Listen to this article

रोम (ROM): Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
 
(4 intermediate revisions by 2 users not shown)
Line 32: Line 32:
इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book|author=Han-Way Huang|title=Embedded System Design with C805|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|date=5 December 2008|publisher=Cengage Learning|isbn=978-1-111-81079-5|page=22|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book|author1=Marie-Aude Aufaure|author2=Esteban Zimányi|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|date=17 January 2013|publisher=Springer|isbn=978-3-642-36318-4|page=136|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।
इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book|author=Han-Way Huang|title=Embedded System Design with C805|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|date=5 December 2008|publisher=Cengage Learning|isbn=978-1-111-81079-5|page=22|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book|author1=Marie-Aude Aufaure|author2=Esteban Zimányi|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|date=17 January 2013|publisher=Springer|isbn=978-3-642-36318-4|page=136|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।


1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, REF नाम = ComputerHistory>{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine|publisher=[[Computer History Museum]]}}</ref> ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। REF NAME = SCIANDIRECT>{{cite web |title=Transistors - an overview |url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors |website=[[ScienceDirect]] |access-date=8 August 2019}}</ref> 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग रीड-ओनली मेमोरी के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।(EPROM) 1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>{{cite web |title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced |url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ |website=[[Computer History Museum]] |access-date=19 June 2019}}</ref> 1971 का आविष्कार EPROM अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया गया है, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।
1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के आगमन,{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine|publisher=[[Computer History Museum]]}}ने अर्धचालक मेमोरी (semiconductor memory) में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर (magnetic cores)  मेमोरी द्वारा काम आता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। {{cite web |title=Transistors - an overview |url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors |website=[[ScienceDirect]] |access-date=8 August 2019}}1967 में, बेल लैब्स (ell Labs )के डावन काहंग (Dawon Kahng) और साइमन सेज़ (Simon Sze) ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस (MOS semiconductor device) के फ्लोटिंग गेट (floating gate) का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम (reprogrammable ROM) के सेल (cell) के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल (Intel) के डोव फ्रोहमैन (Dov Frohman) ने 1971 में इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EPROM) का आविष्कार किया। {{cite web |title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced |url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ |website=[[Computer History Museum]] |access-date=19 June 2019}}1971 में ईपिरोम (EPROM) के आविष्कार ने अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया, क्योंकि ईपिरोम EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।


विद्युत रूप से इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM), 1972 में इलेक्ट्रोटेक्निकल लेबोरेटरी में यासुओ तारुई, यूटाका हयाशी और कियोको नागा द्वारा विकसित किया गया था, ref>{{cite journal|last1=Tarui|first1=Y.|last2=Hayashi|first2=Y.|last3=Nagai|first3=K.|title=Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory|journal=IEEE Journal of Solid-State Circuits|date=1972|volume=7|issue=5|pages=369–375|doi=10.1109/JSSC.1972.1052895|issn=0018-9200|bibcode=1972IJSSC...7..369T}}</ref> समस्या 4 को हल करने के लिए एक लंबा रास्ता तय किया, क्योंकि एक EEPROM को इन-प्लेस प्रोग्रामेबल प्रोग्राम किया जा सकता है। इन-प्लेस यदि युक्त डिवाइस एक बाहरी स्रोत से प्रोग्राम सामग्री प्राप्त करने का एक साधन प्रदान करता है (उदाहरण के लिए, एक व्यक्तिगत कंप्यूटरएक सीरियल केबल के माध्यम से)।1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा में फ़ुजियो मासुओका द्वारा आविष्कार किया गया और 1980 के दशक के उत्तरार्ध में व्यवसायीकरण किया गया, EEPROM का एक रूप है, जो चिप क्षेत्र का बहुत कुशल उपयोग करता है और इसे बिना नुकसान के हजारों बार मिटा दिया जा सकता है।यह पूरे डिवाइस के बजाय डिवाइस के केवल एक विशिष्ट हिस्से के ERASURE और प्रोग्रामिंग की अनुमति देता है।यह उच्च गति पर किया जा सकता है, इसलिए नाम फ्लैश है। ref>{{Cite web|url=https://www.eweek.com/storage/1987-toshiba-launches-nand-flash|title=1987: Toshiba Launches NAND Flash|website=eWEEK}}</ref><ref>{{cite book
इलेक्ट्रिकली इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM) को 1972 में इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला (Electrotechnical Laboratory) में यासुओ तारुई (Yasuo Tarui), यूटाका हयाशी (Yutaka Hayashi) और कियोको नागा (Kiyoko Naga) द्वारा विकसित किया गया था, {{cite journal|last1=Tarui|first1=Y.|last2=Hayashi|first2=Y.|last3=Nagai|first3=K.|title=Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory|journal=IEEE Journal of Solid-State Circuits|date=1972|volume=7|issue=5|pages=369–375|doi=10.1109/JSSC.1972.1052895|issn=0018-9200|bibcode=1972IJSSC...7..369T}} उन्होने समस्या 4 को हल करने के लिए एक लंबा रास्ता तय किया, क्योंकि एक EEPROM को इन-प्लेस प्रोग्रामेबल (in-place programmed) प्रोग्राम किया जा सकता है यदि युक्त डिवाइस एक बाहरी स्रोत से प्रोग्राम सामग्री प्राप्त करने का एक साधन प्रदान करता है (उदाहरण के लिए, एक पर्सनल कंप्यूटर एक सीरियल केबल के माध्यम से)।1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा (Toshiba) में फ़ुजियो मासुओका (Fujio Masuoka) द्वारा फ़्लैश मेमोरी (Flash memory) का आविष्कार किया गया और 1980 के दशक के उत्तरार्ध में व्यवसायीकरण किया गया, ईईपिरोम (EEPROM) का एक रूप है, जो चिप क्षेत्र का बहुत कुशल उपयोग करता है और इसे बिना नुकसान के हजारों बार मिटा दिया जा सकता है। यह पूरी डिवाइस के बजाय डिवाइस के केवल एक विशिष्ट हिस्से के इरेज़र (ERASURE) और प्रोग्रामिंग की अनुमति देता है। यह उच्च गति पर किया जा सकता है, इसलिए नाम फ्लैश (flash) है।
 
