आयनीकरण: Difference between revisions
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[[File:Aurora in Abisko near Torneträsk.jpg|alt=The solar wind moving through the magnetosphere alters the movements of charged particles in the Earth's thermosphere or exosphere, and the resulting ionization of these particles causes them to emit light of varying colour, thus forming auroras near the polar regions.|thumb|201x201px|The [[solar wind]] moving through the [[magnetosphere]] alters the movements of charged particles in the [[Earth]]'s [[thermosphere]] or [[exosphere]], and the resulting '''ionization''' of these particles causes them to emit light of varying colour, thus forming [[auroras]] near the [[Polar regions of Earth|polar regions]].]][[आयन]]ीकरण (या आयनीकरण) वह प्रक्रिया है जिसके द्वारा एक परमाणु या एक [[अणु]], | [[File:Aurora in Abisko near Torneträsk.jpg|alt=The solar wind moving through the magnetosphere alters the movements of charged particles in the Earth's thermosphere or exosphere, and the resulting ionization of these particles causes them to emit light of varying colour, thus forming auroras near the polar regions.|thumb|201x201px|The [[solar wind|एसओlar wind]] moving through the [[magnetosphere]] alters the movements of charged particles in the [[Earth]]'s [[thermosphere]] or [[exosphere]], and the resulting '''ionization''' of these particles causes them to emit light of varying colour, thus forming [[auroras]] near the [[Polar regions of Earth|polar regions]].]][[आयन]]ीकरण (या आयनीकरण) वह प्रक्रिया है जिसके द्वारा एक परमाणु या एक [[अणु]], अधिकांशतः अन्य रासायनिक परिवर्तनों के संयोजन के साथ, [[इलेक्ट्रॉन]]ों को प्राप्त या खो कर एक नकारात्मक या सकारात्मक विद्युत आवेश प्राप्त करता है। परिणामी विद्युत आवेशित परमाणु या अणु को आयन कहा जाता है। उप-परमाणु कणों के साथ टकराव, अन्य परमाणुओं, अणुओं और आयनों के साथ टकराव या [[विद्युत चुम्बकीय विकिरण]] के साथ बातचीत के बाद आयनीकरण एक इलेक्ट्रॉन के हानि का परिणाम हो सकता है। [[हेटेरोलिटिक बॉन्ड क्लीवेज]] और हेटेरोलिटिक [[प्रतिस्थापन प्रतिक्रिया]]ओं के परिणामस्वरूप आयन जोड़े बन सकते हैं। आयनीकरण [[आंतरिक रूपांतरण]] प्रक्रिया द्वारा रेडियोधर्मी क्षय के माध्यम से हो सकता है, जिसमें एक उत्तेजित नाभिक अपनी ऊर्जा को [[आंतरिक खोल इलेक्ट्रॉन]] में से एक में स्थानांतरित कर देता है जिससे इसे बाहर निकाल दिया जाता है। | ||
== उपयोग करता है == | == उपयोग करता है == | ||
गैस आयनीकरण के हर दिन के उदाहरण हैं जैसे कि एक [[फ्लोरोसेंट लैंप]] या अन्य विद्युत डिस्चार्ज लैंप के | गैस आयनीकरण के हर दिन के उदाहरण हैं जैसे कि एक [[फ्लोरोसेंट लैंप]] या अन्य विद्युत डिस्चार्ज लैंप के अन्दर। इसका उपयोग गीजर-मुलर काउंटर या [[आयनीकरण कक्ष]] जैसे विकिरण डिटेक्टरों में भी किया जाता है। मौलिक विज्ञान (जैसे, [[मास स्पेक्ट्रोमेट्री]]) और उद्योग (जैसे, [[विकिरण चिकित्सा]]) में विभिन्न प्रकार के उपकरणों में आयनीकरण प्रक्रिया का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। | ||
== आयनों का उत्पादन == | == आयनों का उत्पादन == | ||
