डीडीआर3 एसडीआरएएम: Difference between revisions
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{{short description|Third generation of double-data-rate synchronous dynamic random-access memory}} | {{short description|Third generation of double-data-rate synchronous dynamic random-access memory}} | ||
'''डबल डेटा रेट 3 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीडीआर3 एसडीआरएएम)''' एक उच्च बैंडविड्थ (कंप्यूटिंग) (डबल डेटा रेट) इंटरफ़ेस के साथ सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) का एक प्रकार है, और 2007 से उपयोग में है। डीडीआर एसडीआरएएम और डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उच्च गति उत्तराधिकारी और डीडीआर4 एसडीआरएएम सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) चिप्स के पूर्ववर्ती हैं। डीडीआर3 एसडीआरएएम अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय और अन्य कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम-एक्सेस मेमोरी (रैम) के साथ न तो अग्रिम समानता है और न ही पश्चवर्ती समानता। | '''डबल डेटा रेट 3 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीडीआर3 एसडीआरएएम)''' एक उच्च बैंडविड्थ (कंप्यूटिंग) (डबल डेटा रेट) इंटरफ़ेस के साथ सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) का एक प्रकार है, और 2007 से उपयोग में है। डीडीआर एसडीआरएएम और डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उच्च गति उत्तराधिकारी और डीडीआर4 एसडीआरएएम सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) चिप्स के पूर्ववर्ती हैं। डीडीआर3 एसडीआरएएम अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय और अन्य कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम-एक्सेस मेमोरी (रैम) के साथ न तो अग्रिम समानता है और न ही पश्चवर्ती समानता। | ||
डीडीआर3 एक डीआरएएम इंटरफ़ेस विनिर्देश है। वास्तविक डीआरएएम सरणियाँ जो डेटा को संग्रहीत करती हैं, समान प्रदर्शन के साथ पहले के प्रकारों के समान होती हैं। अपने तत्काल पूर्ववर्ती डीडीआर2 एसडीआरएएम पर डीडीआर3 एसडीआरएएम का प्राथमिक लाभ, उच्च बैंडविड्थ या पीक डेटा | डीडीआर3 एक डीआरएएम इंटरफ़ेस विनिर्देश है। वास्तविक डीआरएएम सरणियाँ जो डेटा को संग्रहीत करती हैं, समान प्रदर्शन के साथ पहले के प्रकारों के समान होती हैं। अपने तत्काल पूर्ववर्ती डीडीआर2 एसडीआरएएम पर डीडीआर3 एसडीआरएएम का प्राथमिक लाभ, उच्च बैंडविड्थ या पीक डेटा गति को सक्षम करते हुए, दो बार गति (आंतरिक मेमोरी सरणियों की गति से आठ गुना) पर डेटा स्थानांतरित करने की क्षमता है। | ||
डीडीआर3 मानक 8 गीगाबिट्स ( | डीडीआर3 मानक 8 गीगाबिट्स (जीबीit) तक की डीआरएएम चिप क्षमता की अनुमति देता है, और प्रति डीडीआर3 डीआईएमएम कुल अधिकतम 16 गीगाबाइट्स (जीबी) के लिए 64 बिट्स की चार मेमोरी रैंक तक की अनुमति देता है। 2013 में आइवी ब्रिज-ई तक हार्डवेयर सीमा तय नहीं होने के कारण, अधिकांश पुराने इंटेल सीपीयू केवल 8जीबी डीआईएमएम के लिए 4-जीबीit चिप्स तक का समर्थन करते हैं (इंटेल के कोर 2 डीडीआर3 चिपसेट केवल 2 जीबीit तक का समर्थन करते हैं)। सभी एएमडी सीपीयू 16 जीबी डीडीआर3 डीआईएमएम के लिए पूर्ण विनिर्देशन का सही ढंग से समर्थन करते हैं।<ref>{{Cite web |url=http://www.anandtech.com/show/7742/im-intelligent-memory-to-release-16gb-unregistered-ddr3-modules |title=I'M इंटेलिजेंट मेमोरी 16GB अपंजीकृत DDR3 मॉड्यूल जारी करने के लिए|date=2014-02-11 |first=Ian |last=Cutress |website=anandtech.com |access-date=2015-04-20}}</ref> | ||
== इतिहास == | == इतिहास == | ||
फरवरी 2005 में, सैमसंग ने पहला प्रोटोटाइप डीडीआर3 मेमोरी चिप प्रस्तुत किया। सैमसंग ने डीडीआर3 के विकास और मानकीकरण में एक प्रमुख भूमिका निभाई।<ref name="phys"/><ref name="samsung2000s">{{cite web |title=2000 से 2009 तक हमारी गौरवशाली विरासत|url=https://www.samsung.com/semiconductor/about-us/history-03/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=25 June 2019}}</ref> मई 2005 में, JEDEC समिति के अध्यक्ष, | फरवरी 2005 में, सैमसंग ने पहला प्रोटोटाइप डीडीआर3 मेमोरी चिप प्रस्तुत किया। सैमसंग ने डीडीआर3 के विकास और मानकीकरण में एक प्रमुख भूमिका निभाई।<ref name="phys"/><ref name="samsung2000s">{{cite web |title=2000 से 2009 तक हमारी गौरवशाली विरासत|url=https://www.samsung.com/semiconductor/about-us/history-03/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=25 June 2019}}</ref> मई 2005 में, JEDEC समिति के अध्यक्ष, डेसी रोडेन ने कहा कि डीडीआर3 का विकास लगभग 3 वर्षों से चल रहा था।<ref name="digitimes_2005">{{cite web |url=http://www.digitimes.com/news/a20050530PR201.html |archive-url=https://web.archive.org/web/20130413141103/http://www.digitimes.com/news/a20050530PR201.html |title=JEDEC: रास्ते में स्मृति मानक|first=Vyacheslav |last=Sobolev |website=DigiTimes.com |date=2005-05-31 |access-date=2011-04-28 |quote=''JEDEC DDR3 मानक के विकास में पहले से ही अच्छी तरह से साथ है, और हम इस पर लगभग तीन वर्षों से काम कर रहे हैं .... ऐतिहासिक मॉडल का अनुसरण करते हुए, आप एक नई तकनीक के लिए उसी तीन साल के संक्रमण की यथोचित अपेक्षा कर सकते हैं जो आपने मानक मेमोरी की पिछली कई पीढ़ियों को देखा है''|url-status=dead |archive-date=April 13, 2013 }}</रेफरी> | ||
DDR3 को आधिकारिक तौर पर 2007 में लॉन्च किया गया था, लेकिन Intel रणनीतिकार कार्लोस वीसेनबर्ग के अनुसार, अगस्त 2008 में उनके रोल-आउट के शुरुआती भाग के दौरान बोलते हुए, बिक्री 2009 के अंत तक या संभवतः 2010 की शुरुआत तक DDR2 से आगे निकलने की उम्मीद नहीं थी। | DDR3 को आधिकारिक तौर पर 2007 में लॉन्च किया गया था, लेकिन Intel रणनीतिकार कार्लोस वीसेनबर्ग के अनुसार, अगस्त 2008 में उनके रोल-आउट के शुरुआती भाग के दौरान बोलते हुए, बिक्री 2009 के अंत तक या संभवतः 2010 की शुरुआत तक DDR2 से आगे निकलने की उम्मीद नहीं थी। | ||
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| caption2 = नोटबुक और परिवर्तनीय पीसी (एसओ-डीआईएमएम) | | caption2 = नोटबुक और परिवर्तनीय पीसी (एसओ-डीआईएमएम) | ||
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डीडीआर2 मेमोरी की तुलना में, डीडीआर3 मेमोरी कम | डीडीआर2 मेमोरी की तुलना में, डीडीआर3 मेमोरी कम विधुत का उपयोग करती है। कुछ निर्माता मल्टीगेट डिवाइस का उपयोग करने का प्रस्ताव देते हैं करंट के रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स) को कम करने के लिए डुअल-गेट ट्रांजिस्टर।<ref>{{citation |last=McCloskey |first=Alan |title=Research: DDR FAQ |url=http://www.ocmodshop.com/ocmodshop.aspx?a=868 |access-date=2007-10-18 |archive-url=https://web.archive.org/web/20071112151558/http://www.ocmodshop.com/ocmodshop.aspx?a=868 |archive-date=2007-11-12 |url-status=dead }}</ref> | ||
जेईडीईसी के अनुसार,<ref name="JESD79-3F">{{Cite web| url=http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd-79-3d| title=DDR3 SDRAM मानक (संशोधन F)| publisher=JEDEC| date=July 2012| access-date=2015-07-05}}</ref>{{rp|111}} 1.575 वोल्ट को पूर्ण अधिकतम माना जाना चाहिए जब स्मृति स्थिरता सबसे महत्वपूर्ण विचार है, जैसे सर्वर या अन्य मिशन-महत्वपूर्ण उपकरणों में। इसके अलावा, जेईडीईसी कहता है कि मेमोरी मॉड्यूल को 1.80 वोल्ट तक का सामना करना चाहिए{{efn|Prior to revision F, the standard stated that 1.975 V was the absolute maximum DC rating.<ref name="JESD79-3E">{{Cite web|url=http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD79-3E.pdf| title=DDR3 SDRAM standard (revision E)| publisher=JEDEC| date=July 2010| access-date=2015-07-05}}</ref>}} स्थायी क्षति होने से पहले, हालांकि उन्हें उस स्तर पर ठीक से काम करने की आवश्यकता नहीं है।<ref name="JESD79-3F" />{{Rp|109}} | जेईडीईसी के अनुसार,<ref name="JESD79-3F">{{Cite web| url=http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd-79-3d| title=DDR3 SDRAM मानक (संशोधन F)| publisher=JEDEC| date=July 2012| access-date=2015-07-05}}</ref>{{rp|111}} 1.575 वोल्ट को पूर्ण अधिकतम माना जाना चाहिए जब स्मृति स्थिरता सबसे महत्वपूर्ण विचार है, जैसे सर्वर या अन्य मिशन-महत्वपूर्ण उपकरणों में। इसके अलावा, जेईडीईसी कहता है कि मेमोरी मॉड्यूल को 1.80 वोल्ट तक का सामना करना चाहिए{{efn|Prior to revision F, the standard stated that 1.975 V was the absolute maximum DC rating.<ref name="JESD79-3E">{{Cite web|url=http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD79-3E.pdf| title=DDR3 SDRAM standard (revision E)| publisher=JEDEC| date=July 2010| access-date=2015-07-05}}</ref>}} स्थायी क्षति होने से पहले, हालांकि उन्हें उस स्तर पर ठीक से काम करने की आवश्यकता नहीं है।<ref name="JESD79-3F" />{{Rp|109}} | ||