{{Cite web|url=https://www.eweek.com/storage/1987-toshiba-launches-nand-flash|title=1987: Toshiba Launches NAND Flash|website=eWEEK}}><ref>{{cite book
  | title = Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability
  | title = Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability
  | author = Detlev Richter
  | author = Detlev Richter
Line 43: Line 45:
  }}
  }}
</ref>
</ref>
इन सभी तकनीकों ने ROM के लचीलेपन में सुधार किया, लेकिन एक महत्वपूर्ण लागत-प्रति-चिप में, ताकि बड़ी मात्रा में मास्क ROM कई वर्षों तक एक किफायती विकल्प बने रहे।(Reprogrammable उपकरणों की घटती लागत ने 2000 तक मास्क ROM के लिए बाजार को लगभग समाप्त कर दिया था।) पुन: लिखित प्रौद्योगिकियों को मास्क रोम के लिए प्रतिस्थापन के रूप में कल्पना की गई थी।


सबसे हालिया विकास नंद फ्लैश है, जो तोशिबा में भी आविष्कार किया गया है।इसके डिजाइनर स्पष्ट रूप से पिछले अभ्यास से टूट गए, स्पष्ट रूप से कहा गया कि नंद फ्लैश का उद्देश्य हार्ड डिस्क को बदलना है,<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20091007201702/http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf |date=2009-10-07 }}''.</ref> गैर-वाष्पशील प्राथमिक भंडारण के रूप में ROM के पारंपरिक उपयोग के बजाय। {{As of|2021}}, नंद ने हार्ड डिस्क, कम विलंबता, शारीरिक सदमे की उच्च सहिष्णुता, चरम लघु (यूएसबी फ्लैश ड्राइव और छोटे माइक्रोएसडी मेमोरी कार्ड के रूप में, उदाहरण के लिए), और बहुत कम बिजली की खपत की तुलना में इस लक्ष्य को पूरी तरह से हासिल कर लिया है।।
इन सभी तकनीकों ने रोम (ROM) के लचीलेपन में सुधार किया, लेकिन एक महत्वपूर्ण कॉस्ट-प्रति-चिप (cost-per-chip) में, ताकि बड़ी मात्रा में मास्क ROM कई वर्षों तक एक किफायती विकल्प बनी रहे। (रेप्रोग्रामेबल (Reprogrammable) उपकरणों की घटती लागत ने 2000 तक मास्क ROM के लिए बाजार को लगभग समाप्त कर दिया था।) पुन: लिखित प्रौद्योगिकियों को मास्क रोम (Mask ROM) के लिए प्रतिस्थापन के रूप में कल्पना की गई थी।


=== भंडारण कार्यक्रमों के लिए उपयोग करें ===
सबसे हालिया विकसित नंद फ्लैश (NAND flash) है, जिसका अविष्कार भी तोशिबा (Toshiba) में किया गया है। इसके डिजाइनर स्पष्ट रूप से पिछले अभ्यास से टूट गए, स्पष्ट रूप से कहा गया कि नंद फ्लैश (NAND flash) का उद्देश्य हार्ड डिस्क को बदलना है,<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20091007201702/http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf |date=2009-10-07 }}''.</ref> गैर-वाष्पशील प्राथमिक भंडारण के रूप में ROM के पारंपरिक उपयोग के बजाय। 2021 तक ({{As of|2021}}), नंद (NAND flash) ने हार्ड डिस्क, कम विलंबता (lower latency), शारीरिक सदमे की उच्च सहिष्णुता (higher tolerance of physical shock), चरम लघु (यूएसबी फ्लैश ड्राइव और छोटे माइक्रोएसडी मेमोरी कार्ड के रूप में, उदाहरण के लिए), और बहुत कम बिजली की खपत की तुलना में इस लक्ष्य को पूरी तरह से हासिल कर लिया है।।


