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[[Image:N-channel JFET common source.svg|frame|चित्रा 1: बेसिक एन-चैनल जेएफईटी कॉमन-सोर्स सर्किट ([[ बयाझिंग ]] विवरण की उपेक्षा)।]]
[[Image:N-channel JFET common source.svg|frame|चित्रा 1: बेसिक एन-चैनल जेएफईटी सामान्य-सोर्स परिपथ ([[ बयाझिंग ]] विवरण की उपेक्षा)।]]
[[Image:N-channel JFET common source degeneration.svg|frame|चित्रा 2: स्रोत अध: पतन के साथ मूल एन-चैनल जेएफईटी सामान्य-स्रोत सर्किट।]]
[[Image:N-channel JFET common source degeneration.svg|frame|चित्रा 2: स्रोत अध: पतन के साथ मूल एन-चैनल जेएफईटी सामान्य-स्रोत परिपथ।]]
[[ इलेक्ट्रानिक्स ]] में, एक सामान्य स्रोत [[ एम्पलीफायर |एम्पलीफायर]] तीन बुनियादी सिंगल-स्टेज [[ फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर ]] (एफईटी) एम्पलीफायर टोपोलॉजीज में से एक है, जिसे आमतौर पर [[ इलेक्ट्रॉनिक एम्पलीफायर |वोल्टेज या ट्रांसकंडक्टेंस एम्पलीफायर]] के रूप में उपयोग किया जाता है।यह बताने का सबसे आसान तरीका है कि FET कॉमन सोर्स, कॉमन ड्रेन या कॉमन गेट है या नहीं, यह जांचना है कि सिग्नल कहां प्रवेश करता है और निकलता है। शेष टर्मिनल वह है जिसे "सामान्य" के रूप में जाना जाता है। इस उदाहरण में, सिग्नल गेट में प्रवेश करता है, और नाली से बाहर निकलता है। एकमात्र टर्मिनल शेष स्रोत है। यह एक सामान्य-स्रोत FET सर्किट है। अनुरूप द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर सर्किट को ट्रांसकंडक्टेंस एम्पलीफायर या वोल्टेज एम्पलीफायर के रूप में देखा जा सकता है। (एम्पलीफायरों का वर्गीकरण देखें)। एक ट्रांसकंडक्टेंस एम्पलीफायर के रूप में, इनपुट वोल्टेज को लोड में जाने वाले करंट को संशोधित करने के रूप में देखा जाता है। वोल्टेज एम्पलीफायर के रूप में, इनपुट वोल्टेज एफईटी के माध्यम से बहने वाले वर्तमान को नियंत्रित करता है, ओम के नियम के अनुसार आउटपुट प्रतिरोध में वोल्टेज को बदलता है। हालांकि, FET डिवाइस का आउटपुट प्रतिरोध आमतौर पर एक उचित ट्रांसकंडक्टेंस एम्पलीफायर (आदर्श रूप से अनंत) के लिए पर्याप्त नहीं है, न ही एक सभ्य वोल्टेज एम्पलीफायर (आदर्श रूप से शून्य) के लिए पर्याप्त है। एक और बड़ी कमी एम्पलीफायर की सीमित उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया है। इसलिए, व्यवहार में, आउटपुट को अधिक अनुकूल आउटपुट और फ़्रीक्वेंसी विशेषताओं को प्राप्त करने के लिए अक्सर वोल्टेज फॉलोअर ([[ आम नाली |कॉमन-ड्रेन या सीडी स्टेज]]) या वर्तमान फॉलोअर ([[ आम-द्वार |कॉमन-गेट]] या सीजी स्टेज) के माध्यम से रूट किया जाता है। सीएस-सीजी संयोजन को [[ कैसकोड ]] एम्पलीफायर कहा जाता है।
[[ इलेक्ट्रानिक्स |वैद्युतकशास्त्र]] में, '''सामान्य स्रोत''' [[ एम्पलीफायर |प्रवर्धक]] तीन बुनियादी एकल चरण [[ फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर |क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर]] (एफईटी) प्रवर्धक सांस्थिति में से एक है, जिसे सामान्यतः [[ इलेक्ट्रॉनिक एम्पलीफायर |वोल्टेज या अंतराचालकता प्रवर्धक]] के रूप में उपयोग किया जाता है। यह बताने का सबसे आसान तरीका है कि एफईटी सामान्य स्रोत, सामान्य निकासन या सामान्य गेट है या नहीं, यह जांचना है कि संकेतक कहां प्रवेश करता है और निकलता है। शेष सीमावर्ती वह है जिसे "सामान्य" के रूप में जाना जाता है। इस उदाहरण में, संकेतक गेट में प्रवेश करता है, और निकासन से बाहर निकलता है। एकमात्र सीमावर्ती शेष स्रोत है। यह एक सामान्य-स्रोत एफईटी परिपथ है। अनुरूप द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर परिपथ को अंतराचालकता प्रवर्धक या वोल्टेज प्रवर्धक के रूप में देखा जा सकता है। (प्रवर्धकों का वर्गीकरण देखें)।अंतराचालकता प्रवर्धक के रूप में, निविष्ट वोल्टेज को विद्युत भार में जाने वाले धारा को संशोधित करने के रूप में देखा जाता है। वोल्टेज प्रवर्धक के रूप में, निविष्ट वोल्टेज एफईटी के माध्यम से बहने वाले धारा को नियंत्रित करता है, ओम के नियम ((Ohm's law) के अनुसार निर्गत प्रतिरोध में वोल्टेज को बदलता है। हालांकि, एफईटी उपकरण का निर्गत प्रतिरोध सामान्यतः पर एक उचित अंतराचालकता प्रवर्धक (आदर्श रूप से अनंत) के लिए पर्याप्त नहीं है, न ही एक सभ्य वोल्टेज प्रवर्धक (आदर्श रूप से शून्य) के लिए पर्याप्त है। एक और बड़ी कमी प्रवर्धक की सीमित उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया है। इसलिए, व्यवहार में, निर्गत को अधिक अनुकूल निर्गत और आवृति विशेषताओं को प्राप्त करने के लिए अक्सर वोल्टता अनुगामी ([[ आम नाली |सामान्य- निकासन या सीडी चरण]]) या धारा अनुगामी ([[ आम-द्वार |सामान्य-गेट]] या सीजी चरण) के माध्यम से क्रम किया जाता है। सीएस-सीजी संयोजन को [[ कैसकोड |कैसकोड]] (सोपानी) प्रवर्धक कहा जाता है।


