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{{Distinguish|कोमल त्रुटि}} | {{Distinguish|कोमल त्रुटि}} | ||
[[ इलेक्ट्रानिक्स ]] और [[ कम्प्यूटिंग ]] में, कोमल त्रुटि एक प्रकार की त्रुटि होती है, जहां सिग्नल या डेटम गलत होता है। त्रुटियां विक्ट: दोष के कारण हो सकती हैं, आमतौर पर या तो रचना या निर्माण में [[गलती]], या टूटा हुआ घटक समझा जाता है। नरम त्रुटि भी एक संकेत या डेटा है जो गलत है, लेकिन ऐसी गलती या टूट-फूट का संकेत नहीं माना जाता है। नरम त्रुटि देखने के बाद, इसका कोई निहितार्थ नहीं है कि सिस्टम पहले की तुलना में कम विश्वसनीय है। कोमल त्रुटि का एक कारण [[ब्रह्मांड किरण]] से परेशान एकल घटना है। | [[ इलेक्ट्रानिक्स |इलेक्ट्रानिक्स]] और [[ कम्प्यूटिंग ]] में, कोमल त्रुटि एक प्रकार की त्रुटि होती है, जहां सिग्नल या डेटम गलत होता है। त्रुटियां विक्ट: दोष के कारण हो सकती हैं, आमतौर पर या तो रचना या निर्माण में [[गलती]], या टूटा हुआ घटक समझा जाता है। नरम त्रुटि भी एक संकेत या डेटा है जो गलत है, लेकिन ऐसी गलती या टूट-फूट का संकेत नहीं माना जाता है। नरम त्रुटि देखने के बाद, इसका कोई निहितार्थ नहीं है कि सिस्टम पहले की तुलना में कम विश्वसनीय है। कोमल त्रुटि का एक कारण [[ब्रह्मांड किरण]] से परेशान एकल घटना है। | ||
कंप्यूटर के मेमोरी सिस्टम में, एक कोमल त्रुटि प्रोग्राम या डेटा वैल्यू में निर्देश को बदल देता है। कोमल त्रुटियों को आमतौर पर कंप्यूटर को [[कोल्ड बूटिंग]] करके ठीक किया जा सकता है। कोमल त्रुटि सिस्टम के हार्डवेयर को नुकसान नहीं पहुंचाएगा; एकमात्र नुकसान उस डेटा को है जिसे संसाधित किया जा रहा है। | कंप्यूटर के मेमोरी सिस्टम में, एक कोमल त्रुटि प्रोग्राम या डेटा वैल्यू में निर्देश को बदल देता है। कोमल त्रुटियों को आमतौर पर कंप्यूटर को [[कोल्ड बूटिंग|शीत बूटिंग]] करके ठीक किया जा सकता है। कोमल त्रुटि सिस्टम के हार्डवेयर को नुकसान नहीं पहुंचाएगा; एकमात्र नुकसान उस डेटा को है जिसे संसाधित किया जा रहा है। | ||
कोमल त्रुटि दो प्रकार के होते हैं, ''चिप-लेवल कोमल त्रुटि'' और ''सिस्टम-लेवल कोमल त्रुटि होती है'' । चिप-स्तर की नरम त्रुटियां तब होती हैं जब कण चिप से टकराते हैं, उदाहरण के लिए, जब कॉस्मिक किरण से वायु बौछार (भौतिकी) डाई (एकीकृत सर्किट) पर उतरती है। यदि कोमल त्रुटि क्रिटिकल चार्ज वाला कोई कण [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] से टकराता है, तो यह सेल को एक अलग मान में स्थिति बदलने का कारण बन सकता है। इस उदाहरण में परमाणु प्रतिक्रिया इतनी छोटी है कि यह चिप की भौतिक संरचना को नुकसान नहीं पहुंचाती है। सिस्टम-स्तरीय कोमल त्रुटियां तब होती हैं जब संसाधित किया जा रहा डेटा शोर घटना से प्रभावित होता है, आमतौर पर जब डेटा डेटा बस में होता है। कंप्यूटर शोर को डेटा बिट के रूप में समझने की कोशिश करता है, जिससे प्रोग्राम कोड को संबोधित करने या संसाधित करने में त्रुटियां हो सकती हैं। खराब डेटा बिट को स्मृति में भी सहेजा जा सकता है और बाद में समस्याएं पैदा कर सकता है। | कोमल त्रुटि दो प्रकार के होते हैं, ''चिप-लेवल कोमल त्रुटि'' और ''सिस्टम-लेवल कोमल त्रुटि होती है'' । चिप-स्तर की नरम त्रुटियां तब होती हैं जब कण चिप से टकराते हैं, उदाहरण के लिए, जब कॉस्मिक किरण से वायु बौछार (भौतिकी) डाई (एकीकृत सर्किट) पर उतरती है। यदि कोमल त्रुटि क्रिटिकल चार्ज वाला कोई कण [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] से टकराता है, तो यह सेल को एक अलग मान में स्थिति बदलने का कारण बन सकता है। इस उदाहरण में परमाणु प्रतिक्रिया इतनी छोटी है कि यह चिप की भौतिक संरचना को नुकसान नहीं पहुंचाती है। सिस्टम-स्तरीय कोमल त्रुटियां तब होती हैं जब संसाधित किया जा रहा डेटा शोर घटना से प्रभावित होता है, आमतौर पर जब डेटा डेटा बस में होता है। कंप्यूटर शोर को डेटा बिट के रूप में समझने की कोशिश करता है, जिससे प्रोग्राम कोड को संबोधित करने या संसाधित करने में त्रुटियां हो सकती हैं। खराब डेटा बिट को स्मृति में भी सहेजा जा सकता है और बाद में समस्याएं पैदा कर सकता है। | ||