कई संग्रहीत-कार्यक्रम कंप्यूटर गैर-वाष्पशील भंडारण के एक रूप का उपयोग करते हैं (अर्थात, भंडारण जो बिजली को हटाने पर अपने डेटा को बनाए रखता है) प्रारंभिक कार्यक्रम को संग्रहीत करने के लिए जो कंप्यूटर पर संचालित होता है या अन्यथा निष्पादन शुरू होता है{{efn|Other terms are used as well, e.g., "[[IBM System/360 architecture#Initial Program Load|Initial Program Load]]" (IPL).}} बूटस्ट्रैपिंग के रूप में, अक्सर बूटिंग या बूटिंग के लिए संक्षिप्त)। इसी तरह, प्रत्येक गैर-तुच्छ कंप्यूटर को अपने राज्य में परिवर्तन को रिकॉर्ड करने के लिए किसी न किसी रूप में उत्परिवर्तनीय मेमोरी की आवश्यकता होती है क्योंकि यह निष्पादित करता है।
=== भंडारण कार्यक्रमों के लिए उपयोग करें (Use for storing programs) ===


केवल प्रारंभिक संग्रहीत-प्रोग्राम कंप्यूटरों में कार्यक्रमों के लिए रीड-ओनली मेमोरी के रूपों को गैर-वाष्पशील भंडारण के रूप में नियोजित किया गया था, जैसे कि 1948 के बाद ईएनआईएसी मशीन, जो सप्ताह तक के दिनों में लग सकती है।) केवल-केवल मेमोरी को लागू करने के लिए सरल था क्योंकि इसे संग्रहीत मूल्यों को पढ़ने के लिए केवल एक तंत्र की आवश्यकता थी, और उन्हें इन-प्लेस को बदलने के लिए नहीं, और इस तरह बहुत कच्चे इलेक्ट्रोमैकेनिकल उपकरणों के साथ लागू किया जा सकता है (देखें (देखें नीचे ऐतिहासिक उदाहरण)। 1960 के दशक में एकीकृत सर्किट के आगमन के साथ, ROM और इसके उत्परिवर्तनीय समकक्ष स्थैतिक रैम दोनों को सिलिकॉन चिप्स में ट्रांजिस्टर के सरणियों के रूप में लागू किया गया था; हालांकि, एक ROM मेमोरी सेल को SRAM मेमोरी सेल की तुलना में कम ट्रांजिस्टर का उपयोग करके लागू किया जा सकता है, क्योंकि बाद वाले को अपनी सामग्री को बनाए रखने के लिए एक कुंडी (5-20 ट्रांजिस्टर शामिल) की आवश्यकता होती है, जबकि एक ROM सेल में अनुपस्थिति (तार्किक 0) या शामिल हो सकती है एक ट्रांजिस्टर की उपस्थिति (तार्किक 1) एक बिट लाइन को एक शब्द लाइन से जोड़ती है।<ref>See chapters on "Combinatorial Digital Circuits" and "Sequential Digital Circuits" in Millman & Grable, ''Microelectronics,'' 2nd ed.</ref> नतीजतन, ROM को कई वर्षों तक RAM की तुलना में कम लागत-प्रति-बिट पर लागू किया जा सकता है।
कई संग्रहीत-कार्यक्रम कंप्यूटर (stored-program computers) नॉन वोलाटाइल स्टोरेज (non-volatile storage) के एक रूप का उपयोग करते हैं (अर्थात, भंडारण जो बिजली को हटाने पर अपने डेटा को बनाए रखता है) प्रारंभिक कार्यक्रम को संग्रहीत करने के लिए जो कंप्यूटर पर संचालित होता है या अन्यथा निष्पादन शुरू होता है{{efn|Other terms are used as well, e.g., "[[IBM System/360 architecture#Initial Program Load|Initial Program Load]]" (IPL).}} बूटस्ट्रैपिंग (bootstrapping) के रूप में, अक्सर बूटिंग या बूटिंग अप (booting up)। इसी तरह, प्रत्येक नॉन त्रिविल (non-trivial) कंप्यूटर को अपनी अवस्था  में परिवर्तन को रिकॉर्ड करने के लिए किसी न किसी रूप में उत्परिवर्तनीय (mutable) मेमोरी की आवश्यकता होती है क्योंकि यह निष्पादित करता है।


