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{{Distinguish|कोमल त्रुटि}} | {{Distinguish|कोमल त्रुटि}} | ||
[[ इलेक्ट्रानिक्स ]] और [[ कम्प्यूटिंग ]] में, | [[ इलेक्ट्रानिक्स ]] और [[ कम्प्यूटिंग ]] में, कोमल त्रुटि एक प्रकार की त्रुटि होती है, जहां सिग्नल या डेटम गलत होता है। त्रुटियां विक्ट: दोष के कारण हो सकती हैं, आमतौर पर या तो रचना या निर्माण में [[गलती]], या टूटा हुआ घटक समझा जाता है। नरम त्रुटि भी एक संकेत या डेटा है जो गलत है, लेकिन ऐसी गलती या टूट-फूट का संकेत नहीं माना जाता है। नरम त्रुटि देखने के बाद, इसका कोई निहितार्थ नहीं है कि सिस्टम पहले की तुलना में कम विश्वसनीय है। कोमल त्रुटि का एक कारण [[ब्रह्मांड किरण]] से परेशान एकल घटना है। | ||
कंप्यूटर के मेमोरी सिस्टम में, एक | कंप्यूटर के मेमोरी सिस्टम में, एक कोमल त्रुटि प्रोग्राम या डेटा वैल्यू में निर्देश को बदल देता है। कोमल त्रुटियों को आमतौर पर कंप्यूटर को [[कोल्ड बूटिंग]] करके ठीक किया जा सकता है। कोमल त्रुटि सिस्टम के हार्डवेयर को नुकसान नहीं पहुंचाएगा; एकमात्र नुकसान उस डेटा को है जिसे संसाधित किया जा रहा है। | ||
कोमल त्रुटि दो प्रकार के होते हैं, ''चिप-लेवल कोमल त्रुटि'' और ''सिस्टम-लेवल कोमल त्रुटि होती है'' । चिप-स्तर की नरम त्रुटियां तब होती हैं जब कण चिप से टकराते हैं, उदाहरण के लिए, जब कॉस्मिक किरण से वायु बौछार (भौतिकी) डाई (एकीकृत सर्किट) पर उतरती है। यदि कोमल त्रुटि क्रिटिकल चार्ज वाला कोई कण [[मेमोरी सेल (कंप्यूटिंग)]] से टकराता है, तो यह सेल को एक अलग मान में स्थिति बदलने का कारण बन सकता है। इस उदाहरण में परमाणु प्रतिक्रिया इतनी छोटी है कि यह चिप की भौतिक संरचना को नुकसान नहीं पहुंचाती है। सिस्टम-स्तरीय कोमल त्रुटियां तब होती हैं जब संसाधित किया जा रहा डेटा शोर घटना से प्रभावित होता है, आमतौर पर जब डेटा डेटा बस में होता है। कंप्यूटर शोर को डेटा बिट के रूप में समझने की कोशिश करता है, जिससे प्रोग्राम कोड को संबोधित करने या संसाधित करने में त्रुटियां हो सकती हैं। खराब डेटा बिट को स्मृति में भी सहेजा जा सकता है और बाद में समस्याएं पैदा कर सकता है। | |||
यदि पता चला है, तो गलत डेटा के स्थान पर सही डेटा को फिर से लिखकर एक | यदि पता चला है, तो गलत डेटा के स्थान पर सही डेटा को फिर से लिखकर एक कोमल त्रुटि को ठीक किया जा सकता है। अत्यधिक विश्वसनीय प्रणालियाँ चलते-फिरते नरम त्रुटियों को ठीक करने के लिए [[त्रुटि सुधार]] का उपयोग करती हैं। हालांकि, कई प्रणालियों में, सही डेटा निर्धारित करना असंभव हो सकता है, या यहां तक कि यह पता लगाना भी कि कोई त्रुटि मौजूद है। इसके अलावा, सुधार होने से पहले, सिस्टम [[क्रैश (कंप्यूटिंग)]] हो सकता है, जिस स्थिति में [[पुनर्प्राप्ति प्रक्रिया]] में [[रिबूट (कंप्यूटर)]] शामिल होना चाहिए। कोमल त्रुटि में डेटा में बदलाव शामिल हैं{{mdashb}} भंडारण परिपथ में [[इलेक्ट्रॉनों]], उदाहरण के लिए{{mdashb}}लेकिन स्वयं भौतिक परिपथ, [[परमाणुओं]] में परिवर्तन नहीं होता है। यदि डेटा को दोबारा लिखा जाता है, तो सर्किट फिर से पूरी तरह से काम करेगा। डिजिटल लॉजिक, एनालॉग सर्किट, मैग्नेटिक स्टोरेज और अन्य जगहों पर कोमल त्रुटि ट्रांसमिशन लाइनों पर हो सकते हैं, लेकिन आमतौर पर सेमीकंडक्टर स्टोरेज में जाने जाते हैं। | ||
== क्रिटिकल चार्ज == | == क्रिटिकल चार्ज == | ||