== लक्षण ==
== लक्षण ==


कम आवृत्तियों पर और एक सरलीकृत [[ हाइब्रिड-पीआई मॉडल |हाइब्रिड-पीआई मॉडल]] (जहां चैनल लंबाई मॉडुलन के कारण आउटपुट प्रतिरोध पर विचार नहीं किया जाता है) का उपयोग करके, निम्नलिखित बंद-लूप छोटे-सिग्नल विशेषताओं को प्राप्त किया जा सकता है।
कम आवृत्तियों पर और एक सरलीकृत [[ हाइब्रिड-पीआई मॉडल |हाइब्रिड-पीआई प्रतिरूप]] (जहां चैनल लंबाई मॉडुलन के कारण निर्गत प्रतिरोध पर विचार नहीं किया जाता है) का उपयोग करके, निम्नलिखित संवृत पाश छोटे-संकेतक विशेषताओं को प्राप्त किया जा सकता है।


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{| class="wikitable" style="background:white;text-align:center"
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!  !!style="width:2in"|Definition !!style="width:2in"|Expression
!  !!style="width:2in"|व्याख्या !! style="width:2in" |अभिव्यंजना
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! '''[[Gain (electronics)|Current gain]]'''
! '''[[Gain (electronics)|धारा लब्धि]]'''
|<math>A_\text{i} \triangleq \frac{i_\text{out}}{i_\text{in}}\,</math>
|<math>A_\text{i} \triangleq \frac{i_\text{out}}{i_\text{in}}\,</math>
|<math>\infty\,</math>
|<math>\infty\,</math>
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! '''[[Gain (electronics)|Voltage gain]]'''
! '''[[Gain (electronics)|वोल्टता लब्धि]]'''
|<math>A_\text{v} \triangleq \frac{v_\text{out}}{v_\text{in}}\,</math>
|<math>A_\text{v} \triangleq \frac{v_\text{out}}{v_\text{in}}\,</math>
|<math>\begin{matrix}-\frac {g_\mathrm{m} R_\text{D}}{1+g_\mathrm{m}R_\text{S}}\end{matrix}\,</math>  
|<math>\begin{matrix}-\frac {g_\mathrm{m} R_\text{D}}{1+g_\mathrm{m}R_\text{S}}\end{matrix}\,</math>  
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! '''[[Input impedance]]'''
! '''[[Input impedance|निविष्ट प्रतिबाधा]]'''
|<math>r_\text{in} \triangleq \frac{v_\text{in}}{i_\text{in}}\,</math>
|<math>r_\text{in} \triangleq \frac{v_\text{in}}{i_\text{in}}\,</math>
|<math>\infty\,</math>
|<math>\infty\,</math>
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! '''[[Output impedance]]'''
! '''[[Output impedance|निर्गत प्रतिबाधा]]'''
|<math>r_\text{out} \triangleq \frac{v_\text{out}}{i_\text{out}}</math>
|<math>r_\text{out} \triangleq \frac{v_\text{out}}{i_\text{out}}</math>
|<math>R_\text{D}\,</math>
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=== बैंडविड्थ ===
=== बैंडविड्थ ===


[[Image:Common source with active load.PNG|thumbnail|200px|चित्रा 3: सक्रिय लोड के साथ मूल एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत एम्पलीफायर I<sub>D</sub>.]]
[[Image:Common source with active load.PNG|thumbnail|200px|चित्रा 3: सक्रिय विद्युत भार के साथ मूल एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक I<sub>D</sub>.]]
[[Image:Small-signal common source with C gd.PNG|thumbnail|250px|चित्रा 4: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत एम्पलीफायर के लिए लघु-संकेत सर्किट।]]
[[Image:Small-signal common source with C gd.PNG|thumbnail|250px|चित्रा 4: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक के लिए लघु-संकेत परिपथ।]]
[[Image:Small-signal common source with Miller cap.PNG|thumbnail|300px|चित्रा 5: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत एम्पलीफायर के लिए लघु-सिग्नल सर्किट मिलर के प्रमेय का उपयोग कर मिलर कैपेसिटेंस सी पेश करने के लिए<sub>M</sub>.]]
[[Image:Small-signal common source with Miller cap.PNG|thumbnail|300px|चित्रा 5: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक के लिए लघु-संकेतक  परिपथ मिलर के प्रमेय का उपयोग कर मिलर धारिता सी पेश करने के लिए<sub>M</sub>.]]
[[ मिलर प्रभाव ]] के परिणामस्वरूप उच्च समाई के कारण सामान्य-स्रोत एम्पलीफायर की बैंडविड्थ कम हो जाती है। गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस को कारक <math>1+|A_\text{v}|\,</math>से प्रभावी रूप से गुणा किया जाता है, इस प्रकार कुल में वृद्धि होती है इनपुट कैपेसिटेंस और समग्र बैंडविड्थ को कम करना।
[[ मिलर प्रभाव |मिलर प्रभाव]] के परिणामस्वरूप उच्च समाई के कारण सामान्य-स्रोत प्रवर्धक की बैंडविड्थ कम हो जाती है। गेट- निकासन धारिता को कारक <math>1+|A_\text{v}|\,</math>से प्रभावी रूप से गुणा किया जाता है, इस प्रकार कुल निविष्ट धारिता में वृद्धि और समग्र बैंडविड्थ को कम करने में होती है।


