिया ε पिनिंग ताकत के साथ विपरीत रूप से भिन्न होती है।<ref>{{cite journal|author=G. Grüner|title=चार्ज घनत्व तरंगों की गतिशीलता|journal=Reviews of Modern Physics|year=1988|volume=60|issue=4|pages=1129–1181
|doi= 10.1016/0038-1098(85)90235-2|bibcode = 1985SSCom..55..691K }}</ref> ने बताया कि ±''q'' के केंद्रिकित सॉलिटॉन और एंटीसोलिटोन आवेश ±''q'' एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र ''E*'' उत्पन्न करते हैं जो ''q/ε'' के समानुपाती होता है। स्थिरवैद्युत ऊर्जा (1/2)''ε''[''E'' ± ''E*'']<sup>2</sup> ऊर्जा संरक्षण का उल्लंघन किए बिना एक प्रभावसीमा ''E<sub>T</sub>'' = ''E*''/2 से कम लागू क्षेत्रों के लिए सॉलिटॉन टनलिंग को रोकता है। हालांकि यह [[कूलम्ब नाकाबंदी|कूलॉम संरोध]] प्रभावसीमा चिरसम्मत डिपिनिंग क्षेत्र की तुलना में बहुत छोटा हो सकता है, यह अशुद्धता एकाग्रता के साथ समान प्रवर्धन दिखाता है क्योंकि सीडीडब्ल्यू (CDW) की ध्रुवीकरण और अचालक प्रतिक्रिया ''ε'' प्रकाश केंद्रण क्षमता के साथ विपरीत रूप से भिन्न होती है।<ref>{{cite journal|author=G. Grüner|title=चार्ज घनत्व तरंगों की गतिशीलता|journal=Reviews of Modern Physics|year=1988|volume=60|issue=4|pages=1129–1181
|doi= 10.1103/RevModPhys.60.1129|bibcode = 1988RvMP...60.1129G }}</ref>
|doi= 10.1103/RevModPhys.60.1129|bibcode = 1988RvMP...60.1129G }}</ref>


