फोटोरिस्टर: Difference between revisions

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एक फोटोरेसिस्टर (जिसे फोटोकेल, या प्रकाश-निर्भर प्रतिरोधी, एलडीआर, या फोटो-प्रवाहकीय सेल के रूप में भी जाना जाता है) एक निष्क्रिय घटक है जो घटक की संवेदनशील सतह पर चमकदारता (प्रकाश) प्राप्त करने के संबंध में प्रतिरोध को कम करता है। आपतित प्रकाश की तीव्रता में वृद्धि के साथ एक फोटोरेसिस्टर का विद्युत प्रतिरोध घटता है; दूसरे शब्दों में, यह [[फोटोकंडक्टिविटी]] प्रदर्शित करता है। प्रकाश-संवेदनशील डिटेक्टर सर्किट और प्रकाश-सक्रिय और अंधेरे-सक्रिय स्विचिंग सर्किट में प्रतिरोध [[अर्धचालक]] के रूप में कार्य करने के लिए एक फोटोरेसिस्टर लगाया जा सकता है। अंधेरे में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कई [[ओम]] (MΩ) जितना अधिक हो सकता है, जबकि प्रकाश में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कुछ सौ ओम जितना कम हो सकता है। यदि एक फोटोरेसिस्टर पर आपतित प्रकाश एक निश्चित [[आवृत्ति]] से अधिक हो जाता है, तो सेमीकंडक्टर द्वारा अवशोषित फोटॉन बाध्य [[इलेक्ट्रॉन]]ों को [[चालन बैंड]] में कूदने के लिए पर्याप्त ऊर्जा देते हैं। परिणामी मुक्त इलेक्ट्रॉन (और उनके इलेक्ट्रॉन छिद्र भागीदार) बिजली का संचालन करते हैं, जिससे विद्युत प्रतिरोध कम होता है। एक फोटोरेसिस्टर की प्रतिरोध सीमा और संवेदनशीलता अलग-अलग उपकरणों के बीच काफी भिन्न हो सकती है। इसके अलावा, अद्वितीय फोटोरेसिस्टर्स कुछ तरंग दैर्ध्य बैंडों के भीतर [[फोटोन]] के लिए काफी अलग तरह से प्रतिक्रिया कर सकते हैं।
एक फोटोरेसिस्टर (जिसे फोटोकेल, या प्रकाश-निर्भर प्रतिरोधी, एलडीआर, या फोटो-प्रवाहकीय सेल के रूप में भी जाना जाता है) एक निष्क्रिय घटक है जो घटक की संवेदनशील सतह पर चमकदारता (प्रकाश) प्राप्त करने के संबंध में प्रतिरोध को कम करता है। आपतित प्रकाश की तीव्रता में वृद्धि के साथ फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध घटता है; दूसरे शब्दों में, यह [[फोटोकंडक्टिविटी]] प्रदर्शित करता है। प्रकाश-संवेदनशील डिटेक्टर परिपथ और प्रकाश-सक्रिय और अंधेरे-सक्रिय स्विचिंग परिपथ में प्रतिरोध [[अर्धचालक]] के रूप में कार्य करने के लिए एक फोटोरेसिस्टर लगाया जा सकता है। अंधेरे में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कई [[Index.php?title=मेगाओम|मेगाओम]] (MΩ) जितना अधिक हो सकता है, जबकि प्रकाश में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कुछ सौ ओम जितना कम हो सकता है। यदि एक फोटोरेसिस्टर पर आपतित प्रकाश एक निश्चित [[आवृत्ति]] से अधिक हो जाता है, तो सेमीकंडक्टर द्वारा अवशोषित फोटॉन बाध्य [[Index.php?title=इलेक्ट्रॉनों|इलेक्ट्रॉनों]] को [[चालन बैंड]] में कूदने के लिए पर्याप्त ऊर्जा देते हैं। परिणामी मुक्त इलेक्ट्रॉन (और उनके छिद्र भागीदार) बिजली का संचालन करते हैं, जिससे प्रतिरोध कम होता है। एक फोटोरेसिस्टर की प्रतिरोध सीमा और संवेदनशीलता अलग-अलग उपकरणों के बीच काफी भिन्न हो सकती है। इसके अलावा, अद्वितीय फोटोरेसिस्टर्स कुछ तरंग दैर्ध्य बैंडों के भीतर [[Index.php?title=फोटॉनों|फोटॉनों]] के लिए काफी अलग तरह से प्रतिक्रिया कर सकते हैं।