[[File:Electron avalanche.gif|thumb|upright=1.65|दो इलेक्ट्रोड के बीच निर्मित विद्युत क्षेत्र में हिमस्खलन प्रभाव। मूल आयनीकरण घटना एक इलेक्ट्रॉन को मुक्त करती है, और प्रत्येक बाद की टक्कर एक और इलेक्ट्रॉन को मुक्त करती है, इसलिए प्रत्येक टक्कर से दो इलेक्ट्रॉन निकलते हैं: आयनीकरण इलेक्ट्रॉन और मुक्त इलेक्ट्रॉन।]]नकारात्मक रूप से आवेशित आयन तब उत्पन्न होते हैं जब एक मुक्त इलेक्ट्रॉन एक परमाणु से टकराता है और बाद में किसी भी अतिरिक्त ऊर्जा को छोड़ते हुए विद्युत संभावित अवरोध के अंदर फंस जाता है। प्रक्रिया को [[इलेक्ट्रॉन कैप्चर आयनीकरण]] के रूप में जाना जाता है। | [[File:Electron avalanche.gif|thumb|upright=1.65|दो इलेक्ट्रोड के बीच निर्मित विद्युत क्षेत्र में हिमस्खलन प्रभाव। मूल आयनीकरण घटना एक इलेक्ट्रॉन को मुक्त करती है, और प्रत्येक बाद की टक्कर एक और इलेक्ट्रॉन को मुक्त करती है, इसलिए प्रत्येक टक्कर से दो इलेक्ट्रॉन निकलते हैं: आयनीकरण इलेक्ट्रॉन और मुक्त इलेक्ट्रॉन।]]नकारात्मक रूप से आवेशित आयन तब उत्पन्न होते हैं जब एक मुक्त इलेक्ट्रॉन एक परमाणु से टकराता है और बाद में किसी भी अतिरिक्त ऊर्जा को छोड़ते हुए विद्युत संभावित अवरोध के अंदर फंस जाता है। प्रक्रिया को [[इलेक्ट्रॉन कैप्चर आयनीकरण]] के रूप में जाना जाता है। | ||
आवेशित कणों (जैसे आयन, इलेक्ट्रॉन या पॉज़िट्रॉन) या फोटॉन के साथ टकराव में एक बाध्य इलेक्ट्रॉन को ऊर्जा की मात्रा स्थानांतरित करके सकारात्मक रूप से आवेशित आयन उत्पन्न होते हैं। आवश्यक ऊर्जा की | आवेशित कणों (जैसे आयन, इलेक्ट्रॉन या पॉज़िट्रॉन) या फोटॉन के साथ टकराव में एक बाध्य इलेक्ट्रॉन को ऊर्जा की मात्रा स्थानांतरित करके सकारात्मक रूप से आवेशित आयन उत्पन्न होते हैं। आवश्यक ऊर्जा की शेष राशि को [[आयनीकरण क्षमता]] के रूप में जाना जाता है। इस तरह के टकरावों का अध्ययन [[कुछ शरीर प्रणाली]] | फ्यू-बॉडी समस्या के संबंध में मूलभूत महत्व का है, जो भौतिकी में प्रमुख अनसुलझी समस्याओं में से एक है। कीनेमेटिकली पूर्ण प्रयोग,<ref name="schulz">{{cite journal |last1=Schulz |first1=Michael |title=परमाणु चार-निकाय प्रक्रियाओं की त्रि-आयामी इमेजिंग|journal=Nature |volume=422 |issue=6927 |date=2003 |pages=48–51 |doi=10.1038/nature01415|bibcode= 2003Natur.422...48S |pmid=12621427|url=http://edoc.mpg.de/51141 |hdl=11858/00-001M-0000-0011-8F36-A |s2cid=4422064 |hdl-access=free }}</ref> चूंकि ऐसे प्रयोग जिनमें सभी टकराव के अंशों (बिखरे हुए प्रक्षेप्य, पीछे हटने वाले लक्ष्य-आयन, और उत्सर्जित इलेक्ट्रॉन) का पूर्ण संवेग सदिश निर्धारित किया जाता है, ने हाल के वर्षों में कुछ-शरीर की समस्या की सैद्धांतिक समझ में प्रमुख प्रगति में योगदान दिया है। | ||
=== स्थिरोष्म आयनीकरण === | === स्थिरोष्म आयनीकरण === | ||
एडियाबेटिक आयनीकरण आयनीकरण का एक रूप है जिसमें एक इलेक्ट्रॉन को उसकी सबसे कम ऊर्जा अवस्था में एक परमाणु या अणु से हटा दिया जाता है या उसकी सबसे कम ऊर्जा अवस्था में आयन बनाने के लिए जोड़ा जाता है।<ref>{{GoldBookRef|title=adiabatic ionization|file=A00143}}</ref> | एडियाबेटिक आयनीकरण आयनीकरण का एक रूप है जिसमें एक इलेक्ट्रॉन को उसकी सबसे कम ऊर्जा अवस्था में एक परमाणु या अणु से हटा दिया जाता है या उसकी सबसे कम ऊर्जा अवस्था में आयन बनाने के लिए जोड़ा जाता है।<ref>{{GoldBookRef|title=adiabatic ionization|file=A00143}}</ref> | ||
[[टाउनसेंड डिस्चार्ज]] आयन प्रभाव के कारण सकारात्मक आयनों और मुक्त इलेक्ट्रॉनों के निर्माण का एक अच्छा उदाहरण है। यह एक गैसीय माध्यम में पर्याप्त उच्च [[विद्युत क्षेत्र]] वाले क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों को | |||