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}}</ref> एक और हालिया क्वांटम मॉडल<ref>{{cite journal|author1=J.H. Miller, Jr. |author2=A.I. Wijesinghe |author3=Z. Tang |author4=A.M. Guloy |title= घनत्व तरंग इलेक्ट्रॉनों का सहसंबद्ध क्वांटम परिवहन|journal=Physical Review Letters|year=2012|volume=108|issue=3|pages=036404|doi=10.1103/PhysRevLett.108.036404|pmid=22400766 |bibcode = 2012PhRvL108L36404M|arxiv=1109.4619|s2cid=29510494 }}</ref><ref>{{Cite journal|author1=J.H. Miller, Jr. |author2=A.I. Wijesinghe |author3=Z. Tang |author4=A.M. Guloy |title= आवेश घनत्व तरंगों का सुसंगत क्वांटम परिवहन|journal=Physical Review B |volume=87 |issue=11 |pages=115127 |arxiv=1212.3020|year=2013 |doi=10.1103/PhysRevB.87.115127 |bibcode = 2013PhRvB..87k5127M |s2cid=119241570 }}</ref><ref>{{cite journal|author1=J.H. Miller, Jr. |author2=A.I. Wijesinghe |author3=Z. Tang |author4=A.M. Guloy |title=आवेश घनत्व तरंगों का सुसंगत क्वांटम परिवहन|journal=Physical Review B |year=2013 |volume=87 |issue=11 |pages=115127 |doi=10.1103/PhysRevB.87.115127 |arxiv=1212.3020 |bibcode=2013PhRvB..87k5127M |s2cid=119241570 }}</ref> कई समानांतर श्रृंखलाओं पर आवेशित सॉलिटॉन अव्यवस्थाओं के न्यूक्लियेटेड बूंदों से जुड़े जटिल क्रम मापदंडों के बीच जोसेफसन-जैसे युग्मन ([[जोसेफसन प्रभाव]] देखें) का प्रस्ताव करता है। [[रिचर्ड फेनमैन]] के बाद [[भौतिकी पर फेनमैन व्याख्यान]], वॉल्यूम तृतीय, चौ 21 में उनके समय-विकास को श्रोडिंगर समीकरण का उपयोग एक उभरती हुई शास्त्रीय समीकरण के रूप में वर्णित किया गया है। संकीर्ण-बैंड शोर और संबंधित घटनाएं इलेक्ट्रोस्टैटिक चार्जिंग ऊर्जा के आवधिक निर्माण से उत्पन्न होती हैं और इस प्रकार वॉशबोर्ड पिनिंग क्षमता के विस्तृत आकार पर निर्भर नहीं होती हैं। सॉलिटॉन पेयर-क्रिएशन थ्रेसहोल्ड और एक उच्च क्लासिकल डिपिनिंग फील्ड दोनों मॉडल से निकलते हैं, जो सीडीडब्ल्यू को एक चिपचिपे क्वांटम द्रव या विस्थापन के साथ विकृत क्वांटम ठोस के रूप में देखते हैं, एक अवधारणा जिसकी चर्चा [[फिलिप वॉरेन एंडरसन]] ने की थी।<ref>{{cite book|author=Philip W. Anderson|title=संघनित पदार्थ भौतिकी में बुनियादी धारणाएँ|publisher=Benjamin/Cummings|year=1984|isbn=0-8053-0220-4|url-access=registration|url=https://archive.org/details/basicnotionsofco0000ande}}</ref>
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== अहरोनोव-बोहम क्वांटम हस्तक्षेप प्रभाव ==
== अहरोनोव-बोहम क्वांटम व्यतिकरण प्रभाव ==
CDWs में अहरोनोव-बोहम प्रभाव से संबंधित घटनाओं के लिए पहला सबूत 1997 के एक पेपर में रिपोर्ट किया गया था,<ref>{{cite journal
सीडीडब्ल्यू (CDW) में अहरोनोव-बोहम प्रभाव से संबंधित घटनाओं के लिए पहला साक्ष्य 1997 के एक पेपर में रिपोर्ट किया गया था,<ref>{{cite journal
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}}</ref> जिसमें NbSe<sub>3</sub> में स्तंभ दोषो के माध्यम से सीडीडब्ल्यू (CDW) (सामान्य इलेक्ट्रॉन नहीं) प्रवाहकत्त्व बनाम चुंबकीय प्रवाह में अवधि ''h''/2''e'' के दोलनों को दर्शाने वाले प्रयोगों का वर्णन किया गया है। 2012 में रिपोर्ट किए गए कुछ प्रयोगों सहित बाद के प्रयोग,<ref>{{cite journal|author1=M. Tsubota |author2=K. Inagaki |author3=T. Matsuura |author4=S. Tanda |title= निहित टेम्पोरल करंट स्विचिंग के साथ चार्ज-डेंसिटी वेव लूप्स में अहरोनोव-बोहम प्रभाव|journal=Europhysics Letters|year=2012|volume=97|issue=5|pages=57011|doi= 10.1209/0295-5075/97/57011|arxiv = 0906.5206 |bibcode = 2012EL.....9757011T |s2cid=119243023 |url=http://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/49114/2/EPL97%285%29_57011.pdf}}</ref> प्रमुख अवधि ''h''/2''e'' के सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत बनाम चुंबकीय प्रवाह में दोलन दिखाते हैं, TaS<sub>3</sub> के माध्यम से 77 K से ऊपर की परिधि में 85 μm तक बजता है। यह व्यवहार अतिचालक के समान है। क्वांटम व्यतिकरण डिवाइस ([[SQUID]] देखें), इस विचार को परिदाय देता है कि सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉन अभिगमन मौलिक रूप से प्रकृति में क्वांटम है ([[क्वांटम यांत्रिकी]] देखें)।  


