पावर इलेक्ट्रॉनिक्स: Difference between revisions

Revision as of 19:00, 6 July 2022

स्वीडन

एक पीसी बिजली की आपूर्ति बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स के एक टुकड़े का एक उदाहरण है, चाहे कैबिनेट के अंदर या बाहर।

पावर इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स का वह अनुप्रयोग है जिसमे विद्युत शक्ति का नियंत्रण और परिवर्तन होता है।

पारा-आर्क वाल्व का उपयोग करके पहले उच्च शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को बनाया गया था। नयी प्रणालियों में, अर्धचालक स्विचिंग डिवाइस जैसे डायोड, थाइरिस्टर, और पावर ट्रांजिस्टर जैसे पावर एमओएसएफईटी (MOSFET) और आईजीबीटी(IGBT) के साथ परिवर्तन किया जाता है।सिग्नल और डेटा के प्रसारण और प्रसंस्करण से संबंधित इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों के विपरीत, बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स में पर्याप्त मात्रा में विद्युत ऊर्जा परिवर्तित होती है।उपभोक्ता के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एसी/डीसी कनवर्टर (रेक्टिफायर) सबसे ज्यादा पाया जाने वाला बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरण है, उदाहरण के लिए टेलीविजन सेट, व्यक्तिगत कंप्यूटर, बैटरी चार्जर, आदि। बिजली की सीमा आम तौर पर दस वाट (watt) से लेकर सौ वाट (watt) तक होती है। उद्योग में, वैरिएबल स्पीड ड्राइव (वीएसडी) का उपयोग इंडक्शन मोटर को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।वीएसडी की बिजली की सीमा सौ वाट से शुरू होकर मेगावाट सेकेंड पर समाप्त होती है।

बिजली रूपांतरण प्रणालियों को इनपुट और आउटपुट पावर के प्रकार के अनुसार वर्गीकृत किया जा सकता है:

एसी से डीसी ( रेक्टिफायर )
डीसी से एसी ( इन्वर्टर )
डीसी से डीसी ( डीसी-टू-डीसी कनवर्टर )
एसी से एसी ( एसी-टू-एसी कनवर्टर )

इतिहास

मरकरी आर्क रेक्टिफायर के विकास के साथ पावर इलेक्ट्रॉनिक्स की शुरुआत हुई।प्रत्यावर्ती धारा (AC) को एकदिश धारा (DC) में बदलने के लिए इसका उपयोग किया गया था।1920 के दशक से, थायराट्रॉन और ग्रिड-नियंत्रित पारा चाप वाल्वों से विद्युत प्रसारण के प्रयोग पर खोज जारी है। यूनो लैम ने ग्रेडिंग इलेक्ट्रोड के साथ एक पारा वाल्व विकसित किया जो उन्हें उच्च वोल्टेज प्रत्यक्ष वर्तमान बिजली संचरण के लिए उपयुक्त बनाता है। सेलेनियम रेक्टिफायर्स का आविष्कार 1933 में हुआ था।^[1]

जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड ने 1926 में क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर की अवधारणा का प्रस्ताव रखा था, लेकिन उस समय वास्तव में एक कार्यशील उपकरण का निर्माण संभव नहीं था।^[2] 1947 में, द्विध्रुवी बिंदु-संपर्क ट्रांजिस्टर का आविष्कार वाल्टर एच. ब्रेटैन और जॉन बारडीन द्वारा बेल लैब्स में विलियम शॉक्ले के निर्देशन में किया गया था। 1948 में शॉक्ले के बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर (बीजेटी) के आविष्कार ने ट्रांजिस्टर की स्थिरता और प्रदर्शन में सुधार किया और लागत में कमी की। 1950 के दशक तक, उच्च शक्ति अर्धचालक डायोड एस उपलब्ध हो गए और वैक्यूम ट्यूब एस की जगह लेना शुरू कर दिया। 1956 में सिलिकॉन नियंत्रित दिष्टकारी (एससीआर) जनरल इलेक्ट्रिक द्वारा पेश किया गया था, जिससे बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों की सीमा में काफी वृद्धि हुई।^[3] 1960 के दशक तक, द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर की बेहतर स्विचिंग गति ने उच्च आवृत्ति डीसी / डीसी कन्वर्टर्स के लिए अनुमति दी थी।

आरडी मिडलब्रुक ने बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स में महत्वपूर्ण योगदान दिया। 1970 में, उन्होंने कैलटेक . में पावर इलेक्ट्रॉनिक्स समूह की स्थापना की^[4] उन्होंने विश्लेषण की राज्य-अंतरिक्ष औसत पद्धति और आधुनिक बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइन के लिए महत्वपूर्ण अन्य उपकरण विकसित किए^[5]

पावर MOSFET

बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स में एक सफलता एमओएसएफईटी (धातु-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) के आविष्कार के साथ मोहम्मद अटाला और डॉन कहंग द्वारा बेल लैब्स में 1959 में आई। एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर की पीढ़ी ने बिजली डिजाइनरों को सक्षम किया। प्रदर्शन और घनत्व के स्तर को प्राप्त करने के लिए द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के साथ संभव नहीं है^[6] MOSFET तकनीक में सुधार के कारण (शुरुआत में इंटीग्रेटेड सर्किट s का उत्पादन करने के लिए उपयोग किया जाता है), पावर MOSFET 1970 के दशक में उपलब्ध हो गया।

1969 में, हिताची ने पहली ऊर्ध्वाधर शक्ति MOSFET . की शुरुआत की^[7] जिसे बाद में वीएमओएस (वी-ग्रूव एमओएसएफईटी) के रूप में जाना जाएगा।^[8] 1974 से, Yamaha , JVC , Pioneer Corporation , Sony और Toshiba ने पावर MOSFETs के साथ ऑडियो एम्पलीफायर s का निर्माण शुरू किया।^[9] इंटरनेशनल रेक्टिफायर ने 1978 में 25 ए, 400 वी पावर एमओएसएफईटी पेश किया^[10] यह उपकरण द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर की तुलना में उच्च आवृत्तियों पर संचालन की अनुमति देता है, लेकिन कम वोल्टेज अनुप्रयोगों तक सीमित है।

पावर एमओएसएफईटी दुनिया में सबसे आम पावर डिवाइस है, इसकी कम गेट ड्राइव पावर, तेज स्विचिंग गति के कारण^[11] आसान उन्नत समानांतर क्षमता^[11]^[12] विस्तृत बैंडविड्थ , कठोरता, आसान ड्राइव, सरल पूर्वाग्रह, आवेदन में आसानी, और मरम्मत में आसानी^[12] इसमें पोर्टेबल सूचना उपकरण , पावर इंटीग्रेटेड सर्किट, सेल फोन , नोटबुक कंप्यूटर , और संचार इंफ्रास्ट्रक्चर जैसे पावर इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है जो इंटरनेट को सक्षम बनाती है।^[13]

1982 में, इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (IGBT) पेश किया गया था। यह 1990 के दशक में व्यापक रूप से उपलब्ध हो गया। इस घटक में द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर की पावर हैंडलिंग क्षमता और पावर एमओएसएफईटी के पृथक गेट ड्राइव के फायदे हैं।

डिवाइस

पावर इलेक्ट्रॉनिक्स सिस्टम की क्षमताएं और मितव्ययिता उपलब्ध सक्रिय उपकरणों द्वारा निर्धारित की जाती है। पावर इलेक्ट्रॉनिक्स सिस्टम के डिजाइन में उनकी विशेषताएं और सीमाएं एक प्रमुख तत्व हैं। पूर्व में, पारा चाप वाल्व , उच्च-वैक्यूम और गैस से भरे डायोड थर्मिओनिक रेक्टिफायर, और थायराट्रॉन और इग्निट्रॉन जैसे ट्रिगर उपकरणों का व्यापक रूप से बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाता था। जैसे-जैसे सॉलिड-स्टेट डिवाइसेज की रेटिंग में वोल्टेज और करंट-हैंडलिंग क्षमता दोनों में सुधार होता है, वैक्यूम डिवाइसेज को सॉलिड-स्टेट डिवाइसेस द्वारा लगभग पूरी तरह से बदल दिया गया है।

पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का उपयोग स्विच के रूप में, या एम्पलीफायरों के रूप में किया जा सकता है^[14] एक आदर्श स्विच या तो खुला है या बंद है और इसलिए कोई शक्ति नहीं है; यह एक लागू वोल्टेज का सामना करता है और कोई करंट पास नहीं करता है या बिना वोल्टेज ड्रॉप के किसी भी मात्रा में करंट पास करता है। स्विच के रूप में उपयोग किए जाने वाले सेमीकंडक्टर डिवाइस इस आदर्श संपत्ति का अनुमान लगा सकते हैं और इसलिए अधिकांश पावर इलेक्ट्रॉनिक एप्लिकेशन स्विचिंग डिवाइस को चालू और बंद करने पर भरोसा करते हैं, जो सिस्टम को बहुत कुशल बनाता है क्योंकि स्विच में बहुत कम बिजली बर्बाद होती है। इसके विपरीत, एम्पलीफायर के मामले में, डिवाइस के माध्यम से करंट एक नियंत्रित इनपुट के अनुसार लगातार बदलता रहता है। डिवाइस टर्मिनलों पर वोल्टेज और करंट लोड लाइन का पालन करते हैं, और डिवाइस के अंदर बिजली अपव्यय लोड को दी गई शक्ति की तुलना में बड़ा है।

कई विशेषताएं तय करती हैं कि उपकरणों का उपयोग कैसे किया जाता है। डायोड एस जैसे उपकरण आगे वोल्टेज लागू होने पर आचरण करते हैं और चालन की शुरुआत का कोई बाहरी नियंत्रण नहीं होता है। सिलिकॉन नियंत्रित रेक्टिफायर और थाइरिस्टर एस (साथ ही पारा वाल्व और थायरट्रॉन ) जैसे पावर डिवाइस चालन की शुरुआत को नियंत्रित करने की अनुमति देते हैं लेकिन उन्हें बंद करने के लिए वर्तमान प्रवाह के आवधिक उलट पर भरोसा करते हैं। . गेट टर्न-ऑफ थाइरिस्टर, BJT और MOSFET ट्रांजिस्टर जैसे उपकरण पूर्ण स्विचिंग नियंत्रण प्रदान करते हैं और उनके माध्यम से वर्तमान प्रवाह की परवाह किए बिना चालू या बंद किया जा सकता है। ट्रांजिस्टर डिवाइस भी आनुपातिक प्रवर्धन की अनुमति देते हैं, लेकिन इसका उपयोग शायद ही कभी कुछ सौ वाट से अधिक रेट किए गए सिस्टम के लिए किया जाता है। डिवाइस की नियंत्रण इनपुट विशेषताएँ भी डिज़ाइन को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करती हैं; कभी-कभी, नियंत्रण इनपुट जमीन के संबंध में बहुत अधिक वोल्टेज पर होता है और इसे एक पृथक स्रोत द्वारा संचालित किया जाना चाहिए।