सर्किट नरम त्रुटि का अनुभव करता है या नहीं, आने वाले कण की ऊर्जा, प्रभाव की ज्यामिति, हड़ताल का स्थान और तर्क सर्किट के रचना पर निर्भर करता है। उच्च [[समाई]] और उच्च तर्क वोल्टेज वाले लॉजिक सर्किट में त्रुटि होने की संभावना कम होती है। कैपेसिटेंस और वोल्टेज के इस संयोजन को क्रिटिकल [[ बिजली का आवेश ]] पैरामीटर, क्यू द्वारा वर्णित किया गया है<sub>crit</sub>तर्क स्तर को बदलने के लिए आवश्यक न्यूनतम इलेक्ट्रॉन आवेश गड़बड़ी। एक उच्च Q<sub>crit</sub> मतलब कम कोमल त्रुटि। दुर्भाग्य से, एक उच्च Q<sub>crit</sub> इसका मतलब एक धीमा लॉजिक गेट और एक उच्च शक्ति अपव्यय भी है। चिप फीचर आकार और आपूर्ति वोल्टेज में कमी, कई कारणों से वांछनीय, क्यू घट जाती है<sub>crit</sub>. इस प्रकार, चिप प्रौद्योगिकी की प्रगति के रूप में नरम त्रुटियों का महत्व बढ़ जाता है। | |||
लॉजिक सर्किट में, Q<sub>crit</sub> एक सर्किट नोड पर आवश्यक प्रेरित चार्ज की न्यूनतम मात्रा के रूप में परिभाषित किया जाता है, जिससे वोल्टेज पल्स उस नोड से आउटपुट तक फैलता है और पर्याप्त अवधि और परिमाण का विश्वसनीय रूप से लैच किया जा सकता है। चूँकि एक लॉजिक सर्किट में कई नोड होते हैं जो टकरा सकते हैं, और प्रत्येक नोड अद्वितीय समाई और आउटपुट से दूरी का हो सकता है, क्यू<sub>crit</sub> आमतौर पर प्रति-नोड के आधार पर विशेषता होती है। | लॉजिक सर्किट में, Q<sub>crit</sub> एक सर्किट नोड पर आवश्यक प्रेरित चार्ज की न्यूनतम मात्रा के रूप में परिभाषित किया जाता है, जिससे वोल्टेज पल्स उस नोड से आउटपुट तक फैलता है और पर्याप्त अवधि और परिमाण का विश्वसनीय रूप से लैच किया जा सकता है। चूँकि एक लॉजिक सर्किट में कई नोड होते हैं जो टकरा सकते हैं, और प्रत्येक नोड अद्वितीय समाई और आउटपुट से दूरी का हो सकता है, क्यू<sub>crit</sub> आमतौर पर प्रति-नोड के आधार पर विशेषता होती है। | ||
== | == कोमल त्रुटि के कारण == | ||
=== पैकेज क्षय से अल्फा कण === | === पैकेज क्षय से अल्फा कण === | ||
1970 के दशक में [[गतिशील रैम]] की शुरुआत के साथ | 1970 के दशक में [[गतिशील रैम]] की शुरुआत के साथ कोमल त्रुटि व्यापक रूप से ज्ञात हो गए। इन शुरुआती उपकरणों में, सिरेमिक चिप पैकेजिंग सामग्री में थोड़ी मात्रा में [[रेडियोधर्मी]] संदूषक होते थे। अत्यधिक नरम त्रुटियों से बचने के लिए बहुत कम क्षय दर की आवश्यकता होती है, और तब से चिप कंपनियों को कभी-कभी संदूषण की समस्या का सामना करना पड़ा है। आवश्यक भौतिक शुद्धता को बनाए रखना अत्यंत कठिन है। महत्वपूर्ण पैकेजिंग सामग्री के लिए अल्फा कण उत्सर्जन दर को 0.001 गणना प्रति घंटे प्रति सेमी से कम के स्तर पर नियंत्रित करना<sup>2</sup> (सीपीएच/सेमी<sup>2</sup>) अधिकांश सर्किटों के विश्वसनीय प्रदर्शन के लिए आवश्यक है। तुलना के लिए, सामान्य जूते के तलवे की गणना दर 0.1 और 10 cph/cm के बीच होती है<sup>2</उप>। | ||
पैकेज रेडियोधर्मी क्षय आमतौर पर [[अल्फा कण]] उत्सर्जन द्वारा नरम त्रुटि का कारण बनता है। सकारात्मक आवेशित अल्फा कण अर्धचालक के माध्यम से यात्रा करता है और वहां इलेक्ट्रॉनों के वितरण को बाधित करता है। यदि गड़बड़ी काफी बड़ी है, तो | पैकेज रेडियोधर्मी क्षय आमतौर पर [[अल्फा कण]] उत्सर्जन द्वारा नरम त्रुटि का कारण बनता है। सकारात्मक आवेशित अल्फा कण अर्धचालक के माध्यम से यात्रा करता है और वहां इलेक्ट्रॉनों के वितरण को बाधित करता है। यदि गड़बड़ी काफी बड़ी है, तो डिजिटल डेटा सिग्नल (सूचना सिद्धांत) 0 से 1 या इसके विपरीत बदल सकता है। [[संयोजन तर्क]] में, यह प्रभाव क्षणिक होता है, शायद नैनोसेकंड के एक अंश तक रहता है, और इसके कारण कॉम्बिनेशन लॉजिक में कोमल त्रुटि की चुनौती पर ध्यान नहीं दिया जाता है। [[ कुंडी (इलेक्ट्रॉनिक) ]] और [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] जैसे अनुक्रमिक तर्क में, यह क्षणिक गड़बड़ी भी अनिश्चित समय के लिए संग्रहीत हो सकती है, जिसे बाद में पढ़ा जा सकता है। इस प्रकार, रचनार आमतौर पर स्टोरेज सर्किट में समस्या के बारे में अधिक जागरूक होते हैं। | ||
