लेड(II) सल्फाइड: Difference between revisions
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इस अभिक्रिया का उपयोग [[गुणात्मक अकार्बनिक विश्लेषण]] में किया जाता है। हाइड्रोजन सल्फाइड या सल्फाइड आयनों की उपस्थिति का परीक्षण "लेड एसीटेट पेपर" का उपयोग करके किया जा सकता है। | इस अभिक्रिया का उपयोग [[गुणात्मक अकार्बनिक विश्लेषण]] में किया जाता है। हाइड्रोजन सल्फाइड या सल्फाइड आयनों की उपस्थिति का परीक्षण "लेड एसीटेट पेपर" का उपयोग करके किया जा सकता है। | ||
संबंधित पदार्थ [[सीसा सेलेनाइड|PbSe]] और | संबंधित पदार्थ [[सीसा सेलेनाइड|PbSe]] और PbTe की तरह, PbS एक अर्धचालक है।<ref>{{cite book|author1=Vaughan, D. J. |author2=Craig, J. R. |title=धातु सल्फाइड का खनिज रसायन|publisher= Cambridge University Press|location= Cambridge|year= 1978|isbn=978-0-521-21489-6}};</ref> वस्तुत:, लेड सल्फाइड अर्धचालक के रूप में उपयोग की जाने वाली सबसे प्रारंभिक पदार्थों में से एक था।<ref>Hogan, C. Michael (2011). [http://www.eoearth.org/article/Sulfur?topic=49557 "Sulfur"]. in ''Encyclopedia of Earth'', eds. A. Jorgensen and C.J. Cleveland, National Council for Science and the environment, Washington DC. {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20121028080550/http://www.eoearth.org/article/Sulfur?topic=49557 |date=2012-10-28 }}</ref> कई अन्य IV-VI अर्धचालकों के विपरीत, लेड सल्फाइड [[सोडियम क्लोराइड]] मोटिफ में क्रिस्टलीकृत होता है। | ||
चूंकि PbS सीसे का मुख्य अयस्क है, इसलिए इसके रूपांतरण पर बहुत अधिक ध्यान केंद्रित किया गया है। एक प्रमुख प्रक्रिया में PbS को पिघलाना और उसके बाद परिणामी [[ऑक्साइड]] को कम करना सम्मिलित है। इन दो चरणों के लिए आदर्श समीकरण हैं:<ref>{{cite book|author1=Sutherland, Charles A. |author2=Milner, Edward F. |author3=Kerby, Robert C. |author4=Teindl, Herbert |author5=Melin, Albert |author6=Bolt, Hermann M. |chapter=Lead|title= उलेमान का औद्योगिक रसायन विज्ञान का विश्वकोश|year= 2005 |publisher=Wiley-VCH|location= Weinheim|doi=10.1002/14356007.a15_193.pub2|isbn=978-3527306732 }}</ref> | चूंकि PbS सीसे का मुख्य अयस्क है, इसलिए इसके रूपांतरण पर बहुत अधिक ध्यान केंद्रित किया गया है। एक प्रमुख प्रक्रिया में PbS को पिघलाना और उसके बाद परिणामी [[ऑक्साइड]] को कम करना सम्मिलित है। इन दो चरणों के लिए आदर्श समीकरण हैं:<ref>{{cite book|author1=Sutherland, Charles A. |author2=Milner, Edward F. |author3=Kerby, Robert C. |author4=Teindl, Herbert |author5=Melin, Albert |author6=Bolt, Hermann M. |chapter=Lead|title= उलेमान का औद्योगिक रसायन विज्ञान का विश्वकोश|year= 2005 |publisher=Wiley-VCH|location= Weinheim|doi=10.1002/14356007.a15_193.pub2|isbn=978-3527306732 }}</ref> | ||