एक फोटोइलेक्ट्रिक डिवाइस या तो आंतरिक या बाहरी हो सकता है। एक आंतरिक अर्धचालक के अपने स्वयं के आवेश वाहक होते हैं और यह एक कुशल अर्धचालक नहीं होता है, उदाहरण के लिए, सिलिकॉन। आंतरिक उपकरणों में, अधिकांश उपलब्ध इलेक्ट्रॉन [[संयोजी बंध]] में होते हैं, और इसलिए पूरे [[ऊर्जा अंतराल]] में [[इलेक्ट्रॉन छेद]] उत्तेजित करने के लिए फोटॉन में पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए। बाहरी उपकरणों में अशुद्धियाँ होती हैं, जिन्हें [[डोपेंट]] भी कहा जाता है, जिनकी जमीनी अवस्था ऊर्जा चालन बैंड के करीब होती है; चूंकि इलेक्ट्रॉनों के पास छलांग लगाने के लिए उतनी दूर नहीं है, डिवाइस को ट्रिगर करने के लिए कम ऊर्जा फोटॉन (यानी, लंबी तरंग दैर्ध्य और कम आवृत्तियां) पर्याप्त हैं। यदि सिलिकॉन के एक नमूने में इसके कुछ परमाणु फॉस्फोरस परमाणुओं (अशुद्धियों) द्वारा प्रतिस्थापित किए गए हैं, तो चालन के लिए अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होंगे। यह बाह्य अर्धचालक का एक उदाहरण है।<ref>{{cite book|last=Diffenderfes|first=Robert|title=Electronic Devices: System and Applications|year=2005|publisher=Delimar|location=New Delhi|isbn=978-1401835149|pages=480}}</ref>
एक फोटोइलेक्ट्रिक डिवाइस या तो आंतरिक या बाहरी हो सकता है। एक आंतरिक अर्धचालक के अपने स्वयं के आवेश वाहक होते हैं और यह एक कुशल अर्धचालक नहीं होता है, उदाहरण के लिए, सिलिकॉन। आंतरिक उपकरणों में, अधिकांश उपलब्ध इलेक्ट्रॉन [[संयोजी बंध]] में होते हैं, और इसलिए पूरे [[ऊर्जा अंतराल]] में [[इलेक्ट्रॉन छेद|इलेक्ट्रॉन]] को उत्तेजित करने के लिए फोटॉन में पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए। बाहरी उपकरणों में अशुद्धियाँ होती हैं, जिन्हें [[डोपेंट]] भी कहा जाता है, जिनकी जमीनी अवस्था ऊर्जा चालन बैंड के निकट होती है; चूंकि इलेक्ट्रॉनों के पास छलांग लगाने के लिए उतनी दूर नहीं है, डिवाइस को ट्रिगर करने के लिए कम ऊर्जा फोटॉन (अर्थात, लंबी तरंग दैर्ध्य और कम आवृत्तियां) पर्याप्त हैं। यदि सिलिकॉन के एक नमूने में इसके कुछ परमाणु फॉस्फोरस परमाणुओं (अशुद्धियों) द्वारा प्रतिस्थापित किए गए हैं, तो चालन के लिए अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होंगे। यह बाह्य अर्धचालक का एक उदाहरण है।<ref>{{cite book|last=Diffenderfes|first=Robert|title=Electronic Devices: System and Applications|year=2005|publisher=Delimar|location=New Delhi|isbn=978-1401835149|pages=480}}</ref>