2011 का [[ब्लैक हैट ब्रीफिंग]] पेपर इंटरनेट के [[डोमेन की नामांकन प्रणाली]] में इस तरह के बिट-फ्लिप के वास्तविक जीवन के सुरक्षा प्रभावों पर चर्चा करता है। विभिन्न सामान्य डोमेन के लिए बिट-फ्लिप परिवर्तनों के कारण प्रति दिन 3,434 गलत अनुरोधों तक पेपर पाया गया। इनमें से कई बिट-फ्लिप शायद हार्डवेयर समस्याओं के कारण हो सकते हैं, लेकिन कुछ को अल्फा कणों के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है।<ref>{{cite web |url=https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |title=बिटक्वाटिंग - बिना शोषण के डीएनएस हाइजैकिंग|author=Artem Dinaburg |date=July 2011 |access-date=2011-12-26 |archive-date=2018-06-11 |archive-url=https://web.archive.org/web/20180611050923/https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |url-status=dead }}</ref> [[ bitsquating | बित्स्क्वातिंग]] के रूप में दुर्भावनापूर्ण अभिनेताओं द्वारा इन बिट-फ्लिप त्रुटियों का लाभ उठाया जा सकता है। | 2011 का [[ब्लैक हैट ब्रीफिंग]] पेपर इंटरनेट के [[डोमेन की नामांकन प्रणाली]] में इस तरह के बिट-फ्लिप के वास्तविक जीवन के सुरक्षा प्रभावों पर चर्चा करता है। विभिन्न सामान्य डोमेन के लिए बिट-फ्लिप परिवर्तनों के कारण प्रति दिन 3,434 गलत अनुरोधों तक पेपर पाया गया। इनमें से कई बिट-फ्लिप शायद हार्डवेयर समस्याओं के कारण हो सकते हैं, लेकिन कुछ को अल्फा कणों के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है।<ref>{{cite web |url=https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |title=बिटक्वाटिंग - बिना शोषण के डीएनएस हाइजैकिंग|author=Artem Dinaburg |date=July 2011 |access-date=2011-12-26 |archive-date=2018-06-11 |archive-url=https://web.archive.org/web/20180611050923/https://media.blackhat.com/bh-us-11/Dinaburg/BH_US_11_Dinaburg_Bitsquatting_WP.pdf |url-status=dead }}</ref> [[ bitsquating | बित्स्क्वातिंग]] के रूप में दुर्भावनापूर्ण अभिनेताओं द्वारा इन बिट-फ्लिप त्रुटियों का लाभ उठाया जा सकता है। | ||
[[इसहाक असिमोव]] को 1950 के दशक के उपन्यास में अल्फा-पार्टिकल रैम त्रुटियों की आकस्मिक भविष्यवाणी पर उन्हें बधाई देने वाला एक पत्र | [[इसहाक असिमोव]] को 1950 के दशक के उपन्यास में अल्फा-पार्टिकल रैम त्रुटियों की आकस्मिक भविष्यवाणी पर उन्हें बधाई देने वाला एक पत्र मिला था ।<ref>[[Gold (Asimov)|Gold]] (1995): "This letter is to inform you and congratulate you on another remarkable scientific prediction of the future; namely your foreseeing of the dynamic random-access memory (DRAM) logic upset problem caused by alpha particle emission, first observed in 1977, but written about by you in Caves of Steel in 1957." [Note: Actually, 1952.] ... "These failures are caused by trace amounts of radioactive elements present in the packaging