चित्रा 3 एक सक्रिय लोड के साथ एक एमओएसएफईटी आम-स्रोत एम्पलीफायर दिखाता है। चित्रा 4 संबंधित छोटे-सिग्नल सर्किट को दिखाता है जब आउटपुट नोड में लोड रेजिस्टर R<sub>L</sub> जोड़ा जाता है और इनपुट नोड पर लागू वोल्टेज V<sub>A</sub> और श्रृंखला प्रतिरोध R<sub>A</sub> का एक थवेनिन ड्राइवर जोड़ा जाता है। इस सर्किट में बैंडविड्थ पर सीमा गेट और नाली के बीच [[ परजीवी समाई |परजीवी ट्रांजिस्टर कैपेसिटेंस]] C<sub>gd</sub> के युग्मन और स्रोत R<sub>A</sub> के श्रृंखला प्रतिरोध से उत्पन्न होती है। (अन्य परजीवी समाई हैं, लेकिन उन्हें यहां उपेक्षित किया गया है क्योंकि बैंडविड्थ पर उनका केवल एक माध्यमिक प्रभाव है।)
चित्रा 3 एक सक्रिय विद्युत भार के साथ एक एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक दिखाता है। चित्रा 4 संबंधित छोटे-संकेतक परिपथ को दिखाता है जब निर्गत निःस्पंद में विद्युत भार  प्रतिरोधक R<sub>L</sub> जोड़ा जाता है और निविष्ट निःस्पंद पर लागू वोल्टेज V<sub>A</sub> और श्रृंखला प्रतिरोध R<sub>A</sub> का एक थवेनिन ड्राइवर जोड़ा जाता है। इस परिपथ में बैंडविड्थ पर सीमा गेट और निकासन के बीच [[ परजीवी समाई |परजीवी ट्रांजिस्टर धारिता]] C<sub>gd</sub> के युग्मन और स्रोत R<sub>A</sub> के श्रृंखला प्रतिरोध से उत्पन्न होती है। (अन्य परजीवी समाई हैं, लेकिन उन्हें यहां उपेक्षित किया गया है क्योंकि बैंडविड्थ पर उनका केवल एक माध्यमिक प्रभाव है।)


मिलर के प्रमेय का उपयोग करते हुए, चित्रा 4 का सर्किट चित्रा 5 में बदल जाता है, जो सर्किट के इनपुट पक्ष पर मिलर कैपेसिटेंस सीएम दिखाता है। C<sub>M</sub>का आकार मिलर कैपेसिटेंस के माध्यम से चित्रा 5 के इनपुट सर्किट में वर्तमान को बराबर करके तय किया जाता है, i<sub>M</sub> कहते हैं, जो है:
मिलर के प्रमेय का उपयोग करते हुए, चित्रा 4 का परिपथ चित्र 5 में बदल जाता है, जो परिपथ के निविष्ट पक्ष पर मिलर धारिता सीएम दिखाता है। C<sub>M</sub>का आकार मिलर धारिता के माध्यम से चित्र 5 के निविष्ट परिपथ में धारा को बराबर करके तय किया जाता है, जिसे i<sub>M</sub> कहते हैं, जो है:


::<math>\  i_\mathrm{M} = j \omega C_\mathrm{M} v_\mathrm{GS} = j \omega C_\mathrm{M} v_\mathrm{G}</math> ,
::<math>\  i_\mathrm{M} = j \omega C_\mathrm{M} v_\mathrm{GS} = j \omega C_\mathrm{M} v_\mathrm{G}</math> ,


चित्र 4 में संधारित्र C<sub>gd</sub> द्वारा इनपुट से खींची गई धारा के लिए, अर्थात् jωC<sub>gd</sub> v<sub>GD</sub>.ये दो धाराएं समान हैं, जिससे दो सर्किटों में समान इनपुट व्यवहार होता है, बशर्ते मिलर कैपेसिटेंस द्वारा दिया जाता है:
चित्र 4 में संधारित्र C<sub>gd</sub> द्वारा निविष्ट से खींची गई धारा के लिए, अर्थात् jωC<sub>gd</sub> v<sub>GD</sub> है। ये दो धाराएं समान हैं, जिससे दो परिपथों में समान निविष्ट व्यवहार होता है, बशर्ते मिलर धारिता द्वारा दिया जाता है:


::<math> C_\mathrm{M} = C_\mathrm{gd} \frac {v_\mathrm{GD}} {v_\mathrm{GS}} = C_\mathrm{gd} \left( 1 - \frac {v_\mathrm{D}} {v_\mathrm{G}} \right)</math> .
::<math> C_\mathrm{M} = C_\mathrm{gd} \frac {v_\mathrm{GD}} {v_\mathrm{GS}} = C_\mathrm{gd} \left( 1 - \frac {v_\mathrm{D}} {v_\mathrm{G}} \right)</math> .