चूंकि पावर इलेक्ट्रॉनिक कनवर्टर में दक्षता प्रीमियम पर होती है, इसलिए पावर इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस द्वारा उत्पन्न नुकसान जितना संभव हो उतना कम होना चाहिए।

डिवाइस स्विचिंग गति में भिन्न होते हैं। कुछ डायोड और थाइरिस्टर अपेक्षाकृत धीमी गति के लिए उपयुक्त हैं और बिजली आवृत्ति स्विचिंग और नियंत्रण के लिए उपयोगी हैं; कुछ थाइरिस्टर कुछ किलोहर्ट्ज़ पर उपयोगी होते हैं। MOSFETS और BJTs जैसे उपकरण बिजली अनुप्रयोगों में दसियों किलोहर्ट्ज़ पर कुछ मेगाहर्ट्ज़ तक स्विच कर सकते हैं, लेकिन बिजली के स्तर में कमी के साथ। वैक्यूम ट्यूब उपकरण बहुत उच्च आवृत्ति (सैकड़ों या हजारों मेगाहर्ट्ज़) अनुप्रयोगों पर उच्च शक्ति (सैकड़ों किलोवाट) पर हावी होते हैं। तेज़ स्विचिंग डिवाइस चालू से बंद और पीछे संक्रमण में खोई हुई ऊर्जा को कम करते हैं लेकिन आरए के साथ समस्याएँ पैदा कर सकते हैंविद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप। गेट ड्राइव (या समकक्ष) सर्किट को डिवाइस के साथ संभव पूर्ण स्विचिंग गति प्राप्त करने के लिए पर्याप्त ड्राइव चालू करने के लिए डिज़ाइन किया जाना चाहिए। तेजी से स्विच करने के लिए पर्याप्त ड्राइव के बिना एक उपकरण अतिरिक्त हीटिंग से नष्ट हो सकता है।

व्यावहारिक उपकरणों में एक गैर-शून्य वोल्टेज ड्रॉप होता है और चालू होने पर शक्ति को नष्ट कर देता है, और एक सक्रिय क्षेत्र से गुजरने में कुछ समय लगता है जब तक कि वे चालू या बंद स्थिति तक नहीं पहुंच जाते। ये नुकसान एक कनवर्टर में कुल खोई हुई शक्ति का एक महत्वपूर्ण हिस्सा हैं।

उपकरणों की पावर हैंडलिंग और अपव्यय भी डिजाइन में महत्वपूर्ण कारक है। पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को दसियों या सैकड़ों वाट अपशिष्ट गर्मी को नष्ट करना पड़ सकता है, यहां तक कि संचालन और गैर-संचालन राज्यों के बीच जितना संभव हो उतना कुशलता से स्विच करना। स्विचिंग मोड में, नियंत्रित शक्ति स्विच में नष्ट होने वाली शक्ति से बहुत बड़ी होती है। संवाहक अवस्था में आगे की वोल्टेज ड्रॉप गर्मी में तब्दील हो जाती है जिसे समाप्त किया जाना चाहिए। उच्च शक्ति अर्धचालकों को अपने जंक्शन तापमान को प्रबंधित करने के लिए विशेष हीट सिंक एस या सक्रिय कूलिंग सिस्टम की आवश्यकता होती है; सिलिकॉन कार्बाइड जैसे विदेशी अर्धचालकों का इस संबंध में सीधे सिलिकॉन पर एक फायदा है, और जर्मेनियम, एक बार ठोस-राज्य इलेक्ट्रॉनिक्स का मुख्य-स्थल अब इसके प्रतिकूल उच्च तापमान गुणों के कारण बहुत कम उपयोग किया जाता है।

सेमीकंडक्टर डिवाइस एक डिवाइस में कुछ किलोवोल्ट तक की रेटिंग के साथ मौजूद होते हैं। जहां बहुत अधिक वोल्टेज को नियंत्रित किया जाना चाहिए, सभी उपकरणों में वोल्टेज को बराबर करने के लिए नेटवर्क के साथ श्रृंखला में कई उपकरणों का उपयोग किया जाना चाहिए। फिर से, स्विचिंग गति एक महत्वपूर्ण कारक है क्योंकि सबसे धीमी-स्विचिंग डिवाइस को समग्र वोल्टेज के अनुपातहीन हिस्से का सामना करना पड़ेगा। पारा वाल्व एक बार एक इकाई में 100 केवी रेटिंग के साथ उपलब्ध थे, एचवीडीसी सिस्टम में उनके आवेदन को सरल बनाते हैं।

सेमीकंडक्टर डिवाइस की वर्तमान रेटिंग मरने के भीतर उत्पन्न गर्मी और इंटरकनेक्टिंग लीड के प्रतिरोध में विकसित गर्मी से सीमित होती है। सेमीकंडक्टर उपकरणों को इस तरह से डिजाइन किया जाना चाहिए कि करंट को डिवाइस के भीतर उसके आंतरिक जंक्शनों (या चैनलों) में समान रूप से वितरित किया जाए; एक बार एक हॉट स्पॉट विकसित हो जाने पर, ब्रेकडाउन प्रभाव डिवाइस को तेजी से नष्ट कर सकता है। कुछ एससीआर एक इकाई में 3000 एम्पीयर की वर्तमान रेटिंग के साथ उपलब्ध हैं।

डीसी/एसी कन्वर्टर्स (इनवर्टर)

डीसी से एसी कन्वर्टर्स डीसी स्रोत से एसी आउटपुट तरंग उत्पन्न करते हैं। अनुप्रयोगों में एडजस्टेबल स्पीड ड्राइव एस (एएसडी), अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई (यूपीएस), फ्लेक्सिबल एसी ट्रांसमिशन सिस्टम एस (फैक्ट्स), वोल्टेज कम्पेसाटर और फोटोवोल्टिक इनवर्टर शामिल हैं। इन कन्वर्टर्स के लिए टोपोलॉजी को दो अलग-अलग श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है: वोल्टेज स्रोत इनवर्टर और वर्तमान स्रोत इनवर्टर। वोल्टेज स्रोत इनवर्टर (वीएसआई) का नाम इसलिए रखा गया है क्योंकि स्वतंत्र रूप से नियंत्रित आउटपुट एक वोल्टेज तरंग है। इसी तरह, करंट सोर्स इनवर्टर (CSI) इस मायने में अलग हैं कि नियंत्रित एसी आउटपुट एक करंट वेवफॉर्म है।

डीसी से एसी बिजली रूपांतरण बिजली स्विचिंग उपकरणों का परिणाम है, जो आमतौर पर पूरी तरह से नियंत्रित अर्धचालक पावर स्विच होते हैं। इसलिए आउटपुट वेवफॉर्म असतत मूल्यों से बने होते हैं, जो चिकने लोगों के बजाय तेजी से संक्रमण पैदा करते हैं। कुछ अनुप्रयोगों के लिए, एसी शक्ति के साइनसोइडल तरंग का एक मोटा अनुमान भी पर्याप्त है। जहां एक निकट साइनसॉइडल तरंग की आवश्यकता होती है, स्विचिंग डिवाइस वांछित आउटपुट आवृत्ति की तुलना में बहुत तेजी से संचालित होते हैं, और किसी भी राज्य में खर्च किए जाने वाले समय को नियंत्रित किया जाता है, इसलिए औसत आउटपुट लगभग साइनसॉइडल होता है। सामान्य मॉड्यूलेशन तकनीकों में वाहक-आधारित तकनीक, या पल्स-चौड़ाई मॉडुलन , स्पेस-वेक्टर तकनीक , और चयनात्मक-हार्मोनिक तकनीक शामिल हैं।^[15]

वोल्टेज स्रोत इनवर्टर का एकल-चरण और तीन-चरण दोनों अनुप्रयोगों में व्यावहारिक उपयोग होता है। सिंगल-फेज वीएसआई हाफ-ब्रिज और फुल-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन का उपयोग करते हैं, और व्यापक रूप से बिजली की आपूर्ति, एकल-चरण यूपीएस और मल्टीसेल कॉन्फ़िगरेशन में उपयोग किए जाने पर उच्च-शक्ति टोपोलॉजी के लिए उपयोग किए जाते हैं। तीन-चरण वीएसआई का उपयोग उन अनुप्रयोगों में किया जाता है जिनके लिए साइनसॉइडल वोल्टेज तरंगों की आवश्यकता होती है, जैसे कि एएसडी, यूपीएस, और कुछ प्रकार के FACTS डिवाइस जैसे कि STATCOM । उनका उपयोग उन अनुप्रयोगों में भी किया जाता है जहां मनमानी वोल्टेज की आवश्यकता होती है, जैसे सक्रिय पावर फिल्टर और वोल्टेज कम्पेसाटर के मामले में^[15]

करंट सोर्स इनवर्टर का उपयोग डीसी करंट सप्लाई से एसी आउटपुट करंट उत्पन्न करने के लिए किया जाता है। इस प्रकार का इन्वर्टर तीन-चरण अनुप्रयोगों के लिए व्यावहारिक है जिसमें उच्च-गुणवत्ता वाले वोल्टेज तरंगों की आवश्यकता होती है।

एक अपेक्षाकृत नए वर्ग के इनवर्टर, जिसे बहुस्तरीय इनवर्टर कहा जाता है, ने व्यापक रुचि प्राप्त की है। सीएसआई और वीएसआई के सामान्य संचालन को दो-स्तरीय इनवर्टर के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है, इस तथ्य के कारण कि बिजली स्विच सकारात्मक या नकारात्मक डीसी बस से जुड़ते हैं। यदि इन्वर्टर आउटपुट टर्मिनलों के लिए दो से अधिक वोल्टेज स्तर उपलब्ध थे, तो एसी आउटपुट एक साइन वेव का बेहतर अनुमान लगा सकता है। यही कारण है कि बहुस्तरीय इनवर्टर, हालांकि अधिक जटिल और महंगे हैं, उच्च प्रदर्शन प्रदान करते हैं^[16]

