रोम (ROM): Difference between revisions
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=== असतत-घटक रोम === | === असतत-घटक रोम === | ||
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आईबीएम ने संधारित्र रीड-ओनली स्टोरेज ( | आईबीएम (IBM) ने संधारित्र रीड-ओनली स्टोरेज (CROS) और ट्रांसफॉर्मर रीड-ओनली स्टोरेज (TROS) का उपयोग किया, छोटे सिस्टम/360 (System/360) मॉडल के लिए, 360/85, और शुरुआती दो सिस्टम/370 (System/370) मॉडल (370/155 और 370/165)। कुछ मॉडलों पर अतिरिक्त डायग्नोस्टिक्स (diagnostics) और एमुलेशन सपोर्ट(emulation support) के लिए एक राइट करने योग्य कंट्रोल स्टोर (WCS) भी था। अपोलो गाइडेंस कंप्यूटर (Apollo Guidance Computer) ने कोर रोप मेमोरी (core rope memory) का उपयोग किया, जो चुंबकीय कोर के माध्यम से तारों को थ्रेड (threading) करके प्रोग्राम किया गया। | ||
=== सॉलिड-स्टेट रोम === | === सॉलिड-स्टेट रोम (Solid-state ROM) === | ||
{{See also|Semiconductor memory}} | {{See also|Semiconductor memory}} | ||
सॉलिड-स्टेट रोम (ROM) का सबसे सरल प्रकार उतना ही पुराना है जितना कि सेमीकंडक्टर तकनीक। कॉम्बिनेशनल लॉजिक गेट्स (Combinational logic gates) को मैन्युअल रूप से मैप करने के लिए जोड़ा जा सकता है {{mvar|n}}-बिट पते (n-bit address) इनपुट के मनमाने मूल्यों पर {{mvar|m}}-बिट डेटा आउटपुट (एक लुक-अप टेबल)। एकीकृत सर्किट के आविष्कार के साथ मास्क रोम ( mask ROM) आया। मास्क रोम (ROM) में वर्ड लाइन्स (एड्रेस इनपुट) और बिट लाइन्स (डेटा आउटपुट) का एक ग्रिड होता है, जोकि चुनिंदा रूप से ट्रांजिस्टर स्विच के साथ जुड़ता है, और एक नियमित भौतिक लेआउट और अनुमानित प्रसार देरी (propagation delay) के साथ एक मनमानी लुक-अप टेबल का प्रतिनिधित्व कर सकता है। | |||
मास्क रोम में, डेटा को सर्किट में | मास्क रोम में, डेटा को सर्किट में भौतिक रूप से एन्कोड (encoded) किया जाता है, इसलिए इसे केवल निर्माण के दौरान प्रोग्राम किया जा सकता है। | ||
* बड़ी मात्रा में मास्क रोम खरीदना केवल किफायती है, क्योंकि उपयोगकर्ताओं को कस्टम डिजाइन का उत्पादन करने के लिए एक फाउंड्री के साथ अनुबंध करना चाहिए। | |||
इससे कई गंभीर नुकसान होते हैं: | |||
* बड़ी मात्रा में मास्क रोम खरीदना केवल किफायती है, क्योंकि उपयोगकर्ताओं को कस्टम डिजाइन (custom design) का उत्पादन करने के लिए एक फाउंड्री (foundry) के साथ अनुबंध करना चाहिए। | |||
* एक मास्क रोम के लिए डिजाइन को पूरा करने और तैयार उत्पाद प्राप्त करने के बीच टर्नअराउंड समय एक ही कारण से लंबा है। | * एक मास्क रोम के लिए डिजाइन को पूरा करने और तैयार उत्पाद प्राप्त करने के बीच टर्नअराउंड समय एक ही कारण से लंबा है। | ||
* मास्क रोम आर एंड डी के काम के लिए अव्यावहारिक है क्योंकि डिजाइनरों को अक्सर मेमोरी की सामग्री को संशोधित करने की आवश्यकता होती है क्योंकि वे एक डिजाइन को परिष्कृत करते हैं। | * मास्क रोम आर एंड डी (R&D) के काम के लिए अव्यावहारिक है क्योंकि डिजाइनरों को अक्सर मेमोरी की सामग्री को संशोधित करने की आवश्यकता होती है क्योंकि वे एक डिजाइन को परिष्कृत करते हैं। | ||
* यदि किसी उत्पाद को दोषपूर्ण मास्क रोम के साथ भेज दिया जाता है, तो इसे ठीक करने का एकमात्र तरीका उत्पाद को | * यदि किसी उत्पाद को दोषपूर्ण मास्क रोम (mask ROM) के साथ भेज दिया जाता है, तो इसे ठीक करने का एकमात्र तरीका उत्पाद को रिकॉल (recall) है और भौतिक रूप से भेजे गए प्रत्येक इकाई में रोम (ROM) को बदलना है। | ||
इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को | इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book|author=Han-Way Huang|title=Embedded System Design with C805|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|date=5 December 2008|publisher=Cengage Learning|isbn=978-1-111-81079-5|page=22|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book|author1=Marie-Aude Aufaure|author2=Esteban Zimányi|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|date=17 January 2013|publisher=Springer|isbn=978-3-642-36318-4|page=136|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है। | ||
1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, REF नाम = ComputerHistory>{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine|publisher=[[Computer History Museum]]}}</ref> ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। REF NAME = SCIANDIRECT>{{cite web |title=Transistors - an overview |url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors |website=[[ScienceDirect]] |access-date=8 August 2019}}</ref> 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग रीड-ओनली मेमोरी के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।(EPROM) 1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>{{cite web |title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced |url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ |website=[[Computer History Museum]] |access-date=19 June 2019}}</ref> 1971 का आविष्कार EPROM अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया गया है, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है। | 1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, REF नाम = ComputerHistory>{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine|publisher=[[Computer History Museum]]}}</ref> ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। REF NAME = SCIANDIRECT>{{cite web |title=Transistors - an overview |url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors |website=[[ScienceDirect]] |access-date=8 August 2019}}</ref> 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग रीड-ओनली मेमोरी के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।(EPROM) 1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>{{cite web |title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced |url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ |website=[[Computer History Museum]] |access-date=19 June 2019}}</ref> 1971 का आविष्कार EPROM अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया गया है, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है। | ||
Revision as of 18:53, 29 August 2022
| कंप्यूटर मेमोरी और डेटा स्टोरेज प्रकार |
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| वाष्पशील |
| गैर-वाष्पशील |