1980 के दशक के अधिकांश होम कंप्यूटर ने ROM में एक बुनियादी दुभाषिया या ऑपरेटिंग सिस्टम संग्रहीत किया, क्योंकि गैर-वाष्पशील भंडारण के अन्य रूपों जैसे कि चुंबकीय डिस्क ड्राइव बहुत महंगा था। उदाहरण के लिए, कमोडोर 64 में 64 kb RAM और 20 kB ROM शामिल था जिसमें एक बुनियादी दुभाषिया और कर्नल ऑपरेटिंग सिस्टम शामिल था। बाद में घर या कार्यालय के कंप्यूटर जैसे कि आईबीएम पीसी एक्सटी में अक्सर चुंबकीय डिस्क ड्राइव, और बड़ी मात्रा में रैम शामिल होते हैं, जिससे उन्हें अपने ऑपरेटिंग सिस्टम को डिस्क से रैम में लोड करने की अनुमति मिलती है, जिसमें केवल एक न्यूनतम हार्डवेयर इनिशियलाइज़ेशन कोर और बूटलोडर शेष होता है (ज्ञात के रूप में जाना जाता है IBM- संगत कंप्यूटर में BIOS)। इस व्यवस्था को अधिक जटिल और आसानी से अपग्रेड करने योग्य ऑपरेटिंग सिस्टम के लिए अनुमति दी गई है।
केवल प्रारंभिक संग्रहीत-प्रोग्राम कंप्यूटरों में कार्यक्रमों के लिए रीड-ओनली मेमोरी (ROM) के रूपों को गैर-वाष्पशील भंडारण (non-volatile storage) के रूप में नियोजित किया गया था, जैसे कि 1948 के बाद ईएनआईएसी (ENIAC) मशीन, जो सप्ताह के दिनों में लग सकती है।) केवल मेमोरी को लागू करने के लिए सरल था क्योंकि इसे संग्रहीत मूल्यों को पढ़ने के लिए केवल एक तंत्र की आवश्यकता थी, और उन्हें इन-प्लेस (in-place) को बदलने के लिए नहीं, और इस तरह बहुत कच्चे इलेक्ट्रोमैकेनिकल  (electromechanical) उपकरणों के साथ लागू किया जा सकता है (नीचे ऐतिहासिक उदाहरण देखें)। 1960 के दशक में एकीकृत सर्किट के आगमन के साथ, ROM और इसके उत्परिवर्तनीय समकक्ष स्थैतिक रैम (static RAM) दोनों को सिलिकॉन चिप्स में ट्रांजिस्टर के सारणियों के रूप में लागू किया गया था; हालांकि, एक ROM मेमोरी सेल को एसआरएम मेमोरी सेल (SRAM) की तुलना में कम ट्रांजिस्टर का उपयोग करके लागू किया जा सकता है, क्योंकि बाद वाले को अपनी सामग्री को बनाए रखने के लिए एक लैच (latch) (5-20 ट्रांजिस्टर शामिल) की आवश्यकता होती है, जबकि एक ROM सेल में अनुपस्थिति (तार्किक 0) ((logical 0)) या शामिल हो सकती है एक ट्रांजिस्टर की उपस्थिति (तार्किक 1) एक बिट लाइन को एक शब्द लाइन से जोड़ती है।<ref>See chapters on "Combinatorial Digital Circuits" and "Sequential Digital Circuits" in Millman & Grable, ''Microelectronics,'' 2nd ed.</ref> नतीजतन, रोम (ROM) को कई वर्षों तक रैम (RAM) की तुलना में कम लागत-प्रति-बिट पर लागू किया जा सकता है।


आधुनिक पीसी में, ROM का उपयोग प्रोसेसर के लिए बुनियादी बूटस्ट्रैपिंग फर्मवेयर को स्टोर करने के लिए किया जाता है, साथ ही ग्राफिक कार्ड, हार्ड डिस्क ड्राइव, सॉलिड स्टेट ड्राइव, ऑप्टिकल डिस्क ड्राइव, टीएफटी स्क्रीन जैसे स्व-निहित उपकरणों जैसे आंतरिक रूप से नियंत्रण के लिए आवश्यक विभिन्न फर्मवेयर की आवश्यकता होती है , आदि, सिस्टम में। आज, इनमें से कई रीड-ओनली यादें-विशेष रूप से BIOS/UEFI-को अक्सर EEPROM या फ्लैश मेमोरी (नीचे देखें) के साथ बदल दिया जाता है, इन-प्लेस रिप्रोग्रामिंग को अनुमति देने के लिए एक फर्मवेयर अपग्रेड की आवश्यकता होनी चाहिए। हालांकि, सरल और परिपक्व उप-सिस्टम (जैसे कि कीबोर्ड या मुख्य बोर्ड पर एकीकृत सर्किट में कुछ संचार नियंत्रक, उदाहरण के लिए) मास्क रोम या प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी को नियोजित कर सकते हैं। OTP (एक-समय प्रोग्रामेबल)।
1980 के दशक के अधिकांश होम कंप्यूटर ने रोम (ROM) में एक बुनियादी दुभाषिया (interpreter) या ऑपरेटिंग सिस्टम संग्रहीत किया, क्योंकि गैर-वाष्पशील भंडारण (non-volatile storage) के अन्य रूपों जैसे कि चुंबकीय डिस्क ड्राइव बहुत महंगा था। उदाहरण के लिए, कमोडोर 64  (Commodore 64) में 64 किलोबाइट (KB) RAM और 20 किलोबाइट (KB) ROM शामिल था जिसमें एक बुनियादी दुभाषिया (interpreter) और कर्नल (KERNAL) ऑपरेटिंग सिस्टम शामिल था। बाद में घर या कार्यालय के कंप्यूटर जैसे कि आईबीएम पीसी एक्सटी  (IBM PC XT) में अक्सर चुंबकीय डिस्क ड्राइव, और बड़ी मात्रा में रैम (RAM) शामिल होते हैं, जिससे उन्हें अपने ऑपरेटिंग सिस्टम को डिस्क से रैम में लोड करने की अनुमति मिलती है, जिसमें केवल एक न्यूनतम हार्डवेयर इनिशियलाइज़ेशन कोर (hardware initialization core) और बूटलोडर (bootloader) शेष होता है ( आईबीएम कंपेटिबल कंप्यूटर (IBM-compatible computers) में बायोस (BIOS) के रूप में जाना जाता है)। इस व्यवस्था को अधिक जटिल और आसानी से अपग्रेड करने योग्य ऑपरेटिंग सिस्टम के लिए अनुमति दी गई है।