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== क्रिटिकल चार्ज == | == क्रिटिकल चार्ज == | ||
सर्किट नरम त्रुटि का अनुभव करता है या नहीं, आने वाले कण की ऊर्जा, प्रभाव की ज्यामिति, हड़ताल का स्थान और तर्क सर्किट के रचना पर निर्भर करता है। उच्च [[समाई]] और उच्च तर्क वोल्टेज वाले लॉजिक सर्किट में त्रुटि होने की संभावना कम होती है। कैपेसिटेंस और वोल्टेज के इस संयोजन को क्रिटिकल [[ बिजली का आवेश ]] पैरामीटर, क्यू द्वारा वर्णित किया गया है<sub>crit</sub>तर्क स्तर को बदलने के लिए आवश्यक न्यूनतम इलेक्ट्रॉन आवेश गड़बड़ी। एक उच्च | सर्किट नरम त्रुटि का अनुभव करता है या नहीं, आने वाले कण की ऊर्जा, प्रभाव की ज्यामिति, हड़ताल का स्थान और तर्क सर्किट के रचना पर निर्भर करता है। उच्च [[समाई]] और उच्च तर्क वोल्टेज वाले लॉजिक सर्किट में त्रुटि होने की संभावना कम होती है। कैपेसिटेंस और वोल्टेज के इस संयोजन को क्रिटिकल [[ बिजली का आवेश ]] पैरामीटर, क्यू द्वारा वर्णित किया गया है <sub>crit</sub> तर्क स्तर को बदलने के लिए आवश्यक न्यूनतम इलेक्ट्रॉन आवेश गड़बड़ी। एक उच्च क्यूcrit मतलब कम कोमल त्रुटि। दुर्भाग्य से, एक उच्च क्यूcrit इसका मतलब एक धीमा लॉजिक गेट और एक उच्च शक्ति अपव्यय भी है। चिप फीचर आकार और आपूर्ति वोल्टेज में कमी, कई कारणों से वांछनीय, क्यू घट जाती है <sub>crit</sub>. इस प्रकार, चिप प्रौद्योगिकी की प्रगति के रूप में नरम त्रुटियों का महत्व बढ़ जाता है। | ||
लॉजिक सर्किट में, | लॉजिक सर्किट में, क्यूcrit एक सर्किट नोड पर आवश्यक प्रेरित चार्ज की न्यूनतम मात्रा के रूप में परिभाषित किया जाता है, जिससे वोल्टेज पल्स उस नोड से आउटपुट तक फैलता है और पर्याप्त अवधि और परिमाण का विश्वसनीय रूप से लैच किया जा सकता है। चूँकि एक लॉजिक सर्किट में कई नोड होते हैं जो टकरा सकते हैं, और प्रत्येक नोड अद्वितीय समाई और आउटपुट से दूरी का हो सकता है, क्यू<sub>crit</sub> आमतौर पर प्रति-नोड के आधार पर विशेषता होती है। | ||
== कोमल त्रुटि के कारण == | == कोमल त्रुटि के कारण == | ||
=== पैकेज क्षय से अल्फा कण === | === पैकेज क्षय से अल्फा कण === | ||
1970 के दशक में [[गतिशील रैम]] की शुरुआत के साथ कोमल त्रुटि व्यापक रूप से ज्ञात हो | 1970 के दशक में [[गतिशील रैम]] की शुरुआत के साथ कोमल त्रुटि व्यापक रूप से ज्ञात हो गए थे । इन शुरुआती उपकरणों में, सिरेमिक चिप पैकेजिंग सामग्री में थोड़ी मात्रा में [[रेडियोधर्मी]] संदूषक होते थे। अत्यधिक नरम त्रुटियों से बचने के लिए बहुत कम क्षय दर की आवश्यकता होती है, और तब से चिप कंपनियों को कभी-कभी संदूषण की समस्या का सामना करना पड़ा है। आवश्यक भौतिक शुद्धता को बनाए रखना अत्यंत कठिन है। महत्वपूर्ण पैकेजिंग सामग्री के लिए अल्फा कण उत्सर्जन दर को 0.001 गणना प्रति घंटे प्रति सेमी से कम के स्तर पर नियंत्रित करना<sup>2</sup> (सीपीएच/सेमी<sup>2</sup>) अधिकांश सर्किटों के विश्वसनीय प्रदर्शन के लिए आवश्यक है। तुलना के लिए, सामान्य जूते के तलवे की गणना दर 0.1 और 10 cph/cm के बीच होती है<sup>2</उप>। | ||
पैकेज रेडियोधर्मी क्षय आमतौर पर [[अल्फा कण]] उत्सर्जन द्वारा नरम त्रुटि का कारण बनता है। सकारात्मक आवेशित अल्फा कण अर्धचालक के माध्यम से यात्रा करता है और वहां इलेक्ट्रॉनों के वितरण को बाधित करता है। यदि गड़बड़ी काफी बड़ी है, तो डिजिटल डेटा सिग्नल (सूचना सिद्धांत) 0 से 1 या इसके विपरीत बदल सकता है। [[संयोजन तर्क]] में, यह प्रभाव क्षणिक होता है, शायद नैनोसेकंड के एक अंश तक रहता है, और इसके कारण | पैकेज रेडियोधर्मी क्षय आमतौर पर [[अल्फा कण]] उत्सर्जन द्वारा नरम त्रुटि का कारण बनता है। सकारात्मक आवेशित अल्फा कण अर्धचालक के माध्यम से यात्रा करता है और वहां इलेक्ट्रॉनों के वितरण को बाधित करता है। यदि गड़बड़ी काफी बड़ी है, तो डिजिटल डेटा सिग्नल (सूचना सिद्धांत) 0 से 1 या इसके विपरीत बदल सकता है। [[संयोजन तर्क]] में, यह प्रभाव क्षणिक होता है, शायद नैनोसेकंड के एक अंश तक रहता है, और इसके कारण संयोजन तर्क में कोमल त्रुटि की चुनौती पर ध्यान नहीं दिया जाता है। [[ कुंडी (इलेक्ट्रॉनिक) ]] और [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] जैसे अनुक्रमिक तर्क में, यह क्षणिक गड़बड़ी भी अनिश्चित समय के लिए संग्रहीत हो सकती है, जिसे बाद में पढ़ा जा सकता है। इस प्रकार, रचनार आमतौर पर स्टोरेज सर्किट में समस्या के बारे में अधिक जागरूक होते हैं। | ||