एक अन्य लाभ इसका प्रीफ़ेच बफर है, जो 8-बर्स्ट-डीप है। इसके विपरीत, डीडीआर2 का प्रीफ़ेच बफ़र 4-बर्स्ट-डीप है, और डीडीआर का प्रीफ़ेच बफ़र 2-बर्स्ट-डीप है। यह लाभ डीडीआर3 की स्थानांतरण गति में सक्षम करने वाली तकनीक है। | एक अन्य लाभ इसका प्रीफ़ेच बफर है, जो 8-बर्स्ट-डीप है। इसके विपरीत, डीडीआर2 का प्रीफ़ेच बफ़र 4-बर्स्ट-डीप है, और डीडीआर का प्रीफ़ेच बफ़र 2-बर्स्ट-डीप है। यह लाभ डीडीआर3 की स्थानांतरण गति में सक्षम करने वाली तकनीक है। | ||
डीडीआर3 मॉड्यूल 400–1066 मेगाहर्ट्ज I/O क्लॉक सिग्नल की डबल डेटा | डीडीआर3 मॉड्यूल 400–1066 मेगाहर्ट्ज I/O क्लॉक सिग्नल की डबल डेटा गति का उपयोग करके 800–2133 ट्रांसफ़र (कंप्यूटिंग)/s की गति से डेटा स्थानांतरित कर सकते हैं। यह डीडीआर2 की डेटा अंतरण गति का दोगुना है (200–533 मेगाहर्ट्ज I/O घड़ी का उपयोग करके 400–1066 MT/s) और डीडीआर की गति का चार गुना (100–200 MHz I/O घड़ी का उपयोग करके 200–400 MT/s) . उच्च-प्रदर्शन ग्राफिक्स ऐसी बैंडविड्थ आवश्यकताओं का प्रारंभिक चालक था, जहां फ़्रेमबफ़र्स के बीच उच्च बैंडविड्थ डेटा स्थानांतरण की आवश्यकता होती है। | ||
चूंकि हर्ट्ज प्रति सेकेंड चक्र का एक उपाय है, और हर दूसरे हस्तांतरण की तुलना में अधिक बार कोई संकेत चक्र नहीं है, मेगाहर्ट्ज की इकाइयों में अंतरण | चूंकि हर्ट्ज प्रति सेकेंड चक्र का एक उपाय है, और हर दूसरे हस्तांतरण की तुलना में अधिक बार कोई संकेत चक्र नहीं है, मेगाहर्ट्ज की इकाइयों में अंतरण गति का वर्णन करना तकनीकी रूप से गलत है, हालांकि बहुत आम है। यह भ्रामक भी है क्योंकि घड़ी चक्रों की इकाइयों में विभिन्न स्मृति समय दिए गए हैं, जो डेटा स्थानांतरण की आधी गति हैं। | ||
डीडीआर3 डीडीआर और डीडीआर2, स्टब सीरीज़ टर्मिनेटेड लॉजिक के समान इलेक्ट्रिक सिग्नलिंग मानक का उपयोग करता है, हालांकि यह अलग-अलग समय और वोल्टेज पर होता है। विशेष रूप से, डीडीआर3 SSTL_15 का उपयोग करता है।<ref>{{cite web|first=Jaci|last=Chang|title=DDR3 मेमोरी सब-सिस्टम के लिए डिज़ाइन विचार|publisher=Jedex|date=2004|page=4|url=http://www.jedex.org/images/pdf/samsung%20-%20jaci_chang.pdf|url-status=dead|archive-url=https://web.archive.org/web/20120724110727/http://www.jedex.org/images/pdf/samsung%20-%20jaci_chang.pdf|archive-date=2012-07-24|access-date=2020-08-12}}</ref> | डीडीआर3 डीडीआर और डीडीआर2, स्टब सीरीज़ टर्मिनेटेड लॉजिक के समान इलेक्ट्रिक सिग्नलिंग मानक का उपयोग करता है, हालांकि यह अलग-अलग समय और वोल्टेज पर होता है। विशेष रूप से, डीडीआर3 SSTL_15 का उपयोग करता है।<ref>{{cite web|first=Jaci|last=Chang|title=DDR3 मेमोरी सब-सिस्टम के लिए डिज़ाइन विचार|publisher=Jedex|date=2004|page=4|url=http://www.jedex.org/images/pdf/samsung%20-%20jaci_chang.pdf|url-status=dead|archive-url=https://web.archive.org/web/20120724110727/http://www.jedex.org/images/pdf/samsung%20-%20jaci_chang.pdf|archive-date=2012-07-24|access-date=2020-08-12}}</ref> | ||
फरवरी 2005 में, सैमसंग ने 512 की क्षमता के साथ पहले डीडीआर3 मेमोरी प्रोटोटाइप का प्रदर्शन किया | |||
फरवरी 2005 में, सैमसंग ने 512 की क्षमता के साथ पहले डीडीआर3 मेमोरी प्रोटोटाइप का प्रदर्शन किया मेगाबिट और 1.066 की बैंडविड्थ जीबीपीएस।<ref name="phys">{{cite news |title=सैमसंग ने दुनिया का पहला डीडीआर 3 मेमोरी प्रोटोटाइप प्रदर्शित किया|url=https://phys.org/news/2005-02-samsung-world-ddr-memory-prototype.html |access-date=23 June 2019 |work=[[Phys.org]] |date=17 February 2005}}</ref> मदरबोर्ड के रूप में उत्पाद जून 2007 में बाजार में आए<ref>{{cite web|url=http://www.tomshardware.com/2007/06/05/pipe_dreams_six_p35-ddr3_motherboards_compared/|first=Thomas|last=Soderstrom|title=पाइप ड्रीम्स: छह P35-DDR3 मदरबोर्ड की तुलना|date=2007-06-05|website=Tom's Hardware}}</ref> डीडीआर3-1600 (PC3-12800) तक बैंडविड्थ पर डीआईएमएम के साथ इंटेल कारपोरेशन के इंटेल P35 Bearlake चिपसेट पर आधारित है।<ref>{{cite web|url=http://www.anandtech.com/printarticle.aspx?i=3045|first=Wesley|last=Fink|title=सुपर प्रतिभा और टीम: DDR3-1600 यहाँ है!|date=2007-07-20|publisher=AnandTech}}</ref> नवंबर 2008 में जारी इंटेल कोर i7, चिपसेट के स्थान पर सीधे मेमोरी से जुड़ता है। कोर i7, i5 और i3 CPU ने शुरू में केवल डीडीआर3 का समर्थन किया। फरवरी 2009 में रिलीज़ किए गए एडवांस्ड माइक्रो डिवाइसेस के सॉकेट AM3 फिनोम II X4 प्रोसेसर, डीडीआर3 को सपोर्ट करने वाले पहले थे (जबकि अभी भी पश्चवर्ती समानता के लिए डीडीआर2 का समर्थन रहे हैं)। | |||
=== डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल === | === डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल === | ||
डीडीआर3 डीआईएमएम | डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल (डीआईएमएम) में 240 पिन होते हैं और डीडीआर2 के साथ विद्युत रूप से असंगत होते हैं। डीडीआर2 और डीडीआर3 डीआईएमएम में अलग-अलग स्थित एक प्रमुख पायदान- गलती से उन्हें बदलने से रोकता है। न केवल उन्हें अलग-अलग कुंजीबद्ध किया गया है, बल्कि डीडीआर 2 के किनारों पर गोल निशान हैं और डीडीआर 3 मॉड्यूल के पक्ष में वर्ग के निशान हैं।<ref>{{cite web|title=मेमोरी मॉड्यूल पिक्चर 2007|author=DocMemory|date=2007-02-21|url=http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?title=Memory+Module+Picture+2007&num=150|archive-url=https://web.archive.org/web/20170606080814/http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?title=Memory+Module+Picture+2007&num=150|archive-date=2017-06-06|url-status=dead|access-date=2022-01-05}}</ref> डीडीआर3 SO-डीआईएमएम में 204 पिन होते हैं।<ref>{{Cite web|title=204-पिन डीडीआर3 एसडीआरएएम अनबफर्ड एसओडीआईएमएम डिजाइन विनिर्देश| publisher=JEDEC| date=May 2014| access-date=2015-07-05| url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/module-42018}}</ref> | डीडीआर3 डीआईएमएम | डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल (डीआईएमएम) में 240 पिन होते हैं और डीडीआर2 के साथ विद्युत रूप से असंगत होते हैं। डीडीआर2 और डीडीआर3 डीआईएमएम में अलग-अलग स्थित एक प्रमुख पायदान- गलती से उन्हें बदलने से रोकता है। न केवल उन्हें अलग-अलग कुंजीबद्ध किया गया है, बल्कि डीडीआर 2 के किनारों पर गोल निशान हैं और डीडीआर 3 मॉड्यूल के पक्ष में वर्ग के निशान हैं।<ref>{{cite web|title=मेमोरी मॉड्यूल पिक्चर 2007|author=DocMemory|date=2007-02-21|url=http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?title=Memory+Module+Picture+2007&num=150|archive-url=https://web.archive.org/web/20170606080814/http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?title=Memory+Module+Picture+2007&num=150|archive-date=2017-06-06|url-status=dead|access-date=2022-01-05}}</ref> डीडीआर3 SO-डीआईएमएम में 204 पिन होते हैं।<ref>{{Cite web|title=204-पिन डीडीआर3 एसडीआरएएम अनबफर्ड एसओडीआईएमएम डिजाइन विनिर्देश| publisher=JEDEC| date=May 2014| access-date=2015-07-05| url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/module-42018}}</ref> | ||
