रूब्रीन: Difference between revisions

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== इलेक्ट्रॉनिक गुण ==
== इलेक्ट्रॉनिक गुण ==
[[ कार्बनिक अर्धचालक | कार्बनिक अर्धचालक]] के रूप में, रूब्रीन का प्रमुख अनुप्रयोग [[कार्बनिक एलईडी|कार्बनिक प्रकाश]] उत्सर्जक डायोड (OLEDs) और [[ जैविक क्षेत्र-प्रभाव [[ट्रांजिस्टर]] ]] में है, जो लचीले डिस्प्ले के मुख्य तत्व हैं। सिंगल-क्रिस्टल ट्रांजिस्टर को क्रिस्टलीय रूब्रीन का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है, जिसे एक संशोधित ज़ोन भट्टी में एक तापमान ढाल पर उगाया जाता है। भौतिक वाष्प परिवहन के रूप में जानी जाने वाली इस तकनीक को 1998 में प्रस्तुत किया गया था।<ref>{{cite journal|doi=10.1016/S0022-0248(98)00034-7|title=कार्बनिक अर्धचालकों की भौतिक वाष्प वृद्धि|journal=Journal of Crystal Growth|volume=187|issue=3–4|pages=449|year=1998|last1=Laudise|first1=R.A|last2=Kloc|first2=Ch|last3=Simpkins|first3=P.G|last4=Siegrist|first4=T|bibcode=1998JCrGr.187..449L}}</ref><ref>Jurchescu, Oana Diana (2006) [http://dissertations.ub.rug.nl/FILES/faculties/science/2006/o.d.jurchescu/06_c6.pdf "Low Temperature Crystal Structure of Rubrene Single Crystals Grown by Vapor Transport"] in ''Molecular organic semiconductors for electronic devices'', PhD thesis Rijksuniversiteit Groningen.</ref>
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रूब्रीन उच्चतम वाहक गतिशीलता के साथ कार्बनिक अर्धचालक होने का गौरव रखता है, जो [[इलेक्ट्रॉन छेद]] छिद्र के लिए 40 cm<sup>2</sup>/(V·s)  तक पहुंचता है। यह मान सिंगल-क्रिस्टलीय रूब्रीन की एक पतली परत को छीलकर और Si/SiO2 सब्सट्रेट में स्थानांतरित करके तैयार किए गए OFETs में मापा गया था।<ref name="sc">{{cite journal|journal=Sci. Technol. Adv. Mater. |volume=10|date=2009|page= 024314|doi=10.1088/1468-6996/10/2/024314|title=एकल क्रिस्टल का उपयोग कर कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर|author=Hasegawa, Tatsuo and Takeya, Jun |issue=2|bibcode=2009STAdM..10b4314H|pmc=5090444|pmid=27877287}}</ref>
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रूब्रीन
File:Rubrene.svg
File:Rubrene-3D-spacefill.png
File:Rubrene.jpg
Names
Preferred IUPAC name
5,6,11,12-Tetraphenyltetracene
Other names
5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene, rubrene
Identifiers
3D model (JSmol)
ChemSpider
EC Number
  • 208-242-0
  • InChI=1S/C42H28/c1-5-17-29(18-6-1)37-33-25-13-14-26-34(33)39(31-21-9-3-10-22-31)42-40(32-23-11-4-12-24-32)36-28-16-15-27-35(36)38(41(37)42)30-19-7-2-8-20-30/h1-28H File:Yes check.svgY
    Key: YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N File:Yes check.svgY
  • InChI=1/C42H28/c1-5-17-29(18-6-1)37-33-25-13-14-26-34(33)39(31-21-9-3-10-22-31)42-40(32-23-11-4-12-24-32)36-28-16-15-27-35(36)38(41(37)42)30-19-7-2-8-20-30/h1-28H
    Key: YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYAD
  • c5(c3c(c1ccccc1c(c2ccccc2)c3c(c4ccccc4)c6ccccc56)c7ccccc7)c8ccccc8
Properties
C42H28
Molar mass 532.7 g/mol
Melting point 315 °C (599 °F; 588 K)
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).

रूब्रीन (5,6,11,12-टेट्राफेनिलटेट्रासीन) एक लाल रंग का पॉलीसाइक्लिक सुगंधित हाइड्रोकार्बन है। रूब्रीन का उपयोग चेमील्यूमिनेसेंस में फोटोसेंसिटाइज़र के रूप में और प्रकाश की छड़ी में पीले प्रकाश स्रोत के रूप में किया जाता है।

इलेक्ट्रॉनिक गुण

कार्बनिक अर्धचालक के रूप में, रूब्रीन का प्रमुख अनुप्रयोग कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (OLEDs) और जैविक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में है, जो लचीले डिस्प्ले के मुख्य तत्व हैं। सिंगल-क्रिस्टल ट्रांजिस्टर को क्रिस्टलीय रूब्रीन का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है, जिसे एक संशोधित ज़ोन भट्टी में एक तापमान ढाल पर उगाया जाता है। भौतिक वाष्प परिवहन के रूप में जानी जाने वाली इस तकनीक को 1998 में प्रस्तुत किया गया था।[1][2]

