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{{Distinguish|कोमल त्रुटि}}

कंप्यूटर के मेमोरी प्रणाली में, एक कोमल त्रुटि प्रोग्राम या डेटा वैल्यू में निर्देश को बदल देता है। कोमल त्रुटियों को सामान्यतः कंप्यूटर को [[कोल्ड बूटिंग|शीत बूटिंग]] करके ठीक किया जा सकता है। कोमल त्रुटि प्रणाली के हार्डवेयर को हानि नहीं पहुंचाएगा; एकमात्र हानि उस डेटा को है जिसे संसाधित किया जा रहा है।

यदि पता चला है, तो गलत डेटा के स्थान पर सही डेटा को फिर से लिखकर एक कोमल त्रुटि को ठीक किया जा सकता है। अत्यधिक विश्वसनीय प्रणालियाँ चलते-फिरते नरम त्रुटियों को ठीक करने के लिए [[त्रुटि सुधार]] का उपयोग करती हैं। चूंकि, कई प्रणालियों में, सही डेटा निर्धारित करना असंभव हो सकता है, या यहां तक ​​कि यह पता लगाना भी कि कोई त्रुटि उपस्थित है। इसके अतिरिक्त, सुधार होने से पहले, प्रणाली [[क्रैश (कंप्यूटिंग)]] हो सकता है, जिस स्थिति में [[पुनर्प्राप्ति प्रक्रिया]] में [[रिबूट (कंप्यूटर)]] सम्मिलित होना चाहिए। कोमल त्रुटि में डेटा में बदलाव सम्मिलित हैं{{mdashb}} भंडारण परिपथ में [[इलेक्ट्रॉनों]], उदाहरण के लिए{{mdashb}}किन्तु स्वयं भौतिक परिपथ, [[परमाणुओं]] में परिवर्तन नहीं होता है। यदि डेटा को दोबारा लिखा जाता है, तो परिपथ फिर से पूरी तरह से काम करेगा। डिजिटल लॉजिक, एनालॉग परिपथ, मैग्नेटिक स्टोरेज और अन्य स्थानों पर कोमल त्रुटि ट्रांसमिशन लाइनों पर हो सकते हैं, किन्तु सामान्यतः सेमीकंडक्टर स्टोरेज में जाने जाते हैं।

== क्रिटिकल चार्ज ==

लॉजिक परिपथ में, क्यूcrit एक परिपथ नोड पर आवश्यक प्रेरित चार्ज की न्यूनतम मात्रा के रूप में परिभाषित किया जाता है, जिससे वोल्टेज पल्स उस नोड से आउटपुट तक फैलता है और पर्याप्त अवधि और परिमाण का विश्वसनीय रूप से लैच किया जा सकता है। चूँकि एक लॉजिक परिपथ में कई नोड होते हैं जो टकरा सकते हैं, और प्रत्येक नोड अद्वितीय समाई और आउटपुट से दूरी का हो सकता है, क्यू_crit सामान्यतः प्रति-नोड के आधार पर विशेषता होती है।

=== पैकेज क्षय से अल्फा कण ===

[[इसहाक असिमोव]] को 1950 के दशक के उपन्यास में अल्फा-पार्टिकल रैम त्रुटियों की आकस्मिक भविष्यवाणी पर उन्हें बधाई देने वाला एक पत्र मिला था ।<ref>[[Gold (Asimov)|Gold]] (1995): "This letter is to inform you and congratulate you on another remarkable scientific prediction of the future; namely your foreseeing of the dynamic random-access memory (DRAM) logic upset problem caused by alpha particle emission, first observed in 1977, but written about by you in Caves of Steel in 1957." [Note: Actually, 1952.] ... "These failures are caused by trace amounts of radioactive elements present in the packaging material used to encapsulate the silicon devices ... in your book, Caves of Steel, published in the 1950s, you use an alpha particle emitter to 'murder' one of the robots in the story, by destroying ('randomizing') its positronic brain. This is, of course, as good a way of describing a logic upset as any I've heard ... our millions of dollars of research, culminating in several international awards for the most important scientific contribution in the field of reliability of semiconductor devices in 1978 and 1979, was predicted in substantially accurate form twenty years [Note: twenty-five years, actually] before the events took place</ref>