स्काइलेक माइक्रोआर्किटेक्चर के लिए, इंटेल ने यूनिडीआईएमएम नामक एक एसओ-डीआईएमएम पैकेज भी डिजाइन किया है, जो डीडीआर3 या डीडीआर4 चिप्स का उपयोग कर सकता है। सीपीयू का एकीकृत मेमोरी कंट्रोलर तब किसी के साथ भी काम कर सकता है। | स्काइलेक माइक्रोआर्किटेक्चर के लिए, इंटेल ने यूनिडीआईएमएम नामक एक एसओ-डीआईएमएम पैकेज भी डिजाइन किया है, जो डीडीआर3 या डीडीआर4 चिप्स का उपयोग कर सकता है। सीपीयू का एकीकृत मेमोरी कंट्रोलर तब किसी के साथ भी काम कर सकता है। युनीडीआईएमएस का उद्देश्य डीडीआर3 से डीडीआर4 में संक्रमण को संभालना है, जहाँ मूल्य निर्धारण और उपलब्धता रैम विशेषता को परिवर्तित करने के लिए वांछनीय बना सकती है। युनीडीआईएमएस में नियमित डीडीआर4 SO-डीआईएमएम के समान विस्तार और पिन की संख्या होती है, लेकिन असंगत डीडीआर4 SO-डीआईएमएम सॉकेट में गलती से उपयोग करने से बचने के लिए पायदान को अलग विधि से रखा जाता है।<ref>{{cite web|url=http://www.techpowerup.com/205231/how-intel-plans-to-transition-between-ddr3-and-ddr4-for-the-mainstream.html|title=मेनस्ट्रीम के लिए इंटेल DDR3 और DDR4 के बीच संक्रमण की योजना कैसे बनाता है|website=techpowerup.com|access-date=19 March 2018}}</ref> | ||
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डीडीआर3 विलंबता संख्यात्मक रूप से अधिक है क्योंकि I/O बस क्लॉक सिग्नल चक्र जिसके द्वारा उन्हें मापा जाता है, छोटा होता है; वास्तविक समय अंतराल डीडीआर2 विलंबता के समान है, लगभग 10 एनएस। कुछ सुधार हुआ है क्योंकि डीडीआर3 सामान्यतःअधिक हालिया निर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करता है, लेकिन यह सीधे डीडीआर3 में परिवर्तन के कारण नहीं होता है। | डीडीआर3 विलंबता संख्यात्मक रूप से अधिक है क्योंकि I/O बस क्लॉक सिग्नल चक्र जिसके द्वारा उन्हें मापा जाता है, छोटा होता है; वास्तविक समय अंतराल डीडीआर2 विलंबता के समान है, लगभग 10 एनएस। कुछ सुधार हुआ है क्योंकि डीडीआर3 सामान्यतःअधिक हालिया निर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करता है, लेकिन यह सीधे डीडीआर3 में परिवर्तन के कारण नहीं होता है। | ||
कैस लेटेंसी (एनएस) = 1000 × सीएल (चक्र) ÷ घड़ी की आवृत्ति (मेगाहर्ट्ज) = 2000 × सीएल (चक्र) ÷ अंतरण | कैस लेटेंसी (एनएस) = 1000 × सीएल (चक्र) ÷ घड़ी की आवृत्ति (मेगाहर्ट्ज) = 2000 × सीएल (चक्र) ÷ अंतरण गति (एमटी/एस) | ||
जबकि JEDEC डीडीआर2-800 डिवाइस के लिए विशिष्ट मेमोरी समय 5-5-5-15 (12.5 ns) थे, JEDEC डीडीआर3 डिवाइस के लिए कुछ मानक विलंबता में डीडीआर3-1066 (13.125 ns) और 8 के लिए 7-7-7-20सम्मिलित हैं -8-8-24 डीडीआर3-1333 (12 एनएस) के लिए। | जबकि JEDEC डीडीआर2-800 डिवाइस के लिए विशिष्ट मेमोरी समय 5-5-5-15 (12.5 ns) थे, JEDEC डीडीआर3 डिवाइस के लिए कुछ मानक विलंबता में डीडीआर3-1066 (13.125 ns) और 8 के लिए 7-7-7-20सम्मिलित हैं -8-8-24 डीडीआर3-1333 (12 एनएस) के लिए। | ||
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पहले की मेमोरी पीढ़ी के साथ, प्रारंभिक संस्करणों के रिलीज़ होने के बाद तेज़ डीडीआर3 मेमोरी उपलब्ध हो गई। डीडीआर3-2000 मेमोरी 9-9-9-28 विलंबता (9 ns) के साथ 2008 के अंत में इंटेल कोर i7 रिलीज़ के समय उपलब्ध थी,<ref>{{cite web |title=इंटेल कोर i7 प्लेटफॉर्म के लिए किंग्स्टन ने उद्योग का पहला 2GHz मेमोरी मॉड्यूल पेश किया|last=Shilov |first=Anton |date=2008-10-29 |access-date=2008-11-02 |publisher=Xbit Laboratories |url=http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20081029141143_Kingston_Rolls_Out_Industry_s_First_2GHz_Memory_Modules_for_Intel_Core_i7_Platforms.html |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20081101113745/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20081029141143_Kingston_Rolls_Out_Industry_s_First_2GHz_Memory_Modules_for_Intel_Core_i7_Platforms.html |archive-date=2008-11-01 }}</ref> जबकि बाद के विकास ने डीडीआर3-2400 को व्यापक रूप से उपलब्ध कराया (CL 9–12 चक्र = 7.5–10 ns के साथ), और डीडीआर3-3200 तक की गति उपलब्ध (CL 13 चक्र = 8.125 ns के साथ)। | पहले की मेमोरी पीढ़ी के साथ, प्रारंभिक संस्करणों के रिलीज़ होने के बाद तेज़ डीडीआर3 मेमोरी उपलब्ध हो गई। डीडीआर3-2000 मेमोरी 9-9-9-28 विलंबता (9 ns) के साथ 2008 के अंत में इंटेल कोर i7 रिलीज़ के समय उपलब्ध थी,<ref>{{cite web |title=इंटेल कोर i7 प्लेटफॉर्म के लिए किंग्स्टन ने उद्योग का पहला 2GHz मेमोरी मॉड्यूल पेश किया|last=Shilov |first=Anton |date=2008-10-29 |access-date=2008-11-02 |publisher=Xbit Laboratories |url=http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20081029141143_Kingston_Rolls_Out_Industry_s_First_2GHz_Memory_Modules_for_Intel_Core_i7_Platforms.html |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20081101113745/http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20081029141143_Kingston_Rolls_Out_Industry_s_First_2GHz_Memory_Modules_for_Intel_Core_i7_Platforms.html |archive-date=2008-11-01 }}</ref> जबकि बाद के विकास ने डीडीआर3-2400 को व्यापक रूप से उपलब्ध कराया (CL 9–12 चक्र = 7.5–10 ns के साथ), और डीडीआर3-3200 तक की गति उपलब्ध (CL 13 चक्र = 8.125 ns के साथ)। | ||
=== | === विधुत का उपभोग === | ||
अलग-अलग एसडीआरएएम चिप्स ( | अलग-अलग एसडीआरएएम चिप्स ( विस्तार से, डीआईएमएम) की विधुत की उपभोग गति, उपयोग के प्रकार, वोल्टेज आदि सहित कई कारकों के आधार पर भिन्न होती है। डेल के पावर एडवाइजर ने गणना की है कि 4 जीबी ईसीसी डीडीआर1333 आरडीआईएमएम प्रत्येक लगभग 4 डब्ल्यू का उपयोग करते हैं।<ref>{{cite web |url=http://essa.us.dell.com/DellStarOnline/DCCP.aspx?c=us&l=en&s=corp&Template=6945c07e-3be7-47aa-b318-18f9052df893 |title=डेल एनर्जी स्मार्ट सॉल्यूशन एडवाइजर|publisher=Essa.us.dell.com |access-date=2013-07-28 |archive-url=https://web.archive.org/web/20130801070649/http://essa.us.dell.com/DellStarOnline/DCCP.aspx?c=us&l=en&s=corp&Template=6945c07e-3be7-47aa-b318-18f9052df893 |archive-date=2013-08-01 |url-status=dead }}</ref> इसके विपरीत, एक अधिक आधुनिक मेनस्ट्रीम डेस्कटॉप-उन्मुख भाग 8जीबी, डीडीआर3/1600 डीआईएमएम, अपेक्षा तेज होने के पश्चात्, 2.58 W मापा गया है।<ref>http://www.kingston.com/dataSheets/KVR16N11_8.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref> | ||
| Line 68: | Line 72: | ||
! colspan="2" |[[Chip (computing)|चिप]] | ! colspan="2" |[[Chip (computing)|चिप]] | ||
! colspan="3" |[[Bus (computing)|बस]] | ! colspan="3" |[[Bus (computing)|बस]] | ||
! colspan="2" | | ! colspan="2" |मानक समय | ||
|- | |- | ||
!मानक | !मानक | ||
!प्रकार | !प्रकार | ||
!मापांक | !मापांक | ||
!घड़ी की | !घड़ी की गति (मेगाहर्ट्ज) | ||
! समय चक्र (नैनोसेकंड)<ref>Cycle time is the inverse of the I/O bus clock frequency; e.g., 1/(100 MHz) = 10 ns per clock cycle.</ref> | ! समय चक्र (नैनोसेकंड)<ref>Cycle time is the inverse of the I/O bus clock frequency; e.g., 1/(100 MHz) = 10 ns per clock cycle.</ref> | ||
! घड़ी की | ! घड़ी की गति (मेगाहर्ट्ज) | ||
!अंतरण | !अंतरण गति {{Small|(MT/s)}} | ||
!बैंडविड्थ <small>(एमबी/एस)</small> | !बैंडविड्थ <small>(एमबी/एस)</small> | ||
! सीएल-टीआरसीडी-टीआरपी | ! सीएल-टीआरसीडी-टीआरपी | ||
| Line 140: | Line 144: | ||
<nowiki>* वैकल्पिक</nowiki> | <nowiki>* वैकल्पिक</nowiki> | ||
डीडीआर3-xxx डेटा अंतरण | डीडीआर3-xxx डेटा अंतरण गति को दर्शाता है, और डीडीआर चिप्स का वर्णन करता है, जबकि PC3-xxxx सैद्धांतिक बैंडविड्थ को दर्शाता है (अंतिम दो अंकों को हटा दिया गया है), और इकट्ठे डीआईएमएम का वर्णन करने के लिए उपयोग किया जाता है। बैंडविड्थ की गणना प्रति सेकंड स्थानान्तरण और आठ से गुणा करके की जाती है। ऐसा इसलिए है क्योंकि डीडीआर3 मेमोरी मॉड्यूल एक बस में डेटा ट्रांसफर करता है जो 64 डेटा बिट्स चौड़ा है,और चूंकि एक बाइट में 8 बिट्स होते हैं, यह प्रति ट्रांसफर 8 बाइट्स डेटा के सामानांतर होती है। | ||