[[टाउनसेंड डिस्चार्ज]] आयन प्रभाव के कारण सकारात्मक आयनों और मुक्त इलेक्ट्रॉनों के निर्माण का एक अच्छा उदाहरण है। यह एक गैसीय माध्यम में पर्याप्त उच्च [[विद्युत क्षेत्र]] वाले क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों को सम्मिलित करने वाली एक कैस्केड प्रतिक्रिया है जिसे आयनित किया जा सकता है, जैसे हवा। एक मूल आयनीकरण घटना के बाद, जैसे कि आयनकारी विकिरण के कारण, सकारात्मक आयन [[कैथोड]] की ओर बहता है, जबकि मुक्त इलेक्ट्रॉन डिवाइस के [[एनोड]] की ओर बहता है। यदि विद्युत क्षेत्र बहुत मजबूत है, तो मुक्त इलेक्ट्रॉन एक और इलेक्ट्रॉन को मुक्त करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त करता है जब यह अगले अणु के साथ टकराता है। दो मुक्त इलेक्ट्रॉन तब एनोड की ओर यात्रा करते हैं और विद्युत क्षेत्र से पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त करते हैं जिससे अगली टक्कर होने पर प्रभाव आयनीकरण होता है; और इसी तरह। यह प्रभावी रूप से इलेक्ट्रॉन उत्पादन की एक श्रृंखला प्रतिक्रिया है, और हिमस्खलन को बनाए रखने के लिए टकरावों के बीच पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त करने वाले मुक्त इलेक्ट्रॉनों पर निर्भर है।<ref>Glenn F Knoll. Radiation Detection and Measurement, third edition 2000. John Wiley and sons, {{ISBN|0-471-07338-5}}</ref> | |||
आयनीकरण दक्षता उपयोग किए गए इलेक्ट्रॉनों या फोटॉनों की संख्या के लिए गठित आयनों की संख्या का अनुपात है।<ref>{{cite journal |journal=Pure Appl. Chem. |date=1991 |volume=63 |pages=1541–1566 |issue=10 |title=Recommendations for Nomenclature and Symbolism for Mass Spectroscopy (including an appendix of terms used in vacuum technology)(IUPAC Recommendations 1991) |doi=10.1351/pac199163101541 |last1=Todd |first1=J. F. J.|doi-access=free }}</ref><ref>{{GoldBookRef|title=ionization efficiency|file=I03196}}</ref> | आयनीकरण दक्षता उपयोग किए गए इलेक्ट्रॉनों या फोटॉनों की संख्या के लिए गठित आयनों की संख्या का अनुपात है।<ref>{{cite journal |journal=Pure Appl. Chem. |date=1991 |volume=63 |pages=1541–1566 |issue=10 |title=Recommendations for Nomenclature and Symbolism for Mass Spectroscopy (including an appendix of terms used in vacuum technology)(IUPAC Recommendations 1991) |doi=10.1351/pac199163101541 |last1=Todd |first1=J. F. J.|doi-access=free }}</ref><ref>{{GoldBookRef|title=ionization efficiency|file=I03196}}</ref> | ||
== परमाणुओं की आयनीकरण ऊर्जा == | == परमाणुओं की आयनीकरण ऊर्जा == | ||
[[File:First Ionization Energy blocks.svg|thumb|right|512px|तटस्थ तत्वों की आयनीकरण ऊर्जा (104 से आगे की भविष्यवाणी)]]परमाणुओं की [[आयनीकरण ऊर्जा]] में प्रवृत्ति का उपयोग | [[File:First Ionization Energy blocks.svg|thumb|right|512px|तटस्थ तत्वों की आयनीकरण ऊर्जा (104 से आगे की भविष्यवाणी)]]परमाणुओं की [[आयनीकरण ऊर्जा]] में प्रवृत्ति का उपयोग अधिकांशतः परमाणु संख्या के संबंध में परमाणुओं के आवधिक व्यवहार को प्रदर्शित करने के लिए किया जाता है, जैसा कि मेंडेलीव की तालिका में परमाणुओं को क्रमबद्ध करके संक्षेपित किया गया है। तरंग कार्यों या आयनीकरण प्रक्रिया के विवरण में जाए बिना परमाणु कक्षाओं में इलेक्ट्रॉनों के क्रम को स्थापित करने और समझने के लिए यह एक महत्वपूर्ण उपकरण है। एक उदाहरण दाईं ओर की आकृति में प्रस्तुत किया गया है। दुर्लभ गैस परमाणुओं के बाद आयनीकरण क्षमता में आवधिक अचानक कमी, उदाहरण के लिए, क्षार धातुओं में एक नए खोल के उभरने का संकेत देती है। इसके अतिरिक्त, आयनीकरण ऊर्जा भूखंड में स्थानीय अधिकतम, एक पंक्ति में बाएं से दाएं की ओर बढ़ते हुए, s, p, d और f उप-कोशों के संकेत हैं। | ||