आमतौर पर लाभ v<sub>D</sub> / v<sub>G</sub> की आवृत्ति निर्भरता एम्पलीफायर के कोने आवृत्ति से कुछ हद तक आवृत्तियों के लिए महत्वहीन होती है, जिसका अर्थ है कि कम आवृत्ति हाइब्रिड-पीआई मॉडलv<sub>D</sub> / v<sub>G</sub> निर्धारित करने के लिए सटीक है। यह मूल्यांकन मिलर का सन्निकटन<ref name=Spencer>
सामान्यतः लाभ v<sub>D</sub> / v<sub>G</sub> की आवृत्ति निर्भरता प्रवर्धक के कोने आवृत्ति से कुछ हद तक आवृत्तियों के लिए महत्वहीन होती है, जिसका अर्थ है कि कम आवृत्ति हाइब्रिड-पीआई प्रतिरूप v<sub>D</sub> / v<sub>G</sub> निर्धारित करने के लिए सटीक है। यह मूल्यांकन मिलर का सन्निकटन<ref name=Spencer>
{{cite book  
{{cite book  
|author1=R.R. Spencer |author2=M.S. Ghausi |title=Introduction to electronic circuit design
|author1=R.R. Spencer |author2=M.S. Ghausi |title=Introduction to electronic circuit design
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|isbn=0-201-36183-3
|isbn=0-201-36183-3
|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}
|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}
</ref> है और अनुमान प्रदान करता है (केवल चित्र 5 में समाई को शून्य पर सेट करें):
</ref> है और अनुमान प्रदान करता है (केवल चित्र 5 में समाई को शून्य पर निर्धारित करें):


::<math> \frac {v_\mathrm{D}} {v_\mathrm{G}} \approx -g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})</math> ,
::<math> \frac {v_\mathrm{D}} {v_\mathrm{G}} \approx -g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})</math> ,
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::<math> C_\mathrm{M} = C_\mathrm{gd} \left( 1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})\right) </math> .
::<math> C_\mathrm{M} = C_\mathrm{gd} \left( 1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})\right) </math> .


बड़े RL के लिए गेन ''g''<sub>m</sub> (''r''<sub>O</sub> || ''R''<sub>L</sub>) बड़ा है, इसलिए एक छोटा परजीवी कैपेसिटेंस C<sub>gd</sub> भी एम्पलीफायर की आवृत्ति प्रतिक्रिया में एक बड़ा प्रभाव बन सकता है, और इस प्रभाव का मुकाबला करने के लिए कई सर्किट ट्रिक्स का उपयोग किया जाता है। कैसकोड सर्किट बनाने के लिए एक कॉमन-गेट (करंट-फॉलोअर) स्टेज को जोड़ने की एक तरकीब है। वर्तमान-अनुयायी चरण सामान्य-स्रोत चरण के लिए एक भार प्रस्तुत करता है जो बहुत छोटा है, अर्थात् वर्तमान अनुयायी का इनपुट प्रतिरोध (''R''<sub>L</sub> ≈ 1 / ''g''<sub>m</sub> ≈ ''V''<sub>ov</sub> / (2''I''<sub>D</sub>) ; कॉमन गेट देखें)। छोटा आरएल सीएम को कम करता है।<ref name=Lee>
बड़े RL के लिए लब्धि ''g''<sub>m</sub> (''r''<sub>O</sub> || ''R''<sub>L</sub>) बड़ा है, इसलिए एक छोटा परजीवी धारिता C<sub>gd</sub> भी प्रवर्धक की आवृत्ति प्रतिक्रिया में एक बड़ा प्रभाव बन सकता है, और इस प्रभाव का मुकाबला करने के लिए कई परिपथ चाल का उपयोग किया जाता है। कैसकोड परिपथ बनाने के लिए एक सामान्य-गेट (धारा-अनुगामी) चरण को जोड़ने की एक तरकीब है। धारा-अनुयायी चरण सामान्य-स्रोत चरण के लिए एक भार प्रस्तुत करता है जो बहुत छोटा है, अर्थात् धारा अनुयायी का निविष्ट प्रतिरोध (''R''<sub>L</sub> ≈ 1 / ''g''<sub>m</sub> ≈ ''V''<sub>ov</sub> / (2''I''<sub>D</sub>) , सामान्य गेट देखें)। छोटा ''R''<sub>L</sub> ''C''<sub>M</sub> को कम करता है।<ref name=Lee>
{{cite book  
{{cite book  
|author=Thomas H Lee
|author=Thomas H Lee
Line 77: Line 77:
|url=http://worldcat.org/isbn/0-521-83539-9
|url=http://worldcat.org/isbn/0-521-83539-9
|pages=246&ndash;248}}
|pages=246&ndash;248}}
</ref> कॉमन-एमिटर एम्पलीफायर पर लेख इस समस्या के अन्य समाधानों पर चर्चा करता है।
</ref> सामान्य- उत्सर्जक प्रवर्धक पर लेख इस समस्या के अन्य समाधानों पर चर्चा करता है।