चौगुनी क्लॉक सिग्नल के प्रति चक्र दो स्थानान्तरण के साथ, एक 64-बिट चौड़ा डीडीआर3 मॉड्यूल मेमोरी क्लॉक सिग्नल गति के 64 गुना तक की अंतरण | चौगुनी क्लॉक सिग्नल के प्रति चक्र दो स्थानान्तरण के साथ, एक 64-बिट चौड़ा डीडीआर3 मॉड्यूल मेमोरी क्लॉक सिग्नल गति के 64 गुना तक की अंतरण गति प्राप्त कर सकता है। प्रति मेमोरी मॉड्यूल में एक समय में 64 बिट्स डेटा स्थानांतरित होने के साथ, डीडीआर3 एसडीआरएएम (मेमोरी घडी की गति) × 4 (बस क्लॉक मल्टीप्लायर के लिए) × 2 (डेटा गति के लिए) × 64 (स्थानांतरित बिट्स की संख्या) / 8 की ट्रांसफर गति देता है। (एक बाइट में बिट्स की संख्या)। इस प्रकार 100 MHz की मेमोरी क्लॉक आवृत्ति के साथ, डीडीआर3 एसडीआरएएम 6400 MB/s की अधिकतम अंतरण गति देता है। | ||
डीडीआर मेमोरी की दोहरी डेटा | डीडीआर मेमोरी की दोहरी डेटा गति के कारण डेटा गति (स्थानांतरण (कंप्यूटिंग)|MT/s) I/O बस घड़ी (मेगाहर्ट्ज में) से दोगुनी है। जैसा कि ऊपर बताया गया है, एमबी/एस में बैंडविड्थ आठ से गुणा की गई डेटा गति है। | ||
सीएल - कैस लेटेंसी क्लॉक सिग्नल, मेमोरी में कॉलम एड्रेस भेजने और प्रतिक्रिया में डेटा की प्रारम्भिक प्रकिया | सीएल - कैस लेटेंसी क्लॉक सिग्नल, मेमोरी में कॉलम एड्रेस भेजने और प्रतिक्रिया में डेटा की प्रारम्भिक प्रकिया | ||
टीआरसीडी - पंक्ति के बीच सक्रिय घड़ी चक्र का पठन/लेखन | |||
टीआरपी - पंक्ति के बीच सक्रिय घड़ी चक्र का पूर्वप्रभार/सक्रियता | |||
भिन्नात्मक आवृत्तियों को सामान्यतः घटाया जाता है, लेकिन सटीक संख्या 6662⁄3 होने और निकटतम पूर्ण संख्या तक पूर्णांकित होने के कारण 667 तक पूर्णांक बनाना सामान्य है। कुछ निर्माता इसके अतिरिक्त एक निश्चित सटीकता तक | |||
बढाया भी करते हैं। उदाहरण के लिए, PC3-10666 मेमोरी को PC3-10600 या PC3-10700 के रूप में सूचीबद्ध किया जा सकता है।<ref>{{citation|url=http://www.tomshardware.com/forum/274587-31-10600-10666-what-difference#t2045244 |title=Pc3 10600 vs. pc3 10666 What's the difference – New-System-Build |publisher=Tomshardware.com |access-date=2012-01-23}}</ref> | |||
नोट: ऊपर सूचीबद्ध सभी सामग्री JEDEC द्वारा JESD79-3F के रूप में निर्दिष्ट किए गए हैं।<ref name="JESD79-3F" />{{Rp|157–165}}इन सूचीबद्ध विनिर्देशों के बीच या ऊपर सभी रैम डेटा गति JEDEC द्वारा मानकीकृत नहीं हैं - अधिकांशतः वे उच्च-सहिष्णुता या ओवरवॉल्टेड चिप्स का उपयोग करके केवल निर्माता अनुकूलन होते हैं। मई 2010 तक इन गैर-मानक विशिष्टताओं में से उच्चतम रिपोर्ट की गई गति डीडीआर3-2544 के सामानांतर थी।<ref>{{citation|url=http://news.softpedia.com/news/Kingston-s-2-544-MHz-DDR3-On-Show-at-Computex-143379.shtml |title=Kingston's 2,544 MHz DDR3 On Show at Computex |publisher=News.softpedia.com |date=2010-05-31 |access-date=2012-01-23}}</ref> | |||
वैकल्पिक नामकरण: डीडीआर3 मॉड्यूल को अधिकांशतः विपणन कारणों से, डेटा-गति के बाद, उपसर्ग PC (PC3 के अतिरिक्त) के साथ गलत विधि से प्रचारित किया जाता है। इस परम्परा केअंतर्गत PC3-10600 को PC1333 के रूप में सूचीबद्ध किया गया है।<ref>{{citation|url=https://www.amazon.co.uk/Crucial-CT2KIT51264BA1339-PC1333-Memory-Retail/dp/B0036VO632 |title=Crucial Value CT2KIT51264BA1339 PC1333 4GB Memory RAM (DDR3, CL9) Retail |publisher=www.amazon.co.uk |date=2016-05-10 |access-date=2016-05-10}}</ref> | |||
=== सीरियल उपस्थिति का पता लगाने === | === सीरियल उपस्थिति का पता लगाने === | ||
डीडीआर3 मेमोरी सीरियल उपस्थिति का पता लगाने का उपयोग करती है।<ref name="spd">{{cite web | url=https://www.simmtester.com/News/PublicationArticle/153 | title=DDR3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) टेबल को समझना| publisher=simmtester.com | access-date=12 December 2015}}</ref> सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) एक सीरियल इंटरफ़ेस का उपयोग करके यादृच्छिक-एक्सेस मेमोरी के बारे में जानकारी को स्वचालित रूप से एक्सेस करने का एक मानकीकृत विधि है। यह सामान्यतः मेमोरी मॉड्यूल के स्वचालित कॉन्फ़िगरेशन के लिए पावर-ऑन सेल्फ-टेस्ट के | डीडीआर3 मेमोरी सीरियल उपस्थिति का पता लगाने का उपयोग करती है।<ref name="spd">{{cite web | url=https://www.simmtester.com/News/PublicationArticle/153 | title=DDR3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) टेबल को समझना| publisher=simmtester.com | access-date=12 December 2015}}</ref> सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) एक सीरियल इंटरफ़ेस का उपयोग करके यादृच्छिक-एक्सेस मेमोरी के बारे में जानकारी को स्वचालित रूप से एक्सेस करने का एक मानकीकृत विधि है। यह सामान्यतः मेमोरी मॉड्यूल के स्वचालित कॉन्फ़िगरेशन के लिए पावर-ऑन सेल्फ-टेस्ट के समय उपयोग किया जाता है। | ||
====रिलीज 4==== | ====रिलीज 4==== | ||
डीडीआर3 सीरियल प्रजेंस डिटेक्ट (SPD) | डीडीआर3 सीरियल प्रजेंस डिटेक्ट (SPD) अभिलेख (SPD4_01_02_11) का रिलीज़ 4 भार में कमी डीआईएमएम और 16b-SO-डीआईएमएम और 32b-SO-डीआईएमएम के लिए भी समर्थन जोड़ता है। | ||
JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 1 सितंबर, 2011 को डीडीआर3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) | JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 1 सितंबर, 2011 को डीडीआर3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) अभिलेखों के रिलीज़ 4 के प्रकाशन की घोषणा की।<ref>{{cite web|title=JEDEC ने DDR3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट स्पेसिफिकेशन की रिलीज़ 4 के प्रकाशन की घोषणा की|url=http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-publication-release-4-ddr3-serial-presence-detect-specification}}</ref> | ||
==== एक्सएमपी एक्सटेंशन ==== | ==== एक्सएमपी एक्सटेंशन ==== | ||
इंटेल | इंटेल कारपोरेशन ने आधिकारिक तौर पर 23 मार्च, 2007 को एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट # एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (XMP)) विशिष्टता प्रस्तुत की, डीडीआर3 एसडीआरएएम के लिए पारंपरिक JEDEC सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट स्पेसिफिकेशंस के उत्साही प्रदर्शन एक्सटेंशन को सक्षम करने के लिए।<ref>{{cite web|title=Intel एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफ़ाइल (Intel XMP) DDR3 तकनीक|url=http://www.intel.com/assets/pdf/whitepaper/319124.pdf|access-date=2009-05-29}}</ref> | ||
== प्रकार == | == प्रकार == | ||
बैंडविड्थ | बैंडविड्थ संज्ञा (जैसे डीडीआर3-800D), और क्षमता वेरिएंट के अलावा, मॉड्यूल निम्न में से एक हो सकते हैं: | ||
# ECC मेमोरी, जिसमें एक अतिरिक्त डेटा बाइट लेन है, जिसका उपयोग | # ECC मेमोरी, जिसमें एक अतिरिक्त डेटा बाइट लेन है, जिसका उपयोग साधारण त्रुटियों को ठीक करने और बेहतर विश्वसनीयता के लिए बड़ी त्रुटियों का पता लगाने के लिए किया जाता है। ECC वाले मॉड्यूल की मान्यता एक अतिरिक्त ECC या E द्वारा उनके संज्ञा में की जाती है। उदाहरण के लिए: PC3-6400 ECC , या PC3-8500E।<ref>{{citation|url=http://h20000.www2.hp.com/bc/docs/support/SupportManual/c00256987/c00256987.pdf|publisher=Hewlett-Packard|title=Memory technology evolution: an overview of system memory technologies|page=18|url-status=dead|archive-url=https://web.archive.org/web/20110724013507/http://h20000.www2.hp.com/bc/docs/support/SupportManual/c00256987/c00256987.pdf|archive-date=2011-07-24}}</ref> | ||
# पंजीकृत मेमोरी, जो बढ़ी हुई विलंबता की अतिरिक्त घड़ी के मूल्य पर, हार्डवेयर रजिस्टर के साथ संकेतों को विद्युत रूप से बफ़र करके सिग्नल अखंडता (और इसलिए संभावित रूप से घड़ी की | # पंजीकृत मेमोरी, जो बढ़ी हुई विलंबता की अतिरिक्त घड़ी के मूल्य पर, हार्डवेयर रजिस्टर के साथ संकेतों को विद्युत रूप से बफ़र करके सिग्नल अखंडता (और इसलिए संभावित रूप से घड़ी की गति और भौतिक स्लॉट क्षमता) में सुधार करती है। उन मॉड्यूल की मान्यता उनके संज्ञा में एक अतिरिक्त R द्वारा की जाती है, उदाहरण के लिए PC3-6400R।<ref name="simmtester.com">{{cite web | ||
| url = http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?num=167 | | url = http://www.simmtester.com/page/news/showpubnews.asp?num=167 | ||