== आयनीकरण == का अर्ध-शास्त्रीय विवरण | === == आयनीकरण == का अर्ध-शास्त्रीय विवरण === | ||
[[शास्त्रीय भौतिकी]] और परमाणु का [[बोहर मॉडल]] गुणात्मक रूप से फोटोकरण और टक्कर-मध्यस्थ आयनीकरण की व्याख्या कर सकता है। इन | [[शास्त्रीय भौतिकी]] और परमाणु का [[बोहर मॉडल]] गुणात्मक रूप से फोटोकरण और टक्कर-मध्यस्थ आयनीकरण की व्याख्या कर सकता है। इन स्थितियों में, आयनीकरण प्रक्रिया के समय, इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा उस संभावित अवरोध के ऊर्जा अंतर से अधिक हो जाती है जिसे वह पार करने की कोशिश कर रहा है। अर्ध-शास्त्रीय विवरण, चूंकि, [[सुरंग आयनीकरण]] का वर्णन नहीं कर सकता क्योंकि इस प्रक्रिया में शास्त्रीय रूप से निषिद्ध संभावित अवरोध के माध्यम से इलेक्ट्रॉन का मार्ग सम्मिलित है। | ||
== आयनीकरण का क्वांटम यांत्रिक विवरण == | == आयनीकरण का क्वांटम यांत्रिक विवरण == | ||
पर्याप्त रूप से मजबूत लेजर दालों के साथ परमाणुओं और अणुओं की परस्पर क्रिया आयनीकरण को एकल या गुणा आवेशित आयनों की ओर ले जाती है। आयनीकरण दर, | पर्याप्त रूप से मजबूत लेजर दालों के साथ परमाणुओं और अणुओं की परस्पर क्रिया आयनीकरण को एकल या गुणा आवेशित आयनों की ओर ले जाती है। आयनीकरण दर, चूंकि इकाई समय में आयनीकरण की संभावना, केवल [[क्वांटम यांत्रिकी]] का उपयोग करके गणना की जा सकती है। सामान्यतः, विश्लेषणात्मक समाधान उपलब्ध नहीं होते हैं, और प्रबंधनीय संख्यात्मक गणनाओं के लिए आवश्यक सन्निकटन सही पर्याप्त परिणाम प्रदान नहीं करते हैं। चूंकि, जब लेजर की तीव्रता पर्याप्त रूप से अधिक होती है, तो परमाणु या अणु की विस्तृत संरचना को अनदेखा किया जा सकता है और आयनीकरण दर के लिए विश्लेषणात्मक समाधान संभव है। | ||
=== सुरंग आयनीकरण === | === सुरंग आयनीकरण === | ||
[[File:Tunnel ionization 3.png|thumb|upright=1.5|एक परमाणु और एक समान लेजर क्षेत्र की संयुक्त क्षमता। दूरियों पर {{nowrap|''r'' < ''r''{{sub|0}}}}, दूरी पर रहते हुए, लेज़र की क्षमता की उपेक्षा की जा सकती है {{math|''r'' > ''r''{{sub|0}}}} लेजर क्षेत्र की क्षमता की तुलना में कूलम्ब क्षमता नगण्य है। पर अवरोध के नीचे से इलेक्ट्रॉन निकलता है {{math|''r'' {{=}} ''R''{{sub|c}}}}. {{math|''E''{{sub|i}}}} परमाणु की आयनीकरण क्षमता है।]]सुरंग आयनीकरण [[क्वांटम टनलिंग]] के कारण आयनीकरण है। शास्त्रीय आयनीकरण में, एक इलेक्ट्रॉन के पास इसे संभावित बाधा के ऊपर बनाने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए, लेकिन क्वांटम टनलिंग इलेक्ट्रॉन को इलेक्ट्रॉन की तरंग प्रकृति के कारण सभी तरह से जाने के | [[File:Tunnel ionization 3.png|thumb|upright=1.5|एक परमाणु और एक समान लेजर क्षेत्र की संयुक्त क्षमता। दूरियों पर {{nowrap|''r'' < ''r''{{sub|0}}}}, दूरी पर रहते हुए, लेज़र की क्षमता की उपेक्षा की जा सकती है {{math|''r'' > ''r''{{sub|0}}}} लेजर क्षेत्र की क्षमता की तुलना में कूलम्ब क्षमता नगण्य है। पर अवरोध के नीचे से इलेक्ट्रॉन निकलता है {{math|''r'' {{=}} ''R''{{sub|c}}}}. {{math|''E''{{sub|i}}}} परमाणु की आयनीकरण क्षमता है।]]