==संदर्भ==
==संदर्भ==

Revision as of 15:32, 28 December 2022

आवेश घनत्व तरंग (सीडीडब्ल्यू) एक रैखिक श्रृंखला यौगिक या स्तरित क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉनों का तर्कसंगत क्वांटम तरल पदार्थ है। सीडीडब्ल्यू (CDW) के भीतर इलेक्ट्रॉन एक स्थायी तरंग प्रतिरूप बनाते हैं और कभी-कभी सामूहिक रूप से विद्युत प्रवाह करते हैं। इस तरह के सीडीडब्ल्यू (CDW) में इलेक्ट्रॉन, एक अतिचालक की तरह, अत्यधिक सहसंबद्ध रूप में रैखिक श्रृंखला यौगिक सामूहिक रूप से प्रवाह कर सकते हैं। एक अतिचालक के विपरीत, हालांकि, विद्युत सीडीडब्ल्यू (CDW) धारा प्रायः एक झटकेदार रूप में बहती है, जैसे कि इसके स्थिर विद्युत गुणों के कारण एक नल से पानी टपकता है। सीडीडब्ल्यू (CDW) में, परिबद्ध (अशुद्धियों के कारण) और स्थिर विद्युत परस्पर क्रिया (किसी भी सीडीडब्ल्यू (CDW) बाधाओं के शुद्ध विद्युत आवेशों के कारण) के संयुक्त प्रभाव संभवतः सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत के झटकेदार व्यवहार में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जैसा कि नीचे अनुभाग 4 और 5 में चर्चा की गई है।

धात्विक क्रिस्टल में अधिकांश सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉनों की तरंग जैसी प्रकृति के कारण बनते हैं - क्वांटम यांत्रिक तरंग-कण द्वैत की अभिव्यक्ति - जिसके कारण इलेक्ट्रॉनिक आवेश घनत्व स्थानिक रूप से संशोधित हो जाता है, अर्थात, आवधिक "धक्कों" का निर्माण करने के लिए। यह अप्रगामी तरंग प्रत्येक इलेक्ट्रॉनिक तरंग फलन को प्रभावित करती है, और विपरीत गति के इलेक्ट्रॉन अवस्थाओं, या तरंग फलनों के संयोजन से बनाई जाती है। प्रभाव कुछ हद तक एक गिटार के तार में अप्रगामी तरंग के समान होता है, जिसे दो व्यतिकरण करने वाली, विपरीत दिशाओं में चलने वाली यात्रा तरंगों के संयोजन के रूप में देखा जा सकता है (व्यतिकरण देखें (तरंग संचरण))।

इलेक्ट्रॉनिक आवेश में सीडीडब्ल्यू (CDW) एक आवधिक विकृति के साथ होता है - अनिवार्य रूप से एक अति जालक - परमाणु जाली का।[1][2][3] धात्विक क्रिस्टल पतले चमकदार रिबन (जैसे, अर्ध-1-डी NbSe3 क्रिस्टल) या चमकदार समतल चादर (जैसे, अर्ध-2-डी, 1T-TaS2 क्रिस्टल) की तरह दिखते हैं। सीडीडब्ल्यू (CDW) के अस्तित्व की पहली भविष्यवाणी 1930 के दशक में रुडोल्फ पीयरल्स द्वारा की गई थी। उन्होंने तर्क दिया कि 1-डी धातु फर्मी तरंग सदिश ±kF पर ऊर्जा अंतराल के निर्माण के लिए अस्थिर होगी, जो पूरित इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाओं की ऊर्जा को उनकी मूल फर्मी ऊर्जा EF की तुलना में ±kF पर कम कर देता है।[4] जिस तापमान के नीचे इस तरह के अंतराल बनते हैं, उसे पीयरल्स संक्रमण तापमान, TP के रूप में जाना जाता है।

चक्रण घनत्व तरंग (एसडीडब्ल्यू) में एक स्थायी चक्रण तरंग बनाने के लिए इलेक्ट्रॉन चक्रण स्थानिक रूप से संशोधित होते हैं। एक एसडीडब्ल्यू (SDW) को प्रचक्रित और चक्रण में कमी उपबैंड के लिए दो सीडीडब्ल्यू (CDW) के रूप में देखा जा सकता है, जिनके आवेश प्रतिरुपण 180° भिन्न क्रमावस्था में हैं।