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PbS विद्युत डायोड के लिए उपयोग की जाने वाले पहले पदार्थों में से एक था जो | PbS विद्युत डायोड के लिए उपयोग की जाने वाले पहले पदार्थों में से एक था जो अवरक्त प्रकाश सहित विद्युत चुम्बकीय विकिरण का पता लगा सकता था।<ref>{{cite journal |doi=10.1088/0370-1301/64/7/110 |title=Lead Sulphide – An Intrinsic Semiconductor |year=1951 |author=Putley, E H |journal=Proceedings of the Physical Society | series = Series B | volume=64 |issue=7 |pages=616–618 |last2=Arthur |first2=J B|author-link=E. H. Putley }}</ref> एक इन्फ्रारेड सेंसर के रूप में, PbS सीधे प्रकाश का पता लगाता है, थर्मल डिटेक्टरों के विपरीत, जो विकिरण के कारण डिटेक्टर तत्व के तापमान में बदलाव पर अभिक्रिया करता है। एक PbS तत्व का उपयोग विकिरण को मापने के लिए दो तरीकों से किया जा सकता है: जब फोटॉन PbS से टकराते हैं तो उनके कारण होने वाले छोटे [[फोटोवर्तमान|फोटोकरंट]] को मापकर, या फोटॉन के कारण होने वाले पदार्थ के विद्युत प्रतिरोध में परिवर्तन को मापकर किया जा सकता है। प्रतिरोध परिवर्तन को मापना अधिक सामान्यतः उपयोग की जाने वाली विधि है। कमरे के तापमान पर, PbS लगभग 1 और 2.5 μm के बीच [[तरंग दैर्ध्य]] पर विकिरण के प्रति संवेदनशील होता है। यह सीमा विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के इन्फ्रा-रेड भाग, तथाकथित लघु-तरंग दैर्ध्य इन्फ्रारेड (एसडब्ल्यूआईआर) में छोटी तरंग दैर्ध्य से मेल खाती है। केवल बहुत गर्म वस्तुएं ही इन तरंग दैर्ध्य में विकिरण उत्सर्जित करती हैं। | ||
PbS तत्वों को ठंडा करना, उदाहरण के लिए तरल नाइट्रोजन या [[पेल्टियर तत्व]] प्रणाली का उपयोग करके, इसकी संवेदनशीलता सीमा को लगभग 2 और 4 माइक्रोन के बीच स्थानांतरित कर देता है। जो वस्तुएं इन तरंग दैर्ध्य में विकिरण उत्सर्जित करती हैं, उन्हें अभी भी काफी गर्म होना चाहिए - कई सौ डिग्री [[ सेल्सीयस |सेल्सियस]] - लेकिन उतनी गर्म नहीं होती जितनी कि बिना ठंडे सेंसर द्वारा पता लगाई जा सकती हैं। (इस उद्देश्य के लिए उपयोग किए जाने वाले अन्य यौगिकों में [[इंडियम एंटीमोनाइड]] (InSb) और मरकरी-कैडमियम टेलुराइड ([[HgCdTe]]) सम्मिलित हैं, जिनमें लंबी IR तरंग दैर्ध्य का पता लगाने के लिए कुछ हद तक बेहतर गुण हैं।) PbS का उच्च ढांकता हुआ स्थिरांक अपेक्षाकृत धीमे हो जाते हैं ([[सिलिकॉन]], [[जर्मेनियम]], InSb, या HgCdTe की तुलना में)। | PbS तत्वों को ठंडा करना, उदाहरण के लिए तरल नाइट्रोजन या [[पेल्टियर तत्व]] प्रणाली का उपयोग करके, इसकी संवेदनशीलता सीमा को लगभग 2 और 4 माइक्रोन के बीच स्थानांतरित कर देता है। जो वस्तुएं इन तरंग दैर्ध्य में विकिरण उत्सर्जित करती हैं, उन्हें अभी भी काफी गर्म होना चाहिए - कई सौ डिग्री [[ सेल्सीयस |सेल्सियस]] - लेकिन उतनी गर्म नहीं होती जितनी कि बिना ठंडे सेंसर द्वारा पता लगाई जा सकती हैं। (इस उद्देश्य के लिए उपयोग किए जाने वाले अन्य यौगिकों में [[इंडियम एंटीमोनाइड]] (InSb) और मरकरी-कैडमियम टेलुराइड ([[HgCdTe]]) सम्मिलित हैं, जिनमें लंबी IR तरंग दैर्ध्य का पता लगाने के लिए कुछ हद तक बेहतर गुण हैं।) PbS का उच्च ढांकता हुआ स्थिरांक अपेक्षाकृत धीमे हो जाते हैं ([[सिलिकॉन]], [[जर्मेनियम]], InSb, या HgCdTe की तुलना में)। | ||
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Latest revision as of 22:53, 10 October 2023
| File:Galena-unit-cell-3D-ionic.png | |
| File:Sulfid olovnatý.PNG | |
| Names | |
|---|---|
| Other names
Plumbous sulfide
Galena, Sulphuret of lead | |
| Identifiers | |
3D model (JSmol)
|
|
| ChemSpider | |
| EC Number |
|
PubChem CID