material used to encapsulate the silicon devices ... in your book, Caves of Steel, published in the 1950s, you use an alpha particle emitter to 'murder' one of the robots in the story, by destroying ('randomizing') its positronic brain. This is, of course, as good a way of describing a logic upset as any I've heard ... our millions of dollars of research, culminating in several international awards for the most important scientific contribution in the field of reliability of semiconductor devices in 1978 and 1979, was predicted in substantially accurate form twenty years [Note: twenty-five years, actually] before the events took place</ref> | ||
=== ऊर्जावान न्यूट्रॉन और प्रोटॉन बनाने वाली ब्रह्मांडीय किरणें === | === ऊर्जावान न्यूट्रॉन और प्रोटॉन बनाने वाली ब्रह्मांडीय किरणें === | ||
एक बार इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग ने यह निर्धारित कर लिया कि पैकेज संदूषकों को कैसे नियंत्रित किया जाए, यह स्पष्ट हो गया कि अन्य कारण भी काम कर रहे थे। जेम्स एफ. ज़िगलर ने [[आईबीएम]] में काम के एक कार्यक्रम का नेतृत्व किया, जिसकी परिणति कई पत्रों (ज़ीग्लर और लैनफोर्ड, 1979) के प्रकाशन में हुई, जिसमें दिखाया गया कि ब्रह्मांडीय किरणें भी नरम त्रुटियां पैदा कर सकती हैं। दरअसल, आधुनिक उपकरणों में कॉस्मिक किरणें प्रमुख कारण हो सकती हैं। यद्यपि ब्रह्मांडीय किरण का प्राथमिक कण आम तौर पर पृथ्वी की सतह तक नहीं पहुंचता है, यह ऊर्जावान माध्यमिक कणों की वायु बौछार (भौतिकी) बनाता है। पृथ्वी की सतह पर नरम त्रुटियों को पैदा करने में सक्षम कणों का लगभग 95% ऊर्जावान न्यूट्रॉन हैं, शेष प्रोटॉन और पियोन से बना है।<ref name="Ziegler1996"> | एक बार इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग ने यह निर्धारित कर लिया कि पैकेज संदूषकों को कैसे नियंत्रित किया जाए, यह स्पष्ट हो गया कि अन्य कारण भी काम कर रहे थे। जेम्स एफ. ज़िगलर ने [[आईबीएम]] में काम के एक कार्यक्रम का नेतृत्व किया, जिसकी परिणति कई पत्रों (ज़ीग्लर और लैनफोर्ड, 1979) के प्रकाशन में हुई, जिसमें दिखाया गया कि ब्रह्मांडीय किरणें भी नरम त्रुटियां पैदा कर सकती हैं। दरअसल, आधुनिक उपकरणों में कॉस्मिक किरणें प्रमुख कारण हो सकती हैं। यद्यपि ब्रह्मांडीय किरण का प्राथमिक कण आम तौर पर पृथ्वी की सतह तक नहीं पहुंचता है, यह ऊर्जावान माध्यमिक कणों की वायु बौछार (भौतिकी) बनाता है। पृथ्वी की सतह पर नरम त्रुटियों को पैदा करने में सक्षम कणों का लगभग 95% ऊर्जावान न्यूट्रॉन हैं, शेष प्रोटॉन और पियोन से बना है। <ref name="Ziegler1996"> | ||
{{cite journal |last1=Ziegler |first1=J. F. |title=Terrestrial cosmic rays |journal = [[IBM Journal of Research and Development]] |volume=40 |issue=1 |pages=19–39 |date=January 1996 |doi=10.1147/rd.401.0019 | ISSN = 0018-8646 }}</ref> | {{cite journal |last1=Ziegler |first1=J. F. |title=Terrestrial cosmic rays |journal = [[IBM Journal of Research and Development]] |volume=40 |issue=1 |pages=19–39 |date=January 1996 |doi=10.1147/rd.401.0019 | ISSN = 0018-8646 }}</ref> | ||