2011 का [[ब्लैक हैट ब्रीफिंग]] पेपर इंटरनेट के [[डोमेन की नामांकन प्रणाली]] में इस तरह के बिट-फ्लिप के वास्तविक जीवन के सुरक्षा प्रभावों पर चर्चा करता है। विभिन्न सामान्य डोमेन के लिए बिट-फ्लिप परिवर्तनों के कारण प्रति दिन 3,434 गलत अनुरोधों तक पेपर पाया | 2011 का [[ब्लैक हैट ब्रीफिंग]] पेपर इंटरनेट के [[डोमेन की नामांकन प्रणाली]] में इस तरह के बिट-फ्लिप के वास्तविक जीवन के सुरक्षा प्रभावों पर चर्चा करता है। विभिन्न सामान्य डोमेन के लिए बिट-फ्लिप परिवर्तनों के कारण प्रति दिन 3,434 गलत अनुरोधों तक पेपर पाया गया था । इनमें से कई बिट-फ्लिप शायद हार्डवेयर समस्याओं के कारण हो सकते हैं, लेकिन कुछ को अल्फा कणों के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है।<ref>{{cite web |url=https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |title=बिटक्वाटिंग - बिना शोषण के डीएनएस हाइजैकिंग|author=Artem Dinaburg |date=July 2011 |access-date=2011-12-26 |archive-date=2018-06-11 |archive-url=https://web.archive.org/web/20180611050923/https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |url-status=dead }}</ref> [[ bitsquating | बित्स्क्वातिंग]] के रूप में दुर्भावनापूर्ण अभिनेताओं द्वारा इन बिट-फ्लिप त्रुटियों का लाभ उठाया जा सकता है। | ||
[[इसहाक असिमोव]] को 1950 के दशक के उपन्यास में अल्फा-पार्टिकल रैम त्रुटियों की आकस्मिक भविष्यवाणी पर उन्हें बधाई देने वाला एक पत्र मिला था ।<ref>[[Gold (Asimov)|Gold]] (1995): "This letter is to inform you and congratulate you on another remarkable scientific prediction of the future; namely your foreseeing of the dynamic random-access memory (DRAM) logic upset problem caused by alpha particle emission, first observed in 1977, but written about by you in Caves of Steel in 1957." [Note: Actually, 1952.] ... "These failures are caused by trace amounts of radioactive elements present in the packaging material used to encapsulate the silicon devices ... in your book, Caves of Steel, published in the 1950s, you use an alpha particle emitter to 'murder' one of the robots in the story, by destroying ('randomizing') its positronic brain. This is, of course, as good a way of describing a logic upset as any I've heard ... our millions of dollars of research, culminating in several international awards for the most important scientific contribution in the field of reliability of semiconductor devices in 1978 and 1979, was predicted in substantially accurate form twenty years [Note: twenty-five years, actually] before the events took place</ref> | [[इसहाक असिमोव]] को 1950 के दशक के उपन्यास में अल्फा-पार्टिकल रैम त्रुटियों की आकस्मिक भविष्यवाणी पर उन्हें बधाई देने वाला एक पत्र मिला था ।