|
|
| RTECS number |
|
| UNII | |
| UN number | 3077 |
| |
| |
| Properties | |
| PbS | |
| Molar mass | 239.30 g/mol |
| Appearance | Black |
| Density | 7.60 g/cm3[1] |
| Melting point | 1,113[1] °C (2,035 °F; 1,386 K) |
| Boiling point | 1,281 °C (2,338 °F; 1,554 K) |
| 2.6×10−11 kg/kg (calculated, at pH=7)[2] 8.6×10−7 kg/kg[3] | |
| −83.6·10−6 cm3/mol[4] | |
Refractive index (nD)
|
3.91[5] |
| Structure[7] | |
| Halite (cubic), cF8 | |
| Fm3m, No. 225 | |
a = 5.936 Å
| |
Formula units (Z)
|
4 |
| Octahedral (Pb2+) Octahedral (S2−) | |
| 3.59 D[6] | |
| Thermochemistry[8] | |
Heat capacity (C)
|
49.5 J/mol⋅K |
Std molar
entropy (S⦵298) |
91.2 J/mol |
Std enthalpy of
formation (ΔfH⦵298) |
-100.4 kJ/mol |
Gibbs free energy (ΔfG⦵)
|
-98.7 kJ/mol |
| Hazards | |
| GHS labelling: | |
| GHS07: Exclamation markGHS08: Health hazardGHS09: Environmental hazard | |
| Danger | |
| H302, H332, H360, H373, H410 | |
| P201, P202, P260, P261, P264, P270, P271, P273, P281, P301+P312, P304+P312, P304+P340, P308+P313, P312, P314, P330, P391, P405, P501 | |
| NFPA 704 (fire diamond) | |
| Flash point | Non-flammable |
| Safety data sheet (SDS) | External MSDS |
| Related compounds | |
Other anions
|
Lead(II) oxide Lead selenide Lead telluride |
Other cations
|
Carbon monosulfide Silicon monosulfide Germanium(II) sulfide Tin(II) sulfide |
Related compounds
|
Thallium sulfide Lead(IV) sulfide Bismuth sulfide |
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).
| |
लेड(II) सल्फाइड (जिसे सल्फाइड भी कहा जाता है) एक अकार्बनिक यौगिक है जिसका रासायनिक सूत्र PbS है। गैलेना सीसे का प्रमुख अयस्क और सबसे महत्वपूर्ण यौगिक है। यह विशिष्ट उपयोगों वाला एक अर्धचालक पदार्थ है।
निर्माण , बुनियादी गुण, संबंधित पदार्थ
PbCl2 जैसे लेड नमक वाले घोल में हाइड्रोजन सल्फाइड या सल्फाइड लवण मिलाने से लेड सल्फाइड का एक काला अवक्षेप प्राप्त होता है।
- Pb2+ + H2S → PbS↓ + 2 H+
इस अभिक्रिया का उपयोग गुणात्मक अकार्बनिक विश्लेषण में किया जाता है। हाइड्रोजन सल्फाइड या सल्फाइड आयनों की उपस्थिति का परीक्षण "लेड एसीटेट पेपर" का उपयोग करके किया जा सकता है।
संबंधित पदार्थ PbSe और PbTe की तरह, PbS एक अर्धचालक है।[9] वस्तुत:, लेड सल्फाइड अर्धचालक के रूप में उपयोग की जाने वाली सबसे प्रारंभिक पदार्थों में से एक था।[10] कई अन्य IV-VI अर्धचालकों के विपरीत, लेड सल्फाइड सोडियम क्लोराइड मोटिफ में क्रिस्टलीकृत होता है।
चूंकि PbS सीसे का मुख्य अयस्क है, इसलिए इसके रूपांतरण पर बहुत अधिक ध्यान केंद्रित किया गया है। एक प्रमुख प्रक्रिया में PbS को पिघलाना और उसके बाद परिणामी ऑक्साइड को कम करना सम्मिलित है। इन दो चरणों के लिए आदर्श समीकरण हैं:[11]
- 2 PbS + 3 O2 → 2 PbO + 2 SO2
- PbO + C → Pb + CO
सल्फर डाइऑक्साइड सल्फ्यूरिक एसिड में परिवर्तित हो जाता है।
नैनोकण
लेड सल्फाइड युक्त नैनोकण और क्वांटम डॉट्स का अच्छी तरह से अध्ययन किया गया है।[12] परंपरागत रूप से, ऐसे पदार्थों का उत्पादन विभिन्न प्रकार के सल्फाइड स्रोतों के साथ सीसा लवण के संयोजन से किया जाता है।[13][14] 2009 में, सौर कोशिकाओं में उपयोग के लिए PbS नैनोकणों की जांच की गई है।[15]