आईबीएम ने 1996 में अनुमान लगाया था कि | आईबीएम ने 1996 में अनुमान लगाया था कि डेस्कटॉप कंप्यूटर के लिए प्रति 256 एमआईबी रैम प्रति माह त्रुटि अपेक्षित थी। <ref name="cosmicRayAlert" /> ऊर्जावान न्यूट्रॉन के इस प्रवाह को आम तौर पर नरम त्रुटि साहित्य में ब्रह्मांडीय किरणों के रूप में जाना जाता है। न्यूट्रॉन अनावेशित होते हैं और अपने आप एक सर्किट को परेशान नहीं कर सकते हैं, लेकिन चिप में एक परमाणु के नाभिक द्वारा [[न्यूट्रॉन कैप्चर]] कब्जा कर लेते हैं। इस प्रक्रिया के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी का उत्पादन हो सकता है, जैसे कि अल्फा कण और ऑक्सीजन नाभिक, जो तब नरम त्रुटियाँ पैदा कर सकते हैं। | ||
कॉस्मिक किरण प्रवाह ऊंचाई पर निर्भर करता है। समुद्र तल पर 40.7°N, 74°W ([[न्यूयॉर्क शहर]], एनवाई, यूएसए) के सामान्य संदर्भ स्थान के लिए फ्लक्स लगभग 14 न्यूट्रॉन/सेमी है<sup>2</sup>/घंटा। | कॉस्मिक किरण प्रवाह ऊंचाई पर निर्भर करता है। समुद्र तल पर 40.7°N, 74°W ([[न्यूयॉर्क शहर]], एनवाई, यूएसए) के सामान्य संदर्भ स्थान के लिए फ्लक्स लगभग 14 न्यूट्रॉन/सेमी है<sup>2</sup>/घंटा। प्रणाली को गुफा में दफनाने से कॉस्मिक-रे प्रेरित कोमल त्रुटि की दर नगण्य स्तर तक कम हो जाती है। वायुमंडल के निचले स्तरों में, समुद्र तल से ऊंचाई में प्रत्येक 1000 मीटर (1.3 प्रति 1000 फीट) वृद्धि के लिए प्रवाह लगभग 2.2 गुना बढ़ जाता है। पहाड़ों की चोटी पर संचालित कंप्यूटर समुद्र तल की तुलना में नरम त्रुटियों की उच्च दर के परिमाण का अनुभव करते हैं। विमान में उतार-चढ़ाव की दर समुद्र तल से 300 गुना अधिक हो सकती है। यह पैकेज क्षय प्रेरित कोमल त्रुटि के विपरीत है, जो स्थान के साथ नहीं बदलते हैं। <ref name="GordonGoldhagen2004">{{cite journal |last1=Gordon |first1=M. S. |last2=Goldhagen |first2=P. |last3=Rodbell |first3=K. P. |last4=Zabel |first4=T. H. |last5=Tang |first5=H. H. K. |last6=Clem |first6=J. M. |last7=Bailey |first7=P. |title=जमीन पर कॉस्मिक-रे प्रेरित न्यूट्रॉन के प्रवाह और ऊर्जा स्पेक्ट्रम का मापन|journal=IEEE Transactions on Nuclear Science |volume=51 |issue=6 |date=2004 |pages=3427–3434 |issn=0018-9499 |doi=10.1109/TNS.2004.839134 |bibcode=2004ITNS...51.3427G|s2cid=9573484 }}</ref> | ||
मूर के नियम के अनुसार, [[इंटेल]] को उम्मीद है कि ब्रह्मांडीय किरणों के कारण होने वाली त्रुटियां बढ़ जाएंगी और | मूर के नियम के अनुसार, [[इंटेल]] को उम्मीद है कि ब्रह्मांडीय किरणों के कारण होने वाली त्रुटियां बढ़ जाएंगी और रचना में सीमित कारक बन जाएंगी। <ref name="cosmicRayAlert">{{cite magazine |last=Simonite |first=Tom |date=March 2008 |title=Should every computer chip have a cosmic ray detector? |url=https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |magazine=[[New Scientist]] |archive-url=https://web.archive.org/web/20111202020146/https://www.newscientist.com/blog/technology/2008/03/do-we-need-cosmic-ray-alerts-for.html |archive-date=2 December 2011 |access-date=26 November 2019}}</ref> | ||