चित्रा 5 पर लौटने पर, गेट वोल्टेज [[ वोल्टेज विभाजन ]] द्वारा इनपुट सिग्नल से संबंधित है:
चित्रा 5 पर लौटने पर, गेट वोल्टेज [[ वोल्टेज विभाजन |वोल्टेज विभाजन]] द्वारा निविष्ट संकेतक से संबंधित है:


::<math> v_\mathrm{G} = V_\mathrm{A}\frac {1/(j \omega C_\mathrm{M}) } {1/(j \omega C_\mathrm{M}) +R_\mathrm{A}} = V_\mathrm{A}\frac {1} {1+j \omega C_\mathrm{M} R_\mathrm{A}} </math> .
::<math> v_\mathrm{G} = V_\mathrm{A}\frac {1/(j \omega C_\mathrm{M}) } {1/(j \omega C_\mathrm{M}) +R_\mathrm{A}} = V_\mathrm{A}\frac {1} {1+j \omega C_\mathrm{M} R_\mathrm{A}} </math> .


[[ बैंडविड्थ (सिग्नल प्रोसेसिंग) ]](जिसे 3 डीबी फ़्रीक्वेंसी भी कहा जाता है) वह फ़्रीक्वेंसी है जहाँ सिग्नल अपने कम-फ़्रीक्वेंसी मान के 1/ {{radic|2}} तक गिर जाता है। ([[ डेसिबल ]] में, dB({{radic|2}}) = 3.01 डीबी)। 1/ {{radic|2}} में कमी तब होती है जब C<sub>M</sub> R<sub>A</sub> = 1,के इस मान पर इनपुट सिग्नल ''ω'' (इस मान को ''ω''<sub>3 dB</sub> कहते हैं, मान लें) बनाते हैं ''v''<sub>G</sub> = ''V''<sub>A</sub> / (1+j)(1+j) = 2 का परिमाण नतीजतन, 3 dB आवृत्ति  ''f''<sub>3 dB</sub> = ''ω''<sub>3 dB</sub> / (2π) है:
[[ बैंडविड्थ (सिग्नल प्रोसेसिंग) | बैंडविड्थ]] (जिसे 3 dB आवृति भी कहा जाता है) वह आवृति है जहाँ संकेतक अपने कम-आवृति मान के 1/ {{radic|2}} तक गिर जाता है। ([[ डेसिबल |डेसिबल]] में, dB({{radic|2}}) = 3.01 dB)। 1/ {{radic|2}} में कमी तब होती है जब C<sub>M</sub> R<sub>A</sub> = 1,के इस मान पर निविष्ट संकेतक ''ω'' (मान लें इस मान को ''ω''<sub>3 dB</sub> कहते हैं)  ''v''<sub>G</sub> = ''V''<sub>A</sub> / (1+j) बनाते हैं। (1+j) = 2 का परिमाण हैं। नतीजतन, 3 dB आवृत्ति  ''f''<sub>3 dB</sub> = ''ω''<sub>3 dB</sub> / (2π) है:


<math> f_\mathrm{3dB}=\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} C_\mathrm{M}}= \frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} [ C_\mathrm{gd}(1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})]}</math>  
<math> f_\mathrm{3dB}=\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} C_\mathrm{M}}= \frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} [ C_\mathrm{gd}(1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L})]}</math>  




यदि परजीवी गेट-टू-सोर्स कैपेसिटेंस C<sub>gs</sub>को विश्लेषण में शामिल किया गया है, तो यह केवल C<sub>M</sub>, के समानांतर है, इसलिए
 
यदि परजीवी गेट-टू-सोर्स धारिता C<sub>gs</sub> को विश्लेषण में शामिल किया गया है, तो यह केवल C<sub>M</sub>, के समानांतर है, इसलिए


<math> f_\mathrm{3dB}=\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} (C_\mathrm{M}+C_\mathrm{gs})} =\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} [C_\mathrm{gs} + C_\mathrm{gd}(1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L}))]}</math>  
<math> f_\mathrm{3dB}=\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} (C_\mathrm{M}+C_\mathrm{gs})} =\frac {1}{2\pi R_\mathrm{A} [C_\mathrm{gs} + C_\mathrm{gd}(1+g_\mathrm{m} (r_\mathrm{O} \parallel R_\mathrm{L}))]}</math>  