रोम और उत्तराधिकारी प्रौद्योगिकियां जैसे फ्लैश एम्बेडेड सिस्टम में प्रचलित हैं। ये औद्योगिक रोबोट से लेकर घरेलू उपकरणों और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स (एमपी 3 प्लेयर, सेट-टॉप बॉक्स, आदि) तक सभी में हैं, जो सभी विशिष्ट कार्यों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं, लेकिन सामान्य-उद्देश्य माइक्रोप्रोसेसर्स पर आधारित हैं। सॉफ़्टवेयर के साथ आमतौर पर हार्डवेयर के लिए कसकर युग्मित किया जाता है, ऐसे उपकरणों में कार्यक्रम में बदलाव की आवश्यकता होती है (जिसमें आमतौर पर लागत, आकार या बिजली की खपत के कारणों के लिए कठिन डिस्क की कमी होती है)। 2008 तक, अधिकांश उत्पाद मास्क रोम के बजाय फ्लैश का उपयोग करते हैं, और कई फर्मवेयर अपडेट के लिए एक पीसी से कनेक्ट करने के लिए कुछ साधन प्रदान करते हैं; उदाहरण के लिए, एक डिजिटल ऑडियो प्लेयर को एक नए फ़ाइल प्रारूप का समर्थन करने के लिए अपडेट किया जा सकता है। कुछ शौकियों ने नए उद्देश्यों के लिए उपभोक्ता उत्पादों को फिर से शुरू करने के लिए इस लचीलेपन का लाभ उठाया है; उदाहरण के लिए, iPodlinux और OpenWRT परियोजनाओं ने उपयोगकर्ताओं को क्रमशः अपने MP3 खिलाड़ियों और वायरलेस राउटर पर पूर्ण-विशेषताओं वाले लिनक्स वितरण को चलाने में सक्षम बनाया है।
आधुनिक पीसी में,रोम (ROM) का उपयोग प्रोसेसर के लिए बुनियादी बूटस्ट्रैपिंग फर्मवेयर (bootstrapping firmware) को स्टोर करने के लिए किया जाता है, साथ ही ग्राफिक कार्ड (graphic cards), हार्ड डिस्क ड्राइव (hard disk drives), सॉलिड स्टेट ड्राइव (solid state drives), ऑप्टिकल डिस्क ड्राइव (optical disc drives), टीएफटी स्क्रीन (TFT screens) जैसे स्व-निहित उपकरणों जैसे आंतरिक रूप से नियंत्रण के लिए आवश्यक विभिन्न फर्मवेयर (firmware) की आवश्यकता होती है, सिस्टम में। आज, इनमें से कई रीड-ओनली मेमोरी (ROM)-विशेष रूप से BIOS/UEFI-को अक्सर EEPROM या फ्लैश मेमोरी (नीचे देखें) के साथ बदल दिया जाता है, इन-प्लेस रिप्रोग्रामिंग (in-place reprogramming) को अनुमति देने के लिए एक फर्मवेयर अपग्रेड (firmware upgrade) की आवश्यकता होती है। हालांकि, सरल और परिपक्व उप-सिस्टम (जैसे कि कीबोर्ड या मुख्य बोर्ड पर एकीकृत सर्किट में कुछ संचार नियंत्रक, उदाहरण के लिए) मास्क रोम (mask ROM) या प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM) को नियोजित कर सकते हैं। ओटीपी (OTP) (एक-समय प्रोग्रामेबल)।