सुरंग आयनीकरण [[क्वांटम टनलिंग]] के कारण आयनीकरण है। शास्त्रीय आयनीकरण में, एक इलेक्ट्रॉन के पास इसे संभावित बाधा के ऊपर बनाने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए, लेकिन क्वांटम टनलिंग इलेक्ट्रॉन को इलेक्ट्रॉन की तरंग प्रकृति के कारण सभी तरह से जाने के अतिरिक्त संभावित अवरोध से गुजरने की अनुमति देता है। बैरियर के माध्यम से एक इलेक्ट्रॉन के टनलिंग की संभावना संभावित बैरियर की चौड़ाई के साथ तेजी से कम हो जाती है। इसलिए, एक उच्च ऊर्जा वाला एक इलेक्ट्रॉन इसे संभावित बाधा को और बढ़ा सकता है, जिससे सुरंग के माध्यम से बहुत पतली बाधा बन जाती है और इस प्रकार, ऐसा करने का एक बड़ा सुयोग मिलता है। व्यवहार में, सुरंग आयनीकरण तब देखा जा सकता है जब परमाणु या अणु निकट-अवरक्त मजबूत लेजर दालों के साथ परस्पर क्रिया कर रहा हो। इस प्रक्रिया को एक प्रक्रिया के रूप में समझा जा सकता है जिसके द्वारा एक बाध्य इलेक्ट्रॉन, लेजर क्षेत्र से एक से अधिक फोटॉन के अवशोषण के माध्यम से आयनित होता है। इस तस्वीर को आम तौर पर मल्टीफोटोन आयनीकरण (एमपीआई) के रूप में जाना जाता है। | ||
क्लेडीश<ref>{{cite journal |last=Keldysh |first=L. V. |date=1965 |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/20/5/p1307?a=list |title=एक मजबूत विद्युत चुम्बकीय तरंग के क्षेत्र में आयनीकरण|journal=Soviet Phys. JETP |page=1307|volume=20|issue=5}}</ref> एमपीआई प्रक्रिया को परमाणु की जमीनी स्थिति से वोल्कोव | क्लेडीश<ref>{{cite journal |last=Keldysh |first=L. V. |date=1965 |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/20/5/p1307?a=list |title=एक मजबूत विद्युत चुम्बकीय तरंग के क्षेत्र में आयनीकरण|journal=Soviet Phys. JETP |page=1307|volume=20|issue=5}}</ref> एमपीआई प्रक्रिया को परमाणु की जमीनी स्थिति से वोल्कोव अवस्थाों में इलेक्ट्रॉन के संक्रमण के रूप में तैयार किया।<ref>Volkov D M 1934 Z. Phys. 94 250</ref> इस मॉडल में लेज़र क्षेत्र द्वारा जमीनी अवस्था के क्षोभ को उपेक्षित किया जाता है और आयनीकरण संभावना का निर्धारण करने में परमाणु संरचना के विवरण को ध्यान में नहीं रखा जाता है। क्लेडीश के मॉडल के साथ बड़ी कठिनाई इलेक्ट्रॉन की अंतिम अवस्था पर कूलम्ब इंटरेक्शन के प्रभावों की उपेक्षा थी। जैसा कि चित्र से देखा गया है, नाभिक से बड़ी दूरी पर लेजर की क्षमता की तुलना में कूलम्ब क्षेत्र परिमाण में बहुत छोटा नहीं है। यह नाभिक के पास के क्षेत्रों में लेजर की क्षमता की उपेक्षा करके किए गए सन्निकटन के विपरीत है। पेरेलोमोव एट अल।<ref>{{cite journal |last1=Perelomov |first1=A. M. |last2=Popov |first2=V. S. |last3=Terent'ev |first3=M. V. |date=1966 |journal=Soviet Phys. JETP |volume=23 |issue=5 |page=924 |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/23/5/p924?a=list |title=एक वैकल्पिक विद्युत क्षेत्र में परमाणुओं का आयनीकरण|bibcode=1966JETP...23..924P |access-date=2013-08-12 |archive-date=2021-03-18 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210318094804/http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/23/5/p924?a=list |url-status=dead }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Perelomov |first1=A. M. |last2=Popov |first2=V. S. |last3=Terent'ev |first3=M. V. |date=1967 |journal=Soviet Phys. JETP |volume=24 |issue=1 |page=207 |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/24/1/p207?a=list |title=Ionization of Atoms in an Alternating Electric Field: II |bibcode=1967JETP...24..207P |access-date=2013-08-12 |archive-date=2021-03-03 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210303205015/http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/24/1/p207?a=list |url-status=dead }}</ref> बड़ी आंतरिक दूरी पर कूलम्ब इंटरैक्शन सम्मिलित है। उनका मॉडल (जिसे हम पीपीटी मॉडल कहते हैं) शॉर्ट रेंज पोटेंशियल के लिए तैयार किया गया था और इसमें अर्ध-शास्त्रीय क्रिया में प्रथम क्रम सुधार के द्वारा लॉन्ग रेंज कूलम्ब इंटरेक्शन का प्रभाव सम्मिलित है। लारोचेल एट अल।