 
ध्यान दें कि स्रोत प्रतिरोध आरए छोटा होने पर f<sub>3 dB</sub> बड़ा हो जाता है, इसलिए धारिता के मिलर प्रवर्धन का छोटे R<sub>A</sub>के लिए बैंडविड्थ पर बहुत कम प्रभाव पड़ता है। यह अवलोकन बैंडविड्थ बढ़ाने के लिए एक और परिपथ चाल का सुझाव देता है: ड्राइवर और सामान्य-स्रोत चरण के बीच एक सामान्य-निकासन (वोल्टेज-अनुयायी) चरण जोड़ें ताकि संयुक्त चालक प्लस (धन) वोल्टेज अनुयायी का थेवेनिन प्रतिरोध मूल चालक के R<sub>A</sub> से कम हो।<ref name="Lee2">
ध्यान दें कि स्रोत प्रतिरोध आरए छोटा होने पर f<sub>3&nbsp;dB</sub> बड़ा हो जाता है, इसलिए कैपेसिटेंस के मिलर प्रवर्धन का छोटे R<sub>A</sub>के लिए बैंडविड्थ पर बहुत कम प्रभाव पड़ता है। यह अवलोकन बैंडविड्थ बढ़ाने के लिए एक और सर्किट चाल का सुझाव देता है: ड्राइवर और सामान्य-स्रोत चरण के बीच एक सामान्य-नाली (वोल्टेज-अनुयायी) चरण जोड़ें ताकि संयुक्त चालक प्लस वोल्टेज अनुयायी का थेवेनिन प्रतिरोध मूल चालक के R<sub>A</sub> से कम हो।<ref name="Lee2">
{{cite book  
{{cite book  
|author=Thomas H Lee
|author=Thomas H Lee
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</ref>
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चित्रा 2 में सर्किट के आउटपुट पक्ष की जांच लाभ v<sub>D</sub> / v<sub>G</sub>की आवृत्ति निर्भरता को खोजने में सक्षम बनाती है, यह जांच प्रदान करती है कि मिलर कैपेसिटेंस का कम आवृत्ति मूल्यांकन f<sub>3&nbsp;dB</sub> से भी बड़ी आवृत्तियों के लिए पर्याप्त है। (सर्किट के आउटपुट पक्ष को कैसे संभाला जाता है, यह देखने के लिए[[ ध्रुव विभाजन | ध्रुव विभाजन]] पर लेख देखें।)
चित्र 2 में परिपथ के निर्गत पक्ष की जांच लाभ v<sub>D</sub> / v<sub>G</sub>की आवृत्ति निर्भरता को खोजने में सक्षम बनाती है, यह जांच प्रदान करती है कि मिलर धारिता का कम आवृत्ति मूल्यांकन f<sub>3&nbsp;dB</sub> से भी बड़ी आवृत्तियों के लिए पर्याप्त है। (परिपथ के निर्गत पक्ष को कैसे संभाला जाता है, यह देखने के लिए[[ ध्रुव विभाजन | ध्रुव विभाजन]] पर लेख देखें।)


== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
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*ध्रुव विभाजन
*ध्रुव विभाजन
*[[ सामान्य आधार ]]
*[[ सामान्य आधार ]]
*कॉमन ड्रेन
*सामान्य  निकासन
*सामान्य आधार
*सामान्य आधार
*सामान्य उत्सर्जक
*सामान्य उत्सर्जक
*[[ आम कलेक्टर ]]*
*[[ आम कलेक्टर | आम संग्राहक]] *


==संदर्भ==
==संदर्भ==
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==इस पृष्ठ में अनुपलब्ध आंतरिक कड़ियों की सूची==
*एकीकृत परिपथ
*अवरोध
*आम emitter
*आभासी मैदान
*सतत प्रवाह
*इंस्ट्रूमेंटेशन एम्पलीफायर
*नकारात्मक प्रतिपुष्टि
*समारोह (गणित)
*अंक शास्त्र
*रेखीय समीकरण
*ढलान
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*पैमाना (मानचित्र)
*नक्शा
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*कार्तिजीयन समन्वय
*कनिडस का यूडोक्सस
*बिजली की आपूर्ति
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*बहुत
*परिचालन transconductance एम्पलीफायर
*सीमेंस (इकाई)
*एपर्चर-से-मध्यम युग्मन हानि
*ध्वनि मुद्रण
*विद्युतचुंबकीय व्यवधान
*वेल्श बिकनोर
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*1942 हियरफोर्डशायर टीआरई हैलिफ़ैक्स दुर्घटना
*ग्रामोफोन रिकॉर्ड का उत्पादन
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*द्वितीय विश्वयुद्ध
*रॉस-ऑन-वाय
*हवाई दुर्घटना जांच शाखा
*गुब्बारे का डला
*यूनाइटेड स्टेट्स आर्मी रिसर्च लेबोरेटरी
*बाहरी बैलिस्टिक्स
*पेनसिल्वेनिया यूनिवर्सिटी
*के मैकनल्टी
*कार्ड रीडर (छिद्रित कार्ड)
*मशीन जोड़ना
*मोंटे कार्लो विधि
*एडवैक
*इलेक्ट्रॉनिक विलंब संग्रहण स्वचालित कैलकुलेटर
*पब्लिक डोमेन
*यूनिवर्सिटी ऑफ पेन्सिलवेनिया स्कूल ऑफ इंजीनियरिंग एंड एप्लाइड साइंस
*अमेरिकी इतिहास का राष्ट्रीय संग्रहालय
*मिशिगन यूनिवर्सिटी
*आईईईई मील के पत्थर की सूची
*वैक्यूम-ट्यूब कंप्यूटरों की सूची
*ईडीवीएसी पर एक रिपोर्ट का पहला मसौदा
*स्थानीय कर से मुक्ति
*वेक्यूम - ट्यूब
*निश्चित बिंदु अंकगणित
*असेंबली भाषा असेंबलर
*रिकर्सन (कंप्यूटर विज्ञान)
*अंतर समीकरण
*जटिल संख्या
*घुमाव के दौरान
*लूप करते समय करें
*मिलेनियम पुरस्कार की समस्याएं
*टाइटन (1963 कंप्यूटर)
*ठोस अवस्था (इलेक्ट्रॉनिक्स)
*नकारात्मक प्रतिपुष्टि
*विद्युत चुम्बकीय नाड़ी
*माइक्रोफ़ोनिक्स
*द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर
*छोटे सिग्नल मॉडल
*सक्रिय भार