प्रत्येक इन्वर्टर प्रकार उपयोग किए गए डीसी लिंक में भिन्न होता है, और इसमें फ्रीव्हीलिंग डायोड की आवश्यकता होती है या नहीं। या तो इसके इच्छित उपयोग के आधार पर स्क्वायर-वेव या पल्स-चौड़ाई मॉडुलन (पीडब्लूएम) मोड में संचालित करने के लिए बनाया जा सकता है। स्क्वायर-वेव मोड सरलता प्रदान करता है, जबकि पीडब्लूएम को कई अलग-अलग तरीकों से लागू किया जा सकता है और उच्च गुणवत्ता वाले तरंगों का उत्पादन करता है^[15]

वोल्टेज स्रोत इनवर्टर (वीएसआई) लगभग स्थिर-वोल्टेज स्रोत से आउटपुट इन्वर्टर अनुभाग को खिलाते हैं^[15]

वर्तमान आउटपुट तरंग की वांछित गुणवत्ता निर्धारित करती है कि किसी दिए गए एप्लिकेशन के लिए कौन सी मॉड्यूलेशन तकनीक का चयन किया जाना चाहिए। VSI का आउटपुट असतत मूल्यों से बना होता है। एक चिकनी वर्तमान तरंग प्राप्त करने के लिए,लोड को चुनिंदा हार्मोनिक आवृत्तियों पर आगमनात्मक होना चाहिए। स्रोत और लोड के बीच किसी प्रकार के आगमनात्मक फ़िल्टरिंग के बिना, एक कैपेसिटिव लोड लोड को बड़े और लगातार वर्तमान स्पाइक्स के साथ एक चंचल वर्तमान तरंग प्राप्त करने का कारण बनता है^[15]

वीएसआई के तीन मुख्य प्रकार हैं:

सिंगल-फेज हाफ-ब्रिज इन्वर्टर
सिंगल-फेज फुल-ब्रिज इन्वर्टर
तीन चरण वोल्टेज स्रोत इन्वर्टर

सिंगल-फेज हाफ-ब्रिज इन्वर्टर

सिंगल-फेज वोल्टेज स्रोत हाफ-ब्रिज इनवर्टर कम वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए हैं और आमतौर पर बिजली की आपूर्ति में उपयोग किए जाते हैं^[15] चित्र 9 इस इन्वर्टर के सर्किट को दिखाता है।

इन्वर्टर के संचालन से लो-ऑर्डर करंट हार्मोनिक्स को सोर्स वोल्टेज में वापस इंजेक्ट किया जाता है। इसका मतलब है कि इस डिज़ाइन में फ़िल्टरिंग उद्देश्यों के लिए दो बड़े कैपेसिटर की आवश्यकता होती है^[15] जैसा कि चित्र 9 दिखाता है, इन्वर्टर के प्रत्येक पैर में एक समय में केवल एक स्विच चालू हो सकता है। यदि एक लेग में दोनों स्विच एक ही समय पर चालू होते हैं, तो DC स्रोत छोटा हो जाएगा।

इनवर्टर अपनी स्विचिंग योजनाओं को नियंत्रित करने के लिए कई मॉड्यूलेशन तकनीकों का उपयोग कर सकते हैं। कैरियर-आधारित PWM तकनीक, AC आउटपुट वेवफ़ॉर्म, v_c की तुलना कैरियर वोल्टेज सिग्नल, v_Δ से करती है। जब v_c, v_Δ से बड़ा हो, तो S+ चालू होता है और जब v_c v_Δ से कम होता है , एस- चालू है। जब एसी आउटपुट आवृत्ति fc पर होता है जिसका आयाम v_c होता है, और त्रिकोणीय वाहक सिग्नल आवृत्ति f_Δ पर होता है, जिसका आयाम v_{Δ</ पर होता है। उप>, PWM वाहक आधारित PWM का एक विशेष साइनसोइडल केस बन जाता है^[15] इस मामले को साइनसॉइडल पल्स-चौड़ाई मॉड्यूलेशन (SPWM) करार दिया गया है। इसके लिए, मॉड्यूलेशन इंडेक्स, या आयाम-मॉड्यूलेशन अनुपात, को के रूप में परिभाषित किया गया है। $m a = v c /v ∆$ '.}

सामान्यीकृत वाहक आवृत्ति, या आवृत्ति-मॉड्यूलेशन अनुपात, समीकरण का उपयोग करके गणना की जाती है $m f = f ∆ /f c$ '^[17]

यदि ओवर-मॉड्यूलेशन क्षेत्र, एमए, एक से अधिक है, तो एक उच्च मौलिक एसी आउटपुट वोल्टेज देखा जाएगा, लेकिन संतृप्ति की कीमत पर। SPWM के लिए, आउटपुट तरंग के हार्मोनिक्स अच्छी तरह से परिभाषित आवृत्तियों और आयामों पर हैं। यह इन्वर्टर के संचालन से निम्न-क्रम के वर्तमान हार्मोनिक इंजेक्शन के लिए आवश्यक फ़िल्टरिंग घटकों के डिज़ाइन को सरल करता है। ऑपरेशन के इस मोड में अधिकतम आउटपुट आयाम स्रोत वोल्टेज का आधा है। यदि अधिकतम आउटपुट आयाम, m_a, 3.24 से अधिक है, तो इन्वर्टर का आउटपुट तरंग एक वर्ग तरंग बन जाता है^[15]

जैसा कि पल्स-चौड़ाई मॉड्यूलेशन (PWM) के लिए सही था, स्क्वायर वेव मॉड्यूलेशन के लिए एक लेग में दोनों स्विच एक ही समय में चालू नहीं किए जा सकते, क्योंकि इससे वोल्टेज स्रोत में शॉर्ट हो जाएगा। स्विचिंग योजना के लिए आवश्यक है कि S+ और S- दोनों AC आउटपुट अवधि के आधे चक्र के लिए चालू रहें^[15] मौलिक एसी आउटपुट आयाम के बराबर है $v o1 = v aN = 2v i /π$ '.

इसके हार्मोनिक्स का आयाम है $v oh = v o1 /h$ '.

इसलिए, एसी आउटपुट वोल्टेज को इन्वर्टर द्वारा नियंत्रित नहीं किया जाता है, बल्कि इन्वर्टर के डीसी इनपुट वोल्टेज के परिमाण द्वारा नियंत्रित किया जाता है^[15]

मॉड्यूलेशन तकनीक के रूप में सेलेक्टिव हार्मोनिक एलिमिनेशन (एसएचई) का उपयोग करने से इन्वर्टर के स्विचिंग को चुनिंदा आंतरिक हार्मोनिक्स को खत्म करने की अनुमति मिलती है। एसी आउटपुट वोल्टेज के मूलभूत घटक को एक वांछनीय सीमा के भीतर भी समायोजित किया जा सकता है। चूंकि इस मॉड्यूलेशन तकनीक से प्राप्त एसी आउटपुट वोल्टेज में विषम आधा और विषम क्वार्टर-वेव समरूपता है, यहां तक कि हार्मोनिक्स भी मौजूद नहीं हैं^[15] आउटपुट तरंग से कोई भी अवांछनीय विषम (N-1) आंतरिक हार्मोनिक्स eli . हो सकता हैमनोनीत।

सिंगल-फेज फुल-ब्रिज इन्वर्टर

फुल-ब्रिज इन्वर्टर हाफ ब्रिज-इन्वर्टर के समान है, लेकिन इसमें न्यूट्रल पॉइंट को लोड से जोड़ने के लिए एक अतिरिक्त लेग है^[15] चित्रा 3 एकल-चरण वोल्टेज स्रोत पूर्ण-पुल इन्वर्टर के सर्किट योजनाबद्ध को दर्शाता है।

वोल्टेज स्रोत को छोटा करने से बचने के लिए, S1+ और S1- एक ही समय पर चालू नहीं हो सकते हैं, और S2+ और S2- भी एक ही समय पर चालू नहीं हो सकते हैं। फुल-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन के लिए उपयोग की जाने वाली किसी भी मॉड्यूलेटिंग तकनीक में किसी भी समय प्रत्येक लेग के ऊपर या नीचे का स्विच होना चाहिए। अतिरिक्त लेग के कारण, आउटपुट वेवफॉर्म का अधिकतम आयाम वीआई है, और हाफ-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन के लिए अधिकतम प्राप्त करने योग्य आउटपुट आयाम से दोगुना बड़ा है।^[15]

तालिका 2 से राज्यों 1 और 2 का उपयोग द्विध्रुवी SPWM के साथ एसी आउटपुट वोल्टेज उत्पन्न करने के लिए किया जाता है। एसी आउटपुट वोल्टेज केवल दो मान ले सकता है, या तो वीआई या -वीआई। हाफ-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन का उपयोग करके इन समान अवस्थाओं को उत्पन्न करने के लिए, एक वाहक आधारित तकनीक का उपयोग किया जा सकता है। आधे पुल के लिए S+ चालू होना S1+ और S2- पूर्ण-पुल के लिए चालू होने के अनुरूप है। इसी तरह, आधे पुल के लिए S- चालू होना S1- और S2+ के पूर्ण पुल के लिए होने के अनुरूप है। इस मॉड्यूलेशन तकनीक के लिए आउटपुट वोल्टेज कम या ज्यादा साइनसॉइडल है, जिसमें एक मौलिक घटक होता है जिसका रैखिक क्षेत्र में आयाम से कम या बराबर होता है^[15] $v o1 =v ab1</sub= v<उप>मैं</sub • मी<उप>ए</उप>$ '.

द्विध्रुवी पीडब्लूएम तकनीक के विपरीत, एकध्रुवीय दृष्टिकोण अपने एसी आउटपुट वोल्टेज को उत्पन्न करने के लिए तालिका 2 से 1, 2, 3 और 4 राज्यों का उपयोग करता है। इसलिए, एसी आउटपुट वोल्टेज वीआई, 0 या -वी [1]i मान ले सकता है। इन अवस्थाओं को उत्पन्न करने के लिए, दो साइनसोइडल मॉड्यूलेटिंग सिग्नल, Vc और -Vc की आवश्यकता होती है, जैसा कि चित्र 4 में देखा गया है।

Vc का उपयोग VaN उत्पन्न करने के लिए किया जाता है, जबकि -Vc का उपयोग VbN उत्पन्न करने के लिए किया जाता है। निम्नलिखित संबंध को एकध्रुवीय वाहक-आधारित SPWM कहा जाता है $v o1 = • an1 </sub/sub . में= v<उप>मैं</sub • मी<उप>ए</उप>$ '.