<ref>[[Gold (Asimov)|Gold]] (1995): "This letter is to inform you and congratulate you on another remarkable scientific prediction of the future; namely your foreseeing of the dynamic random-access memory (DRAM) logic upset problem caused by alpha particle emission, first observed in 1977, but written about by you in Caves of Steel in 1957." [Note: Actually, 1952.] ... "These failures are caused by trace amounts of radioactive elements present in the packaging material used to encapsulate the silicon devices ... in your book, Caves of Steel, published in the 1950s, you use an alpha particle emitter to 'murder' one of the robots in the story, by destroying ('randomizing') its positronic brain. This is, of course, as good a way of describing a logic upset as any I've heard ... our millions of dollars of research, culminating in several international awards for the most important scientific contribution in the field of reliability of semiconductor devices in 1978 and 1979, was predicted in substantially accurate form twenty years [Note: twenty-five years, actually] before the events took place</ref> | ||
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आईबीएम ने 1996 में अनुमान लगाया था कि डेस्कटॉप कंप्यूटर के लिए प्रति 256 एमआईबी रैम प्रति माह त्रुटि अपेक्षित थी। <ref name="cosmicRayAlert" /> ऊर्जावान न्यूट्रॉन के इस प्रवाह को आम तौर पर नरम त्रुटि साहित्य में ब्रह्मांडीय किरणों के रूप में जाना जाता है। न्यूट्रॉन अनावेशित होते हैं और अपने आप एक सर्किट को परेशान नहीं कर सकते हैं, लेकिन चिप में एक परमाणु के नाभिक द्वारा [[न्यूट्रॉन कैप्चर]] कब्जा कर लेते हैं। इस प्रक्रिया के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी का उत्पादन हो सकता है, जैसे कि अल्फा कण और ऑक्सीजन नाभिक, जो तब नरम त्रुटियाँ पैदा कर सकते हैं। | आईबीएम ने 1996 में अनुमान लगाया था कि डेस्कटॉप कंप्यूटर के लिए प्रति 256 एमआईबी रैम प्रति माह त्रुटि अपेक्षित थी। <ref name="cosmicRayAlert" /> ऊर्जावान न्यूट्रॉन के इस प्रवाह को आम तौर पर नरम त्रुटि साहित्य में ब्रह्मांडीय किरणों के रूप में जाना जाता है। न्यूट्रॉन अनावेशित होते हैं और अपने आप एक सर्किट को परेशान नहीं कर सकते हैं, लेकिन चिप में एक परमाणु के नाभिक द्वारा [[न्यूट्रॉन कैप्चर]] कब्जा कर लेते हैं। इस प्रक्रिया के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी का उत्पादन हो सकता है, जैसे कि अल्फा कण और ऑक्सीजन नाभिक, जो तब नरम त्रुटियाँ पैदा कर सकते हैं। | ||
कॉस्मिक किरण प्रवाह ऊंचाई पर निर्भर करता है। समुद्र तल पर 40.7°N, 74°W ([[न्यूयॉर्क शहर]], एनवाई, यूएसए) के सामान्य संदर्भ स्थान के लिए फ्लक्स लगभग 14 न्यूट्रॉन/सेमी है<sup>2</sup>/ | कॉस्मिक किरण प्रवाह ऊंचाई पर निर्भर करता है। समुद्र तल पर 40.7°N, 74°W ([[न्यूयॉर्क शहर]], एनवाई, यूएसए) के सामान्य संदर्भ स्थान के लिए फ्लक्स लगभग 14 न्यूट्रॉन/सेमी है<sup>2</sup>/घंटा है । प्रणाली को गुफा में दफनाने से कॉस्मिक-रे प्रेरित कोमल त्रुटि की दर नगण्य स्तर तक कम हो जाती है। वायुमंडल के निचले स्तरों में, समुद्र तल से ऊंचाई में प्रत्येक 1000 मीटर (1.3 प्रति 1000 फीट) वृद्धि के लिए प्रवाह लगभग 2.2 गुना बढ़ जाता है। पहाड़ों की चोटी पर संचालित कंप्यूटर समुद्र तल की तुलना में नरम त्रुटियों की उच्च दर के परिमाण का अनुभव करते हैं। विमान में उतार-चढ़ाव की दर समुद्र तल से 300 गुना अधिक हो सकती है। यह पैकेज क्षय प्रेरित कोमल त्रुटि के विपरीत है, जो स्थान के साथ नहीं बदलते हैं। <ref name="GordonGoldhagen2004">{{cite journal |last1=Gordon |first1=M. S. |last2=Goldhagen |first2=P. |last3=Rodbell |first3=K. P. |last4=Zabel |first4=T. H. |last5=Tang |first5=H. H. K. |last6=Clem |first6=J. M. |last7=Bailey |first7=P. |title=जमीन पर कॉस्मिक-रे प्रेरित न्यूट्रॉन के प्रवाह और ऊर्जा स्पेक्ट्रम का मापन|journal=IEEE Transactions on Nuclear Science |volume=51 |issue=6 |date=2004 |pages=3427–3434 |issn=0018-9499 |doi=10.1109/TNS.2004.839134 |bibcode=2004ITNS...51.3427G|s2cid=9573484 }}</ref> | ||