== बाहरी संबंध ==
== बाहरी संबंध ==
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Latest revision as of 21:56, 4 November 2022

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चित्रा 1: बेसिक एन-चैनल जेएफईटी सामान्य-सोर्स परिपथ (बयाझिंग विवरण की उपेक्षा)।
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चित्रा 2: स्रोत अध: पतन के साथ मूल एन-चैनल जेएफईटी सामान्य-स्रोत परिपथ।

वैद्युतकशास्त्र में, सामान्य स्रोत प्रवर्धक तीन बुनियादी एकल चरण क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (एफईटी) प्रवर्धक सांस्थिति में से एक है, जिसे सामान्यतः वोल्टेज या अंतराचालकता प्रवर्धक के रूप में उपयोग किया जाता है। यह बताने का सबसे आसान तरीका है कि एफईटी सामान्य स्रोत, सामान्य निकासन या सामान्य गेट है या नहीं, यह जांचना है कि संकेतक कहां प्रवेश करता है और निकलता है। शेष सीमावर्ती वह है जिसे "सामान्य" के रूप में जाना जाता है। इस उदाहरण में, संकेतक गेट में प्रवेश करता है, और निकासन से बाहर निकलता है। एकमात्र सीमावर्ती शेष स्रोत है। यह एक सामान्य-स्रोत एफईटी परिपथ है। अनुरूप द्विध्रुवीय जंक्शन ट्रांजिस्टर परिपथ को अंतराचालकता प्रवर्धक या वोल्टेज प्रवर्धक के रूप में देखा जा सकता है। (प्रवर्धकों का वर्गीकरण देखें)।अंतराचालकता प्रवर्धक के रूप में, निविष्ट वोल्टेज को विद्युत भार में जाने वाले धारा को संशोधित करने के रूप में देखा जाता है। वोल्टेज प्रवर्धक के रूप में, निविष्ट वोल्टेज एफईटी के माध्यम से बहने वाले धारा को नियंत्रित करता है, ओम के नियम ((Ohm's law) के अनुसार निर्गत प्रतिरोध में वोल्टेज को बदलता है। हालांकि, एफईटी उपकरण का निर्गत प्रतिरोध सामान्यतः पर एक उचित अंतराचालकता प्रवर्धक (आदर्श रूप से अनंत) के लिए पर्याप्त नहीं है, न ही एक सभ्य वोल्टेज प्रवर्धक (आदर्श रूप से शून्य) के लिए पर्याप्त है। एक और बड़ी कमी प्रवर्धक की सीमित उच्च आवृत्ति प्रतिक्रिया है। इसलिए, व्यवहार में, निर्गत को अधिक अनुकूल निर्गत और आवृति विशेषताओं को प्राप्त करने के लिए अक्सर वोल्टता अनुगामी (सामान्य- निकासन या सीडी चरण) या धारा अनुगामी (सामान्य-गेट या सीजी चरण) के माध्यम से क्रम किया जाता है। सीएस-सीजी संयोजन को कैसकोड (सोपानी) प्रवर्धक कहा जाता है।

लक्षण

कम आवृत्तियों पर और एक सरलीकृत हाइब्रिड-पीआई प्रतिरूप (जहां चैनल लंबाई मॉडुलन के कारण निर्गत प्रतिरोध पर विचार नहीं किया जाता है) का उपयोग करके, निम्नलिखित संवृत पाश छोटे-संकेतक विशेषताओं को प्राप्त किया जा सकता है।

व्याख्या अभिव्यंजना
धारा लब्धि
वोल्टता लब्धि
निविष्ट प्रतिबाधा
निर्गत प्रतिबाधा

बैंडविड्थ

चित्रा 3: सक्रिय विद्युत भार के साथ मूल एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक ID.
File:Small-signal common source with C gd.PNG
चित्रा 4: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक के लिए लघु-संकेत परिपथ।
File:Small-signal common source with Miller cap.PNG
चित्रा 5: एन-चैनल एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक के लिए लघु-संकेतक परिपथ मिलर के प्रमेय का उपयोग कर मिलर धारिता सी पेश करने के लिएM.

मिलर प्रभाव के परिणामस्वरूप उच्च समाई के कारण सामान्य-स्रोत प्रवर्धक की बैंडविड्थ कम हो जाती है। गेट- निकासन धारिता को कारक से प्रभावी रूप से गुणा किया जाता है, इस प्रकार कुल निविष्ट धारिता में वृद्धि और समग्र बैंडविड्थ को कम करने में होती है।

चित्रा 3 एक सक्रिय विद्युत भार के साथ एक एमओएसएफईटी आम-स्रोत प्रवर्धक दिखाता है। चित्रा 4 संबंधित छोटे-संकेतक परिपथ को दिखाता है जब निर्गत निःस्पंद में विद्युत भार प्रतिरोधक RL जोड़ा जाता है और निविष्ट निःस्पंद पर लागू वोल्टेज VA और श्रृंखला प्रतिरोध RA का एक थवेनिन ड्राइवर जोड़ा जाता है। इस परिपथ में बैंडविड्थ पर सीमा गेट और निकासन के बीच परजीवी ट्रांजिस्टर धारिता Cgd के युग्मन और स्रोत RA के श्रृंखला प्रतिरोध से उत्पन्न होती है। (अन्य परजीवी समाई हैं, लेकिन उन्हें यहां उपेक्षित किया गया है क्योंकि बैंडविड्थ पर उनका केवल एक माध्यमिक प्रभाव है।)