ROM क्रिप्टोग्राफिक डेटा के बाइनरी स्टोरेज के लिए भी उपयोगी है, क्योंकि यह उन्हें बदलना मुश्किल बनाता है, जो सूचना सुरक्षा को बढ़ाने के लिए वांछनीय हो सकता है।
रोम और उत्तरोत्तर प्रौद्योगिकियां जैसे फ्लैश (flash) एम्बेडेड सिस्टम (embedded systems) में प्रचलित हैं। ये औद्योगिक रोबोट से लेकर घरेलू उपकरणों और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स (एमपी 3 प्लेयर, सेट-टॉप बॉक्स, आदि) तक सभी में हैं, जो सभी विशिष्ट कार्यों के लिए डिज़ाइन किए गए हैं, लेकिन सामान्य-उद्देश्य माइक्रोप्रोसेसर्स पर आधारित हैं। सॉफ़्टवेयर के साथ आमतौर पर हार्डवेयर को युग्मित किया जाता है, ऐसे उपकरणों में कार्यक्रम में बदलाव की आवश्यकता होती है (जिसमें आमतौर पर लागत, आकार या बिजली की खपत के कारणों के लिए कठिन डिस्क की कमी होती है)। 2008 तक, अधिकांश उत्पाद मास्क रोम (MASK ROM) के बजाय फ्लैश का उपयोग करते थे, और कई फर्मवेयर (firmware) अपडेट के लिए एक पीसी (PC) से कनेक्ट करने के लिए कुछ साधन प्रदान करते हैं; उदाहरण के लिए, एक डिजिटल ऑडियो प्लेयर को एक नए फ़ाइल प्रारूप का समर्थन करने के लिए अपडेट किया जा सकता है। कुछ शौकीनों ने नए उद्देश्यों के लिए उपभोक्ता उत्पादों को फिर से शुरू करने के लिए इस लचीलेपन का लाभ उठाया है; उदाहरण के लिए, आईपॉडलाइनक्स (iPodlinux) और ओपनरिट (OpenWRT) परियोजनाओं ने उपयोगकर्ताओं को क्रमशः अपने एमपी थ्री (MP3) खिलाड़ियों और वायरलेस राउटर (wireless routers) पर पूर्ण-विशेषताओं वाले लिनक्स (LINUX) वितरण को चलाने में सक्षम बनाया है।


=== डेटा संग्रहीत करने के लिए उपयोग करें ===
रोम (ROM) क्रिप्टोग्राफिक (cryptographic) डेटा के बाइनरी स्टोरेज (inary storage )के लिए भी उपयोगी है, क्योंकि उन्हें बदलना मुश्किल बनाता है, जो सूचना सुरक्षा को बढ़ाने के लिए वांछनीय हो सकता है।


चूंकि ROM (कम से कम हार्ड-वायर्ड मास्क रूप में) को संशोधित नहीं किया जा सकता है, यह केवल डेटा को संग्रहीत करने के लिए उपयुक्त है, जिसे डिवाइस के जीवन के लिए संशोधन की आवश्यकता नहीं है। उस अंत तक, गणितीय और तार्किक कार्यों के मूल्यांकन के लिए लुक-अप तालिकाओं को स्टोर करने के लिए कई कंप्यूटरों में ROM का उपयोग किया गया है (उदाहरण के लिए, एक फ्लोटिंग-पॉइंट यूनिट टेबल-अप टेबल#साइन टेबल उदाहरण हो सकता है। तेजी से गणना की सुविधा के लिए)। यह विशेष रूप से प्रभावी था जब CPU धीमा था और RAM की तुलना में ROM सस्ता था।
=== डेटा संग्रहीत करने के लिए उपयोग करें  (Use for storing data) ===


विशेष रूप से, शुरुआती व्यक्तिगत कंप्यूटरों के प्रदर्शन एडेप्टर ने ROM में बिटमैप्ड फ़ॉन्ट वर्णों की तालिकाओं को संग्रहीत किया। इसका आमतौर पर मतलब था कि टेक्स्ट डिस्प्ले फ़ॉन्ट को इंटरैक्टिव रूप से नहीं बदला जा सकता है। यह आईबीएम पीसी एक्सटी के साथ उपलब्ध सीजीए और एमडीए एडेप्टर दोनों के लिए मामला था।
चूंकि रोम (ROM) (कम से कम हार्ड-वायर्ड मास्क (hard-wired mask form) रूप में) को संशोधित नहीं किया जा सकता है, यह केवल डेटा को संग्रहीत करने के लिए उपयुक्त है, जिसे डिवाइस के जीवन के लिए संशोधन की आवश्यकता नहीं है। गणितीय और तार्किक कार्यों के मूल्यांकन के लिए लुक-अप तालिकाओं (look-up tables) को स्टोर करने के लिए कई कंप्यूटरों में रोम (ROM) का उपयोग किया गया है (उदाहरण के लिए, एक फ्लोटिंग-पॉइंट इकाई (floating-point unit) तेजी से गणना की सुविधा के लिए साइन फ़ंक्शन (tabulate the sine function) को सारणीबद्ध कर सकती है)। यह विशेष रूप से प्रभावी था जब सीपीयू (CPU) धीमा था और रैम (RAM) की तुलना में रोम (ROM) सस्ता था।