मूर के नियम के अनुसार, [[इंटेल]] को उम्मीद है कि ब्रह्मांडीय किरणों के कारण होने वाली त्रुटियां बढ़ जाएंगी और रचना में सीमित कारक बन जाएंगी। <ref name="cosmicRayAlert">{{cite magazine |last=Simonite |first=Tom |date=March 2008 |title=Should every computer chip have a cosmic ray detector? |url=https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |magazine=[[New Scientist]] |archive-url=https://web.archive.org/web/20111202020146/https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |archive-date=2 December 2011 |access-date=26 November 2019}}</ref> | मूर के नियम के अनुसार, [[इंटेल]] को उम्मीद है कि ब्रह्मांडीय किरणों के कारण होने वाली त्रुटियां बढ़ जाएंगी और रचना में सीमित कारक बन जाएंगी। <ref name="cosmicRayAlert">{{cite magazine |last=Simonite |first=Tom |date=March 2008 |title=Should every computer chip have a cosmic ray detector? |url=https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |magazine=[[New Scientist]] |archive-url=https://web.archive.org/web/20111202020146/https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |archive-date=2 December 2011 |access-date=26 November 2019}}</ref> | ||
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=== [[थर्मल न्यूट्रॉन]] === | === [[थर्मल न्यूट्रॉन]] === | ||
न्यूट्रॉन जो गतिज ऊर्जा खो चुके हैं जब तक वे अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन में नहीं हैं, कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों का एक महत्वपूर्ण कारण है। कम ऊर्जा पर कई न्यूट्रॉन कैप्चर प्रतिक्रियाएं अधिक संभावित हो जाती हैं और कुछ सामग्रियों के विखंडन के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी विखंडन उपोत्पाद के रूप में बनते हैं। कुछ परिपथों के लिए के नाभिक द्वारा एक तापीय न्यूट्रॉन का कब्जा <sup>10</sup>बोरॉन का बी समस्थानिक विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। यह परमाणु प्रतिक्रिया अल्फा कण, लिथियम का एक कुशल उत्पादक है<sup>7</sup>ली नाभिक और [[गामा किरण]]। आवेशित कणों में से कोई भी (अल्फा या <sup>7</sup>ली) एक महत्वपूर्ण सर्किट नोड के बहुत करीब, लगभग 5 माइक्रोमीटर में उत्पन्न होने पर एक कोमल त्रुटि का कारण बन सकता है। कैप्चर क्रॉस सेक्शन के लिए <sup>11</sup>B परिमाण के 6 ऑर्डर छोटे हैं और कोमल त्रुटियों में योगदान नहीं करते हैं।<ref name="BaumannHossain1995">{{cite book |last1=Baumann |first1=R. |title=33rd IEEE International Reliability Physics Symposium |last2=Hossain |first2=T. |last3=Murata |first3=S. |last4=Kitagawa |first4=H. |chapter=Boron compounds as a dominant source of alpha particles in semiconductor devices |date=1995 |pages=297–302 |doi=10.1109/RELPHY.1995.513695 |isbn=978-0-7803-2031-4|s2cid=110078856 }}</ref> | न्यूट्रॉन जो गतिज ऊर्जा खो चुके हैं जब तक वे अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन में नहीं हैं, कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों का एक महत्वपूर्ण कारण है। कम ऊर्जा पर कई न्यूट्रॉन कैप्चर प्रतिक्रियाएं अधिक संभावित हो जाती हैं और कुछ सामग्रियों के विखंडन के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी विखंडन उपोत्पाद के रूप में बनते हैं। कुछ परिपथों के लिए के नाभिक द्वारा एक तापीय न्यूट्रॉन का कब्जा <sup>10</sup>बोरॉन का बी समस्थानिक विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। यह परमाणु प्रतिक्रिया अल्फा कण, लिथियम का एक कुशल उत्पादक है<sup>7</sup>ली नाभिक और [[गामा किरण]]। आवेशित कणों में से कोई भी (अल्फा या <sup>7</sup>ली) एक महत्वपूर्ण सर्किट नोड के बहुत करीब, लगभग 5 माइक्रोमीटर में उत्पन्न होने पर एक कोमल त्रुटि का कारण बन सकता है। कैप्चर क्रॉस सेक्शन के लिए <sup>11</sup>B परिमाण के 6 ऑर्डर छोटे हैं और कोमल त्रुटियों में योगदान नहीं करते हैं।<ref name="BaumannHossain1995">{{cite book |last1=Baumann |first1=R. |title=33rd IEEE International Reliability Physics Symposium |last2=Hossain |first2=T. |last3=Murata |first3=S. |last4=Kitagawa |first4=H. |chapter=Boron compounds as a dominant source of alpha particles in semiconductor devices |date=1995 |pages=297–302 |doi=10.1109/RELPHY.1995.513695 |isbn=978-0-7803-2031-4|s2cid=110078856 }}</ref> | ||