अतिचालकता का फ्रोहलिच मॉडल

1954 में, हर्बर्ट फ्रोहलिच ने एक सूक्ष्म सिद्धांत प्रस्तावित किया,[5] जिसमें तरंग सदिश Q=2kF के इलेक्ट्रॉनों और फोनन के बीच परस्पर क्रिया के परिणामस्वरूप ±kF पर ऊर्जा अंतराल एक संक्रमण तापमान से नीचे बनेगा। उच्च तापमान पर चालन एक अर्ध-1-डी चालक में धात्विक होता है, जिसकी फर्मी सतह में ±kF पर श्रृंखला की दिशा में लंबवत समतल चादर होती हैं। फर्मी सतह के पास के इलेक्ट्रॉन 'नेस्टिंग' तरंग संख्या Q=2kF के फ़ोनों के साथ दृढ़ता से जोड़े जाते हैं। 2kF मोड इस प्रकार इलेक्ट्रॉन-फोनन पारस्परिक प्रभाव के परिणामस्वरूप मंद हो जाता है।[6] 2kF फोनन मोड आवृत्ति घटते तापमान के साथ घट जाती है, और अंत में पीयरल्स संक्रमण तापमान पर शून्य हो जाती है। चूंकि फोनोन बोसॉन हैं, इसलिए यह मोड मैक्रोस्कोपिक रूप से कम तापमान पर व्याप्त हो जाता है, और एक स्थिर आवधिक जाली विरूपण द्वारा प्रकट होता है। उसी समय, एक इलेक्ट्रॉनिक सीडीडब्ल्यू (CDW) बनता है, और पीयरल्स अन्तराल ±kF पर खुलता है। पीयरल्स संक्रमण तापमान के नीचे, एक पूर्ण पीयरल्स अन्तराल सामान्य असंघनित इलेक्ट्रॉनों के कारण चालकता में ऊष्मीय रूप से सक्रिय व्यवहार की ओर जाता है।

हालाँकि, एक सीडीडब्ल्यू (CDW) जिसका तरंग दैर्ध्य अंतर्निहित परमाणु जाली के साथ असंगत है, अर्थात, जहाँ सीडीडब्ल्यू (CDW) तरंगदैर्घ्य जाली स्थिरांक का एक पूर्णांक गुणक नहीं है, उसके आवेश प्रतिरूपण ρ0 + ρ1cos[2kFx – φ] में कोई अधिमान्य स्थिति या चरण φ नहीं होगा। फ्रोहलिच ने इस प्रकार प्रस्तावित किया कि सीडीडब्ल्यू (CDW) आगे बढ़ सकता है और, इसके अलावा, कि पीयरल्स अंतराल पूरे फर्मी समुद्र के साथ-साथ संवेग स्थान में विस्थापित हो जाएगा, जिससे विद्युत धारा dφ/dt के समानुपातिक हो जाएगी। हालाँकि, जैसा कि बाद के अनुभागों में चर्चा की गई है, यहां तक ​​कि एक असंगत सीडीडब्ल्यू (CDW) भी स्वतंत्र रूप से आगे नहीं बढ़ सकता है, लेकिन अशुद्धियों से परिबद्ध है। इसके अलावा, एक अतिचालक के विपरीत, सामान्य वाहकों के साथ पारस्परिक क्रिया से अपव्यय अभिगमन होता है।

अर्ध-2-डी स्तरित पदार्थ में सीडीडब्ल्यू (CDW)

कई अर्ध-2-डी प्रणालियां, जिनमें स्तरित संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स सम्मिलित हैं,[7] अर्ध-2-डी सीडीडब्ल्यू (CDW) बनाने के लिए पीयरल्स संक्रमण से गुजरती हैं। ये फर्मी सतह के विभिन्न समतल क्षेत्रों को युग्मित करने वाले अनेक नेस्टिंग तरंग सदिशो के परिणाम हैं।[8] आवेश प्रतिरूपण या तो षटकोणीय सममिति या चेकरबोर्ड पैटर्न के साथ एक छत्ते की जाली बना सकता है। एक सहवर्ती आवधिक जाली विस्थापन सीडीडब्ल्यू (CDW) के साथ होता है और निम्नतापी इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी का उपयोग करके 1T-TaS2 में सीधे देखा गया है।[9] 2012 में, वाईबीसीओ (YBCO) जैसे स्तरित क्यूप्रेट उच्च तापमान अतिचालको के लिए प्रतिस्पर्धी, प्रारंभिक सीडीडब्ल्यू (CDW) चरणों के साक्ष्य की सूचना दी गई थी।[10][11][12]

रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन

अर्ध-1-डी चालको के प्रारंभिक अध्ययन 1964 में एक प्रस्ताव से प्रेरित थे, कि कुछ प्रकार के बहुलक श्रृंखला यौगिक एक उच्च महत्वपूर्ण तापमान Tc के साथ अतिचालकता प्रदर्शित कर सकते हैं।[13] सिद्धांत इस विचार पर आधारित था कि अतिचालकता के बीसीएस (BCS) सिद्धांत में इलेक्ट्रॉनों के युगमन को कुछ पार्श्व श्रृंखलाओं में गैर-चालक इलेक्ट्रॉनों के साथ एक श्रृंखला में इलेक्ट्रॉनों के संचालन की पारस्परिक क्रिया से मध्यस्थ किया जा सकता है। (इसके विपरीत, पारंपरिक अतिचालको के बीसीएस (BCS) सिद्धांत में, इलेक्ट्रॉन युग्मन फोनन, या कंपन आयनों द्वारा मध्यस्थता की जाती है।) चूंकि प्रकाश इलेक्ट्रॉन, भारी आयनों के स्थान पर, कूपर युग्म के निर्माण के लिए उनकी विशेषता आवृत्ति का नेतृत्व करेंगे और इसलिए, ऊर्जा पैमाने और Tc को बढ़ाया जाएगा। 1970 के दशक में टीटीएफ-टीसीएनक्यू (TTF-TCNQ) जैसे जैविक पदार्थों को सैद्धांतिक रूप से मापा और अध्ययन किया गया था।[14] इन पदार्थों को अतिचालक, संक्रमण के स्थान पर धातु-विसंवाहक से गुजरना पाया गया। यह अंततः स्थापित किया गया था कि इस तरह के प्रयोगों ने पीयरल्स संक्रमण के पहले अवलोकनों का प्रतिनिधित्व किया।

अकार्बनिक रैखिक श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन के लिए पहला साक्ष्य, जैसे संक्रमण धातु ट्राइकलकोजेनाइड्स, 1976 में मोंसेउ एट अल द्वारा रिपोर्ट किया गया था,[15] जिन्होंने NbSe3 में बढ़े हुए विद्युत क्षेत्रों में विद्युत चालन में वृद्धि देखी। विद्युत चालकता σ बनाम क्षेत्र E में गैर-रैखिक योगदान एक लैंडौ-जेनर टनलिंग विशेषता ~ exp[-E0/E] (लैंडौ-जेनर सूत्र देखें), के लिए अनुरूप था लेकिन जल्द ही यह सिद्ध किया गया कि विशिष्ट जेनर क्षेत्र E0 पीयरल्स अन्तराल में सामान्य इलेक्ट्रॉनों के जेनर टनलिंग का प्रतिनिधित्व करने के लिए बहुत छोटा था। बाद के प्रयोगों[16] ने एक तेज प्रभावसीमा विद्युत क्षेत्र, साथ ही साथ ध्वनि स्पेक्ट्रम (संकीर्ण बैंड ध्वनि) में शीर्ष को दिखाया, जिनकी मौलिक आवृत्ति सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत के साथ होती है। ये और अन्य प्रयोग (उदाहरण के लिए,[17]) पुष्टि करते हैं कि सीडीडब्ल्यू (CDW) सामूहिक रूप से प्रभावसीमा क्षेत्र के ऊपर एक झटकेदार तरीके से विद्युत प्रवाह करता है।