अनुप्रयोग
फोटोडिटेक्टर
PbS विद्युत डायोड के लिए उपयोग की जाने वाले पहले पदार्थों में से एक था जो अवरक्त प्रकाश सहित विद्युत चुम्बकीय विकिरण का पता लगा सकता था।[16] एक इन्फ्रारेड सेंसर के रूप में, PbS सीधे प्रकाश का पता लगाता है, थर्मल डिटेक्टरों के विपरीत, जो विकिरण के कारण डिटेक्टर तत्व के तापमान में बदलाव पर अभिक्रिया करता है। एक PbS तत्व का उपयोग विकिरण को मापने के लिए दो तरीकों से किया जा सकता है: जब फोटॉन PbS से टकराते हैं तो उनके कारण होने वाले छोटे फोटोकरंट को मापकर, या फोटॉन के कारण होने वाले पदार्थ के विद्युत प्रतिरोध में परिवर्तन को मापकर किया जा सकता है। प्रतिरोध परिवर्तन को मापना अधिक सामान्यतः उपयोग की जाने वाली विधि है। कमरे के तापमान पर, PbS लगभग 1 और 2.5 μm के बीच तरंग दैर्ध्य पर विकिरण के प्रति संवेदनशील होता है। यह सीमा विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के इन्फ्रा-रेड भाग, तथाकथित लघु-तरंग दैर्ध्य इन्फ्रारेड (एसडब्ल्यूआईआर) में छोटी तरंग दैर्ध्य से मेल खाती है। केवल बहुत गर्म वस्तुएं ही इन तरंग दैर्ध्य में विकिरण उत्सर्जित करती हैं।
PbS तत्वों को ठंडा करना, उदाहरण के लिए तरल नाइट्रोजन या पेल्टियर तत्व प्रणाली का उपयोग करके, इसकी संवेदनशीलता सीमा को लगभग 2 और 4 माइक्रोन के बीच स्थानांतरित कर देता है। जो वस्तुएं इन तरंग दैर्ध्य में विकिरण उत्सर्जित करती हैं, उन्हें अभी भी काफी गर्म होना चाहिए - कई सौ डिग्री सेल्सियस - लेकिन उतनी गर्म नहीं होती जितनी कि बिना ठंडे सेंसर द्वारा पता लगाई जा सकती हैं। (इस उद्देश्य के लिए उपयोग किए जाने वाले अन्य यौगिकों में इंडियम एंटीमोनाइड (InSb) और मरकरी-कैडमियम टेलुराइड (HgCdTe) सम्मिलित हैं, जिनमें लंबी IR तरंग दैर्ध्य का पता लगाने के लिए कुछ हद तक बेहतर गुण हैं।) PbS का उच्च ढांकता हुआ स्थिरांक अपेक्षाकृत धीमे हो जाते हैं (सिलिकॉन, जर्मेनियम, InSb, या HgCdTe की तुलना में)।
भूमंडलीय विज्ञान
शुक्र ग्रह पर 2.6 किमी (1.63 मील) से ऊपर की ऊंचाई एक चमकदार पदार्थ से लेपित है। यद्यपि इस परत की संरचना पूरी तरह से निश्चित नहीं है, एक सिद्धांत यह है कि शुक्र ग्रह बर्फ में क्रिस्टलीकृत सीसा सल्फाइड जमा करता है, ठीक उसी तरह जैसे पृथ्वी जमे हुए पानी पर बर्फ जमाती है। यदि यह स्थिति है, तो यह पहली बार होगा कि पदार्थ की पहचान किसी विदेशी ग्रह पर की गई है। शुक्र की "बर्फ" के लिए अन्य कम संभावित उम्मीदवार बिस्मथ सल्फाइड और टेल्यूरियम हैं।[17]
सुरक्षा
लेड (II) सल्फाइड इतना अघुलनशील है कि यह लगभग गैर-विषैला है, लेकिन पदार्थ का पायरोलिसिस, जैसे कि गलाने में, सीसा और सल्फर के ऑक्साइड के खतरनाक जहरीले धुएं देता है।[18] लेड सल्फाइड अघुलनशील है और रक्त के पीएच में एक स्थिर यौगिक है और इसलिए संभवतः लेड के कम विषैले रूपों में से एक है।[19] लेड कार्बोक्सिलेट्स का उपयोग करके PbS के संश्लेषण में एक बड़ा सुरक्षा जोखिम होता है, क्योंकि वे विशेष रूप से घुलनशील होते हैं और लेड नकारात्मक शारीरिक स्थितियों का कारण बन सकते हैं।
संदर्भ
- ↑ 1.0 1.1 Haynes, p. 4.69
- ↑ Linke, W. (1965). Solubilities. Inorganic and Metal-Organic Compounds. Vol. 2. Washington, D.C.: American Chemical Society. p. 1318.