== डिजाइन विचार ==
== रचना विवेचन ==
[[File:Photoresistors - three sizes - mm scale.jpg|thumb|upright=1.2|मिमी में स्केल के साथ तीन फोटोरेसिस्टर्स]]
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[[File:CdS Photocell.jpg|thumb|स्ट्रीट लाइट से बड़ा सीडीएस फोटोकेल।]]एक [[photodiode]] या एक [[phototransistor]] की तुलना में एक फोटोरेसिस्टर कम प्रकाश-संवेदनशील होता है। बाद के दो घटक सच्चे [[अर्धचालक उपकरण]] हैं, जबकि एक फोटोरेसिस्टर एक निष्क्रिय घटक है जिसमें पी-एन जंक्शन नहीं है। पीएन-जंक्शन। किसी भी फोटोरेसिस्टर की फोटोरेसिस्टिविटी परिवेश के तापमान के आधार पर व्यापक रूप से भिन्न हो सकती है, जिससे वे उन अनुप्रयोगों के लिए अनुपयुक्त हो जाते हैं जिनके लिए सटीक माप या प्रकाश फोटॉन की संवेदनशीलता की आवश्यकता होती है।
[[File:CdS Photocell.jpg|thumb|स्ट्रीट लाइट से बड़ा सीडीएस फोटोकेल।]]एक [[Index.php?title=फोटोडायोड|फोटोडायोड]] या एक [[Index.php?title=फोटोट्रांसिस्टर|फोटोट्रांसिस्टर]] की तुलना में एक फोटोरेसिस्टर कम प्रकाश-संवेदनशील होता है। बाद के दो घटक सच्चे [[अर्धचालक उपकरण]] हैं, जबकि एक फोटोरेसिस्टर एक निष्क्रिय घटक है जिसमें पी-एन जंक्शन नहीं है। किसी भी फोटोरेसिस्टर की फोटोरेसिस्टिविटी परिवेश के तापमान के आधार पर व्यापक रूप से भिन्न हो सकती है, जिससे वे उन अनुप्रयोगों के लिए अनुपयुक्त हो जाते हैं जिनके लिए सटीक माप या प्रकाश फोटॉन की संवेदनशीलता की आवश्यकता होती है।


Photoresistors प्रकाश के संपर्क में आने और प्रतिरोध में बाद में कमी के बीच आमतौर पर लगभग 10 मिलीसेकंड के बीच [[विलंबता (इंजीनियरिंग)]] की एक निश्चित डिग्री प्रदर्शित करते हैं। रोशनी से अंधेरे वातावरण में जाने में अंतराल का समय और भी अधिक होता है, अक्सर एक सेकंड जितना लंबा होता है। यह संपत्ति उन्हें तेजी से चमकती रोशनी को महसूस करने के लिए अनुपयुक्त बनाती है, लेकिन कभी-कभी ऑडियो सिग्नल संपीड़न की प्रतिक्रिया को सुगम बनाने के लिए उपयोग की जाती है।<ref>{{cite web|url=http://www.resistorguide.com/photoresistor/|title=Photo resistor - Light Dependent Resistor (LDR) » Resistor Guide|website=resistorguide.com|access-date=19 April 2018}}</ref>
फोटोरेसिस्टर भी प्रकाश के संपर्क में आने और प्रतिरोध में बाद में कमी के बीच एक निश्चित डिग्री की विलंबता प्रदर्शित करते हैं, सामान्यतः लगभग 10 मिलीसेकंड। रोशनी से अंधेरे वातावरण में जाने में अंतराल का समय और भी अधिक होता है, प्रायः एक सेकंड जितना लंबा होता है। यह संपत्ति उन्हें तेजी से चमकती रोशनी को महसूस करने के लिए अनुपयुक्त बनाती है, लेकिन कभी-कभी ऑडियो सिग्नल संपीड़न की प्रतिक्रिया को सुगम बनाने के लिए इसका उपयोग किया जाता है।<ref>{{cite web|url=http://www.resistorguide.com/photoresistor/|title=Photo resistor - Light Dependent Resistor (LDR) » Resistor Guide|website=resistorguide.com|access-date=19 April 2018}}</ref>