| title = LR-DIMM, LRDIMM मेमोरी क्या है? (लोड-डीआईएमएम कम करें)| access-date = 2014-08-29 | | title = LR-DIMM, LRDIMM मेमोरी क्या है? (लोड-डीआईएमएम कम करें)| access-date = 2014-08-29 | ||
| Line 181: | Line 190: | ||
| url-status = dead | | url-status = dead | ||
}}</ref> | }}</ref> | ||
# गैर-पंजीकृत ( | # गैर-पंजीकृत (अनबफर्ड मेमोरी) रैम को संज्ञा में एक अतिरिक्त 'यू' द्वारा पहचाना जा सकता है।<ref name="simmtester.com" /> | ||
# पूरी तरह से बफ़र किए गए डीआईएमएम मॉड्यूल, जिन्हें F या FB द्वारा नामित किया गया है और अन्य वर्गों के समान पायदान की स्थिति नहीं है। पूरी तरह से बफ़र्ड मॉड्यूल का उपयोग उन मदरबोर्ड के साथ नहीं किया जा सकता है जो पंजीकृत मॉड्यूल के लिए बने हैं, और अलग-अलग पायदान की स्थिति भौतिक रूप से उनके सम्मिलन को रोकती है। | # पूरी तरह से बफ़र किए गए डीआईएमएम मॉड्यूल, जिन्हें F या FB द्वारा नामित किया गया है और अन्य वर्गों के समान पायदान की स्थिति नहीं है। पूरी तरह से बफ़र्ड मॉड्यूल का उपयोग उन मदरबोर्ड के साथ नहीं किया जा सकता है जो पंजीकृत मॉड्यूल के लिए बने हैं, और अलग-अलग पायदान की स्थिति भौतिक रूप से उनके सम्मिलन को रोकती है। | ||
# एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल, जो एलआर द्वारा नामित हैं और पंजीकृत/बफर मेमोरी के समान हैं, एक तरह से एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल सभी संकेतों की समानांतर प्रकृति को बनाए रखते हुए नियंत्रण और डेटा लाइनों दोनों को बफर करते हैं। इस प्रकार, एलआरडीआईएमएम मेमोरी सीरियल और समांतर सिग्नल रूपों के बीच आवश्यक रूपांतरण से प्रेरित एफबी मेमोरी के कुछ प्रदर्शन और | # एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल, जो एलआर द्वारा नामित हैं और पंजीकृत/बफर मेमोरी के समान हैं, एक तरह से एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल सभी संकेतों की समानांतर प्रकृति को बनाए रखते हुए नियंत्रण और डेटा लाइनों दोनों को बफर करते हैं। इस प्रकार, एलआरडीआईएमएम मेमोरी सीरियल और समांतर सिग्नल रूपों के बीच आवश्यक रूपांतरण से प्रेरित एफबी मेमोरी के कुछ प्रदर्शन और विधुत उपभोग के की स्थितियों को संबोधित करते हुए बड़ी समग्र अधिकतम मेमोरी क्षमता प्रदान करती है। | ||
दोनों | दोनों एफबीडीआईएमएम (पूरी तरह से बफ़र्ड) और एलआरडीआईएमएम (लोड रिड्यूस्ड) मेमोरी प्रकार मुख्य रूप से किसी भी समय मेमोरी चिप्स में आने और जाने वाले विद्युत प्रवाह की मात्रा को नियंत्रित करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। वे पंजीकृत/बफ़र्ड मेमोरी के साथ संगत नहीं हैं, और जिन मदरबोर्ड को उनकी आवश्यकता होती है, वे सामान्यतः किसी अन्य प्रकार की मेमोरी को स्वीकार नहीं करेंगे। | ||
=== डीडीआर3L और डीडीआर3U एक्सटेंशन === | === डीडीआर3L और डीडीआर3U एक्सटेंशन === | ||
| Line 191: | Line 200: | ||
डीडीआर3U (डीडीआर3 अल्ट्रा लो वोल्टेज) मानक 1.25 V है और इसके मॉड्यूल के लिए लेबल ''PC3U'' है।<ref>{{cite web|url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd79-3-2|title=JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2|date=October 2011|access-date=2019-09-08}}</ref> | डीडीआर3U (डीडीआर3 अल्ट्रा लो वोल्टेज) मानक 1.25 V है और इसके मॉड्यूल के लिए लेबल ''PC3U'' है।<ref>{{cite web|url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd79-3-2|title=JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2|date=October 2011|access-date=2019-09-08}}</ref> | ||
JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 26 जुलाई, 2010 को JEDEC डीडीआर3L के प्रकाशन की घोषणा की<ref>{{cite web|title=विशिष्टता अनगिनत उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, नेटवर्किंग और कंप्यूटर उत्पादों के लिए कम बिजली की खपत को प्रोत्साहित करेगी|url=http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-widely-anticipated-ddr3l-low-voltage-memory-standard}}</ref> और डीडीआर3U अक्टूबर 2011 में।<ref>{{cite web|title=JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2|url=https://www.jedec.org/category/keywords/ddr3u}}</ref> | JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 26 जुलाई, 2010 को JEDEC डीडीआर3L के प्रकाशन की घोषणा की<ref>{{cite web|title=विशिष्टता अनगिनत उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, नेटवर्किंग और कंप्यूटर उत्पादों के लिए कम बिजली की खपत को प्रोत्साहित करेगी|url=http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-widely-anticipated-ddr3l-low-voltage-memory-standard}}</ref> और डीडीआर3U अक्टूबर 2011 में।<ref>{{cite web|title=JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2|url=https://www.jedec.org/category/keywords/ddr3u}}</ref> | ||
| Line 198: | Line 209: | ||
=== घटक === | === घटक === | ||
* अतुल्यकालिक रीसेट पिन का परिचय | * अतुल्यकालिक रीसेट पिन का परिचय | ||
* | * प्रणाली-स्तरीय गतिज प्रतिपूर्ति का समर्थन | ||
* ऑन-डीआईएमएम मिरर-फ्रेंडली डीआरएएम पिनआउट | * ऑन-डीआईएमएम मिरर-फ्रेंडली डीआरएएम पिनआउट | ||
* | * सीडब्लूएल (CAS राइट लेटेंसी) प्रति घड़ी कोष्ठ का परिचय | ||
* ऑन-डाई I/O | * ऑन-डाई I/O मापांकन इंजन | ||
* | * मापांकन पढ़ें और लिखें | ||
* डायनेमिक ओडीटी (ऑन-डाई-टर्मिनेशन) सुविधा पढ़ने और लिखने के लिए अलग-अलग समाप्ति मूल्यों की अनुमति देती है | * डायनेमिक ओडीटी (ऑन-डाई-टर्मिनेशन) सुविधा पढ़ने और लिखने के लिए अलग-अलग समाप्ति मूल्यों की अनुमति देती है | ||
| Line 208: | Line 219: | ||
* ऑन-डीआईएमएम टर्मिनेशन के साथ फ्लाई-बाय कमांड/एड्रेस/कंट्रोल बस | * ऑन-डीआईएमएम टर्मिनेशन के साथ फ्लाई-बाय कमांड/एड्रेस/कंट्रोल बस | ||
* उच्च परिशुद्धता अंशांकन प्रतिरोधक | * उच्च परिशुद्धता अंशांकन प्रतिरोधक | ||
* पश्चगामी संगतता नहीं हैं—डीडीआर3 मॉड्यूल डीडीआर2 सॉकेट में फ़िट नहीं होते हैं; उन्हें | * पश्चगामी संगतता नहीं हैं—डीडीआर3 मॉड्यूल डीडीआर2 सॉकेट में फ़िट नहीं होते हैं; उन्हें विवश करने से डीआईएमएम और/या मदरबोर्ड को हानी हो सकता है<ref>{{cite web | ||
|url = http://www.kingston.com/channelmarketingcenter/hyperx/literature/MKF_1223_DDR3_FAQ.pdf | |url = http://www.kingston.com/channelmarketingcenter/hyperx/literature/MKF_1223_DDR3_FAQ.pdf | ||
|title = DDR3: Frequently Asked Questions | |title = DDR3: Frequently Asked Questions | ||
| Line 217: | Line 228: | ||
}}</ref> | }}</ref> | ||
=== डीडीआर2 पर तकनीकी लाभ === | |||
=== डीडीआर2 === | |||
* उच्च बैंडविड्थ प्रदर्शन, 2133 एमटी/एस तक मानकीकृत | * उच्च बैंडविड्थ प्रदर्शन, 2133 एमटी/एस तक मानकीकृत | ||
* नैनोसेकंड में मापी गई विलंबता में थोड़ा सुधार हुआ है | * नैनोसेकंड में मापी गई विलंबता में थोड़ा सुधार हुआ है | ||
* कम | * कम विधुत पर उच्च प्रदर्शन (लैपटॉप में लंबी बैटरी लाइफ) | ||
* बढ़ी हुई कम-शक्ति सुविधाएँ | * बढ़ी हुई कम-शक्ति सुविधाएँ | ||
== यह भी देखें == | == यह भी देखें == | ||
* डिवाइस बैंडविड्थ की सूची | * डिवाइस बैंडविड्थ की सूची | ||
* मोबाइल डीडीआर#एलपीडीडीआर3|कम पावर डीडीआर3 एसडीआरएएम (एलपीडीडीआर3) | * मोबाइल डीडीआर#एलपीडीडीआर3| कम पावर डीडीआर3 एसडीआरएएम (एलपीडीडीआर3) | ||
* मल्टी-चैनल मेमोरी आर्किटेक्चर | * मल्टी-चैनल मेमोरी आर्किटेक्चर | ||
| Line 236: | Line 246: | ||
{{Reflist}} | {{Reflist}} | ||
==बाहरी कड़ियाँ== | ==बाहरी कड़ियाँ== | ||