ऐसी छोटी मात्रा में डेटा को स्टोर करने के लिए ROM का उपयोग आधुनिक सामान्य-उद्देश्य वाले कंप्यूटरों में लगभग पूरी तरह से गायब हो गया है। हालांकि, नंद फ्लैश ने बड़े पैमाने पर भंडारण या फ़ाइलों के माध्यमिक भंडारण के लिए एक माध्यम के रूप में एक नई भूमिका निभाई है।
विशेष रूप से, शुरुआती पर्सनल कंप्यूटरों के प्रदर्शन एडेप्टर  (display adapters) ने रोम (ROM) में बिटमैप्ड फ़ॉन्ट वर्णों (bitmapped font characters) की तालिकाओं को संग्रहीत किया। इसका आमतौर पर मतलब था कि टेक्स्ट डिस्प्ले फ़ॉन्ट  (text display font) को इंटरैक्टिव (interactively) रूप से नहीं बदला जा सकता है। यह स्थिति आईबीएम पीसी एक्सटी  (IBM PC XT)  के साथ उपलब्ध सीजीए (CGA) और एमडीए एडेप्टर  (MDA adapters) दोनों के लिए था।
 
ऐसी छोटी मात्रा में डेटा को स्टोर करने के लिए रोम (ROM) का उपयोग आधुनिक सामान्य-उद्देश्य वाले कंप्यूटरों में लगभग पूरी तरह से समाप्त सा हो गया है। हालांकि, (NAND Flash) नंद फ्लैश ने बड़े पैमाने पर भंडारण या फ़ाइलों के माध्यमिक भंडारण (secondary storage) के लिए एक माध्यम के रूप में एक नई भूमिका निभाई है।


== प्रकार ==
== प्रकार ==
Line 73: Line 76:




=== फैक्ट्री प्रोग्राम्ड ===
=== फैक्ट्री प्रोग्राम्ड   (Factory programmed) ===
 
मास्क रोम (MASK ROM) एक रीड-ओनली मेमोरी (ROM) है जिसकी सामग्री एकीकृत सर्किट निर्माता (उपयोगकर्ता के बजाय) द्वारा प्रोग्राम की जाती है। वांछित मेमोरी सामग्री ग्राहक द्वारा डिवाइस निर्माता को सुसज्जित की जाती है। मेमोरी चिप पर इंटरकनेक्शन (interconnections) के अंतिम धातुकरण (metallization) के  लिए वांछित डेटा को एक कस्टम मास्क परत (custom mask layer) में परिवर्तित किया जाता है ।


मास्क रोम एक रीड-ओनली मेमोरी है जिसकी सामग्री एकीकृत सर्किट निर्माता (उपयोगकर्ता द्वारा बजाय) द्वारा प्रोग्राम की जाती है। वांछित मेमोरी सामग्री ग्राहक द्वारा डिवाइस निर्माता को सुसज्जित की जाती है। वांछित डेटा मेमोरी चिप (इसलिए नाम) पर इंटरकनेक्ट के अंतिम धातुकरण के लिए एक कस्टम मास्क परत में परिवर्तित किया जाता है।
किसी परियोजना के विकास के चरण के लिए, यूवी-ईप्रोम (UV-EPROM) या ईईपीआरओएम ( EEPROM) जैसे पुनर्जीवित गैर-वाष्पशील मेमोरी (rewritable non-volatile memory) का उपयोग करना सामान्य बात है, और कोड को अंतिम रूप देने पर मास्क रोम (mask ROM) पर स्विच करने के लिए, उदाहरण के लिए, (Atmel Microcontrollers EEPROM) और मास्क रोम (mask-ROM) स्वरूप दोनों में आते हैं।


किसी परियोजना के विकास के चरण के लिए, यूवी-ईप्रोम या ईईपीआरओएम जैसे पुनर्जीवित गैर-वाष्पशील मेमोरी का उपयोग करना आम बात है, और कोड को अंतिम रूप देने पर मास्क रोम पर स्विच करने के लिए। उदाहरण के लिए, Atmel Microcontrollers EEPROM और मास्क ROM स्वरूप दोनों में आते हैं।
मास्क रोम (MASK ROM) का मुख्य लाभ इसकी लागत है। प्रति बिट, मास्क रोम (mask-ROM) किसी भी अन्य प्रकार की अर्धचालक मेमोरी की तुलना में अधिक कॉम्पैक्ट (compact) है। चूंकि एक एकीकृत सर्किट की लागत दृढ़ता इसके आकार पर निर्भर करती है, इसलिए मास्क रोम (mask-ROM)  किसी भी अन्य प्रकार की अर्धचालक मेमोरी की तुलना में काफी सस्ता है।