== अनुप्रयोग ==
== अनुप्रयोग ==
[[Image:Streetlight control.jpg|thumb|एक विशिष्ट अमेरिकी [[स्ट्रीट लाईट]] के लिए एक फोटोइलेक्ट्रिक नियंत्रण के आंतरिक घटक। फोटोरेसिस्टर दाईं ओर है और यह नियंत्रित करता है कि क्या हीटर के माध्यम से करंट प्रवाहित होता है जो मुख्य बिजली संपर्कों को खोलता है। रात में, हीटर ठंडा हो जाता है, बिजली के संपर्क बंद हो जाते हैं, स्ट्रीट लाइट सक्रिय हो जाती है।]]Photoresistors कई तरह के आते हैं। सस्ते [[कैडमियम सल्फाइड]] (CdS) सेल कई उपभोक्ता वस्तुओं जैसे कैमरा लाइट मीटर, क्लॉक रेडियो, [[अलार्म डिवाइस]] (लाइट बीम के लिए डिटेक्टर के रूप में), [[रात का चिराग़]]्स, आउटडोर क्लॉक, सोलर स्ट्रीट लैंप और सोलर रोड स्टड आदि में पाए जा सकते हैं। .
[[Image:Streetlight control.jpg|thumb|एक विशिष्ट अमेरिकी [[स्ट्रीट लाईट]] के लिए एक फोटोइलेक्ट्रिक नियंत्रण के आंतरिक घटक। फोटोरेसिस्टर दाईं ओर है और यह नियंत्रित करता है कि क्या हीटर के माध्यम से करंट प्रवाहित होता है जो मुख्य बिजली संपर्कों को खोलता है। रात में, हीटर ठंडा हो जाता है, बिजली के संपर्क बंद हो जाते हैं, स्ट्रीट लाइट सक्रिय हो जाती है।]]फोटोरेसिस्टर कई तरह के आते हैं। सस्ते [[कैडमियम सल्फाइड]] (CdS) सेल कई उपभोक्ता वस्तुओं जैसे कैमरा लाइट मीटर, क्लॉक रेडियो, [[अलार्म डिवाइस]] (लाइट बीम के लिए डिटेक्टर के रूप में), [[Index.php?title=नाइटलाइट्स|नाइटलाइट्स]], आउटडोर क्लॉक, सोलर स्ट्रीट लैंप और सोलर रोड स्टड आदि में पाए जा सकते हैं। .


रोशनी चालू होने पर नियंत्रित करने के लिए फोटोरेसिस्टर्स को स्ट्रीटलाइट्स में रखा जा सकता है। फ़ोटोरेसिस्टर पर पड़ने वाली परिवेशी रोशनी स्ट्रीटलाइट को बंद कर देती है। इस प्रकार यह सुनिश्चित करने से ऊर्जा की बचत होती है कि केवल अंधेरे के घंटों के दौरान ही प्रकाश चालू रहता है।
रोशनी चालू होने पर नियंत्रित करने के लिए फोटोरेसिस्टर्स को स्ट्रीटलाइट्स में रखा जा सकता है। फ़ोटोरेसिस्टर पर पड़ने वाली परिवेशी रोशनी स्ट्रीटलाइट को बंद कर देती है। इस प्रकार यह सुनिश्चित करने से ऊर्जा की बचत होती है कि केवल अंधेरे के घंटों के दौरान ही प्रकाश चालू रहता है।


जब कोई व्यक्ति/वस्तु लेजर बीम से गुजरती है तो प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन का पता लगाने के लिए लेजर-आधारित सुरक्षा प्रणालियों में Photoresistors या LDR का भी उपयोग किया जाता है।
जब कोई व्यक्ति/वस्तु लेजर बीम से गुजरती है तो प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन का पता लगाने के लिए लेजर-आधारित सुरक्षा प्रणालियों में फोटोरेसिस्टर या एलडीआर का भी उपयोग किया जाता है।


लाभ में कमी को नियंत्रित करने के लिए एक छोटे गरमागरम दीपक या [[नीयन दीपक]], या [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] के साथ उनका उपयोग कुछ डायनामिक_रेंज_संपीड़न में भी किया जाता है। इस एप्लिकेशन का एक सामान्य उपयोग कई [[गिटार एम्पलीफायरों]] में पाया जा सकता है जो ऑनबोर्ड [[ट्रेमोलो (इलेक्ट्रॉनिक प्रभाव)]] प्रभाव को शामिल करते हैं, क्योंकि दोलनशील प्रकाश पैटर्न एम्पलीफायर सर्किट के माध्यम से चलने वाले सिग्नल के स्तर को नियंत्रित करते हैं।
वे लाभ में कमी को नियंत्रित करने के लिए एक छोटे गरमागरम या [[Index.php?title=नियॉन लैंप|नियॉन लैंप]], या [[प्रकाश उत्सर्जक डायोड]] के साथ कुछ गतिशील कंप्रेशर्स में भी उपयोग किए जाते हैं। इस एप्लिकेशन का एक सामान्य उपयोग कई [[गिटार एम्पलीफायरों]] में पाया जा सकता है जो ऑनबोर्ड [[Index.php?title=ट्रेमोलो प्रभाव|ट्रेमोलो प्रभाव]] प्रभाव को सम्मिलित करते हैं, क्योंकि दोलनशील प्रकाश पैटर्न एम्पलीफायर परिपथ के माध्यम से चलने वाले सिग्नल के स्तर को नियंत्रित करते हैं।