कॉस्मिक-रे | कॉस्मिक-रे कोमल त्रुटि की औसत दर सनस्पॉट गतिविधि के व्युत्क्रमानुपाती होती है। अर्थात्, सौर कलंक चक्र के सक्रिय भाग के दौरान कॉस्मिक-रे कोमल त्रुटियों की औसत संख्या घट जाती है और शांत भाग के दौरान बढ़ जाती है। यह प्रति-सहज ज्ञान युक्त परिणाम दो कारणों से होता है। सूर्य आम तौर पर 1 जीईवी से अधिक ऊर्जा वाले ब्रह्मांडीय किरण कणों का उत्पादन नहीं करता है जो पृथ्वी के ऊपरी वायुमंडल में प्रवेश करने और कणों की बौछार बनाने में सक्षम हैं, इसलिए सौर प्रवाह में परिवर्तन सीधे त्रुटियों की संख्या को प्रभावित नहीं करते हैं। इसके अलावा, सक्रिय सूर्य अवधि के दौरान सौर प्रवाह में वृद्धि से पृथ्वी के चुंबकीय क्षेत्र को फिर से आकार देने का प्रभाव पड़ता है, जो उच्च ऊर्जा वाली ब्रह्मांडीय किरणों के खिलाफ कुछ अतिरिक्त परिरक्षण प्रदान करता है, जिसके परिणामस्वरूप बारिश पैदा करने वाले कणों की संख्या में कमी आती है। न्यूयॉर्क शहर में ऊर्जावान न्यूट्रॉन प्रवाह के ± 7% मॉडुलन के परिणामस्वरूप प्रभाव किसी भी मामले में काफी छोटा है अन्य स्थान इसी तरह प्रभावित हैं। | ||
एक प्रयोग ने प्रति छोटा परिमाण चिप में समय में 5,950 विफलता (फिट = प्रति अरब घंटे की विफलता) के रूप में समुद्र तल पर नरम त्रुटि दर को मापा। जब उसी परीक्षण सेटअप को | एक प्रयोग ने प्रति छोटा परिमाण चिप में समय में 5,950 विफलता (फिट = प्रति अरब घंटे की विफलता) के रूप में समुद्र तल पर नरम त्रुटि दर को मापा। जब उसी परीक्षण सेटअप को भूमिगत तिजोरी में ले जाया गया, जिसे ओवर द्वारा परिरक्षित किया गया था {{Convert|50|feet|m}} चट्टान की जिसने सभी ब्रह्मांडीय किरणों को प्रभावी ढंग से समाप्त कर दिया, शून्य नरम त्रुटियां दर्ज की गईं। <ref>{{cite web|author-last=Dell|author-first=Timothy J.|date=1997|title=पीसी सर्वर मेन मेमोरी के लिए चिपकिल-करेक्ट ईसीसी के लाभों पर एक श्वेत पत्र|url=https://asset-pdf.scinapse.io/prod/48011110/48011110.pdf|url-status=live|access-date=2021-11-03|website=ece.umd.edu|page=13}}</ref> इस परीक्षण में, कॉस्मिक किरणों के कारण होने वाली त्रुटि दर की तुलना में, कोमल त्रुटि के अन्य सभी कारण मापने के लिए बहुत छोटे हैं। | ||
ब्रह्मांडीय किरणों द्वारा उत्पादित ऊर्जावान न्यूट्रॉन अपनी अधिकांश गतिज ऊर्जा खो सकते हैं और अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन तक पहुंच सकते हैं क्योंकि वे सामग्री द्वारा बिखरे हुए हैं। परिणामी न्यूट्रॉन को केवल [[थर्मल न्यूट्रॉन]] के रूप में जाना जाता है और 25 डिग्री सेल्सियस पर लगभग 25 मिलीइलेक्ट्रॉन-वोल्ट की औसत गतिज ऊर्जा होती है। थर्मल न्यूट्रॉन भी पर्यावरणीय विकिरण स्रोतों जैसे कि प्राकृतिक रूप से पाए जाने वाले यूरेनियम या थोरियम के क्षय से उत्पन्न होते हैं। कॉस्मिक-रे वर्षा के अलावा अन्य स्रोतों से थर्मल न्यूट्रॉन प्रवाह अभी भी भूमिगत स्थान में ध्यान देने योग्य हो सकता है और कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों में महत्वपूर्ण योगदानकर्ता हो सकता है। | ब्रह्मांडीय किरणों द्वारा उत्पादित ऊर्जावान न्यूट्रॉन अपनी अधिकांश गतिज ऊर्जा खो सकते हैं और अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन तक पहुंच सकते हैं क्योंकि वे सामग्री द्वारा बिखरे हुए हैं। परिणामी न्यूट्रॉन को केवल [[थर्मल न्यूट्रॉन]] के रूप में जाना जाता है और 25 डिग्री सेल्सियस पर लगभग 25 मिलीइलेक्ट्रॉन-वोल्ट की औसत गतिज ऊर्जा होती है। थर्मल न्यूट्रॉन भी पर्यावरणीय विकिरण स्रोतों जैसे कि प्राकृतिक रूप से पाए जाने वाले यूरेनियम या थोरियम के क्षय से उत्पन्न होते हैं। कॉस्मिक-रे वर्षा के अलावा अन्य स्रोतों से थर्मल न्यूट्रॉन प्रवाह अभी भी भूमिगत स्थान में ध्यान देने योग्य हो सकता है और कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों में महत्वपूर्ण योगदानकर्ता हो सकता है। | ||
=== [[थर्मल न्यूट्रॉन]] === | === [[थर्मल न्यूट्रॉन]] === | ||