- ↑ Ronald Eisler (2000). Handbook of Chemical Risk Assessment. CRC Press. ISBN 978-1-56670-506-6.
- ↑ Haynes, p. 4.128
- ↑ Haynes, p. 4.135
- ↑ Haynes, p. 9.63
- ↑ Haynes, p. 4.141
- ↑ Haynes, p. 5.25
- ↑ Vaughan, D. J.; Craig, J. R. (1978). धातु सल्फाइड का खनिज रसायन. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-21489-6.;
- ↑ Hogan, C. Michael (2011). "Sulfur". in Encyclopedia of Earth, eds. A. Jorgensen and C.J. Cleveland, National Council for Science and the environment, Washington DC. Archived 2012-10-28 at the Wayback Machine
- ↑ Sutherland, Charles A.; Milner, Edward F.; Kerby, Robert C.; Teindl, Herbert; Melin, Albert; Bolt, Hermann M. (2005). "Lead". उलेमान का औद्योगिक रसायन विज्ञान का विश्वकोश. Weinheim: Wiley-VCH. doi:10.1002/14356007.a15_193.pub2. ISBN 978-3527306732.
- ↑ "बड़े सेमीकंडक्टर क्लस्टर की क्वांटम यांत्रिकी ("क्वांटम डॉट्स")". Annual Review of Physical Chemistry. 41 (1): 477–496. 1990-01-01. Bibcode:1990ARPC...41..477B. doi:10.1146/annurev.pc.41.100190.002401.
- ↑ Zhou, H. S.; Honma, I.; Komiyama, H.; Haus, Joseph W. (2002-05-01). "Coated semiconductor nanoparticles; the cadmium sulfide/lead sulfide system's synthesis and properties". The Journal of Physical Chemistry (in English). 97 (4): 895–901. doi:10.1021/j100106a015.
- ↑ Wang, Wenzhong; Liu, Yingkai; Zhan, Yongjie; Zheng, Changlin; Wang, Guanghou (2001-09-15). "उपयुक्त सर्फेक्टेंट की उपस्थिति में पीबीएस नैनोकणों के संश्लेषण के लिए एक नवीन और सरल एक-चरणीय ठोस-अवस्था प्रतिक्रिया". Materials Research Bulletin. 36 (11): 1977–1984. doi:10.1016/S0025-5408(01)00678-X.
- ↑ Lee, HyoJoong; Leventis, Henry C.; Moon, Soo-Jin; Chen, Peter; Ito, Seigo; Haque, Saif A.; Torres, Tomas; Nüesch, Frank; Geiger, Thomas (2009-09-09). "PbS and CdS Quantum Dot-Sensitized Solid-State Solar Cells: "Old Concepts, New Results"". Advanced Functional Materials (in English). 19 (17): 2735–2742. doi:10.1002/adfm.200900081. ISSN 1616-3028. S2CID 98631978.
- ↑ Putley, E H; Arthur, J B (1951). "Lead Sulphide – An Intrinsic Semiconductor". Proceedings of the Physical Society. Series B. 64 (7): 616–618. doi:10.1088/0370-1301/64/7/110.
- ↑ "शुक्र पर 'भारी धातु' बर्फ सीसा सल्फाइड है". Washington University in St. Louis. Archived from the original on 2008-04-15. Retrieved 2009-07-07.
- ↑ "लेड सल्फाइड एमएसडीएस" (PDF). Archived from the original (PDF) on 2006-11-11. Retrieved 2009-11-20.
- ↑ Bischoff, Fritz; Maxwell, L. C.; Evens, Richard D.; Nuzum, Franklin R. (1928). "अंतःशिरा द्वारा दिए गए विभिन्न सीसा यौगिकों की विषाक्तता पर अध्ययन". Journal of Pharmacology and Experimental Therapeutics. 34 (1): 85–109.
उद्धृत स्रोत
- हेन्स, विलियम एम.,, ed. (2016). केमेस्ट्री और फ़ीजिक्स के लिए सीआरसी हैंडबुक (97th ed.). सीआरसी प्रेस. ISBN 9781498754293.
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