सीडीएस और [[कैडमियम सेलेनाइड]] का उपयोग<ref>{{cite web |title=Silonex: ''TO-18 photocells on ceramic substrate'' |url=http://www.silonex.com/datasheets/specs/images/pdf/102899.pdf |format=PDF |access-date=17 October 2013 |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20130401053725/http://www.silonex.com/datasheets/specs/images/pdf/102899.pdf |archive-date=1 April 2013 }}</ref> [[कैडमियम]] पर खतरनाक पदार्थों के निर्देशात्मक प्रतिबंध के प्रतिबंध के कारण यूरोप में फोटोरेसिस्टर्स गंभीर रूप से प्रतिबंधित हैं।
कैडमियम पर RoHS प्रतिबंध के कारण यूरोप में CdS और CdSe<ref>{{cite web |title=Silonex: ''TO-18 photocells on ceramic substrate'' |url=http://www.silonex.com/datasheets/specs/images/pdf/102899.pdf |format=PDF |access-date=17 October 2013 |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20130401053725/http://www.silonex.com/datasheets/specs/images/pdf/102899.pdf |archive-date=1 April 2013 }}</ref> फोटोरेसिस्टर्स का उपयोग गंभीर रूप से प्रतिबंधित है।


लीड (II) सल्फाइड (PbS) और [[इंडियम एंटीमोनाइड]] (InSb) LDRs (लाइट-डिपेंडेंट रेसिस्टर्स) का उपयोग मध्य-[[अवरक्त]] वर्णक्रमीय क्षेत्र के लिए किया जाता है। [[जर्मेनियम]]: [[ताँबा]] फोटोकंडक्टर उपलब्ध सर्वोत्तम दूर-अवरक्त डिटेक्टरों में से हैं, और इन्फ्रारेड खगोल विज्ञान और [[अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी]] के लिए उपयोग किए जाते हैं।
लीड सल्फाइड (PbS) और [[इंडियम एंटीमोनाइड]] (InSb) LDRs (लाइट-डिपेंडेंट रेसिस्टर्स) का उपयोग मध्य-[[अवरक्त]] वर्णक्रमीय क्षेत्र के लिए किया जाता है। [[जर्मेनियम]]: [[ताँबा]] फोटोकंडक्टर उपलब्ध सर्वोत्तम दूर-अवरक्त डिटेक्टरों में से हैं, और अवरक्त खगोल विज्ञान और [[अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी]] के लिए उपयोग किए जाते हैं।


== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* [[Optoelectronics]]
* [[Index.php?title=ऑप्टो इलेक्ट्रोनिकी|ऑप्टो इलेक्ट्रोनिकी]]
*[[फोटोडिटेक्टर]]
*[[फोटोडिटेक्टर]]


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Latest revision as of 10:48, 24 February 2023

फोटोरिस्टर
LDR 1480405 6 7 HDR Enhancer 1.jpg
प्रकारनिष्क्रिय
Working principleफोटोकंडक्टिविटी
Electronic symbol
Photoresistor symbol.svg
एक फोटोरेसिस्टर के लिए प्रतीक