चरण वोल्टेज VaN और VbN समान हैं, लेकिन 180 डिग्री एक दूसरे के साथ चरण से बाहर हैं। आउटपुट वोल्टेज दो-चरण वोल्टेज के अंतर के बराबर है, और इसमें कोई भी हार्मोनिक्स नहीं है। इसलिए, यदि एमएफ लिया जाता है, तो एसी आउटपुट वोल्टेज हार्मोनिक्स भी सामान्यीकृत विषम आवृत्तियों पर दिखाई देगा, एफएच। ये आवृत्तियाँ सामान्यीकृत वाहक आवृत्ति के दोगुने मान पर केंद्रित होती हैं। उच्च गुणवत्ता आउटपुट तरंग प्राप्त करने का प्रयास करते समय यह विशेष सुविधा छोटे फ़िल्टरिंग घटकों की अनुमति देती है^[15]

जैसा कि हाफ-ब्रिज एसएचई के मामले में था, एसी आउटपुट वोल्टेज में इसके विषम आधे और विषम क्वार्टर-वेव समरूपता के कारण कोई भी हार्मोनिक्स नहीं होता है^[15]

तीन चरण वोल्टेज स्रोत इन्वर्टर

सिंगल-फेज वीएसआई मुख्य रूप से कम पावर रेंज अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किया जाता है, जबकि तीन-चरण वीएसआई मध्यम और उच्च पावर रेंज दोनों अनुप्रयोगों को कवर करता है।^[15] चित्रा 5 तीन चरण वीएसआई के लिए सर्किट योजनाबद्ध दिखाता है।

इन्वर्टर के तीनों पैरों में से किसी में भी स्विच एक साथ बंद नहीं किया जा सकता है, जिसके परिणामस्वरूप वोल्टेज संबंधित लाइन करंट की ध्रुवता पर निर्भर होता है। राज्य 7 और 8 शून्य एसी लाइन वोल्टेज उत्पन्न करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप एसी लाइन धाराएं ऊपरी या निचले घटकों के माध्यम से फ्रीव्हीलिंग करती हैं। हालांकि, 1 से 6 राज्यों के लिए लाइन वोल्टेज एक एसी लाइन वोल्टेज उत्पन्न करते हैं जिसमें वीआई, 0 या -वी के असतत मान होते हैं।^[15]

तीन-चरण एसपीडब्लूएम के लिए, तीन मॉड्यूलेटिंग सिग्नल जो एक दूसरे के साथ चरण से 120 डिग्री बाहर हैं, आउट-ऑफ-फेज लोड वोल्टेज का उत्पादन करने के लिए उपयोग किया जाता है। एकल वाहक संकेत के साथ PWM सुविधाओं को संरक्षित करने के लिए, सामान्यीकृत वाहक आवृत्ति, mf, को तीन का गुणज होना चाहिए। यह चरण वोल्टेज के परिमाण को समान रखता है, लेकिन एक दूसरे के साथ चरण से बाहर 120 डिग्री^[15] रैखिक क्षेत्र में अधिकतम प्राप्य चरण वोल्टेज आयाम, एक से कम या उसके बराबर, है $v phase = v<उप>मैं</sub / 2$ . अधिकतम प्राप्य लाइन वोल्टेज आयाम है $V ab1 = व्<सुब>अब</सुब • \sqrt 3 / 2$

लोड वोल्टेज को नियंत्रित करने का एकमात्र तरीका इनपुट डीसी वोल्टेज को बदलना है।

वर्तमान स्रोत इनवर्टर

File:Three-Phase Current Source Inverter.jpg

फिगर 7: थ्री-फेज करंट सोर्स इन्वर्टर

File:Synchronized-Pulse-Width-Modulation Waveforms for a Three-Phase Current Source Inverter a) Carrier and Modulating Signals b) S1 State c) S3 State d) Output Current.jpg

चित्र 8: तीन चरण के करंट सोर्स इन्वर्टर के लिए सिंक्रोनाइज्ड-पल्स-चौड़ाई-मॉड्यूलेशन तरंग a) कैरियर और मॉड्यूलेटिंग Ssgnals b) S1 स्टेट c) S3 स्टेट d) आउटपुट करंट

File:Space-Vector Representation in Current Source Inverters.jpg

चित्र 9: वर्तमान स्रोत इनवर्टर में अंतरिक्ष-वेक्टर प्रतिनिधित्व

करंट सोर्स इनवर्टर डीसी करंट को एसी करंट वेवफॉर्म में बदलते हैं। साइनसॉइडल एसी तरंगों की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में, परिमाण, आवृत्ति और चरण सभी को नियंत्रित किया जाना चाहिए। सीएसआई में वर्तमान समय में उच्च परिवर्तन होते हैं, इसलिए कैपेसिटर आमतौर पर एसी की तरफ नियोजित होते हैं, जबकि डीसी पक्ष पर आमतौर पर इंडक्टर्स कार्यरत होते हैं^[15] फ्रीव्हीलिंग डायोड की अनुपस्थिति के कारण, पावर सर्किट आकार और वजन में कम हो जाता है, और वीएसआई की तुलना में अधिक विश्वसनीय हो जाता है।^[16] हालांकि एकल-चरण टोपोलॉजी संभव है, तीन-चरण सीएसआई अधिक व्यावहारिक हैं।

अपने सबसे सामान्यीकृत रूप में, एक तीन-चरण सीएसआई छह-पल्स रेक्टिफायर के समान चालन अनुक्रम को नियोजित करता है। किसी भी समय, केवल एक सामान्य-कैथोड स्विच और एक सामान्य-एनोड स्विच चालू होता है^[16]

परिणामस्वरूप, रेखा धाराएं -ii, 0 और ii के असतत मान लेती हैं। राज्यों को इस तरह चुना जाता है कि एक वांछित तरंग आउटपुट होता है और केवल वैध राज्यों का उपयोग किया जाता है। यह चयन मॉड्यूलेटिंग तकनीकों पर आधारित है, जिसमें वाहक-आधारित PWM, चयनात्मक हार्मोनिक उन्मूलन और अंतरिक्ष-वेक्टर तकनीक शामिल हैं।^[15]

वीएसआई के लिए उपयोग की जाने वाली कैरियर-आधारित तकनीकों को सीएसआई के लिए भी लागू किया जा सकता है, जिसके परिणामस्वरूप सीएसआई लाइन धाराएं वीएसआई लाइन वोल्टेज के समान व्यवहार करती हैं। संकेतों को मॉड्यूलेट करने के लिए उपयोग किए जाने वाले डिजिटल सर्किट में एक स्विचिंग पल्स जनरेटर, एक शॉर्टिंग पल्स जनरेटर, एक शॉर्टिंग पल्स डिस्ट्रीब्यूटर और एक स्विचिंग और शॉर्टिंग पल्स कॉम्बिनर होता है। एक वाहक वर्तमान और तीन मॉड्यूलेटिंग संकेतों के आधार पर एक गेटिंग सिग्नल उत्पन्न होता है^[15]

इस सिग्नल में एक शॉर्टिंग पल्स जोड़ा जाता है जब कोई शीर्ष स्विच और कोई निचला स्विच गेट नहीं होता है, जिससे आरएमएस धाराएं सभी पैरों में बराबर हो जाती हैं। प्रत्येक चरण के लिए समान विधियों का उपयोग किया जाता है, हालांकि, स्विचिंग चर एक दूसरे के सापेक्ष चरण से 120 डिग्री बाहर होते हैं, और वर्तमान दालों को आउटपुट धाराओं के संबंध में आधा चक्र द्वारा स्थानांतरित किया जाता है। यदि एक त्रिकोणीय वाहक का उपयोग साइनसॉइडल मॉड्यूलेटिंग सिग्नल के साथ किया जाता है, तो सीएसआई को सिंक्रनाइज़-पल्स-चौड़ाई-मॉड्यूलेशन (एसपीडब्लूएम) का उपयोग करने के लिए कहा जाता है। यदि एसपीडब्लूएम के साथ संयोजन में पूर्ण ओवर-मॉड्यूलेशन का उपयोग किया जाता है तो इन्वर्टर को स्क्वायर-वेव ऑपरेशन में कहा जाता है^[15]

दूसरी सीएसआई मॉडुलन श्रेणी, एसएचई भी अपने वीएसआई समकक्ष के समान है। वीएसआई के लिए विकसित किए गए गेटिंग सिग्नल और साइनसॉइडल करंट सिग्नल को सिंक्रोनाइज़ करने के एक सेट का उपयोग करने से, सममित रूप से वितरित शॉर्टिंग पल्स और इसलिए, सममित गेटिंग पैटर्न का परिणाम होता है। यह किसी भी मनमानी संख्या में हार्मोनिक्स को समाप्त करने की अनुमति देता है^[15] यह प्राथमिक स्विचिंग कोणों के उचित चयन के माध्यम से मौलिक लाइन करंट को नियंत्रित करने की भी अनुमति देता है। इष्टतम स्विचिंग पैटर्न में क्वार्टर-वेव और हाफ-वेव समरूपता, साथ ही समरूपता लगभग 30 डिग्री और 150 डिग्री होनी चाहिए। 60 डिग्री और 120 डिग्री के बीच स्विचिंग पैटर्न की अनुमति कभी नहीं दी जाती है। बड़े आउटपुट कैपेसिटर के उपयोग के साथ या स्विचिंग पल्स की संख्या में वृद्धि करके वर्तमान तरंग को और कम किया जा सकता है^[16]

तीसरी श्रेणी, स्पेस-वेक्टर-आधारित मॉडुलन, पीडब्लूएम लोड लाइन धाराएं उत्पन्न करती है जो औसत लोड लाइन धाराओं के बराबर होती है। वैध स्विचिंग राज्य और समय चयनs को डिजिटल रूप से अंतरिक्ष वेक्टर परिवर्तन पर आधारित बनाया गया है। परिवर्तन समीकरण का उपयोग करके मॉड्यूलेटिंग संकेतों को एक जटिल वेक्टर के रूप में दर्शाया जाता है। संतुलित तीन-चरण साइनसॉइडल संकेतों के लिए, यह वेक्टर एक निश्चित मॉड्यूल बन जाता है, जो आवृत्ति पर घूमता है, । इन अंतरिक्ष वैक्टरों का उपयोग मॉड्यूलेटिंग सिग्नल को अनुमानित करने के लिए किया जाता है। यदि संकेत मनमाना वैक्टर के बीच है, तो वैक्टर को शून्य वैक्टर I7, I8, या I9 के साथ जोड़ा जाता है^[15] निम्नलिखित समीकरणों का उपयोग यह सुनिश्चित करने के लिए किया जाता है कि उत्पन्न धाराएं और वर्तमान वैक्टर औसत समकक्ष हैं।