मास्क रोम का मुख्य लाभ इसकी लागत है। बिट, मास्क रोम किसी भी अन्य प्रकार की अर्धचालक मेमोरी की तुलना में अधिक कॉम्पैक्ट है। चूंकि एक एकीकृत सर्किट की लागत दृढ़ता से इसके आकार पर निर्भर करती है, इसलिए मास्क रोम किसी भी अन्य प्रकार की अर्धचालक मेमोरी की तुलना में काफी सस्ता है।
हालांकि, एक बार मास्किंग की लागत अधिक है और डिजाइन से उत्पाद चरण तक एक लंबा मोड़ (long turn-around time from design) है। डिज़ाइन त्रुटियां कॉस्टली (costly) हैं: यदि डेटा या कोड में कोई त्रुटि पाई जाती है, तो मास्क रोम (mask-ROM) बेकार है और कोड या डेटा को बदलने के लिए इसे बदल दिया जाना चाहिए।<ref>{{cite book|first1=Paul|last1=Horowitz|first2=Winfield|last2=Hill|title=The Art of Electronics|edition=Third |publisher=[[Cambridge University Press]]|isbn=0-521-37095-7|page=817}}</ref>


हालांकि, एक बार के मास्किंग लागत अधिक है और डिजाइन से उत्पाद चरण तक एक लंबा मोड़ है। डिज़ाइन त्रुटियां महंगी हैं: यदि डेटा या कोड में कोई त्रुटि पाई जाती है, तो मास्क रोम बेकार है और कोड या डेटा को बदलने के लिए इसे बदल दिया जाना चाहिए।<ref>{{cite book|first1=Paul|last1=Horowitz|first2=Winfield|last2=Hill|title=The Art of Electronics|edition=Third |publisher=[[Cambridge University Press]]|isbn=0-521-37095-7|page=817}}</ref>
{{As of|2003}}, 2003 तक चार कंपनियां इस तरह के अधिकांश मास्क रोम चिप्स (mask ROM chips) का उत्पादन करती थी: सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (Samsung Electronics), एनईसी कॉर्पोरेशन (NEC Corporation), ओकी इलेक्ट्रिक इंडस्ट्री (Oki Electric Industry) और मैक्रोनिक्स (Macronix)।<ref>{{cite magazine|url=http://techon.nikkeibp.co.jp/NEA/archive/200307/254214/|title=Technology Analysis: Oki P2ROM to Replace Mask ROM, Flash EEPROM"|first=Motoyuki|last=Oishi|date=July 2003|magazine=Nikkei Electronics Asia|archive-url=https://web.archive.org/web/20071021033128/http://techon.nikkeibp.co.jp/NEA/archive/200307/254214/|archive-date=2007-10-21}}</ref>{{update inline|date=November 2013}}


{{As of|2003}}, चार कंपनियां इस तरह के अधिकांश मास्क रोम चिप्स का उत्पादन करती हैं: सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, एनईसी कॉर्पोरेशन, ओकी इलेक्ट्रिक इंडस्ट्री और मैक्रोनिक्स।<ref>{{cite magazine|url=http://techon.nikkeibp.co.jp/NEA/archive/200307/254214/|title=Technology Analysis: Oki P2ROM to Replace Mask ROM, Flash EEPROM"|first=Motoyuki|last=Oishi|date=July 2003|magazine=Nikkei Electronics Asia|archive-url=https://web.archive.org/web/20071021033128/http://techon.nikkeibp.co.jp/NEA/archive/200307/254214/|archive-date=2007-10-21}}</ref>{{update inline|date=November 2013}}
कुछ एकीकृत सर्किट में केवल मास्क रोम (mask-ROM) होता है। अन्य एकीकृत सर्किट में मास्क रोम (mask-ROM) के साथ -साथ अन्य उपकरणों की एक किस्म भी शामिल हैं। विशेष रूप से, कई माइक्रोप्रोसेसरों के पास अपने माइक्रोकोड को स्टोर करने के लिए मास्क रोम (mask-ROM) होता है। कुछ माइक्रोकंट्रोलर्स (microcontrollers) में बूटलोडर (bootloader) या उनके सभी फर्मवेयर (firmware) को स्टोर करने के लिए मास्क रोम mask-ROM)ह ै।
कुछ एकीकृत सर्किट में केवल मास्क रोम होता है।अन्य एकीकृत सर्किट में मास्क रोम के साथ -साथ अन्य उपकरणों की एक किस्म भी शामिल हैं।विशेष रूप से, कई माइक्रोप्रोसेसरों के पास अपने माइक्रोकोड को स्टोर करने के लिए मास्क रोम होता है।कुछ माइक्रोकंट्रोलर्स में बूटलोडर या उनके सभी फर्मवेयर को स्टोर करने के लिए मास्क रोम है।


क्लासिक मास्क-प्रोग्राम किए गए रोम चिप्स को एकीकृत सर्किट किया जाता है जो भौतिक रूप से संग्रहीत करने के लिए डेटा क