<ref>{{cite journal |last1=Larochelle |first1=S. |last2=Talebpour |first2=A. |last3=Chin |first3=S. L. |doi=10.1088/0953-4075/31/6/009 |url=http://slchin-symposium.copl.ulaval.ca/MPublication/154_JPB_031_1215.pdf |title=दुर्लभ-गैस परमाणुओं के मल्टीफ़ोटोन आयनीकरण में कूलम्ब प्रभाव|date=1998 |journal=Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics |volume=31 |issue=6 |page=1215 |bibcode=1998JPhB...31.1215L |s2cid=250870476 |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20141121115047/http://slchin-symposium.copl.ulaval.ca/MPublication/154_JPB_031_1215.pdf |archive-date=November 21, 2014 }}</ref> सैद्धांतिक रूप से अनुमानित आयन बनाम तीव्रता वक्रों की तुलना दुर्लभ गैस परमाणुओं की एक टीआई के साथ बातचीत: प्रयोगात्मक माप के साथ नीलम लेजर से की गई है। उन्होंने दिखाया है कि पीपीटी मॉडल द्वारा भविष्यवाणी की गई कुल आयनीकरण दर क्लेडीश पैरामीटर के मध्यवर्ती शासन में सभी दुर्लभ गैसों के लिए प्रायोगिक आयन पैदावार के लिए बहुत अच्छी तरह से फिट होती है। | ||
आयनीकरण क्षमता वाले परमाणु पर MPI की दर <math> E_i </math> आवृत्ति के साथ एक रैखिक ध्रुवीकृत लेजर में <math> \omega </math> द्वारा दिया गया है | आयनीकरण क्षमता वाले परमाणु पर MPI की दर <math> E_i </math> आवृत्ति के साथ एक रैखिक ध्रुवीकृत लेजर में <math> \omega </math> द्वारा दिया गया है | ||
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==== अर्ध-स्थैतिक सुरंग आयनीकरण ==== | ==== अर्ध-स्थैतिक सुरंग आयनीकरण ==== | ||
अर्ध-स्थैतिक टनलिंग ( | अर्ध-स्थैतिक टनलिंग (क्यूएसटी) आयनीकरण है जिसकी दर का एडीके मॉडल द्वारा संतोषजनक ढंग से अनुमान लगाया जा सकता है,<ref>{{cite journal |last1=Ammosov |first1=M. V. |last2=Delone |first2=N. B. |last3=Krainov |first3=V. P. |date=1986 |journal=Soviet Phys. JETP |volume=64 |issue=6 |page=1191 |url=http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/64/6/p1191?a=list |title=एक वैकल्पिक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र में जटिल परमाणुओं और परमाणु आयनों की सुरंग आयनीकरण|bibcode=1986JETP...64.1191A |access-date=2013-08-12 |archive-date=2021-03-01 |archive-url=https://web.archive.org/web/20210301174150/http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/e/64/6/p1191?a=list |url-status=dead }}</ref> चूंकि पीपीटी मॉडल की सीमा कब <math> \gamma </math> शून्य के समीप पहुंच जाता है।<ref name="SharifiTalebpour2010">{{cite journal |last1=Sharifi |first1=S. M. |last2=Talebpour |first2=A |last3=Yang |first3=J. |last4=Chin |first4=S. L. |title=तीव्र फेमटोसेकंड लेजर दालों का उपयोग करके Ar और Xe के आयनीकरण में अर्ध-स्थैतिक टनलिंग और मल्टीफ़ोटो प्रक्रियाएं|journal=Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics |volume=43 |issue=15 |date=2010 |page=155601 |issn=0953-4075 |doi=10.1088/0953-4075/43/15/155601|bibcode=2010JPhB...43o5601S |s2cid=121014268 }}</ref> क्यूएसटी की दर किसके द्वारा दी गई है | ||
:<math>W_{ADK} = | :<math>W_{ADK} = | ||
\left|C_{n^* l^*}\right|^2 \sqrt{\frac{6}{\pi}} | \left|C_{n^* l^*}\right|^2 \sqrt{\frac{6}{\pi}} | ||