{{cite journal |last1=Ziegler |first1=J. F. |title=Terrestrial cosmic rays |journal = [[IBM Journal of Research and Development]] |volume=40 |issue=1 |pages=19–39 |date=January 1996 |doi=10.1147/rd.401.0019 | ISSN = 0018-8646 }}</ref>

   

ब्रह्मांडीय किरणों द्वारा उत्पादित ऊर्जावान न्यूट्रॉन अपनी अधिकांश गतिज ऊर्जा खो सकते हैं और अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन तक पहुंच सकते हैं क्योंकि वे सामग्री द्वारा बिखरे हुए हैं। परिणामी न्यूट्रॉन को केवल [[थर्मल न्यूट्रॉन]] के रूप में जाना जाता है और 25 डिग्री सेल्सियस पर लगभग 25 मिलीइलेक्ट्रॉन-वोल्ट की औसत गतिज ऊर्जा होती है। थर्मल न्यूट्रॉन भी पर्यावरणीय विकिरण स्रोतों जैसे कि प्राकृतिक रूप से पाए जाने वाले यूरेनियम या थोरियम के क्षय से उत्पन्न होते हैं। कॉस्मिक-रे वर्षा के अतिरिक्त अन्य स्रोतों से थर्मल न्यूट्रॉन प्रवाह अभी भी भूमिगत स्थान में ध्यान देने योग्य हो सकता है और कुछ परिपथों के लिए नरम त्रुटियों में महत्वपूर्ण योगदानकर्ता हो सकता है।

न्यूट्रॉन जो गतिज ऊर्जा खो चुके हैं जब तक वे अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन में नहीं हैं, कुछ परिपथों के लिए नरम त्रुटियों का एक महत्वपूर्ण कारण है। कम ऊर्जा पर कई न्यूट्रॉन कैप्चर प्रतिक्रियाएं अधिक संभावित हो जाती हैं और कुछ सामग्रियों के विखंडन के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी विखंडन उपोत्पाद के रूप में बनते हैं। कुछ परिपथों के लिए के नाभिक द्वारा एक तापीय न्यूट्रॉन का कब्जा ¹⁰बोरॉन का बी समस्थानिक विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। यह परमाणु प्रतिक्रिया अल्फा कण, लिथियम का एक कुशल उत्पादक है⁷ली नाभिक और [[गामा किरण]]। आवेशित कणों में से कोई भी (अल्फा या ⁷ली) एक महत्वपूर्ण परिपथ नोड के बहुत करीब, लगभग 5 माइक्रोमीटर में उत्पन्न होने पर एक कोमल त्रुटि का कारण बन सकता है। कैप्चर क्रॉस सेक्शन के लिए ¹¹B परिमाण के 6 ऑर्डर छोटे हैं और कोमल त्रुटियों में योगदान नहीं करते हैं।<ref name="BaumannHossain1995">{{cite book |last1=Baumann |first1=R. |title=33rd IEEE International Reliability Physics Symposium |last2=Hossain |first2=T. |last3=Murata |first3=S. |last4=Kitagawa |first4=H. |chapter=Boron compounds as a dominant source of alpha particles in semiconductor devices |date=1995 |pages=297–302 |doi=10.1109/RELPHY.1995.513695 |isbn=978-0-7803-2031-4|s2cid=110078856 }}</ref>

महत्वपूर्ण रचनाों में, बोरॉन की कमी{{mdashb}}<nowiki>लगभग पूरी तरह से बोरॉन-11 से मिलकर बनता है{{एमडीएएसयचबी}इस प्रभाव से बचने के लिए और इसलिए कोमल त्रुटि रेट को कम करने के लिए } का उपयोग किया जाता है। बोरॉन-11 परमाणु ऊर्जा का उप-उत्पाद है।</nowiki>

=== अन्य कारण ===

[[यादृच्छिक शोर|यादृच्छिक ध्वनि]] या सिग्नल अखंडता की समस्याओं के कारण नरम त्रुटियां भी हो सकती हैं, जैसे आगमनात्मक या कैपेसिटिव क्रॉसस्टॉक। चूंकि, सामान्यतः, ये स्रोत विकिरण प्रभाव की तुलना में समग्र नरम त्रुटि दर में छोटे से योगदान का प्रतिनिधित्व करते हैं।