मल्टीलेवल इनवर्टर

बहुस्तरीय इनवर्टर नामक एक अपेक्षाकृत नए वर्ग ने व्यापक रुचि प्राप्त की है। सीएसआई और वीएसआई के सामान्य संचालन को दो-स्तरीय इनवर्टर के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है क्योंकि पावर स्विच सकारात्मक या नकारात्मक डीसी बस से जुड़ते हैं^[16] यदि इन्वर्टर आउटपुट टर्मिनलों के लिए दो से अधिक वोल्टेज स्तर उपलब्ध थे, तो एसी आउटपुट एक साइन वेव का बेहतर अनुमान लगा सकता है^[15] इस कारण से बहुस्तरीय इनवर्टर, हालांकि अधिक जटिल और महंगे हैं, उच्च प्रदर्शन प्रदान करते हैं^[16] चित्र 10 में एक तीन-स्तरीय न्यूट्रल-क्लैम्प्ड इन्वर्टर दिखाया गया है।

तीन-स्तरीय इन्वर्टर के लिए नियंत्रण विधियां केवल प्रत्येक चरण में चार स्विच के दो स्विच को एक साथ चालन राज्यों को बदलने की अनुमति देती हैं। यह सुगम आवागमन की अनुमति देता है और केवल वैध राज्यों का चयन करके शूट थ्रू से बचा जाता है^[16] यह भी ध्यान दिया जा सकता है कि चूंकि डीसी बस वोल्टेज कम से कम दो पावर वाल्व द्वारा साझा किया जाता है, इसलिए उनकी वोल्टेज रेटिंग दो-स्तरीय समकक्ष से कम हो सकती है।

बहुस्तरीय टोपोलॉजी के लिए कैरियर-आधारित और अंतरिक्ष-वेक्टर मॉड्यूलेशन तकनीकों का उपयोग किया जाता है। इन तकनीकों के लिए विधियां क्लासिक इनवर्टर का अनुसरण करती हैं, लेकिन अतिरिक्त जटिलता के साथ। स्पेस-वेक्टर मॉड्यूलेशन मॉड्यूलेशन सिग्नल को अनुमानित करने में उपयोग किए जाने वाले निश्चित वोल्टेज वैक्टर की एक बड़ी संख्या प्रदान करता है, और इसलिए अधिक विस्तृत एल्गोरिदम की कीमत पर अधिक प्रभावी स्पेस वेक्टर पीडब्लूएम रणनीतियों को पूरा करने की अनुमति देता है। अतिरिक्त जटिलता और अर्धचालक उपकरणों की संख्या के कारण, बहुस्तरीय इनवर्टर वर्तमान में उच्च-शक्ति वाले उच्च-वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए अधिक उपयुक्त हैं।^[16] यह तकनीक हार्मोनिक्स को कम करती है इसलिए योजना की समग्र दक्षता में सुधार करती है।

एसी/एसी कन्वर्टर्स

एसी पावर को एसी पावर में कनवर्ट करने से आपूर्ति एसी सिस्टम से लोड पर लागू तरंग के वोल्टेज, आवृत्ति और चरण के नियंत्रण की अनुमति मिलती है^[18] कन्वर्टर्स के प्रकारों को अलग करने के लिए जिन दो मुख्य श्रेणियों का उपयोग किया जा सकता है, वे हैं कि क्या तरंग की आवृत्ति बदल जाती है^[19] एसी/एसी कनवर्टर जो उपयोगकर्ता को आवृत्तियों को संशोधित करने की अनुमति नहीं देता है उसे एसी वोल्टेज नियंत्रक या एसी नियामक के रूप में जाना जाता है। एसी कन्वर्टर्स जो उपयोगकर्ता को आवृत्ति बदलने की अनुमति देते हैं, उन्हें एसी से एसी रूपांतरण के लिए आवृत्ति कन्वर्टर्स के रूप में संदर्भित किया जाता है। फ़्रीक्वेंसी कन्वर्टर्स के तहत तीन अलग-अलग प्रकार के कन्वर्टर्स होते हैं जो आमतौर पर उपयोग किए जाते हैं: साइक्लोकोनवर्टर, मैट्रिक्स कन्वर्टर, डीसी लिंक कन्वर्टर (उर्फ एसी/डीसी/एसी कन्वर्टर)।

एसी वोल्टेज नियंत्रक: एक एसी वोल्टेज नियंत्रक, या एसी नियामक का उद्देश्य, एक स्थिर आवृत्ति पर आरएमएस वोल्टेज को पूरे लोड में बदलना है^[18] आम तौर पर स्वीकार की जाने वाली तीन नियंत्रण विधियां चालू/बंद नियंत्रण, चरण-कोण नियंत्रण, और पल्स-चौड़ाई मॉड्यूलेशन एसी चॉपर कंट्रोल (पीडब्लूएम एसी चॉपर कंट्रोल) हैं।^[20] इन तीनों विधियों को न केवल एकल-चरण सर्किट में, बल्कि तीन-चरण सर्किट में भी लागू किया जा सकता है।

चालू / बंद नियंत्रण: आमतौर पर हीटिंग लोड या मोटर्स के गति नियंत्रण के लिए उपयोग किया जाता है, इस नियंत्रण विधि में एन इंटीग्रल साइकिल के लिए स्विच चालू करना और एम इंटीग्रल साइकिल के लिए स्विच को बंद करना शामिल है। क्योंकि स्विच को चालू और बंद करने से अवांछनीय हार्मोनिक्स का निर्माण होता है, शून्य-वोल्टेज और शून्य-वर्तमान स्थितियों (शून्य-क्रॉसिंग) के दौरान स्विच चालू और बंद होते हैं, विरूपण को प्रभावी ढंग से कम करते हैं^[20]
चरण-कोण नियंत्रण: विभिन्न तरंगों पर चरण-कोण नियंत्रण को लागू करने के लिए विभिन्न सर्किट मौजूद हैं, जैसे कि आधा-लहर या पूर्ण-लहर वोल्टेज नियंत्रण। आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले बिजली इलेक्ट्रॉनिक घटक डायोड, एससीआर और ट्राइक हैं। इन घटकों के उपयोग के साथ, उपयोगकर्ता एक लहर में फायरिंग कोण में देरी कर सकता है, जिससे लहर का केवल एक हिस्सा आउटपुट में होगा^[18]
पीडब्लूएम एसी चॉपर कंट्रोल: अन्य दो नियंत्रण विधियों में अक्सर खराब हार्मोनिक्स, आउटपुट करंट क्वालिटी और इनपुट पावर फैक्टर होता है। इन मूल्यों को सुधारने के लिए अन्य तरीकों के बजाय पीडब्लूएम का उपयोग किया जा सकता है। पीडब्लूएम एसी चॉपर में ऐसे स्विच होते हैं जो इनपुट वोल्टेज के वैकल्पिक आधे चक्र के भीतर कई बार चालू और बंद होते हैं^[20]

मैट्रिक्स कन्वर्टर्स और साइक्लोकॉनवर्टर: साइक्लोकोनवर्टर एस का व्यापक रूप से एसी से एसी रूपांतरण के लिए उद्योग में उपयोग किया जाता है, क्योंकि वे उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में उपयोग करने में सक्षम हैं। वे कम्यूटेड डायरेक्ट फ़्रीक्वेंसी कन्वर्टर्स हैं जो एक सप्लाई लाइन द्वारा सिंक्रोनाइज़ किए जाते हैं। साइक्लोकोनवर्टर आउटपुट वोल्टेज तरंगों में जटिल हार्मोनिक्स होते हैं जिनमें उच्च-क्रम वाले हार्मोनिक्स को मशीन इंडक्शन द्वारा फ़िल्टर किया जाता है। जिससे मशीन के करंट में कम हार्मोनिक्स होते हैं, जबकि शेष हार्मोनिक्स में नुकसान और टॉर्क स्पंदन होता है। ध्यान दें कि एक साइक्लोकॉनवर्टर में, अन्य कन्वर्टर्स के विपरीत, कोई इंडक्टर्स या कैपेसिटर नहीं होते हैं, यानी कोई स्टोरेज डिवाइस नहीं होता है। इस कारण से, तात्कालिक इनपुट पावर और आउटपुट पावर बराबर हैं^[21]

सिंगल-फेज से सिंगल-फेज साइक्लोकॉनवर्टर एस: सिंगल-फेज से सिंगल-फेज साइक्लोकोनवर्टर्स ने हाल ही में अधिक रुचि आकर्षित करना शुरू किया^[when?] बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स स्विच के आकार और कीमत दोनों में कमी के कारण। एकल-चरण उच्च आवृत्ति एसी वोल्टेज या तो साइनसोइडल या ट्रेपोजॉइडल हो सकता है। ये नियंत्रण उद्देश्य या शून्य वोल्टेज कम्यूटेशन के लिए शून्य वोल्टेज अंतराल हो सकते हैं।
तीन-चरण से एकल-चरण साइक्लोकॉनवर्टर एस: एकल-चरण साइक्लोकॉनवर्टर के लिए तीन-चरण दो प्रकार के होते हैं: 3φ से 1φ आधा तरंग साइक्लोकॉनवर्टर और 3φ से 1φ ब्रिज साइक्लोकॉनवर्टर। दोनों सकारात्मक और नकारात्मक कन्वर्टर्स किसी भी ध्रुवीयता पर वोल्टेज उत्पन्न कर सकते हैं, जिसके परिणामस्वरूप सकारात्मक कनवर्टर केवल सकारात्मक वर्तमान की आपूर्ति करता है, और नकारात्मक कनवर्टर केवल नकारात्मक वर्तमान की आपूर्ति करता है।

हाल ही में डिवाइस की प्रगति के साथ, साइक्लोकोनवर्टर के नए रूप विकसित किए जा रहे हैं, जैसे मैट्रिक्स कन्वर्टर्स। पहला बदलाव जो पहली बार देखा गया है वह यह है कि मैट्रिक्स कन्वर्टर्स द्वि-दिशात्मक, द्विध्रुवी स्विच का उपयोग करते हैं। सिंगल फेज से सिंगल फेज मैट्रिक्स कन्वर्टर में 9 स्विच का मैट्रिक्स होता है जो तीन इनपुट फेज को ट्री आउटपुट फेज से जोड़ता है। किसी भी इनपुट चरण और आउटपुट चरण को एक ही समय में एक ही चरण से किन्हीं दो स्विचों को जोड़े बिना किसी भी समय एक साथ जोड़ा जा सकता है; अन्यथा यह इनपुट चरणों के शॉर्ट सर्किट का कारण बनेगा। मैट्रिक्स कन्वर्टर्स अन्य कनवर्टर समाधानों की तुलना में हल्के, अधिक कॉम्पैक्ट और बहुमुखी हैं। नतीजतन, वे उच्च स्तर के एकीकरण, उच्च तापमान संचालन, व्यापक उत्पादन आवृत्ति और प्राकृतिक द्वि-दिशात्मक बिजली प्रवाह प्राप्त करने में सक्षम हैं जो ऊर्जा को उपयोगिता में वापस लाने के लिए उपयुक्त हैं।