सीडीडब्ल्यू (CDW) डिपिनिंग के चिरसम्मत मॉडल

सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन प्रदर्शित करने वाले रेखीय श्रृंखला यौगिकों में सीडीडब्ल्यू (CDW) तरंग दैर्ध्य λcdw = π/kF जालक स्थिरांक के साथ असंगत (यानी, एक पूर्णांक गुणक नहीं) है। ऐसे पदार्थों में, प्रकाश केंद्रण उन अशुद्धियों के कारण होती है जो φ के संबंध में सीडीडब्ल्यू (CDW) की स्थानांतरीय सममिति को तोड़ती हैं।[18] सरलतम मॉडल प्रकाश केंद्रण को u(φ) = u0[1 – cosφ], रूप की साइन-गॉर्डन क्षमता के रूप में मानता है, जबकि विद्युत क्षेत्र आवधिक प्रकाश केंद्रण क्षमता को तब तक झुकाता है जब तक कि चरण चिरसम्मत डिपिनिंग क्षेत्र के ऊपर बाधा पर स्खलन नहीं कर सकता। अति अवमंदित दोलक मॉडल के रूप में जाना जाता है, चूंकि यह दोलन (AC) विद्युत क्षेत्रों के लिए अवमन्दित सीडीडब्ल्यू (CDW) प्रतिक्रिया को भी मॉडल करता है, यह चित्र संकीर्ण-बैंड ध्वनि के प्रवर्धन के लिए सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत सीमा से ऊपर है।[19]

हालांकि, चूंकि अशुद्धियां बेतरतीब ढंग से पूरे क्रिस्टल में वितरित की जाती हैं, इसलिए एक अधिक यथार्थवादी छवि को स्थिति के साथ इष्टतम सीडीडब्ल्यू (CDW) चरण φ में बदलाव की अनुमति देनी चाहिए - अनिवार्य रूप से एक अव्यवस्थित प्रक्षालन पट्ट क्षमता के साथ एक संशोधित साइन-गॉर्डन छवि। यह फुकुयामा-ली-राइस (FLR) मॉडल में किया जाता है,[20][21] जिसमें सीडीडब्ल्यू (CDW) φ और प्रकाश केंद्रण ऊर्जा में स्थानिक प्रवणता के कारण प्रत्यास्थ तनाव ऊर्जा दोनों को अनुकूलित करके अपनी कुल ऊर्जा को कम करता है। एफएलआर (FLR) से उभरने वाली दो सीमाओं में कमजोर प्रकाश केंद्रण सम्मिलित है, प्रायः समइलेक्ट्रॉनिक अशुद्धियों से, जहां अनुकलतम चरण कई अशुद्धियों पर फैला हुआ है और ni2 के रूप में डिपिनिंग क्षेत्र पैमाना (ni अशुद्धता एकाग्रता है) और मजबूत प्रकाश केंद्रण जहां प्रत्येक अशुद्धता सीडीडब्ल्यू (CDW) चरण को पिन करने के लिए पर्याप्त मजबूत है और ni के साथ रैखिक रूप से परिभाषित क्षेत्र को मापता है। इस विषय की विविधताओं में संख्यात्मक अनुरूपण सम्मिलित हैं जो अशुद्धियों के यादृच्छिक वितरण (यादृच्छिक प्रकाश केंद्रण मॉडल) को सम्मिलित करते हैं।[22]

सीडीडब्ल्यू (CDW) अभिगमन के क्वांटम मॉडल

प्रारंभिक क्वांटम मॉडल में माकी[23] द्वारा एक सॉलिटॉन युग्म निर्माण मॉडल और जॉन बार्डीन का एक प्रस्ताव सम्मिलित था, जो एक छोटे से प्रकाश केंद्रण अन्तराल के माध्यम से सुसंगत रूप से सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉन सुरंग को संघनित करता है,[24] पीयरल्स अन्तराल के विपरीत ±kF पर तय किया गया। माकी के सिद्धांत में एक तीव्र प्रभावसीमा क्षेत्र का अभाव था और बारडीन ने केवल प्रभावसीमा क्षेत्र की घटनात्मक व्याख्या की थी।[25] हालांकि, 1985 में क्रिव और रोझाव्स्की के एक पेपर[26] ने बताया कि ±q के केंद्रिकित सॉलिटॉन और एंटीसोलिटोन आवेश ±q एक आंतरिक विद्युत क्षेत्र E* उत्पन्न करते हैं जो q/ε के समानुपाती होता है। स्थिरवैद्युत ऊर्जा (1/2)ε[E ± E*]2 ऊर्जा संरक्षण का उल्लंघन किए बिना एक प्रभावसीमा ET = E*/2 से कम लागू क्षेत्रों के लिए सॉलिटॉन टनलिंग को रोकता है। हालांकि यह कूलॉम संरोध प्रभावसीमा चिरसम्मत डिपिनिंग क्षेत्र की तुलना में बहुत छोटा हो सकता है, यह अशुद्धता एकाग्रता के साथ समान प्रवर्धन दिखाता है क्योंकि सीडीडब्ल्यू (CDW) की ध्रुवीकरण और अचालक प्रतिक्रिया ε प्रकाश केंद्रण क्षमता के साथ विपरीत रूप से भिन्न होती है।[27]