कुछ परीक्षण यह निष्कर्ष निकालते हैं कि [[DRAM|छोटा परिमाण]] मेमोरी सेल्स के अलगाव को विशेष रूप से तैयार किए गए साइड इफेक्ट्स से आसन्न कोशिकाओं तक पहुँचाया जा सकता है। इस प्रकार, छोटा परिमाण में संग्रहीत डेटा तक पहुँचने के कारण मेमोरी सेल अपने चार्ज को लीक कर देते हैं और आधुनिक मेमोरी में उच्च सेल घनत्व के परिणामस्वरूप, पास की मेमोरी पंक्तियों की सामग्री को बदल देते हैं, जो वास्तव में मूल मेमोरी एक्सेस में संबोधित नहीं किए गए थे।<ref name="kyungbae">{{cite book |author-first1=Kyungbae |author-last1=Park |author-first2=Sanghyeon |author-last2=Baeg |author-first3=ShiJie |author-last3=Wen |author-first4=Richard |author-last4=Wong |title=Active-Precharge Hammering on a Row Induced Failure in DDR3 SDRAMs under 3x&nbsp;nm Technology |pages=82–85 |publisher=[[IEEE]] |date=October 2014 |doi=10.1109/IIRW.2014.7049516 |chapter=Active-precharge hammering on a row induced failure in DDR3 SDRAMs under 3× nm technology |isbn=978-1-4799-7308-8|s2cid=14464953 }}</ref> इस प्रभाव को [[पंक्ति हथौड़ा]] के रूप में जाना जाता है, और इसका उपयोग कुछ [[विशेषाधिकार वृद्धि]] कंप्यूटर सुरक्षा [[शोषण (कंप्यूटर सुरक्षा)]] में भी किया गया है।<ref>{{cite web |url=http://users.ece.cmu.edu/~yoonguk/papers/kim-isca14.pdf |title=Flipping Bits in Memory Without Accessing Them: An Experimental Study of DRAM Disturbance Errors |date=2014-06-24 |access-date=2015-03-10 |author-first1=Yoongu |author-last1=Kim |author-first2=Ross |author-last2=Daly |author-first3=Jeremie |author-last3=Kim |author-first4=Chris |author-last4=Fallin |author-first5=Ji Hye |author-last5=Lee |author-first6=Donghyuk |author-last6=Lee |author-first7=Chris |author-last7=Wilkerson |author-first8=Konrad |author-last8=Lai |author-first9=Onur |author-last9=Mutlu |publisher=[[IEEE]] |website=ece.cmu.edu}}</ref><ref>{{cite web |url=https://arstechnica.com/security/2015/03/cutting-edge-hack-gives-super-user-status-by-exploiting-dram-weakness/ |title=अत्याधुनिक हैक DRAM की कमजोरी का फायदा उठाकर सुपर यूजर का दर्जा देता है|date=2015-03-10 |access-date=2015-03-10 |author-first=Dan |author-last=Goodin |publisher=[[Ars Technica]]}}</ref>

== नरम त्रुटियों के आसपास रचनािंग ==

एक रचना सही अर्धचालक, पैकेज और सब्सट्रेट सामग्री, और सही डिवाइस ज्यामिति का चयन करके विवेकपूर्ण डिवाइस रचना द्वारा नरम त्रुटियों की दर को कम करने का प्रयास कर सकता है। अधिकांशतः, चूंकि, यह डिवाइस के आकार और वोल्टेज को कम करने, ऑपरेटिंग गति बढ़ाने और बिजली अपव्यय को कम करने की आवश्यकता से सीमित है। जेडईसी जेएसडी[[JESD-89|-89]] मानक का उपयोग करते हुए उद्योग में समुच्चय करने के लिए उपकरणों की संवेदनशीलता का वर्णन किया गया है।

इसके प्रभावी क्यू को बढ़ाने के लिए चयनित परिपथ नोड्स पर समाई_crit कीमत। यह कण ऊर्जा की सीमा को कम करता है |

{{see also|ईसीसी मेमोरी}}