मैट्रिक्स कन्वर्टर्स को दो प्रकारों में विभाजित किया जाता है: प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष कन्वर्टर्स। तीन-चरण इनपुट और तीन-चरण आउटपुट के साथ एक प्रत्यक्ष मैट्रिक्स कनवर्टर, मैट्रिक्स कनवर्टर में स्विच द्वि-दिशात्मक होना चाहिए, अर्थात, वे किसी भी ध्रुवता के वोल्टेज को अवरुद्ध करने और किसी भी दिशा में वर्तमान का संचालन करने में सक्षम होना चाहिए। यह स्विचिंग रणनीति उच्चतम संभव आउटपुट वोल्टेज की अनुमति देती है और प्रतिक्रियाशील लाइन-साइड करंट को कम करती है। इसलिए, कनवर्टर के माध्यम से बिजली का प्रवाह प्रतिवर्ती है। इसकी कम्यूटेशन समस्या और जटिल नियंत्रण के कारण इसे उद्योग में व्यापक रूप से उपयोग करने से रोकता है।

डायरेक्ट मैट्रिक्स कन्वर्टर्स के विपरीत, इनडायरेक्ट मैट्रिक्स कन्वर्टर्स की कार्यक्षमता समान होती है, लेकिन अलग-अलग इनपुट और आउटपुट सेक्शन का उपयोग करते हैं जो स्टोरेज एलिमेंट्स के बिना डीसी लिंक के माध्यम से जुड़े होते हैं। डिजाइन में चार-चतुर्थांश वर्तमान स्रोत शुद्ध करने वाला और वोल्टेज स्रोत इन्वर्टर शामिल है। इनपुट अनुभाग में द्वि-दिशात्मक द्विध्रुवी स्विच होते हैं। कम्यूटेशन रणनीति को इनपुट सेक्शन की स्विचिंग स्थिति को बदलकर लागू किया जा सकता है, जबकि आउटपुट सेक्शन फ्रीव्हीलिंग मोड में है। यह कम्यूटेशन एल्गोरिदम काफी कम जटिल है, और पारंपरिक प्रत्यक्ष मैट्रिक्स कनवर्टर की तुलना में उच्च विश्वसनीयता है^[22]

डीसी लिंक कन्वर्टर्स: डीसी लिंक कन्वर्टर्स, जिन्हें एसी/डीसी/एसी कन्वर्टर्स भी कहा जाता है, बीच में डीसी लिंक के उपयोग के साथ एसी इनपुट को एसी आउटपुट में कनवर्ट करते हैं। मतलब कि कन्वर्टर में पावर को रेक्टिफायर के इस्तेमाल से एसी से डीसी में बदला जाता है, और फिर इन्वर्टर के इस्तेमाल से डीसी से एसी में वापस कन्वर्ट किया जाता है। अंतिम परिणाम कम वोल्टेज और चर (उच्च या निम्न) आवृत्ति वाला आउटपुट है^[20] उनके व्यापक अनुप्रयोग क्षेत्र के कारण, एसी/डीसी/एसी कन्वर्टर्स सबसे आम समकालीन समाधान हैं। एसी/डीसी/एसी कन्वर्टर्स के अन्य लाभ यह है कि वे स्थिर हैंओवरलोड और नो-लोड की स्थिति, साथ ही उन्हें बिना नुकसान के लोड से हटाया जा सकता है^[23]

हाइब्रिड मैट्रिक्स कनवर्टर:एसी/एसी कन्वर्टर्स के लिए हाइब्रिड मैट्रिक्स कन्वर्टर्स अपेक्षाकृत नए हैं। ये कन्वर्टर्स एसी/डीसी/एसी डिज़ाइन को मैट्रिक्स कन्वर्टर डिज़ाइन के साथ जोड़ते हैं। इस नई श्रेणी में कई प्रकार के हाइब्रिड कन्वर्टर्स विकसित किए गए हैं, एक उदाहरण एक कनवर्टर है जो एक-दिशात्मक स्विच और डीसी-लिंक के बिना दो कनवर्टर चरणों का उपयोग करता है; डीसी-लिंक के लिए आवश्यक कैपेसिटर या इंडक्टर्स के बिना, कनवर्टर का वजन और आकार कम हो जाता है। हाइब्रिड कन्वर्टर्स से दो उप-श्रेणियां मौजूद हैं, जिन्हें हाइब्रिड डायरेक्ट मैट्रिक्स कन्वर्टर (HDMC) और हाइब्रिड इनडायरेक्ट मैट्रिक्स कन्वर्टर (HIMC) नाम दिया गया है। एचडीएमसी वोल्टेज और करंट को एक चरण में परिवर्तित करता है, जबकि एचआईएमसी अलग-अलग चरणों का उपयोग करता है, जैसे एसी/डीसी/एसी कनवर्टर, लेकिन एक मध्यवर्ती भंडारण तत्व के उपयोग के बिना^[24]^[25]

अनुप्रयोग: नीचे उन सामान्य अनुप्रयोगों की सूची दी गई है जिनमें प्रत्येक कनवर्टर का उपयोग किया जाता है।

एसी वोल्टेज नियंत्रक: प्रकाश नियंत्रण; घरेलू और औद्योगिक हीटिंग; पंखे, पंप या लहरा ड्राइव का गति नियंत्रण, प्रेरण मोटर्स की नरम शुरुआत, स्थिर एसी स्विच^[18] (तापमान नियंत्रण, ट्रांसफार्मर नल बदलना, आदि)
साइक्लोकॉनवर्टर: हाई-पावर लो-स्पीड रिवर्सिबल एसी मोटर ड्राइव; चर इनपुट आवृत्ति के साथ निरंतर आवृत्ति बिजली की आपूर्ति; पावर फैक्टर सुधार के लिए नियंत्रणीय VAR जनरेटर; दो स्वतंत्र बिजली प्रणालियों को जोड़ने वाली एसी प्रणाली इंटरटीज^[18]
मैट्रिक्स कनवर्टर: वर्तमान में मैट्रिक्स कन्वर्टर्स के अनुप्रयोग उच्च आवृत्ति, जटिल नियंत्रण कानून कार्यान्वयन, कम्यूटेशन और अन्य कारणों से संचालन करने में सक्षम द्विपक्षीय मोनोलिथिक स्विच की अनुपलब्धता के कारण सीमित हैं। इन विकासों के साथ, मैट्रिक्स कन्वर्टर्स कई क्षेत्रों में साइक्लोकोनवर्टर की जगह ले सकते हैं^[18]
डीसी लिंक: मशीन निर्माण और निर्माण के व्यक्तिगत या एकाधिक लोड अनुप्रयोगों के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है^[23]

बिजली इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के सिमुलेशन

नियंत्रित थाइरिस्टर

PLECS, PSIM, SPICE, और MATLAB/simulink जैसे कंप्यूटर सिमुलेशन प्रोग्राम का उपयोग करके पावर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट का अनुकरण किया जाता है। सर्किट कुछ शर्तों के तहत कैसे प्रतिक्रिया करते हैं, इसका परीक्षण करने के लिए उत्पादन से पहले सर्किट का अनुकरण किया जाता है। साथ ही, परीक्षण के लिए उपयोग करने के लिए एक प्रोटोटाइप बनाने की तुलना में सिमुलेशन बनाना सस्ता और तेज दोनों है।

अनुप्रयोग

एसी एडॉप्टर में स्विच्ड मोड पावर सप्लाई , बैटरी चार्जर, ऑडियो एम्पलीफायर, फ्लोरोसेंट लैंप रोड़े, वेरिएबल फ़्रीक्वेंसी ड्राइव एस और डीसी मोटर ड्राइव के माध्यम से पंप संचालित करने के लिए पावर इलेक्ट्रॉनिक्स रेंज के अनुप्रयोग आकार में हैं। पंखे, और विनिर्माण मशीनरी, गीगावाट-स्केल तक उच्च वोल्टेज प्रत्यक्ष वर्तमान विद्युत पारेषण प्रणाली विद्युत ग्रिड को आपस में जोड़ने के लिए उपयोग की जाती है। पावर इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम लगभग हर इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस में पाए जाते हैं। उदाहरण के लिए:

डीसी/डीसी कन्वर्टर्स का उपयोग अधिकांश मोबाइल उपकरणों (मोबाइल फोन, पीडीए आदि) में वोल्टेज को एक निश्चित मूल्य पर बनाए रखने के लिए किया जाता है, चाहे बैटरी का वोल्टेज स्तर कुछ भी हो। इन कन्वर्टर्स का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक अलगाव और पावर फैक्टर सुधार के लिए भी किया जाता है। पावर ऑप्टिमाइज़र एक प्रकार का डीसी/डीसी कनवर्टर है जिसे सौर फोटोवोल्टिक या विंड टर्बाइन सिस्टम से ऊर्जा फसल को अधिकतम करने के लिए विकसित किया गया है।
एसी/डीसी कन्वर्टर्स ( रेक्टिफायर एस) का उपयोग हर बार एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को मेन्स (कंप्यूटर, टेलीविजन आदि) से जोड़ा जाता है। ये बस एसी को डीसी में बदल सकते हैं या अपने ऑपरेशन के हिस्से के रूप में वोल्टेज स्तर को भी बदल सकते हैं।
एसी/एसी कन्वर्टर्स का उपयोग वोल्टेज स्तर या आवृत्ति (अंतर्राष्ट्रीय पावर एडेप्टर, लाइट डिमर) को बदलने के लिए किया जाता है। बिजली वितरण नेटवर्क में, एसी/एसी कन्वर्टर्स का उपयोग उपयोगिता आवृत्ति 50 हर्ट्ज और 60 हर्ट्ज पावर ग्रिड के बीच बिजली का आदान-प्रदान करने के लिए किया जा सकता है।
डीसी/एसी कन्वर्टर्स ( इनवर्टर ) मुख्य रूप से यूपीएस या रिन्यूएबल एनर्जी सिस्टम या इमरजेंसी लाइट आईएनजी सिस्टम में उपयोग किए जाते हैं। मेन्स पावर डीसी बैटरी को चार्ज करती है। यदि मेन फेल हो जाता है, तो एक इन्वर्टर डीसी बैटरी से मेन वोल्टेज पर एसी बिजली पैदा करता है। सोलर इन्वर्टर , छोटे स्ट्रिंग और बड़े सेंट्रल इनवर्टर दोनों, साथ ही सोलर माइक्रो-इन्वर्टर का उपयोग फोटोवोल्टिक में पीवी सिस्टम के एक घटक के रूप में किया जाता है।