महत्वपूर्ण रचनाों में, बोरॉन की कमी{{mdashb}}<nowiki>लगभग पूरी तरह से बोरॉन-11 से मिलकर बनता है{{ | बोरॉन का उपयोग [[बोरोफॉस्फोसिलिकेट ग्लास]] में किया गया है, जो एकीकृत परिपथों की इंटरकनेक्शन परतों विशेष रूप से सबसे कम में इन्सुलेटर है, । बोरॉन को शामिल करने से कांच का पिघला हुआ तापमान कम हो जाता है जिससे बेहतर [[ इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एक लेप लगाकर टाँका लगाना | इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एक लेप लगाकर टाँका लगाना]] और प्लानराइजेशन विशेषताएँ मिलती हैं। इस एप्लिकेशन में ग्लास को वजन के हिसाब से 4% से 5% की बोरॉन सामग्री के साथ तैयार किया जाता है। प्राकृतिक रूप से पाया जाने वाला बोरॉन 20% है <sup>10</sup>B शेष के साथ <sup>11</sup>बी आइसोटोप। कोमल त्रुटि के उच्च स्तर के कारण होते हैं <sup>10</sup>बी कुछ पुरानी एकीकृत सर्किट प्रक्रियाओं की इस महत्वपूर्ण निचली परत में। पी-टाइप डोपेंट के रूप में कम सांद्रता में इस्तेमाल किया जाने वाला बोरॉन -11, कोमल त्रुटि में योगदान नहीं देता है। एकीकृत सर्किट निर्माताओं ने उस समय तक बोरेटेड डाइलेक्ट्रिक्स को समाप्त कर दिया जब तक कि व्यक्तिगत सर्किट घटकों का आकार 150 एनएम तक कम नहीं हो गया, मुख्य रूप से इस समस्या के कारण है। | ||
महत्वपूर्ण रचनाों में, बोरॉन की कमी{{mdashb}}<nowiki>लगभग पूरी तरह से बोरॉन-11 से मिलकर बनता है{{एमडीएएसयचबी}इस प्रभाव से बचने के लिए और इसलिए कोमल त्रुटि रेट को कम करने के लिए } का उपयोग किया जाता है। बोरॉन-11 परमाणु ऊर्जा का उप-उत्पाद है।</nowiki> | |||
चिकित्सा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए यह नरम त्रुटि तंत्र अत्यंत महत्वपूर्ण हो सकता है। 10 एमईवी से ऊपर फोटॉन बीम ऊर्जा का उपयोग करके उच्च-ऊर्जा कैंसर विकिरण चिकित्सा के दौरान न्यूट्रॉन का उत्पादन किया जाता है। इन न्यूट्रॉनों को मॉडरेट किया जाता है क्योंकि वे उपचार कक्ष में उपकरण और दीवारों से बिखरे हुए होते हैं जिसके परिणामस्वरूप थर्मल न्यूट्रॉन प्रवाह होता है जो लगभग 40 × 10 होता है<sup>6</sup> सामान्य पर्यावरणीय न्यूट्रॉन प्रवाह से अधिक है। यह उच्च तापीय न्यूट्रॉन प्रवाह आम तौर पर नरम त्रुटियों की बहुत ही उच्च दर और परिणामी सर्किट गड़बड़ी का परिणाम होता है ।<ref name="WilkinsonBounds2005">{{cite journal |last1=Wilkinson |first1=J. D. |last2=Bounds |first2=C. |last3=Brown |first3=T. |last4=Gerbi |first4=B. J. |last5=Peltier |first5=J. |title=इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में नरम त्रुटियों के कारण कैंसर-रेडियोथेरेपी उपकरण|journal=IEEE Transactions on Device and Materials Reliability |volume=5 |issue=3 |date=2005 |pages=449–451 |issn=1530-4388 |doi=10.1109/TDMR.2005.858342|s2cid=20789261 }}</ref><ref name="Franco">Franco, L., Gómez, F., Iglesias, A., Pardo, J., Pazos, A., Pena, J., Zapata, M., SEUs on commercial SRAM induced by low energy neutrons produced at a clinical linac facility, RADECS Proceedings, September 2005</ref> | |||
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=== नरम त्रुटि शमन === | === नरम त्रुटि शमन === | ||
एक रचना सही अर्धचालक, पैकेज और सब्सट्रेट सामग्री, और सही डिवाइस ज्यामिति का चयन करके विवेकपूर्ण डिवाइस रचना द्वारा नरम त्रुटियों की दर को कम करने का प्रयास कर सकता है। अक्सर, हालांकि, यह डिवाइस के आकार और वोल्टेज को कम करने, ऑपरेटिंग गति बढ़ाने और बिजली अपव्यय को कम करने की आवश्यकता से सीमित है। | एक रचना सही अर्धचालक, पैकेज और सब्सट्रेट सामग्री, और सही डिवाइस ज्यामिति का चयन करके विवेकपूर्ण डिवाइस रचना द्वारा नरम त्रुटियों की दर को कम करने का प्रयास कर सकता है। अक्सर, हालांकि, यह डिवाइस के आकार और वोल्टेज को कम करने, ऑपरेटिंग गति बढ़ाने और बिजली अपव्यय को कम करने की आवश्यकता से सीमित है। जेडईसी जेएसडी[[JESD-89|-89]] मानक का उपयोग करते हुए उद्योग में सेट करने के लिए उपकरणों की संवेदनशीलता का वर्णन किया गया है। | ||