| Line 249: | Line 259: | ||
* [https://courses.cs.washington.edu/courses/cse467/11wi/lectures/SDRAM.pdf डीडीआर3 Synchronous डीआरएएम Memory] | * [https://courses.cs.washington.edu/courses/cse467/11wi/lectures/SDRAM.pdf डीडीआर3 Synchronous डीआरएएम Memory] | ||
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Latest revision as of 20:15, 7 January 2023
डबल डेटा रेट 3 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीडीआर3 एसडीआरएएम) एक उच्च बैंडविड्थ (कंप्यूटिंग) (डबल डेटा रेट) इंटरफ़ेस के साथ सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) का एक प्रकार है, और 2007 से उपयोग में है। डीडीआर एसडीआरएएम और डीडीआर2 एसडीआरएएम के लिए उच्च गति उत्तराधिकारी और डीडीआर4 एसडीआरएएम सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसडीआरएएम) चिप्स के पूर्ववर्ती हैं। डीडीआर3 एसडीआरएएम अलग-अलग सिग्नलिंग वोल्टेज, समय और अन्य कारकों के कारण किसी भी प्रकार की रैंडम-एक्सेस मेमोरी (रैम) के साथ न तो अग्रिम समानता है और न ही पश्चवर्ती समानता।
डीडीआर3 एक डीआरएएम इंटरफ़ेस विनिर्देश है। वास्तविक डीआरएएम सरणियाँ जो डेटा को संग्रहीत करती हैं, समान प्रदर्शन के साथ पहले के प्रकारों के समान होती हैं। अपने तत्काल पूर्ववर्ती डीडीआर2 एसडीआरएएम पर डीडीआर3 एसडीआरएएम का प्राथमिक लाभ, उच्च बैंडविड्थ या पीक डेटा गति को सक्षम करते हुए, दो बार गति (आंतरिक मेमोरी सरणियों की गति से आठ गुना) पर डेटा स्थानांतरित करने की क्षमता है।
डीडीआर3 मानक 8 गीगाबिट्स (जीबीit) तक की डीआरएएम चिप क्षमता की अनुमति देता है, और प्रति डीडीआर3 डीआईएमएम कुल अधिकतम 16 गीगाबाइट्स (जीबी) के लिए 64 बिट्स की चार मेमोरी रैंक तक की अनुमति देता है। 2013 में आइवी ब्रिज-ई तक हार्डवेयर सीमा तय नहीं होने के कारण, अधिकांश पुराने इंटेल सीपीयू केवल 8जीबी डीआईएमएम के लिए 4-जीबीit चिप्स तक का समर्थन करते हैं (इंटेल के कोर 2 डीडीआर3 चिपसेट केवल 2 जीबीit तक का समर्थन करते हैं)। सभी एएमडी सीपीयू 16 जीबी डीडीआर3 डीआईएमएम के लिए पूर्ण विनिर्देशन का सही ढंग से समर्थन करते हैं।[1]
इतिहास
फरवरी 2005 में, सैमसंग ने पहला प्रोटोटाइप डीडीआर3 मेमोरी चिप प्रस्तुत किया। सैमसंग ने डीडीआर3 के विकास और मानकीकरण में एक प्रमुख भूमिका निभाई।[2][3] मई 2005 में, JEDEC समिति के अध्यक्ष, डेसी रोडेन ने कहा कि डीडीआर3 का विकास लगभग 3 वर्षों से चल रहा था।Cite error: Closing </ref> missing for <ref> tag
उत्तराधिकारी
सितंबर 2012 में, JEDEC ने डीडीआर4 का अंतिम विनिर्देश जारी किया।[4] डीडीआर3 की तुलना में डीडीआर4 के प्राथमिक लाभों में क्लॉक फ्रीक्वेंसी और ट्रांसफर (कंप्यूटिंग) की उच्च मानकीकृत रेंज सम्मिलित है।[5] और काफी कम वोल्टेज।
विशिष्टता
अवलोकन
डीडीआर2 मेमोरी की तुलना में, डीडीआर3 मेमोरी कम विधुत का उपयोग करती है। कुछ निर्माता मल्टीगेट डिवाइस का उपयोग करने का प्रस्ताव देते हैं करंट के रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स) को कम करने के लिए डुअल-गेट ट्रांजिस्टर।[6]
जेईडीईसी के अनुसार,[7]: 111 1.575 वोल्ट को पूर्ण अधिकतम माना जाना चाहिए जब स्मृति स्थिरता सबसे महत्वपूर्ण विचार है, जैसे सर्वर या अन्य मिशन-महत्वपूर्ण उपकरणों में। इसके अलावा, जेईडीईसी कहता है कि मेमोरी मॉड्यूल को 1.80 वोल्ट तक का सामना करना चाहिए[lower-alpha 1] स्थायी क्षति होने से पहले, हालांकि उन्हें उस स्तर पर ठीक से काम करने की आवश्यकता नहीं है।[7]: 109
एक अन्य लाभ इसका प्रीफ़ेच बफर है, जो 8-बर्स्ट-डीप है। इसके विपरीत, डीडीआर2 का प्रीफ़ेच बफ़र 4-बर्स्ट-डीप है, और डीडीआर का प्रीफ़ेच बफ़र 2-बर्स्ट-डीप है। यह लाभ डीडीआर3 की स्थानांतरण गति में सक्षम करने वाली तकनीक है।
डीडीआर3 मॉड्यूल 400–1066 मेगाहर्ट्ज I/O क्लॉक सिग्नल की डबल डेटा गति का उपयोग करके 800–2133 ट्रांसफ़र (कंप्यूटिंग)/s की गति से डेटा स्थानांतरित कर सकते हैं। यह डीडीआर2 की डेटा अंतरण गति का दोगुना है (200–533 मेगाहर्ट्ज I/O घड़ी का उपयोग करके 400–1066 MT/s) और डीडीआर की गति का चार गुना (100–200 MHz I/O घड़ी का उपयोग करके 200–400 MT/s) . उच्च-प्रदर्शन ग्राफिक्स ऐसी बैंडविड्थ आवश्यकताओं का प्रारंभिक चालक था, जहां फ़्रेमबफ़र्स के बीच उच्च बैंडविड्थ डेटा स्थानांतरण की आवश्यकता होती है।
चूंकि हर्ट्ज प्रति सेकेंड चक्र का एक उपाय है, और हर दूसरे हस्तांतरण की तुलना में अधिक बार कोई संकेत चक्र नहीं है, मेगाहर्ट्ज की इकाइयों में अंतरण गति का वर्णन करना तकनीकी रूप से गलत है, हालांकि बहुत आम है। यह भ्रामक भी है क्योंकि घड़ी चक्रों की इकाइयों में विभिन्न स्मृति समय दिए गए हैं, जो डेटा स्थानांतरण की आधी गति हैं।
डीडीआर3 डीडीआर और डीडीआर2, स्टब सीरीज़ टर्मिनेटेड लॉजिक के समान इलेक्ट्रिक सिग्नलिंग मानक का उपयोग करता है, हालांकि यह अलग-अलग समय और वोल्टेज पर होता है। विशेष रूप से, डीडीआर3 SSTL_15 का उपयोग करता है।[9]
फरवरी 2005 में, सैमसंग ने 512 की क्षमता के साथ पहले डीडीआर3 मेमोरी प्रोटोटाइप का प्रदर्शन किया मेगाबिट और 1.066 की बैंडविड्थ जीबीपीएस।[2] मदरबोर्ड के रूप में उत्पाद जून 2007 में बाजार में आए[10] डीडीआर3-1600 (PC3-12800) तक बैंडविड्थ पर डीआईएमएम के साथ इंटेल कारपोरेशन के इंटेल P35 Bearlake चिपसेट पर आधारित है।[11] नवंबर 2008 में जारी इंटेल कोर i7, चिपसेट के स्थान पर सीधे मेमोरी से जुड़ता है। कोर i7, i5 और i3 CPU ने शुरू में केवल डीडीआर3 का समर्थन किया। फरवरी 2009 में रिलीज़ किए गए एडवांस्ड माइक्रो डिवाइसेस के सॉकेट AM3 फिनोम II X4 प्रोसेसर, डीडीआर3 को सपोर्ट करने वाले पहले थे (जबकि अभी भी पश्चवर्ती समानता के लिए डीडीआर2 का समर्थन रहे हैं)।
डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल
डीडीआर3 डीआईएमएम | डुअल-इनलाइन मेमोरी मॉड्यूल (डीआईएमएम) में 240 पिन होते हैं और डीडीआर2 के साथ विद्युत रूप से असंगत होते हैं। डीडीआर2 और डीडीआर3 डीआईएमएम में अलग-अलग स्थित एक प्रमुख पायदान- गलती से उन्हें बदलने से रोकता है। न केवल उन्हें अलग-अलग कुंजीबद्ध किया गया है, बल्कि डीडीआर 2 के किनारों पर गोल निशान हैं और डीडीआर 3 मॉड्यूल के पक्ष में वर्ग के निशान हैं।[12] डीडीआर3 SO-डीआईएमएम में 204 पिन होते हैं।[13] स्काइलेक माइक्रोआर्किटेक्चर के लिए, इंटेल ने यूनिडीआईएमएम नामक एक एसओ-डीआईएमएम पैकेज भी डिजाइन किया है, जो डीडीआर3 या डीडीआर4 चिप्स का उपयोग कर सकता है। सीपीयू का एकीकृत मेमोरी कंट्रोलर तब किसी के साथ भी काम कर सकता है। युनीडीआईएमएस का उद्देश्य डीडीआर3 से डीडीआर4 में संक्रमण को संभालना है, जहाँ मूल्य निर्धारण और उपलब्धता रैम विशेषता को परिवर्तित करने के लिए वांछनीय बना सकती है। युनीडीआईएमएस में नियमित डीडीआर4 SO-डीआईएमएम के समान विस्तार और पिन की संख्या होती है, लेकिन असंगत डीडीआर4 SO-डीआईएमएम सॉकेट में गलती से उपयोग करने से बचने के लिए पायदान को अलग विधि से रखा जाता है।[14]
विलंबता
डीडीआर3 विलंबता संख्यात्मक रूप से अधिक है क्योंकि I/O बस क्लॉक सिग्नल चक्र जिसके द्वारा उन्हें मापा जाता है, छोटा होता है; वास्तविक समय अंतराल डीडीआर2 विलंबता के समान है, लगभग 10 एनएस। कुछ सुधार हुआ है क्योंकि डीडीआर3 सामान्यतःअधिक हालिया निर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करता है, लेकिन यह सीधे डीडीआर3 में परिवर्तन के कारण नहीं होता है।
कैस लेटेंसी (एनएस) = 1000 × सीएल (चक्र) ÷ घड़ी की आवृत्ति (मेगाहर्ट्ज) = 2000 × सीएल (चक्र) ÷ अंतरण गति (एमटी/एस)
जबकि JEDEC डीडीआर2-800 डिवाइस के लिए विशिष्ट मेमोरी समय 5-5-5-15 (12.5 ns) थे, JEDEC डीडीआर3 डिवाइस के लिए कुछ मानक विलंबता में डीडीआर3-1066 (13.125 ns) और 8 के लिए 7-7-7-20सम्मिलित हैं -8-8-24 डीडीआर3-1333 (12 एनएस) के लिए।
पहले की मेमोरी पीढ़ी के साथ, प्रारंभिक संस्करणों के रिलीज़ होने के बाद तेज़ डीडीआर3 मेमोरी उपलब्ध हो गई। डीडीआर3-2000 मेमोरी 9-9-9-28 विलंबता (9 ns) के साथ 2008 के अंत में इंटेल कोर i7 रिलीज़ के समय उपलब्ध थी,[15] जबकि बाद के विकास ने डीडीआर3-2400 को व्यापक रूप से उपलब्ध कराया (CL 9–12 चक्र = 7.5–10 ns के साथ), और डीडीआर3-3200 तक की गति उपलब्ध (CL 13 चक्र = 8.125 ns के साथ)।
विधुत का उपभोग