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== आयनीकरण दर के लिए मजबूत क्षेत्र सन्निकटन == | == आयनीकरण दर के लिए मजबूत क्षेत्र सन्निकटन == | ||
पीपीटी की गणना ई-गेज में की जाती है, जिसका अर्थ है कि लेजर क्षेत्र को विद्युत चुम्बकीय तरंगों के रूप में लिया जाता है। आयनीकरण दर की गणना | पीपीटी की गणना ई-गेज में की जाती है, जिसका अर्थ है कि लेजर क्षेत्र को विद्युत चुम्बकीय तरंगों के रूप में लिया जाता है। आयनीकरण दर की गणना a-गेज में भी की जा सकती है, जो प्रकाश की कण प्रकृति (आयनीकरण के समय कई फोटॉनों को अवशोषित करना) पर जोर देती है। यह उपागम क्रेनोव मॉडल द्वारा अपनाया गया था<ref name="Krainov1997">{{cite journal |last1=Krainov |first1=Vladimir P. |title=जटिल परमाणुओं और परमाणु आयनों के अवरोध-दमन आयनीकरण पर आयनीकरण दर और ऊर्जा और कोणीय वितरण|journal=Journal of the Optical Society of America B |volume=14 |issue=2 |date=1997 |page=425 |issn=0740-3224 |doi=10.1364/JOSAB.14.000425|bibcode=1997JOSAB..14..425K }}</ref> फैसल के पहले के कार्यों के आधार पर<ref name="Faisal1973">{{cite journal |last1=Faisal |first1=F. H. M. |title=परमाणुओं द्वारा लेजर फोटोन का एकाधिक अवशोषण|journal=Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics |volume=6 |issue=4 |date=1973 |pages=L89–L92 |issn=0022-3700 |doi=10.1088/0022-3700/6/4/011|bibcode=1973JPhB....6L..89F }}</ref> और रीस।<ref name="Reiss1980">{{cite journal |last1=Reiss |first1=Howard |title=एक कमजोर बाध्य प्रणाली पर एक तीव्र विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र का प्रभाव|journal=Physical Review A |volume=22 |issue=5 |date=1980 |pages=1786–1813 |issn=0556-2791 |doi=10.1103/PhysRevA.22.1786 |bibcode=1980PhRvA..22.1786R }}</ref> परिणामी दर द्वारा दिया गया है | ||
:<math>W_{KRA} = | :<math>W_{KRA} = | ||
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*<math>p=\sqrt{ 2 \omega (n-n_\mathrm{osc}- n_i)},</math> *<math display="inline">n_{f}=2 \sqrt { n_\mathrm{osc} / \omega} p \cos(\theta)</math> साथ <math> \theta</math> इलेक्ट्रॉन के संवेग, p, और लेज़र के विद्युत क्षेत्र, F के बीच का कोण, | *<math>p=\sqrt{ 2 \omega (n-n_\mathrm{osc}- n_i)},</math> *<math display="inline">n_{f}=2 \sqrt { n_\mathrm{osc} / \omega} p \cos(\theta)</math> साथ <math> \theta</math> इलेक्ट्रॉन के संवेग, p, और लेज़र के विद्युत क्षेत्र, F के बीच का कोण, | ||
* ''एफटी'' त्रि-आयामी फूरियर रूपांतरण है, और | * ''एफटी'' त्रि-आयामी फूरियर रूपांतरण है, और | ||
* <math> I_{KAR}=\left(\frac {2 Z^2}{n^2 F r}\right)^n </math> SFA मॉडल में कूलम्ब सुधार | * <math> I_{KAR}=\left(\frac {2 Z^2}{n^2 F r}\right)^n </math> SFA मॉडल में कूलम्ब सुधार सम्मिलित है। | ||
=== परमाणु स्थिरीकरण/जनसंख्या फंसाना === | === परमाणु स्थिरीकरण/जनसंख्या फंसाना === | ||
परमाणुओं के एमपीआई की दर की गणना में केवल सातत्य | परमाणुओं के एमपीआई की दर की गणना में केवल सातत्य अवस्था में संक्रमण पर विचार किया जाता है। इस तरह का सन्निकटन तब तक स्वीकार्य है जब तक कि जमीनी अवस्था और कुछ उत्तेजित अवस्थाओं के बीच कोई मल्टीफ़ोटोन अनुनाद न हो। चूंकि, स्पंदित लेजर के साथ बातचीत की वास्तविक स्थिति में, लेजर तीव्रता के विकास के समय, जमीन के अलग-अलग स्टार्क शिफ्ट और उत्साहित अवस्था के कारण संभावना है कि कुछ उत्साहित अवस्था जमीनी स्थिति के साथ मल्टीफ़ोटोन