न्यूट्रॉन जो गतिज ऊर्जा खो चुके हैं जब तक वे अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन में नहीं हैं, कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों का एक महत्वपूर्ण कारण है। कम ऊर्जा पर कई न्यूट्रॉन कैप्चर प्रतिक्रियाएं अधिक संभावित हो जाती हैं और कुछ सामग्रियों के विखंडन के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी विखंडन उपोत्पाद के रूप में बनते हैं। कुछ परिपथों के लिए के नाभिक द्वारा एक तापीय न्यूट्रॉन का कब्जा <sup>10</sup>बोरॉन का बी समस्थानिक विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। यह परमाणु प्रतिक्रिया अल्फा कण, लिथियम का एक कुशल उत्पादक है<sup>7</sup>ली नाभिक और [[गामा किरण]]। आवेशित कणों में से कोई भी (अल्फा या <sup>7</sup>ली) एक महत्वपूर्ण सर्किट नोड के बहुत करीब, लगभग 5 माइक्रोमीटर में उत्पन्न होने पर एक | न्यूट्रॉन जो गतिज ऊर्जा खो चुके हैं जब तक वे अपने परिवेश के साथ थर्मल संतुलन में नहीं हैं, कुछ सर्किटों के लिए नरम त्रुटियों का एक महत्वपूर्ण कारण है। कम ऊर्जा पर कई न्यूट्रॉन कैप्चर प्रतिक्रियाएं अधिक संभावित हो जाती हैं और कुछ सामग्रियों के विखंडन के परिणामस्वरूप आवेशित सेकेंडरी विखंडन उपोत्पाद के रूप में बनते हैं। कुछ परिपथों के लिए के नाभिक द्वारा एक तापीय न्यूट्रॉन का कब्जा <sup>10</sup>बोरॉन का बी समस्थानिक विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। यह परमाणु प्रतिक्रिया अल्फा कण, लिथियम का एक कुशल उत्पादक है<sup>7</sup>ली नाभिक और [[गामा किरण]]। आवेशित कणों में से कोई भी (अल्फा या <sup>7</sup>ली) एक महत्वपूर्ण सर्किट नोड के बहुत करीब, लगभग 5 माइक्रोमीटर में उत्पन्न होने पर एक कोमल त्रुटि का कारण बन सकता है। कैप्चर क्रॉस सेक्शन के लिए <sup>11</sup>B परिमाण के 6 ऑर्डर छोटे हैं और कोमल त्रुटियों में योगदान नहीं करते हैं।<ref name="BaumannHossain1995">{{cite book |last1=Baumann |first1=R. |title=33rd IEEE International Reliability Physics Symposium |last2=Hossain |first2=T. |last3=Murata |first3=S. |last4=Kitagawa |first4=H. |chapter=Boron compounds as a dominant source of alpha particles in semiconductor devices |date=1995 |pages=297–302 |doi=10.1109/RELPHY.1995.513695 |isbn=978-0-7803-2031-4|s2cid=110078856 }}</ref> | ||
बोरॉन का उपयोग [[बोरोफॉस्फोसिलिकेट ग्लास]] में किया गया है, जो एकीकृत परिपथों की इंटरकनेक्शन परतों में इन्सुलेटर है, विशेष रूप से सबसे कम में। बोरॉन को शामिल करने से कांच का पिघला हुआ तापमान कम हो जाता है जिससे बेहतर [[ इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एक लेप लगाकर टाँका लगाना ]] और प्लानराइजेशन विशेषताएँ मिलती हैं। इस एप्लिकेशन में ग्लास को वजन के हिसाब से 4% से 5% की बोरॉन सामग्री के साथ तैयार किया जाता है। प्राकृतिक रूप से पाया जाने वाला बोरॉन 20% है <sup>10</sup>B शेष के साथ <sup>11</sup>बी आइसोटोप। | बोरॉन का उपयोग [[बोरोफॉस्फोसिलिकेट ग्लास]] में किया गया है, जो एकीकृत परिपथों की इंटरकनेक्शन परतों में इन्सुलेटर है, विशेष रूप से सबसे कम में। बोरॉन को शामिल करने से कांच का पिघला हुआ तापमान कम हो जाता है जिससे बेहतर [[ इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में एक लेप लगाकर टाँका लगाना ]] और प्लानराइजेशन विशेषताएँ मिलती हैं। इस एप्लिकेशन में ग्लास को वजन के हिसाब से 4% से 5% की बोरॉन सामग्री