अलग-अलग एसडीआरएएम चिप्स ( विस्तार से, डीआईएमएम) की विधुत की उपभोग गति, उपयोग के प्रकार, वोल्टेज आदि सहित कई कारकों के आधार पर भिन्न होती है। डेल के पावर एडवाइजर ने गणना की है कि 4 जीबी ईसीसी डीडीआर1333 आरडीआईएमएम प्रत्येक लगभग 4 डब्ल्यू का उपयोग करते हैं।[16] इसके विपरीत, एक अधिक आधुनिक मेनस्ट्रीम डेस्कटॉप-उन्मुख भाग 8जीबी, डीडीआर3/1600 डीआईएमएम, अपेक्षा तेज होने के पश्चात्, 2.58 W मापा गया है।[17]
मॉड्यूल
| नाम | चिप | बस | मानक समय | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| मानक | प्रकार | मापांक | घड़ी की गति (मेगाहर्ट्ज) | समय चक्र (नैनोसेकंड)[18] | घड़ी की गति (मेगाहर्ट्ज) | अंतरण गति (MT/s) | बैंडविड्थ (एमबी/एस) | सीएल-टीआरसीडी-टीआरपी | कैस
विलंब (एनएस) |
| डीडीआर3-800 | D | PC3-6400 | 100 | 10 | 400 | 800 | 6400 | 5-5-5 | 12.5 |
| E | 6-6-6 | 15 | |||||||
| डीडीआर3-1066 | E | PC3-8500 | 1331⁄3 | 7.5 | 5331⁄3 | 10662⁄3 | 85331⁄3 | 6-6-6 | 11.25 |
| F | 7-7-7 | 13.125 | |||||||
| G | 8-8-8 | 15 | |||||||
| डीडीआर3-1333 | F* | PC3-10600 | 1662⁄3 | 6 | 6662⁄3 | 13331⁄3 | 106662⁄3 | 7-7-7 | 10.5 |
| G | 8-8-8 | 12 | |||||||
| H | 9-9-9 | 13.5 | |||||||
| J* | 10-10-10 | 15 | |||||||
| डीडीआर3-1600 | G* | PC3-12800 | 200 | 5 | 800 | 1600 | 12800 | 8-8-8 | 10 |
| H | 9-9-9 | 11.25 | |||||||
| J | 10-10-10 | 12.5 | |||||||
| K | 11-11-11 | 13.75 | |||||||
| डीडीआर3-1866 | डीडीआर3-1866J* डीडीआर3-1866K डीडीआर3-1866L डीडीआर3-1866M* |
PC3-14900 | 2331⁄3 | 4.286 | 9331⁄3 | 18662⁄3 | 149331⁄3 | 10-10-10 11-11-11 12-12-12 13-13-13 |
10.56 11.786 12.857 13.929 |
| डीडीआर3-2133 | डीडीआर3-2133K* डीडीआर3-2133L डीडीआर3-2133M डीडीआर3-2133N* |
PC3-17000 | 2662⁄3 | 3.75 | 10662⁄3 | 21331⁄3 | 170662⁄3 | 11-11-11 12-12-12 13-13-13 14-14-14 |
10.313 11.25 12.188 13.125 |
* वैकल्पिक
डीडीआर3-xxx डेटा अंतरण गति को दर्शाता है, और डीडीआर चिप्स का वर्णन करता है, जबकि PC3-xxxx सैद्धांतिक बैंडविड्थ को दर्शाता है (अंतिम दो अंकों को हटा दिया गया है), और इकट्ठे डीआईएमएम का वर्णन करने के लिए उपयोग किया जाता है। बैंडविड्थ की गणना प्रति सेकंड स्थानान्तरण और आठ से गुणा करके की जाती है। ऐसा इसलिए है क्योंकि डीडीआर3 मेमोरी मॉड्यूल एक बस में डेटा ट्रांसफर करता है जो 64 डेटा बिट्स चौड़ा है,और चूंकि एक बाइट में 8 बिट्स होते हैं, यह प्रति ट्रांसफर 8 बाइट्स डेटा के सामानांतर होती है।
चौगुनी क्लॉक सिग्नल के प्रति चक्र दो स्थानान्तरण के साथ, एक 64-बिट चौड़ा डीडीआर3 मॉड्यूल मेमोरी क्लॉक सिग्नल गति के 64 गुना तक की अंतरण गति प्राप्त कर सकता है। प्रति मेमोरी मॉड्यूल में एक समय में 64 बिट्स डेटा स्थानांतरित होने के साथ, डीडीआर3 एसडीआरएएम (मेमोरी घडी की गति) × 4 (बस क्लॉक मल्टीप्लायर के लिए) × 2 (डेटा गति के लिए) × 64 (स्थानांतरित बिट्स की संख्या) / 8 की ट्रांसफर गति देता है। (एक बाइट में बिट्स की संख्या)। इस प्रकार 100 MHz की मेमोरी क्लॉक आवृत्ति के साथ, डीडीआर3 एसडीआरएएम 6400 MB/s की अधिकतम अंतरण गति देता है।
डीडीआर मेमोरी की दोहरी डेटा गति के कारण डेटा गति (स्थानांतरण (कंप्यूटिंग)|MT/s) I/O बस घड़ी (मेगाहर्ट्ज में) से दोगुनी है। जैसा कि ऊपर बताया गया है, एमबी/एस में बैंडविड्थ आठ से गुणा की गई डेटा गति है।
सीएल - कैस लेटेंसी क्लॉक सिग्नल, मेमोरी में कॉलम एड्रेस भेजने और प्रतिक्रिया में डेटा की प्रारम्भिक प्रकिया
टीआरसीडी - पंक्ति के बीच सक्रिय घड़ी चक्र का पठन/लेखन
टीआरपी - पंक्ति के बीच सक्रिय घड़ी चक्र का पूर्वप्रभार/सक्रियता
भिन्नात्मक आवृत्तियों को सामान्यतः घटाया जाता है, लेकिन सटीक संख्या 6662⁄3 होने और निकटतम पूर्ण संख्या तक पूर्णांकित होने के कारण 667 तक पूर्णांक बनाना सामान्य है। कुछ निर्माता इसके अतिरिक्त एक निश्चित सटीकता तक
बढाया भी करते हैं। उदाहरण के लिए, PC3-10666 मेमोरी को PC3-10600 या PC3-10700 के रूप में सूचीबद्ध किया जा सकता है।[19]
नोट: ऊपर सूचीबद्ध सभी सामग्री JEDEC द्वारा JESD79-3F के रूप में निर्दिष्ट किए गए हैं।[7]: 157–165 इन सूचीबद्ध विनिर्देशों के बीच या ऊपर सभी रैम डेटा गति JEDEC द्वारा मानकीकृत नहीं हैं - अधिकांशतः वे उच्च-सहिष्णुता या ओवरवॉल्टेड चिप्स का उपयोग करके केवल निर्माता अनुकूलन होते हैं। मई 2010 तक इन गैर-मानक विशिष्टताओं में से उच्चतम रिपोर्ट की गई गति डीडीआर3-2544 के सामानांतर थी।[20]
वैकल्पिक नामकरण: डीडीआर3 मॉड्यूल को अधिकांशतः विपणन कारणों से, डेटा-गति के बाद, उपसर्ग PC (PC3 के अतिरिक्त) के साथ गलत विधि से प्रचारित किया जाता है। इस परम्परा केअंतर्गत PC3-10600 को PC1333 के रूप में सूचीबद्ध किया गया है।[21]
सीरियल उपस्थिति का पता लगाने
डीडीआर3 मेमोरी सीरियल उपस्थिति का पता लगाने का उपयोग करती है।[22] सीरियल उपस्थिति का पता लगाने (एसपीडी) एक सीरियल इंटरफ़ेस का उपयोग करके यादृच्छिक-एक्सेस मेमोरी के बारे में जानकारी को स्वचालित रूप से एक्सेस करने का एक मानकीकृत विधि है। यह सामान्यतः मेमोरी मॉड्यूल के स्वचालित कॉन्फ़िगरेशन के लिए पावर-ऑन सेल्फ-टेस्ट के समय उपयोग किया जाता है।
रिलीज 4
डीडीआर3 सीरियल प्रजेंस डिटेक्ट (SPD) अभिलेख (SPD4_01_02_11) का रिलीज़ 4 भार में कमी डीआईएमएम और 16b-SO-डीआईएमएम और 32b-SO-डीआईएमएम के लिए भी समर्थन जोड़ता है।
JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 1 सितंबर, 2011 को डीडीआर3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) अभिलेखों के रिलीज़ 4 के प्रकाशन की घोषणा की।[23]
एक्सएमपी एक्सटेंशन
इंटेल कारपोरेशन ने आधिकारिक तौर पर 23 मार्च, 2007 को एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट # एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफाइल (XMP)) विशिष्टता प्रस्तुत की, डीडीआर3 एसडीआरएएम के लिए पारंपरिक JEDEC सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट स्पेसिफिकेशंस के उत्साही प्रदर्शन एक्सटेंशन को सक्षम करने के लिए।[24]
प्रकार
बैंडविड्थ संज्ञा (जैसे डीडीआर3-800D), और क्षमता वेरिएंट के अलावा, मॉड्यूल निम्न में से एक हो सकते हैं:
- ECC मेमोरी, जिसमें एक अतिरिक्त डेटा बाइट लेन है, जिसका उपयोग साधारण त्रुटियों को ठीक करने और बेहतर विश्वसनीयता के लिए बड़ी त्रुटियों का पता लगाने के लिए किया जाता है। ECC वाले मॉड्यूल की मान्यता एक अतिरिक्त ECC या E द्वारा उनके संज्ञा में की जाती है। उदाहरण के लिए: PC3-6400 ECC , या PC3-8500E।[25]
- पंजीकृत मेमोरी, जो बढ़ी हुई विलंबता की अतिरिक्त घड़ी के मूल्य पर, हार्डवेयर रजिस्टर के साथ संकेतों को विद्युत रूप से बफ़र करके सिग्नल अखंडता (और इसलिए संभावित रूप से घड़ी की गति और भौतिक स्लॉट क्षमता) में सुधार करती है। उन मॉड्यूल की मान्यता उनके संज्ञा में एक अतिरिक्त R द्वारा की जाती है, उदाहरण के लिए PC3-6400R।[26]
- गैर-पंजीकृत (अनबफर्ड मेमोरी) रैम को संज्ञा में एक अतिरिक्त 'यू' द्वारा पहचाना जा सकता है।[26]
- पूरी तरह से बफ़र किए गए डीआईएमएम मॉड्यूल, जिन्हें F या FB द्वारा नामित किया गया है और अन्य वर्गों के समान पायदान की स्थिति नहीं है। पूरी तरह से बफ़र्ड मॉड्यूल का उपयोग उन मदरबोर्ड के साथ नहीं किया जा सकता है जो पंजीकृत मॉड्यूल के लिए बने हैं, और अलग-अलग पायदान की स्थिति भौतिक रूप से उनके सम्मिलन को रोकती है।
- एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल, जो एलआर द्वारा नामित हैं और पंजीकृत/बफर मेमोरी के समान हैं, एक तरह से एलआरडीआईएमएम मॉड्यूल सभी संकेतों की समानांतर प्रकृति को बनाए रखते हुए नियंत्रण और डेटा लाइनों दोनों को बफर करते हैं। इस प्रकार, एलआरडीआईएमएम मेमोरी सीरियल और समांतर सिग्नल रूपों के बीच आवश्यक रूपांतरण से प्रेरित एफबी मेमोरी के कुछ प्रदर्शन और विधुत उपभोग के की स्थितियों को संबोधित करते हुए बड़ी समग्र अधिकतम मेमोरी क्षमता प्रदान करती है।