कपड़ा, कागज, सीमेंट और ऐसी अन्य सुविधाओं के लिए पंप, ब्लोअर और मिल ड्राइव में मोटर ड्राइव पाए जाते हैं। ड्राइव का उपयोग बिजली रूपांतरण और गति नियंत्रण के लिए किया जा सकता हैCite error: Invalid <ref> tag; invalid names, e.g. too many

हाइब्रिड इलेक्ट्रिक वाहन एस (एचईवी) में, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स का उपयोग दो स्वरूपों में किया जाता है: श्रृंखला संकर और समानांतर संकर। श्रृंखला हाइब्रिड और समानांतर हाइब्रिड के बीच का अंतर इलेक्ट्रिक मोटर का आंतरिक दहन इंजन (ICE) से संबंध है। इलेक्ट्रिक वाहनों में उपयोग किए जाने वाले उपकरणों में बैटरी चार्जिंग के लिए ज्यादातर डीसी/डीसी कन्वर्टर्स और प्रोपल्शन मोटर को पावर देने के लिए डीसी/एसी कन्वर्टर्स होते हैं। इलेक्ट्रिक ट्रेनें बिजली प्राप्त करने के लिए बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का उपयोग करती हैं, साथ ही पल्स-चौड़ाई मॉड्यूलेशन (पीडब्लूएम) रेक्टिफायर का उपयोग करके वेक्टर नियंत्रण के लिए। ट्रेनें बिजली लाइनों से अपनी शक्ति प्राप्त करती हैं। पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए एक और नया उपयोग एलेवेटर सिस्टम में है। ये सिस्टम थाइरिस्टर एस, इनवर्टर, स्थायी चुंबक मोटर्स, या पीडब्लूएम सिस्टम और मानक मोटर्स को शामिल करने वाले विभिन्न हाइब्रिड सिस्टम का उपयोग कर सकते हैं।^[26]

इनवर्टर

सामान्य तौर पर, इनवर्टर का उपयोग डीसी से एसी में विद्युत ऊर्जा के प्रत्यक्ष रूपांतरण या एसी से एसी में अप्रत्यक्ष रूपांतरण की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में किया जाता है। डीसी से एसी रूपांतरण कई क्षेत्रों के लिए उपयोगी है, जिसमें पावर कंडीशनिंग, हार्मोनिक मुआवजा, मोटर ड्राइव, अक्षय ऊर्जा ग्रिड एकीकरण, और अंतरिक्ष यान | अंतरिक्ष यान सौर ऊर्जा ]] सिस्टम पर [[ सौर पैनल शामिल हैं।

बिजली प्रणालियों में अक्सर लाइन धाराओं में पाए जाने वाले हार्मोनिक सामग्री को खत्म करने की इच्छा होती है। इस मुआवजे को प्रदान करने के लिए वीएसआई को सक्रिय पावर फिल्टर के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। मापी गई लाइन धाराओं और वोल्टेज के आधार पर, एक नियंत्रण प्रणाली प्रत्येक चरण के लिए संदर्भ वर्तमान संकेतों को निर्धारित करती है। यह एक बाहरी लूप के माध्यम से वापस फीड किया जाता है और इन्वर्टर के लिए एक आंतरिक लूप के लिए वर्तमान सिग्नल बनाने के लिए वास्तविक वर्तमान संकेतों से घटाया जाता है। ये संकेत तब इन्वर्टर को आउटपुट धाराओं को उत्पन्न करने का कारण बनते हैं जो हार्मोनिक सामग्री की भरपाई करते हैं। इस कॉन्फ़िगरेशन को वास्तविक बिजली की खपत की आवश्यकता नहीं है, क्योंकि यह पूरी तरह से लाइन द्वारा खिलाया जाता है; डीसी लिंक केवल एक संधारित्र है जिसे नियंत्रण प्रणाली द्वारा निरंतर वोल्टेज पर रखा जाता है^[15] इस विन्यास में, आउटपुट धाराएं एकता शक्ति कारक का उत्पादन करने के लिए लाइन वोल्टेज के साथ चरण में हैं। इसके विपरीत, VAR मुआवजा एक समान कॉन्फ़िगरेशन में संभव है जहां आउटपुट धाराएं समग्र पावर फैक्टर को बेहतर बनाने के लिए लाइन वोल्टेज का नेतृत्व करती हैं^[16]

जिन सुविधाओं में हर समय ऊर्जा की आवश्यकता होती है, जैसे अस्पताल और हवाई अड्डे, यूपीएस सिस्टम का उपयोग किया जाता है। एक स्टैंडबाय सिस्टम में, सामान्य रूप से आपूर्ति करने वाले ग्रिड के बाधित होने पर एक इन्वर्टर ऑनलाइन लाया जाता है। बिजली को तत्काल ऑनसाइट बैटरियों से खींचा जाता है और वीएसआई द्वारा प्रयोग करने योग्य एसी वोल्टेज में परिवर्तित किया जाता है, जब तक कि ग्रिड पावर बहाल नहीं हो जाती है, या जब तक बैकअप जनरेटर ऑनलाइन नहीं लाए जाते हैं। एक ऑनलाइन यूपीएस प्रणाली में, एक रेक्टिफायर-डीसी-लिंक-इन्वर्टर का उपयोग लोड को ट्रांजिस्टर और हार्मोनिक सामग्री से बचाने के लिए किया जाता है। ग्रिड पावर बाधित होने की स्थिति में डीसी-लिंक के साथ समानांतर में एक बैटरी को आउटपुट द्वारा पूरी तरह से चार्ज रखा जाता है, जबकि इन्वर्टर के आउटपुट को कम पास फिल्टर के माध्यम से लोड में फीड किया जाता है। उच्च शक्ति की गुणवत्ता और गड़बड़ी से स्वतंत्रता प्राप्त की जाती है^[15]

एसी मोटर्स की गति, टॉर्क और स्थिति नियंत्रण के लिए विभिन्न एसी मोटर ड्राइव विकसित किए गए हैं। इन ड्राइवों को क्रमशः स्केलर-नियंत्रित या वेक्टर-नियंत्रित होने के आधार पर निम्न-प्रदर्शन या उच्च-प्रदर्शन के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है। स्केलर-नियंत्रित ड्राइव में, मौलिक स्टेटर करंट, या वोल्टेज फ़्रीक्वेंसी और आयाम, केवल नियंत्रणीय मात्राएँ हैं। इसलिए, इन ड्राइवों का उपयोग उन अनुप्रयोगों में किया जाता है जहां उच्च गुणवत्ता नियंत्रण की आवश्यकता नहीं होती है, जैसे कि पंखे और कम्प्रेसर। दूसरी ओर, वेक्टर-नियंत्रित ड्राइव तात्कालिक वर्तमान और वोल्टेज मूल्यों को लगातार नियंत्रित करने की अनुमति देते हैं। लिफ्ट और इलेक्ट्रिक कारों जैसे अनुप्रयोगों के लिए यह उच्च प्रदर्शन आवश्यक है^[15]

कई नवीकरणीय ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए इनवर्टर भी महत्वपूर्ण हैं। फोटोवोल्टिक उद्देश्यों में, इन्वर्टर, जो आमतौर पर एक पीडब्लूएम वीएसआई होता है, एक फोटोवोल्टिक मॉड्यूल या सरणी के डीसी विद्युत ऊर्जा आउटपुट द्वारा खिलाया जाता है। इन्वर्टर फिर इसे लोड या यूटिलिटी ग्रिड के साथ इंटरफेस करने के लिए एसी वोल्टेज में परिवर्तित करता है। इनवर्टर को अन्य नवीकरणीय प्रणालियों, जैसे पवन टरबाइन में भी नियोजित किया जा सकता है। इन अनुप्रयोगों में, टरबाइन की गति आमतौर पर भिन्न होती है, जिससे वोल्टेज आवृत्ति में और कभी-कभी परिमाण में परिवर्तन होता है। इस मामले में, उत्पन्न वोल्टेज को ठीक किया जा सकता है और फिर आवृत्ति और परिमाण को स्थिर करने के लिए उलटा किया जा सकता है^[15]

स्मार्ट ग्रिड

एक स्मार्ट ग्रिड एक आधुनिकीकृत विद्युत ग्रिड है जो सूचना और संचार प्रौद्योगिकी का उपयोग करता है ताकि दक्षता, विश्वसनीयता, अर्थशास्त्र में सुधार के लिए स्वचालित रूप से आपूर्तिकर्ताओं और उपभोक्ताओं के व्यवहार के बारे में जानकारी एकत्र की जा सके और उन पर कार्रवाई की जा सके। , और बिजली के उत्पादन और वितरण की स्थिरता^[27]^[28]

पवन टरबाइन एस और हाइड्रोइलेक्ट्रिक टर्बाइनों द्वारा प्रेरण जनरेटर एस का उपयोग करके उत्पन्न विद्युत शक्ति उस आवृत्ति में भिन्नता पैदा कर सकती है जिस पर बिजली उत्पन्न होती है। इन प्रणालियों में उत्पन्न एसी वोल्टेज को हाई-वोल्टेज डायरेक्ट करंट ( एचवीडीसी ) में बदलने के लिए पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का उपयोग किया जाता है। एचवीडीसी पावर को अधिक आसानी से थ्री फेज पावर में परिवर्तित किया जा सकता है जो मौजूदा पावर ग्रिड से जुड़ी पावर के साथ सुसंगत है। इन उपकरणों के माध्यम से, इन प्रणालियों द्वारा प्रदान की जाने वाली शक्ति स्वच्छ होती है और इसमें उच्च संबद्ध शक्ति कारक होता है। पवन ऊर्जा प्रणाली इष्टतम टोक़ या तो गियरबॉक्स या प्रत्यक्ष ड्राइव प्रौद्योगिकियों के माध्यम से प्राप्त की जाती है जो बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स डिवाइस के आकार को कम कर सकती हैंCite error: Invalid <ref> tag; invalid names, e.g. too many

बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का उपयोग करके फोटोवोल्टिक सेल एस के माध्यम से विद्युत शक्ति उत्पन्न की जा सकती है। उत्पादित बिजली आमतौर पर सौर इन्वर्टर एस द्वारा बदल दी जाती है। इनवर्टर को तीन अलग-अलग प्रकारों में विभाजित किया जाता है: केंद्रीय, मॉड्यूल-एकीकृत और स्ट्रिंग। सेंट्रल कन्वर्टर्स को सिस्टम के डीसी साइड पर समानांतर या श्रृंखला में जोड़ा जा सकता है। फोटोवोल्टिक खेतों के लिए, पूरे सिस्टम के लिए एक केंद्रीय कनवर्टर का उपयोग किया जाता है। मॉड्यूल-एकीकृत कन्वर्टर्स डीसी या एसी तरफ श्रृंखला में जुड़े हुए हैं। आम तौर पर एक फोटोवोल्टिक प्रणाली के भीतर कई मॉड्यूल का उपयोग किया जाता है, क्योंकि सिस्टम को डीसी और एसी दोनों टर्मिनलों पर इन कन्वर्टर्स की आवश्यकता होती है। एक स्ट्रिंग कनवर्टर का उपयोग एक सिस्टम में किया जाता है जो फोटोवोल्टिक कोशिकाओं का उपयोग करता है जो विभिन्न दिशाओं का सामना कर रहे हैं। इसका उपयोग उत्पन्न शक्ति को प्रत्येक स्ट्रिंग, या रेखा में परिवर्तित करने के लिए किया जाता है, जिसमें फोटोवोल्टिक कोशिकाएं परस्पर क्रिया कर रही होती हैं^[29]

बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स का उपयोग उपयोगिताओं को वितरित आवासीय/वाणिज्यिक सौर ऊर्जा पीढ़ी में तेजी से वृद्धि के अनुकूल बनाने में मदद करने के लिए किया जा सकता है। जर्मनी और हवाई, कैलिफोर्निया और न्यू जर्सी के कुछ हिस्सों में नए सौर प्रतिष्ठानों को मंजूरी देने से पहले महंगे अध्ययन किए जाने की आवश्यकता है। अपेक्षाकृत छोटे पैमाने के ग्राउंड- या पोल-माउंटेड डिवाइस बिजली के प्रवाह की निगरानी और प्रबंधन के लिए एक वितरित नियंत्रण बुनियादी ढांचे की क्षमता पैदा करते हैं। सबस्टेशन पर कैपेसिटर बैंक एस या वोल्टेज नियामक एस जैसे पारंपरिक इलेक्ट्रोमैकेनिकल सिस्टम, वोल्टेज को समायोजित करने में मिनट लग सकते हैं और सौर प्रतिष्ठानों से दूर हो सकते हैं जहां समस्याएं उत्पन्न होती हैं। यदि पड़ोस सर्किट पर वोल्टेज बहुत अधिक हो जाता है, तो यह उपयोगिता कर्मचारियों को खतरे में डाल सकता है और उपयोगिता और ग्राहक उपकरण दोनों को नुकसान पहुंचा सकता है। इसके अलावा, एक ग्रिड दोष के कारण फोटोवोल्टिक जनरेटर तुरंत बंद हो जाते हैंवास्तव में, ग्रिड पावर की मांग में तेजी आई है। स्मार्ट ग्रिड-आधारित नियामक कहीं अधिक उपभोक्ता उपकरणों की तुलना में अधिक नियंत्रणीय हैं^[30]

एक अन्य दृष्टिकोण में, पश्चिमी इलेक्ट्रिक उद्योग के नेताओं नामक 16 पश्चिमी उपयोगिताओं के एक समूह ने स्मार्ट इनवर्टर के अनिवार्य उपयोग का आह्वान किया। ये उपकरण डीसी को घरेलू एसी में परिवर्तित करते हैं और बिजली की गुणवत्ता में भी मदद कर सकते हैं। ऐसे उपकरण बहुत कम कुल लागत पर महंगे उपयोगिता उपकरण उन्नयन की आवश्यकता को समाप्त कर सकते हैं^[30]

Notes

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[Yano_पावर_इलेक्ट्रॉनिक्स_जापान{{cite_journal|last=Yano|first=Masao|author2=Shigery_Abe_|author3=Eiichi_Ohno_|title=History_of_Power_Electronics_for_Motor_Drives_in_Japan|year=2004}}</ref-26] Cite error: Invalid <ref> tag; no text was provided for refs named Yano_पावर_इलेक्ट्रॉनिक्स_जापानYano, Masao; Shigery Abe; Eiichi Ohno (2004). "History of Power Electronics for Motor Drives in Japan". {{cite journal}}: Cite journal requires |journal= (help)</ref

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[Carrasco_स्मार्ट_ग्रिड-29] Cite error: Invalid <ref> tag; no text was provided for refs named Carrasco_स्मार्ट_ग्रिड

[tr1401-30] 30.0 ^30.1 LaMonica, Martin (2014-01-21). "Power Electronics Could Help Grid and Solar Power Get Along | MIT Technology Review". Technologyreview.com. Retrieved 2014-01-22.

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 == इतिहास ==
-मरकरी आर्क रेक्टिफायर के विकास के साथ पावर इलेक्ट्रॉनिक्स की शुरुआत हुई।प्रत्यावर्ती धारा (AC) को एकदिश धारा (DC) में बदलने के लिए इसका उपयोग किया गया था।1920 के दशक से, थायराट्रॉन और ग्रिड-नियंत्रित पारा चाप वाल्वों से विद्युत प्रसारण के प्रयोग पर खोज जारी है। [[ यूनो लैम |यूनो लैम]] ने ग्रेडिंग इलेक्ट्रोड के साथ एक पारा वाल्व विकसित किया जो उन्हें  [[ उच्च वोल्टेज प्रत्यक्ष वर्तमान ]] बिजली संचरण के लिए उपयुक्त बनाता है। 1933 में सेलेनियम रेक्टिफायर्स का आविष्कार किया गया था<ref name=Thompson>{{cite web|last=Thompson|first=M.T.|title=Notes 01|url=http://www.thompsonrd.com/NOTES%2001%20INTRODUCTION%20TO%20POWER%20ELECTRONICS.pdf|work=Introduction to Power Electronics|publisher=Thompson Consulting, Inc.}}</ref>
+मरकरी आर्क रेक्टिफायर के विकास के साथ पावर इलेक्ट्रॉनिक्स की शुरुआत हुई।प्रत्यावर्ती धारा (AC) को एकदिश धारा (DC) में बदलने के लिए इसका उपयोग किया गया था।1920 के दशक से, थायराट्रॉन और ग्रिड-नियंत्रित पारा चाप वाल्वों से विद्युत प्रसारण के प्रयोग पर खोज जारी है। [[ यूनो लैम |यूनो लैम]] ने ग्रेडिंग इलेक्ट्रोड के साथ एक पारा वाल्व विकसित किया जो उन्हें  [[ उच्च वोल्टेज प्रत्यक्ष वर्तमान ]] बिजली संचरण के लिए उपयुक्त बनाता है। सेलेनियम रेक्टिफायर्स का आविष्कार 1933 में हुआ था।<ref name=Thompson>{{cite web|last=Thompson|first=M.T.|title=Notes 01|url=http://www.thompsonrd.com/NOTES%2001%20INTRODUCTION%20TO%20POWER%20ELECTRONICS.pdf|work=Introduction to Power Electronics|publisher=Thompson Consulting, Inc.}}</ref>
 [[ जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड | जूलियस एडगर लिलिएनफेल्ड]] ने 1926 में  [[ क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर | क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर]] की अवधारणा का प्रस्ताव रखा था, लेकिन उस समय वास्तव में एक कार्यशील उपकरण का निर्माण संभव नहीं था।<ref>{{cite web |title=1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented |website=Computer History Museum |url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/field-effect-semiconductor-device-concepts-patented/ |access-date=March 25, 2016 |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20160322023120/http://www.computerhistory.org/siliconengine/field-effect-semiconductor-device-concepts-patented/ |archive-date=March 22, 2016 |df=mdy-all }}</ref> 1947 में, द्विध्रुवी  [[ बिंदु-संपर्क ट्रांजिस्टर | बिंदु-संपर्क ट्रांजिस्टर]] का आविष्कार  [[ वाल्टर एच. ब्रेटैन | वाल्टर एच. ब्रेटैन]] और  [[ जॉन बारडीन | जॉन बारडीन]] द्वारा  [[ बेल लैब्स | बेल लैब्स]] में  [[ विलियम शॉक्ले | विलियम शॉक्ले]] के निर्देशन में किया गया था। 1948 में शॉक्ले के  [[ बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर | बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर]] (बीजेटी) के आविष्कार ने  [[ ट्रांजिस्टर | ट्रांजिस्टर]] की स्थिरता और प्रदर्शन में सुधार किया और लागत में कमी की। 1950 के दशक तक, उच्च शक्ति अर्धचालक  [[ डायोड | डायोड]] एस उपलब्ध हो गए और  [[ वैक्यूम ट्यूब | वैक्यूम ट्यूब]] एस की जगह लेना शुरू कर दिया। 1956 में  [[ सिलिकॉन नियंत्रित दिष्टकारी | सिलिकॉन नियंत्रित दिष्टकारी]] (एससीआर)  [[ जनरल इलेक्ट्रिक | जनरल इलेक्ट्रिक]] द्वारा पेश किया गया था, जिससे बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों की सीमा में काफी वृद्धि हुई।<ref name="Kharagpur">{{cite web|last=Kharagpur|title=Power Semiconductor Devices|url=http://nptel.iitm.ac.in/courses/Webcourse-contents/IIT%20Kharagpur/Power%20Electronics/PDF/L-1(SSG)(PE)%20((EE)NPTEL).pdf|work=EE IIT|access-date=25 March 2012|archive-url=https://web.archive.org/web/20080920222959/http://nptel.iitm.ac.in/courses/Webcourse-contents/IIT%20Kharagpur/Power%20Electronics/PDF/L-1(SSG)(PE)%20((EE)NPTEL).pdf|archive-date=20 September 2008|url-status=dead}}</ref> 1960 के दशक तक, द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर की बेहतर स्विचिंग गति ने उच्च आवृत्ति डीसी / डीसी कन्वर्टर्स के लिए अनुमति दी थी।

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डीसी/एसी कन्वर्टर्स (इनवर्टर)

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सिंगल-फेज फुल-ब्रिज इन्वर्टर

तीन चरण वोल्टेज स्रोत इन्वर्टर

वर्तमान स्रोत इनवर्टर

मल्टीलेवल इनवर्टर

एसी/एसी कन्वर्टर्स

बिजली इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के सिमुलेशन

अनुप्रयोग

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