एक फोटोरेसिस्टर (जिसे फोटोकेल, या प्रकाश-निर्भर प्रतिरोधी, एलडीआर, या फोटो-प्रवाहकीय सेल के रूप में भी जाना जाता है) एक निष्क्रिय घटक है जो घटक की संवेदनशील सतह पर चमकदारता (प्रकाश) प्राप्त करने के संबंध में प्रतिरोध को कम करता है। आपतित प्रकाश की तीव्रता में वृद्धि के साथ फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध घटता है; दूसरे शब्दों में, यह फोटोकंडक्टिविटी प्रदर्शित करता है। प्रकाश-संवेदनशील डिटेक्टर परिपथ और प्रकाश-सक्रिय और अंधेरे-सक्रिय स्विचिंग परिपथ में प्रतिरोध अर्धचालक के रूप में कार्य करने के लिए एक फोटोरेसिस्टर लगाया जा सकता है। अंधेरे में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कई मेगाओम (MΩ) जितना अधिक हो सकता है, जबकि प्रकाश में, एक फोटोरेसिस्टर का प्रतिरोध कुछ सौ ओम जितना कम हो सकता है। यदि एक फोटोरेसिस्टर पर आपतित प्रकाश एक निश्चित आवृत्ति से अधिक हो जाता है, तो सेमीकंडक्टर द्वारा अवशोषित फोटॉन बाध्य इलेक्ट्रॉनों को चालन बैंड में कूदने के लिए पर्याप्त ऊर्जा देते हैं। परिणामी मुक्त इलेक्ट्रॉन (और उनके छिद्र भागीदार) बिजली का संचालन करते हैं, जिससे प्रतिरोध कम होता है। एक फोटोरेसिस्टर की प्रतिरोध सीमा और संवेदनशीलता अलग-अलग उपकरणों के बीच काफी भिन्न हो सकती है। इसके अलावा, अद्वितीय फोटोरेसिस्टर्स कुछ तरंग दैर्ध्य बैंडों के भीतर फोटॉनों के लिए काफी अलग तरह से प्रतिक्रिया कर सकते हैं।

एक फोटोइलेक्ट्रिक डिवाइस या तो आंतरिक या बाहरी हो सकता है। एक आंतरिक अर्धचालक के अपने स्वयं के आवेश वाहक होते हैं और यह एक कुशल अर्धचालक नहीं होता है, उदाहरण के लिए, सिलिकॉन। आंतरिक उपकरणों में, अधिकांश उपलब्ध इलेक्ट्रॉन संयोजी बंध में होते हैं, और इसलिए पूरे ऊर्जा अंतराल में इलेक्ट्रॉन को उत्तेजित करने के लिए फोटॉन में पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए। बाहरी उपकरणों में अशुद्धियाँ होती हैं, जिन्हें डोपेंट भी कहा जाता है, जिनकी जमीनी अवस्था ऊर्जा चालन बैंड के निकट होती है; चूंकि इलेक्ट्रॉनों के पास छलांग लगाने के लिए उतनी दूर नहीं है, डिवाइस को ट्रिगर करने के लिए कम ऊर्जा फोटॉन (अर्थात, लंबी तरंग दैर्ध्य और कम आवृत्तियां) पर्याप्त हैं। यदि सिलिकॉन के एक नमूने में इसके कुछ परमाणु फॉस्फोरस परमाणुओं (अशुद्धियों) द्वारा प्रतिस्थापित किए गए हैं, तो चालन के लिए अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होंगे। यह बाह्य अर्धचालक का एक उदाहरण है।[1]


रचना विवेचन

मिमी में स्केल के साथ तीन फोटोरेसिस्टर्स
File:CdS Photocell.jpg
स्ट्रीट लाइट से बड़ा सीडीएस फोटोकेल।

एक फोटोडायोड या एक फोटोट्रांसिस्टर की तुलना में एक फोटोरेसिस्टर कम प्रकाश-संवेदनशील होता है। बाद के दो घटक सच्चे अर्धचालक उपकरण हैं, जबकि एक फोटोरेसिस्टर एक निष्क्रिय घटक है जिसमें पी-एन जंक्शन नहीं है। किसी भी फोटोरेसिस्टर की फोटोरेसिस्टिविटी परिवेश के तापमान के आधार पर व्यापक रूप से भिन्न हो सकती है, जिससे वे उन अनुप्रयोगों के लिए अनुपयुक्त हो जाते हैं जिनके लिए सटीक माप या प्रकाश फोटॉन की संवेदनशीलता की आवश्यकता होती है।