दोनों एफबीडीआईएमएम (पूरी तरह से बफ़र्ड) और एलआरडीआईएमएम (लोड रिड्यूस्ड) मेमोरी प्रकार मुख्य रूप से किसी भी समय मेमोरी चिप्स में आने और जाने वाले विद्युत प्रवाह की मात्रा को नियंत्रित करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। वे पंजीकृत/बफ़र्ड मेमोरी के साथ संगत नहीं हैं, और जिन मदरबोर्ड को उनकी आवश्यकता होती है, वे सामान्यतः किसी अन्य प्रकार की मेमोरी को स्वीकार नहीं करेंगे।
डीडीआर3L और डीडीआर3U एक्सटेंशन
डीडीआर3L (डीडीआर3 लो वोल्टेज) मानक JESD79-3 डीडीआर3 मेमोरी डिवाइस मानक का एक परिशिष्ट है जो कम वोल्टेज उपकरणों को निर्दिष्ट करता है।[27] डीडीआर3L मानक 1.35 V है और इसके मॉड्यूल के लिए PC3L लेबल है। उदाहरणों में डीडीआर3L-800 (PC3L-6400), डीडीआर3L-1066 (PC3L-8500), डीडीआर3L-1333 (PC3L-10600), और डीडीआर3L-1600 (PC3L-12800)सम्मिलित हैं। डीडीआर3L और डीडीआर3U विनिर्देशों के लिए निर्दिष्ट मेमोरी मूल डीडीआर3 मानक के साथ संगत है, और कम वोल्टेज या 1.50 V पर चल सकती है।[28] हालाँकि, जिन उपकरणों को स्पष्ट रूप से डीडीआर3L की आवश्यकता होती है, जो 1.35 V पर काम करते हैं, जैसे कि चौथी पीढ़ी के इंटेल कोर प्रोसेसर के मोबाइल संस्करणों का उपयोग करने वाले सिस्टम, 1.50 V डीडीआर3 मेमोरी के साथ संगत नहीं हैं।[29] डीडीआर3L LPडीडीआर#LP-डीडीआर3 मोबाइल मेमोरी मानक से अलग और असंगत है।
डीडीआर3U (डीडीआर3 अल्ट्रा लो वोल्टेज) मानक 1.25 V है और इसके मॉड्यूल के लिए लेबल PC3U है।[30]
JEDEC सॉलिड स्टेट टेक्नोलॉजी एसोसिएशन ने 26 जुलाई, 2010 को JEDEC डीडीआर3L के प्रकाशन की घोषणा की[31] और डीडीआर3U अक्टूबर 2011 में।[32]
पठनीय सारांश
घटक
- अतुल्यकालिक रीसेट पिन का परिचय
- प्रणाली-स्तरीय गतिज प्रतिपूर्ति का समर्थन
- ऑन-डीआईएमएम मिरर-फ्रेंडली डीआरएएम पिनआउट
- सीडब्लूएल (CAS राइट लेटेंसी) प्रति घड़ी कोष्ठ का परिचय
- ऑन-डाई I/O मापांकन इंजन
- मापांकन पढ़ें और लिखें
- डायनेमिक ओडीटी (ऑन-डाई-टर्मिनेशन) सुविधा पढ़ने और लिखने के लिए अलग-अलग समाप्ति मूल्यों की अनुमति देती है
मॉड्यूल
- ऑन-डीआईएमएम टर्मिनेशन के साथ फ्लाई-बाय कमांड/एड्रेस/कंट्रोल बस
- उच्च परिशुद्धता अंशांकन प्रतिरोधक
- पश्चगामी संगतता नहीं हैं—डीडीआर3 मॉड्यूल डीडीआर2 सॉकेट में फ़िट नहीं होते हैं; उन्हें विवश करने से डीआईएमएम और/या मदरबोर्ड को हानी हो सकता है[33]
डीडीआर2 पर तकनीकी लाभ
- उच्च बैंडविड्थ प्रदर्शन, 2133 एमटी/एस तक मानकीकृत
- नैनोसेकंड में मापी गई विलंबता में थोड़ा सुधार हुआ है
- कम विधुत पर उच्च प्रदर्शन (लैपटॉप में लंबी बैटरी लाइफ)
- बढ़ी हुई कम-शक्ति सुविधाएँ
यह भी देखें
- डिवाइस बैंडविड्थ की सूची
- मोबाइल डीडीआर#एलपीडीडीआर3| कम पावर डीडीआर3 एसडीआरएएम (एलपीडीडीआर3)
- मल्टी-चैनल मेमोरी आर्किटेक्चर
टिप्पणियाँ
संदर्भ
- ↑ Cutress, Ian (2014-02-11). "I'M इंटेलिजेंट मेमोरी 16GB अपंजीकृत DDR3 मॉड्यूल जारी करने के लिए". anandtech.com. Retrieved 2015-04-20.
- ↑ 2.0 2.1 "सैमसंग ने दुनिया का पहला डीडीआर 3 मेमोरी प्रोटोटाइप प्रदर्शित किया". Phys.org. 17 February 2005. Retrieved 23 June 2019.
- ↑ "2000 से 2009 तक हमारी गौरवशाली विरासत". Samsung Semiconductor. Samsung. Retrieved 25 June 2019.
- ↑ "JEDEC ने DDR4 मानक - JEDEC के प्रकाशन की घोषणा की". JEDEC. Retrieved 12 October 2014.
- ↑ Shilov, Anton (August 16, 2010). "नेक्स्ट-जेनरेशन DDR4 मेमोरी 4.266GHz तक पहुंचेगी - रिपोर्ट". XbitLabs.com. Archived from the original on December 19, 2010. Retrieved 2011-01-03.
- ↑ McCloskey, Alan, Research: DDR FAQ, archived from the original on 2007-11-12, retrieved 2007-10-18
- ↑ 7.0 7.1 7.2 "DDR3 SDRAM मानक (संशोधन F)". JEDEC. July 2012. Retrieved 2015-07-05.
- ↑ "DDR3 SDRAM standard (revision E)" (PDF). JEDEC. July 2010. Retrieved 2015-07-05.
- ↑ Chang, Jaci (2004). "DDR3 मेमोरी सब-सिस्टम के लिए डिज़ाइन विचार" (PDF). Jedex. p. 4. Archived from the original (PDF) on 2012-07-24. Retrieved 2020-08-12.
- ↑ Soderstrom, Thomas (2007-06-05). "पाइप ड्रीम्स: छह P35-DDR3 मदरबोर्ड की तुलना". Tom's Hardware.
- ↑ Fink, Wesley (2007-07-20). "सुपर प्रतिभा और टीम: DDR3-1600 यहाँ है!". AnandTech.
- ↑ DocMemory (2007-02-21). "मेमोरी मॉड्यूल पिक्चर 2007". Archived from the original on 2017-06-06. Retrieved 2022-01-05.
- ↑ "204-पिन डीडीआर3 एसडीआरएएम अनबफर्ड एसओडीआईएमएम डिजाइन विनिर्देश". JEDEC. May 2014. Retrieved 2015-07-05.
- ↑ "मेनस्ट्रीम के लिए इंटेल DDR3 और DDR4 के बीच संक्रमण की योजना कैसे बनाता है". techpowerup.com. Retrieved 19 March 2018.
- ↑ Shilov, Anton (2008-10-29). "इंटेल कोर i7 प्लेटफॉर्म के लिए किंग्स्टन ने उद्योग का पहला 2GHz मेमोरी मॉड्यूल पेश किया". Xbit Laboratories. Archived from the original on 2008-11-01. Retrieved 2008-11-02.
- ↑ "डेल एनर्जी स्मार्ट सॉल्यूशन एडवाइजर". Essa.us.dell.com. Archived from the original on 2013-08-01. Retrieved 2013-07-28.
- ↑ http://www.kingston.com/dataSheets/KVR16N11_8.pdf[bare URL PDF]
- ↑ Cycle time is the inverse of the I/O bus clock frequency; e.g., 1/(100 MHz) = 10 ns per clock cycle.
- ↑ Pc3 10600 vs. pc3 10666 What's the difference – New-System-Build, Tomshardware.com, retrieved 2012-01-23
- ↑ Kingston's 2,544 MHz DDR3 On Show at Computex, News.softpedia.com, 2010-05-31, retrieved 2012-01-23
- ↑ Crucial Value CT2KIT51264BA1339 PC1333 4GB Memory RAM (DDR3, CL9) Retail, www.amazon.co.uk, 2016-05-10, retrieved 2016-05-10
- ↑ "DDR3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट (SPD) टेबल को समझना". simmtester.com. Retrieved 12 December 2015.
- ↑ "JEDEC ने DDR3 सीरियल प्रेजेंस डिटेक्ट स्पेसिफिकेशन की रिलीज़ 4 के प्रकाशन की घोषणा की".
- ↑ "Intel एक्सट्रीम मेमोरी प्रोफ़ाइल (Intel XMP) DDR3 तकनीक" (PDF). Retrieved 2009-05-29.
- ↑ Memory technology evolution: an overview of system memory technologies (PDF), Hewlett-Packard, p. 18, archived from the original (PDF) on 2011-07-24
- ↑ 26.0 26.1 "LR-DIMM, LRDIMM मेमोरी क्या है? (लोड-डीआईएमएम कम करें)". simmtester.com. Archived from the original on 2014-09-03. Retrieved 2014-08-29.
- ↑ "JESD79-3 - 1.35 V DDR3L-800, DDR3L-1066, DDR3L-1333, DDR3L-1600, और DDR3L-1866 में परिशिष्ट संख्या 1". May 2013. Retrieved 2019-09-08.
- ↑ "JESD79-3 - 1.35 V DDR3L-800, DDR3L-1066, DDR3L-1333, DDR3L-1600, और DDR3L-1866 में परिशिष्ट संख्या 1". May 2013. Retrieved 2019-09-08.
DDR3L VDD/VDDQ आवश्यकताएँ - बिजली की आपूर्ति: DDR3L ऑपरेशन = 1.283 V से 1.45 V; DDR3 ऑपरेशन = 1.425 V से 1.575 V .. DDR3L ऑपरेशन के लिए एक बार आरंभ होने के बाद, DDR3 ऑपरेशन का उपयोग केवल तभी किया जा सकता है जब डिवाइस रीसेट में हो, जबकि VDD और VDDQ DDR3 ऑपरेशन के लिए बदले गए हों
- ↑ "DDR3L मेमोरी क्या है?". Dell.com. Dell. 2016-10-03. Retrieved 2016-10-04.
- ↑ "JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2". October 2011. Retrieved 2019-09-08.
- ↑ "विशिष्टता अनगिनत उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, नेटवर्किंग और कंप्यूटर उत्पादों के लिए कम बिजली की खपत को प्रोत्साहित करेगी".
- ↑ "JESD79-3, 1.25 V DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, और DDR3U-1600 के परिशिष्ट संख्या 2".
- ↑ "DDR3: Frequently Asked Questions" (PDF). Archived from the original (PDF) on 2009-12-29. Retrieved 2009-08-18.
बाहरी कड़ियाँ
- JEDEC standard No. 79-3 (JESD79-3: डीडीआर3 एसडीआरएएम)
- डीडीआर3 एसडीआरएएम standard JESD79-3F
- Addendum No. 1 to JESD79-3 - 1.35 V डीडीआर3L-800, डीडीआर3L-1066, डीडीआर3L-1333, डीडीआर3L-1600, and डीडीआर3L-1866 (JESD79-3-1A.01)
- Addendum No. 2 to JESD79-3 - 1.25 V डीडीआर3U-800, डीडीआर3U-1066, डीडीआर3U-1333, and डीडीआर3U-1600
- Addendum No. 3 to JESD79-3 - 3D Stacked एसडीआरएएम
- SPD (Serial Presence Detect), from JEDEC standard No. 21-C (JESD21C: JEDEC configurations for solid state memories)
- डीडीआर, डीडीआर2, डीडीआर3 memory slots testing
- डीडीआर3 Synchronous डीआरएएम Memory