डिजिटल सर्किट में कोमल त्रुटि रेट को कम करने के लिए इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक को [[ विकिरण सख्त ]] कहा जाता है। इसमें वृद्धि शामिल है | डिजिटल सर्किट में कोमल त्रुटि रेट को कम करने के लिए इस्तेमाल की जाने वाली तकनीक को [[ विकिरण सख्त ]] कहा जाता है। इसमें वृद्धि शामिल है | ||
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परंपरागत रूप से, [[डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी]] में कोमल त्रुटि को कम करने या उसके आसपास काम करने की खोज में सबसे अधिक ध्यान दिया गया है, इस तथ्य के कारण कि छोटा परिमाण में डेस्कटॉप और सर्वर कंप्यूटर सिस्टम में अतिसंवेदनशील डिवाइस सतह क्षेत्र का अधिकांश हिस्सा शामिल है (संदर्भ। सर्वर कंप्यूटरों में ईसीसी रैम का प्रचलन)। डीआरएएम की संवेदनशीलता के लिए कठिन आंकड़े मुश्किल से आते हैं, और रचना, निर्माण प्रक्रियाओं और निर्माताओं में काफी भिन्न होते हैं। 1980 के दशक की तकनीक 256 किलोबाइट छोटा परिमाणS में एक अल्फा कण से पांच या छह बिट फ्लिप के समूह हो सकते थे। आधुनिक छोटा परिमाणs में बहुत छोटे आकार के फीचर होते हैं, इसलिए समान मात्रा में आवेश के जमाव से आसानी से कई और बिट्स फ्लिप हो सकते हैं। | परंपरागत रूप से, [[डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी]] में कोमल त्रुटि को कम करने या उसके आसपास काम करने की खोज में सबसे अधिक ध्यान दिया गया है, इस तथ्य के कारण कि छोटा परिमाण में डेस्कटॉप और सर्वर कंप्यूटर सिस्टम में अतिसंवेदनशील डिवाइस सतह क्षेत्र का अधिकांश हिस्सा शामिल है (संदर्भ। सर्वर कंप्यूटरों में ईसीसी रैम का प्रचलन)। डीआरएएम की संवेदनशीलता के लिए कठिन आंकड़े मुश्किल से आते हैं, और रचना, निर्माण प्रक्रियाओं और निर्माताओं में काफी भिन्न होते हैं। 1980 के दशक की तकनीक 256 किलोबाइट छोटा परिमाणS में एक अल्फा कण से पांच या छह बिट फ्लिप के समूह हो सकते थे। आधुनिक छोटा परिमाणs में बहुत छोटे आकार के फीचर होते हैं, इसलिए समान मात्रा में आवेश के जमाव से आसानी से कई और बिट्स फ्लिप हो सकते हैं। | ||
त्रुटि का पता लगाने और सुधार सर्किट के रचना को इस तथ्य से मदद मिलती है कि नरम त्रुटियां आमतौर पर चिप के बहुत छोटे क्षेत्र में स्थानीयकृत होती हैं। आम तौर पर, स्मृति की केवल एक कोशिका प्रभावित होती है, हालांकि उच्च ऊर्जा की घटनाएं बहु-कोशिका को परेशान कर सकती हैं। परंपरागत मेमोरी लेआउट आमतौर पर चिप पर आसन्न कई अलग-अलग सुधार शब्दों में से एक को रखता है। इसलिए, यहां तक कि एक मल्टी-सेल | त्रुटि का पता लगाने और सुधार सर्किट के रचना को इस तथ्य से मदद मिलती है कि नरम त्रुटियां आमतौर पर चिप के बहुत छोटे क्षेत्र में स्थानीयकृत होती हैं। आम तौर पर, स्मृति की केवल एक कोशिका प्रभावित होती है, हालांकि उच्च ऊर्जा की घटनाएं बहु-कोशिका को परेशान कर सकती हैं। परंपरागत मेमोरी लेआउट आमतौर पर चिप पर आसन्न कई अलग-अलग सुधार शब्दों में से एक को रखता है। इसलिए, यहां तक कि एक मल्टी-सेल सेट भी केवल कई अलग-अलग एकल ईवेंट सेट की ओर ले जाता है। एकल सुधार शब्द में मल्टी-बिट सेट के बजाय कई सुधार शब्दों में सिंगल-बिट सेट होता है। इसलिए, एक त्रुटि सुधार कोड को सभी संभावित नरम त्रुटियों से निपटने के लिए प्रत्येक सुधार शब्द में त्रुटि में केवल एक बिट से निपटने की आवश्यकता होती है। 'मल्टी-सेल' शब्द का उपयोग मेमोरी के कई सेल्स को प्रभावित करने वाले सेट्स के लिए किया जाता है, जो भी सुधार शब्द उन सेल में आते हैं। 'मल्टी-बिट' का उपयोग तब किया जाता है जब एक सुधार शब्द में कई बिट्स त्रुटि में होते हैं। | ||
संयोजन तर्क में कोमल त्रुटि | |||
संयोजन तर्क में तीन प्राकृतिक मास्किंग प्रभाव जो निर्धारित करते हैं कि क्या | |||