रूब्रीन उच्चतम वाहक गतिशीलता के साथ कार्बनिक अर्धचालक होने का गौरव रखता है, जो इलेक्ट्रॉन छेद छिद्र के लिए 40 cm2/(V·s) तक पहुंचता है। यह मान सिंगल-क्रिस्टलीय रूब्रीन की एक पतली परत को छीलकर और Si/SiO2 सब्सट्रेट में स्थानांतरित करके तैयार किए गए OFETs में मापा गया था।[3]


क्रिस्टल संरचना

रूब्रीन के कई बहुरूपता (सामग्री विज्ञान) ज्ञात हैं। निर्वात में वाष्प से उगाए जाने वाले क्रिस्टल मोनोक्लाइनिक ,[4] त्रिक्लाइनिक,[5] और ओर्थोरोम्बिक रूपांकनों हो सकते हैं।[6] ऑर्थोरोम्बिक क्रिस्टल (अंतरिक्ष समूह Bbam) एक बंद प्रणाली में परिवेशी दबाव पर दो-ज़ोन भट्टी में प्राप्त की जाती हैं।[7]


संश्लेषण

रूब्रीन 1,1,3-ट्राइफिनाइल-2-प्रोपिन-1-ऑल को थियोनिल क्लोराइड से उपचारित करके तैयार किया जाता है।[8]

File:3-chloro-1,1,3-triphenylpropa-1,2-diene.png
परिणामी क्लोरोएलीन रूब्रीन देने के लिए डिमराइजेशन(रसायन विज्ञान) और निर्जलीकरण से गुजरता है।[9]
File:Rubrene synthesis.png

रेडॉक्स गुण

रूब्रीन, अन्य पॉलीसाइक्लिक सुगंधित अणुओं की प्रकार, समाधान में रेडॉक्स प्रतिक्रियाओं से गुजरता है। यह संतृप्त कैलोमेल इलेक्ट्रोड बनाम क्रमश: 0.95 V और -1.37 V पर ऑक्सीकरण करता है और विपरीत रूप से कम करता है। जब एक विद्युत रासायनिक सेल में धनायन और ऋणायन सह-उत्पन्न होते हैं, तो वे अपने आवेशों के विनाश के साथ संयोजन कर सकते हैं, किन्तु एक उत्साहित रूब्रीन अणु का उत्पादन करते हैं जो 540 nm पर उत्सर्जित होता है। इस घटना को विद्युत रासायनिक संदीप्ति कहा जाता है।[10]


संदर्भ

File:Commons-logo.svg
Wikimedia Commons has media related to Rubrene.
  1. ↑ Laudise, R.A; Kloc, Ch; Simpkins, P.G; Siegrist, T (1998). "कार्बनिक अर्धचालकों की भौतिक वाष्प वृद्धि". Journal of Crystal Growth. 187 (3–4): 449. Bibcode:1998JCrGr.187..449L. doi:10.1016/S0022-0248(98)00034-7.
  2. ↑ Jurchescu, Oana Diana (2006) "Low Temperature Crystal Structure of Rubrene Single Crystals Grown by Vapor Transport" in Molecular organic semiconductors for electronic devices, PhD thesis Rijksuniversiteit Groningen.
  3. ↑ Hasegawa, Tatsuo and Takeya, Jun (2009). "एकल क्रिस्टल का उपयोग कर कार्बनिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर". Sci. Technol. Adv. Mater. 10 (2): 024314. Bibcode:2009STAdM..10b4314H. doi:10.1088/1468-6996/10/2/024314. PMC 5090444. PMID 27877287.{{cite journal}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link)
  4. ↑ Taylor, W. H. (1936). "डिफ्लेविलीन, रूब्रीन और संबंधित यौगिकों पर एक्स-रे माप". Zeitschrift für Kristallographie. 93 (1–6): 151. doi:10.1524/zkri.1936.93.1.151. S2CID 101491070.
  5. ↑ Akopyan, S. A.; Avoyan, R. L. and Struchkov, Yu. T. Z. Strukt. Khim. 3, 602 (1962)
  6. ↑ Henn, D. E. & Williams, W. G. (1971). "रूब्रीन के ऑर्थोरोम्बिक रूप के लिए क्रिस्टलोग्राफिक डेटा". J. Appl. Crystallogr. 4 (3): 256. doi:10.1107/S0021889871006812.
  7. ↑ Bulgarovskaya, I.; Vozzhennikov, V.; Aleksandrov, S.; Belsky, V. (1983). Latv. PSR Zinat. Akad. Vestis, Fiz. Teh. Zinat. Ser. 4. 53: 115
  8. ↑ Furniss, B. व्यावहारिक कार्बनिक रसायन शास्त्र की वोगेल की पाठ्यपुस्तक (5th ed.). pp. 840–841.
  9. ↑ Furniss, B. व्यावहारिक कार्बनिक रसायन शास्त्र की वोगेल की पाठ्यपुस्तक (5th ed.). pp. 844–845.
  10. ↑ Richter, M. M. (2004). "विद्युत रासायनिक संदीप्ति (ईसीएल)". Chemical Reviews. 104 (6): 3003–36. doi:10.1021/cr020373d. PMID 15186186.
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