इस चित्र पर निर्माण, साथ ही समय-सहसंबंधित सॉलिटॉन टनलिंग पर 2000 का एक लेख,[28] एक और हालिया क्वांटम मॉडल[29][30][31] कई समानांतर श्रृंखलाओं पर आवेशित सॉलिटॉन अव्यवस्थाओं के केंद्रिकित बूंदों से जुड़े जटिल क्रम मापदंडों के बीच जोसेफसन-जैसे युग्मन (जोसेफसन प्रभाव देखें) का प्रस्ताव करता है। रिचर्ड फेनमैन के बाद भौतिकी पर फेनमैन व्याख्यान, खंड तृतीय, अध्याय 21 में उनके समय-विकास को श्रोडिंगर समीकरण का उपयोग एक उभरती हुई चिरसम्मत समीकरण के रूप में वर्णित किया गया है। संकीर्ण-बैंड ध्वनि और संबंधित घटनाएं स्थिरवैद्युत आवेशन ऊर्जा के आवधिक निर्माण से उत्पन्न होती हैं और इस प्रकार प्रक्षालन पट्ट प्रकाश केंद्रण क्षमता के विस्तृत आकार पर निर्भर नहीं होती हैं। सॉलिटॉन युग्म-निर्माण प्रभावसीमा और एक उच्च चिरसम्मत डिपिनिंग क्षेत्र दोनों मॉडल से निकलते हैं, जो सीडीडब्ल्यू (CDW) को एक चिपचिपे क्वांटम द्रव या विस्थापन के साथ विकृत क्वांटम ठोस के रूप में देखते हैं, एक अवधारणा जिसकी चर्चा फिलिप वॉरेन एंडरसन ने की थी।[32]

अहरोनोव-बोहम क्वांटम व्यतिकरण प्रभाव

सीडीडब्ल्यू (CDW) में अहरोनोव-बोहम प्रभाव से संबंधित घटनाओं के लिए पहला साक्ष्य 1997 के एक पेपर में रिपोर्ट किया गया था,[33] जिसमें NbSe3 में स्तंभ दोषो के माध्यम से सीडीडब्ल्यू (CDW) (सामान्य इलेक्ट्रॉन नहीं) प्रवाहकत्त्व बनाम चुंबकीय प्रवाह में अवधि h/2e के दोलनों को दर्शाने वाले प्रयोगों का वर्णन किया गया है। 2012 में रिपोर्ट किए गए कुछ प्रयोगों सहित बाद के प्रयोग,[34] प्रमुख अवधि h/2e के सीडीडब्ल्यू (CDW) विद्युत बनाम चुंबकीय प्रवाह में दोलन दिखाते हैं, TaS3 के माध्यम से 77 K से ऊपर की परिधि में 85 μm तक बजता है। यह व्यवहार अतिचालक के समान है। क्वांटम व्यतिकरण डिवाइस (SQUID देखें), इस विचार को परिदाय देता है कि सीडीडब्ल्यू (CDW) इलेक्ट्रॉन अभिगमन मौलिक रूप से प्रकृति में क्वांटम है (क्वांटम यांत्रिकी देखें)।

संदर्भ

उद्धृत संदर्भ

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सामान्य संदर्भ

यह भी देखें

श्रेणी: अतिचालकता श्रेणी:पदार्थ की अवस्थाएं श्रेणी:संघनित पदार्थ भौतिकी

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