[[विद्युत मास्किंग]], [[ तार्किक मास्किंग | तार्किक मास्किंग]] और [[टेम्पोरल (या टाइमिंग-विंडो) मास्किंग]] एक सिंगल इवेंट | [[विद्युत मास्किंग]], [[ तार्किक मास्किंग | तार्किक मास्किंग]] और [[टेम्पोरल (या टाइमिंग-विंडो) मास्किंग]] एक सिंगल इवेंट सेट (एस ई यू) कोमल त्रुटि बनने के लिए प्रचार करेंगे। एक एसईयू तार्किक रूप से नकाबपोश है यदि इसकी | ||
ऑफ-पाथ गेट के कारण प्रचार को आउटपुट लैच तक पहुंचने से रोक दिया गया है | ऑफ-पाथ गेट के कारण प्रचार को आउटपुट लैच तक पहुंचने से रोक दिया गया है | ||
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गेट्स इसके प्रसार पथ पर ऐसे हैं कि परिणामी नाड़ी अपर्याप्त परिमाण की है | गेट्स इसके प्रसार पथ पर ऐसे हैं कि परिणामी नाड़ी अपर्याप्त परिमाण की है | ||
मज़बूती से जकड़ा हुआ। गलत पल्स पहुंचने पर एक | मज़बूती से जकड़ा हुआ। गलत पल्स पहुंचने पर एक एस ई यू अस्थायी रूप से नकाबपोश होता है | ||
एक आउटपुट लैच, लेकिन यह पर्याप्त रूप से पास नहीं होता है जब लैच को पकड़ने के लिए वास्तव में ट्रिगर किया जाता है। | एक आउटपुट लैच, लेकिन यह पर्याप्त रूप से पास नहीं होता है जब लैच को पकड़ने के लिए वास्तव में ट्रिगर किया जाता है। | ||
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== नरम त्रुटि दर == | == नरम त्रुटि दर == | ||
कोमल त्रुटि रेट ( | कोमल त्रुटि रेट (एसईआर) वह दर है जिस पर कोई डिवाइस या सिस्टम कोमल त्रुटि का सामना करता है या उसका सामना करने की भविष्यवाणी की जाती है। यह आमतौर पर विफलताओं की संख्या-इन-टाइम (फिट) या विफलताओं (एमटीबीएफ) के बीच औसत समय के रूप में व्यक्त किया जाता है। समय में विफलताओं की मात्रा निर्धारित करने के लिए अपनाई गई इकाई को फिट कहा जाता है, जो डिवाइस के संचालन के प्रति अरब घंटे में एक त्रुटि के बराबर है। एमटीबीएफ आमतौर पर उपकरण संचालन के वर्षों में दिया जाता है; इसे परिप्रेक्ष्य में रखने के लिए, एक फिट लगभग 1,000,000,000 / (24 × 365.25) = एक साल के एमटीबीएफ की तुलना में त्रुटियों के बीच 114,077 गुना लंबा होता है। | ||
जबकि कई इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में एक | जबकि कई इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में एक एमटीबीएफ होता है जो सर्किट के अपेक्षित जीवनकाल से अधिक होता है, फिर भी एसईआर निर्माता या ग्राहक के लिए अस्वीकार्य हो सकता है। उदाहरण के लिए, यदि सिस्टम में पर्याप्त कोमल त्रुटि सुरक्षा नहीं है, तो कोमल त्रुटि के कारण प्रति मिलियन सर्किट में कई विफलताओं की उम्मीद की जा सकती है। क्षेत्र में कुछ उत्पादों की विफलता, विशेष रूप से यदि विपत्तिपूर्ण हो, तो उस उत्पाद और कंपनी की प्रतिष्ठा को धूमिल कर सकती है जिसने इसे रचना किया था। इसके अलावा, सुरक्षा- या लागत-महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों में जहां सिस्टम की विफलता की लागत सिस्टम की लागत से कहीं अधिक है, ग्राहक के लिए स्वीकार्य होने के लिए प्रति जीवन कोमल त्रुटि विफलता का 1% जोखिम बहुत अधिक हो सकता है। इसलिए, उच्च मात्रा में सिस्टम का निर्माण करते समय या अत्यधिक उच्च विश्वसनीयता की आवश्यकता होने पर कम एसईआर के लिए रचना करना फायदेमंद होता है। | ||
== यह भी देखें == | == यह भी देखें == | ||
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* सिंगल इवेंट | * सिंगल इवेंट सेट (एस ई यू) | ||
* [[गड़बड़]] | * [[गड़बड़]] | ||
* परवाह नहीं | * परवाह नहीं | ||
Revision as of 12:07, 18 April 2023
इलेक्ट्रानिक्स और कम्प्यूटिंग में, कोमल त्रुटि एक प्रकार की त्रुटि होती है, जहां सिग्नल या डेटम गलत होता है। त्रुटियां विक्ट: दोष के कारण हो सकती हैं, आमतौर पर या तो रचना या निर्माण में गलती, या टूटा हुआ घटक समझा जाता है। नरम त्रुटि भी एक संकेत या डेटा है जो गलत है, लेकिन ऐसी गलती या टूट-फूट का संकेत नहीं माना जाता है। नरम त्रुटि देखने के बाद, इसका कोई निहितार्थ नहीं है कि सिस्टम पहले की तुलना में कम विश्वसनीय है। कोमल त्रुटि का एक कारण