के साथ तैयार किया जाता है। प्राकृतिक रूप से पाया जाने वाला बोरॉन 20% है <sup>10</sup>B शेष के साथ <sup>11</sup>बी आइसोटोप। कोमल त्रुटि के उच्च स्तर के कारण होते हैं <sup>10</sup>बी कुछ पुरानी एकीकृत सर्किट प्रक्रियाओं की इस महत्वपूर्ण निचली परत में। पी-टाइप डोपेंट के रूप में कम सांद्रता में इस्तेमाल किया जाने वाला बोरॉन -11, कोमल त्रुटि में योगदान नहीं देता है। एकीकृत सर्किट निर्माताओं ने उस समय तक बोरेटेड डाइलेक्ट्रिक्स को समाप्त कर दिया जब तक कि व्यक्तिगत सर्किट घटकों का आकार 150 एनएम तक कम नहीं हो गया, मुख्य रूप से इस समस्या के कारण। | ||
महत्वपूर्ण | महत्वपूर्ण रचनाों में, बोरॉन की कमी{{mdashb}}<nowiki>लगभग पूरी तरह से बोरॉन-11 से मिलकर बनता है{{mdashb}इस प्रभाव से बचने के लिए और इसलिए कोमल त्रुटि रेट को कम करने के लिए } का उपयोग किया जाता है। बोरॉन-11 परमाणु ऊर्जा का उप-उत्पाद है।</nowiki> | ||
चिकित्सा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए यह नरम त्रुटि तंत्र अत्यंत महत्वपूर्ण हो सकता है। 10 MeV से ऊपर फोटॉन बीम ऊर्जा का उपयोग करके उच्च-ऊर्जा कैंसर विकिरण चिकित्सा के दौरान न्यूट्रॉन का उत्पादन किया जाता है। इन न्यूट्रॉनों को मॉडरेट किया जाता है क्योंकि वे उपचार कक्ष में उपकरण और दीवारों से बिखरे हुए होते हैं जिसके परिणामस्वरूप | चिकित्सा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए यह नरम त्रुटि तंत्र अत्यंत महत्वपूर्ण हो सकता है। 10 MeV से ऊपर फोटॉन बीम ऊर्जा का उपयोग करके उच्च-ऊर्जा कैंसर विकिरण चिकित्सा के दौरान न्यूट्रॉन का उत्पादन किया जाता है। इन न्यूट्रॉनों को मॉडरेट किया जाता है क्योंकि वे उपचार कक्ष में उपकरण और दीवारों से बिखरे हुए होते हैं जिसके परिणामस्वरूप थर्मल न्यूट्रॉन प्रवाह होता है जो लगभग 40 × 10 होता है<sup>6</sup> सामान्य पर्यावरणीय न्यूट्रॉन प्रवाह से अधिक है। यह उच्च तापीय न्यूट्रॉन प्रवाह आम तौर पर नरम त्रुटियों की बहुत ही उच्च दर और परिणामी सर्किट गड़बड़ी का परिणाम होगा।<ref name="WilkinsonBounds2005">{{cite journal |last1=Wilkinson |first1=J. D. |last2=Bounds |first2=C. |last3=Brown |first3=T. |last4=Gerbi |first4=B. J. |last5=Peltier |first5=J. |title=इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में नरम त्रुटियों के कारण कैंसर-रेडियोथेरेपी उपकरण|journal=IEEE Transactions on Device and Materials Reliability |volume=5 |issue=3 |date=2005 |pages=449–451 |issn=1530-4388 |doi=10.1109/TDMR.2005.858342|s2cid=20789261 }}</ref><ref name="Franco">Franco, L., Gómez, F., Iglesias, A., Pardo, J., Pazos, A., Pena, J., Zapata, M., SEUs on commercial SRAM induced by low energy neutrons produced at a clinical linac facility, RADECS Proceedings, September 2005</ref> | ||
=== अन्य कारण === | === अन्य कारण === | ||
[[यादृच्छिक शोर]] या सिग्नल अखंडता की समस्याओं के कारण नरम त्रुटियां भी हो सकती हैं, जैसे आगमनात्मक या कैपेसिटिव क्रॉसस्टॉक। हालांकि, सामान्य तौर पर, ये स्रोत विकिरण प्रभाव की तुलना में समग्र नरम त्रुटि दर में | [[यादृच्छिक शोर]] या सिग्नल अखंडता की समस्याओं के कारण नरम त्रुटियां भी हो सकती हैं, जैसे आगमनात्मक या कैपेसिटिव क्रॉसस्टॉक। हालांकि, सामान्य तौर पर, ये स्रोत विकिरण प्रभाव की तुलना में समग्र नरम त्रुटि दर में छोटे से योगदान का प्रतिनिधित्व करते हैं। | ||