मिलर के प्रमेय का उपयोग करते हुए, चित्रा 4 का परिपथ चित्र 5 में बदल जाता है, जो परिपथ के निविष्ट पक्ष पर मिलर धारिता सीएम दिखाता है। CMका आकार मिलर धारिता के माध्यम से चित्र 5 के निविष्ट परिपथ में धारा को बराबर करके तय किया जाता है, जिसे iM कहते हैं, जो है:

,

चित्र 4 में संधारित्र Cgd द्वारा निविष्ट से खींची गई धारा के लिए, अर्थात् jωCgd vGD है। ये दो धाराएं समान हैं, जिससे दो परिपथों में समान निविष्ट व्यवहार होता है, बशर्ते मिलर धारिता द्वारा दिया जाता है:

.

सामान्यतः लाभ vD / vG की आवृत्ति निर्भरता प्रवर्धक के कोने आवृत्ति से कुछ हद तक आवृत्तियों के लिए महत्वहीन होती है, जिसका अर्थ है कि कम आवृत्ति हाइब्रिड-पीआई प्रतिरूप vD / vG निर्धारित करने के लिए सटीक है। यह मूल्यांकन मिलर का सन्निकटन[1] है और अनुमान प्रदान करता है (केवल चित्र 5 में समाई को शून्य पर निर्धारित करें):

,

तो मिलर समाई है

.

बड़े RL के लिए लब्धि gm (rO || RL) बड़ा है, इसलिए एक छोटा परजीवी धारिता Cgd भी प्रवर्धक की आवृत्ति प्रतिक्रिया में एक बड़ा प्रभाव बन सकता है, और इस प्रभाव का मुकाबला करने के लिए कई परिपथ चाल का उपयोग किया जाता है। कैसकोड परिपथ बनाने के लिए एक सामान्य-गेट (धारा-अनुगामी) चरण को जोड़ने की एक तरकीब है। धारा-अनुयायी चरण सामान्य-स्रोत चरण के लिए एक भार प्रस्तुत करता है जो बहुत छोटा है, अर्थात् धारा अनुयायी का निविष्ट प्रतिरोध (RL ≈ 1 / gmVov / (2ID) , सामान्य गेट देखें)। छोटा RL CM को कम करता है।[2] सामान्य- उत्सर्जक प्रवर्धक पर लेख इस समस्या के अन्य समाधानों पर चर्चा करता है।

चित्रा 5 पर लौटने पर, गेट वोल्टेज वोल्टेज विभाजन द्वारा निविष्ट संकेतक से संबंधित है:

.

बैंडविड्थ (जिसे 3 dB आवृति भी कहा जाता है) वह आवृति है जहाँ संकेतक अपने कम-आवृति मान के 1/ 2 तक गिर जाता है। (डेसिबल में, dB(2) = 3.01 dB)। 1/ 2 में कमी तब होती है जब CM RA = 1,के इस मान पर निविष्ट संकेतक ω (मान लें इस मान को ω3 dB कहते हैं) vG = VA / (1+j) बनाते हैं। (1+j) = 2 का परिमाण हैं। नतीजतन, 3 dB आवृत्ति f3 dB = ω3 dB / (2π) है:


यदि परजीवी गेट-टू-सोर्स धारिता Cgs को विश्लेषण में शामिल किया गया है, तो यह केवल CM, के समानांतर है, इसलिए

ध्यान दें कि स्रोत प्रतिरोध आरए छोटा होने पर f3 dB बड़ा हो जाता है, इसलिए धारिता के मिलर प्रवर्धन का छोटे RAके लिए बैंडविड्थ पर बहुत कम प्रभाव पड़ता है। यह अवलोकन बैंडविड्थ बढ़ाने के लिए एक और परिपथ चाल का सुझाव देता है: ड्राइवर और सामान्य-स्रोत चरण के बीच एक सामान्य-निकासन (वोल्टेज-अनुयायी) चरण जोड़ें ताकि संयुक्त चालक प्लस (धन) वोल्टेज अनुयायी का थेवेनिन प्रतिरोध मूल चालक के RA से कम हो।[3]

चित्र 2 में परिपथ के निर्गत पक्ष की जांच लाभ vD / vGकी आवृत्ति निर्भरता को खोजने में सक्षम बनाती है, यह जांच प्रदान करती है कि मिलर धारिता का कम आवृत्ति मूल्यांकन f3 dB से भी बड़ी आवृत्तियों के लिए पर्याप्त है। (परिपथ के निर्गत पक्ष को कैसे संभाला जाता है, यह देखने के लिए ध्रुव विभाजन पर लेख देखें।)

यह भी देखें

संदर्भ

  1. R.R. Spencer; M.S. Ghausi (2003). Introduction to electronic circuit design. Upper Saddle River NJ: Prentice Hall/Pearson Education, Inc. p. 533. ISBN 0-201-36183-3.
  2. Thomas H Lee (2004). The design of CMOS radio-frequency integrated circuits (Second ed.). Cambridge UK: Cambridge University Press. pp. 246–248. ISBN 0-521-83539-9.
  3. Thomas H Lee (2004). pp. 251–252. ISBN 0-521-83539-9.


बाहरी संबंध