अनुनाद में जाते हैं। कपड़े पहने हुए परमाणु चित्र के अन्दर, जमीनी अवस्था ने कपड़े पहने <math>m</math> फोटॉन और गुंजयमान अवस्था अनुनाद तीव्रता पर एक टाले हुए क्रॉसिंग से गुजरती हैं <math>I_r</math>. न्यूनतम दूरी, <math>V_m</math>, टाले गए क्रॉसिंग पर सामान्यीकृत रबी आवृत्ति के समानुपाती होता है, <math>\Gamma(t) =\Gamma_m I(t)^{m/2}</math> दो अवस्थाों को जोड़ना। स्टोरी एट अल। के अनुसार,<ref name="StoryDuncan1994">{{cite journal |last1=Story |first1=J. |last2=Duncan |first2=D. |last3=Gallagher |first3=T. |title=लैंडौ-जेनर ट्रीटमेंट ऑफ इंटेंसिटी-ट्यून मल्टीफोटोन रेजोनेंस ऑफ पोटैशियम|journal=Physical Review A |volume=50 |issue=2 |date=1994 |pages=1607–1617 |issn=1050-2947 |doi=10.1103/PhysRevA.50.1607 |pmid=9911054 |bibcode=1994PhRvA..50.1607S }}</ref> जमीनी अवस्था में रहने की संभावना, <math>P_g</math>, द्वारा दिया गया है | ||
:<math>P_g = \exp\left(-\frac{2\pi W_m^2}{\mathrm{d}W/\mathrm{d}t}\right)</math> | :<math>P_g = \exp\left(-\frac{2\pi W_m^2}{\mathrm{d}W/\mathrm{d}t}\right)</math> | ||
जहाँ <math>W</math> दो पोशाक वाले अवस्था के बीच समय-निर्भर ऊर्जा अंतर है। एक छोटी नाड़ी के साथ बातचीत में, यदि नाड़ी के बढ़ते या गिरने वाले भागों में गतिशील अनुनाद पहुंच जाता है, तो जनसंख्या व्यावहारिक रूप से जमीनी अवस्था में रहती है और मल्टीफ़ोटो प्रतिध्वनि के प्रभाव की उपेक्षा की जा सकती है। यद्यपि, यदि अवस्था नाड़ी के चरम पर प्रतिध्वनित होते हैं, जहाँ <math>\mathrm{d}W/\mathrm{d}t = 0</math>, तब उत्तेजित अवस्था आबाद होती है। आबाद होने के बाद, चूंकि उत्तेजित अवस्था की आयनीकरण क्षमता कम होती है, इसलिए यह उम्मीद की जाती है कि इलेक्ट्रॉन तुरंत आयनित हो जाएगा। | |||
1992 में, डी बोअर और मुलर <ref>{{cite journal| doi=10.1103/PhysRevLett.68.2747| title=शॉर्ट-पल्स मल्टीफ़ोटोन आयनीकरण के बाद उत्साहित राज्यों में बड़ी आबादी का अवलोकन|date=1992|last1=De Boer|first1=M. |last2=Muller|first2=H. |journal=Physical Review Letters |volume=68 |issue=18 |pages=2747–2750|pmid=10045482| bibcode=1992PhRvL..68.2747D }}</ref> दिखाया गया है कि छोटे लेजर दालों के अधीन Xe परमाणु अत्यधिक उत्तेजित अवस्थाओं 4f, 5f और 6f में जीवित रह सकते हैं। माना जाता है कि लेजर पल्स के बढ़ते | 1992 में, डी बोअर और मुलर <ref>{{cite journal| doi=10.1103/PhysRevLett.68.2747| title=शॉर्ट-पल्स मल्टीफ़ोटोन आयनीकरण के बाद उत्साहित राज्यों में बड़ी आबादी का अवलोकन|date=1992|last1=De Boer|first1=M. |last2=Muller|first2=H. |journal=Physical Review Letters |volume=68 |issue=18 |pages=2747–2750|pmid=10045482| bibcode=1992PhRvL..68.2747D }}</ref> दिखाया गया है कि छोटे लेजर दालों के अधीन Xe परमाणु अत्यधिक उत्तेजित अवस्थाओं 4f, 5f और 6f में जीवित रह सकते हैं। माना जाता है कि लेजर पल्स के बढ़ते भागों के समय क्षेत्र के साथ मल्टीफ़ोटोन अनुनाद में स्तरों के गतिशील स्टार्क बदलाव से इन अवस्था को उत्साहित किया गया था। लेज़र स्पंद के बाद के विकास ने इन अवस्थाओं को पूरी तरह से आयनित नहीं किया और कुछ अत्यधिक उत्तेजित परमाणुओं को पीछे छोड़ दिया। हम इस घटना को जनसंख्या फँसाने के रूप में संदर्भित करेंगे। | ||
[[File:Lambda type population trapping.png|right|thumb|लैम्ब्डा टाइप जनसंख्या ट्रैपिंग की योजनाबद्ध प्रस्तुति। जी परमाणु की जमीनी अवस्था है। 1 और 2 दो पतित उत्तेजित अवस्थाएँ हैं। मल्टीफोटोन प्रतिध्वनि के कारण जनसंख्या को | |||