फोटोरेसिस्टर भी प्रकाश के संपर्क में आने और प्रतिरोध में बाद में कमी के बीच एक निश्चित डिग्री की विलंबता प्रदर्शित करते हैं, सामान्यतः लगभग 10 मिलीसेकंड। रोशनी से अंधेरे वातावरण में जाने में अंतराल का समय और भी अधिक होता है, प्रायः एक सेकंड जितना लंबा होता है। यह संपत्ति उन्हें तेजी से चमकती रोशनी को महसूस करने के लिए अनुपयुक्त बनाती है, लेकिन कभी-कभी ऑडियो सिग्नल संपीड़न की प्रतिक्रिया को सुगम बनाने के लिए इसका उपयोग किया जाता है।[2]


अनुप्रयोग

File:Streetlight control.jpg
एक विशिष्ट अमेरिकी स्ट्रीट लाईट के लिए एक फोटोइलेक्ट्रिक नियंत्रण के आंतरिक घटक। फोटोरेसिस्टर दाईं ओर है और यह नियंत्रित करता है कि क्या हीटर के माध्यम से करंट प्रवाहित होता है जो मुख्य बिजली संपर्कों को खोलता है। रात में, हीटर ठंडा हो जाता है, बिजली के संपर्क बंद हो जाते हैं, स्ट्रीट लाइट सक्रिय हो जाती है।

फोटोरेसिस्टर कई तरह के आते हैं। सस्ते कैडमियम सल्फाइड (CdS) सेल कई उपभोक्ता वस्तुओं जैसे कैमरा लाइट मीटर, क्लॉक रेडियो, अलार्म डिवाइस (लाइट बीम के लिए डिटेक्टर के रूप में), नाइटलाइट्स, आउटडोर क्लॉक, सोलर स्ट्रीट लैंप और सोलर रोड स्टड आदि में पाए जा सकते हैं। .

रोशनी चालू होने पर नियंत्रित करने के लिए फोटोरेसिस्टर्स को स्ट्रीटलाइट्स में रखा जा सकता है। फ़ोटोरेसिस्टर पर पड़ने वाली परिवेशी रोशनी स्ट्रीटलाइट को बंद कर देती है। इस प्रकार यह सुनिश्चित करने से ऊर्जा की बचत होती है कि केवल अंधेरे के घंटों के दौरान ही प्रकाश चालू रहता है।

जब कोई व्यक्ति/वस्तु लेजर बीम से गुजरती है तो प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन का पता लगाने के लिए लेजर-आधारित सुरक्षा प्रणालियों में फोटोरेसिस्टर या एलडीआर का भी उपयोग किया जाता है।

वे लाभ में कमी को नियंत्रित करने के लिए एक छोटे गरमागरम या नियॉन लैंप, या प्रकाश उत्सर्जक डायोड के साथ कुछ गतिशील कंप्रेशर्स में भी उपयोग किए जाते हैं। इस एप्लिकेशन का एक सामान्य उपयोग कई गिटार एम्पलीफायरों में पाया जा सकता है जो ऑनबोर्ड ट्रेमोलो प्रभाव प्रभाव को सम्मिलित करते हैं, क्योंकि दोलनशील प्रकाश पैटर्न एम्पलीफायर परिपथ के माध्यम से चलने वाले सिग्नल के स्तर को नियंत्रित करते हैं।

कैडमियम पर RoHS प्रतिबंध के कारण यूरोप में CdS और CdSe[3] फोटोरेसिस्टर्स का उपयोग गंभीर रूप से प्रतिबंधित है।

लीड सल्फाइड (PbS) और इंडियम एंटीमोनाइड (InSb) LDRs (लाइट-डिपेंडेंट रेसिस्टर्स) का उपयोग मध्य-अवरक्त वर्णक्रमीय क्षेत्र के लिए किया जाता है। जर्मेनियम: ताँबा फोटोकंडक्टर उपलब्ध सर्वोत्तम दूर-अवरक्त डिटेक्टरों में से हैं, और अवरक्त खगोल विज्ञान और अवरक्त स्पेक्ट्रोस्कोपी के लिए उपयोग किए जाते हैं।

यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ Diffenderfes, Robert (2005). Electronic Devices: System and Applications. New Delhi: Delimar. p. 480. ISBN 978-1401835149.
  2. ↑ "Photo resistor - Light Dependent Resistor (LDR) » Resistor Guide". resistorguide.com. Retrieved 19 April 2018.
  3. ↑ "Silonex: TO-18 photocells on ceramic substrate" (PDF). Archived from the original (PDF) on 1 April 2013. Retrieved 17 October 2013.


बाहरी संबंध

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