वोल्टेज: Difference between revisions
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{{Short description|Difference in electric potential between two points in space}}{{Electromagnetism|Network}} | {{Short description|Difference in electric potential between two points in space}}{{Electromagnetism|Network}} | ||
'''वोल्टेज,''' '''विद्युत विभवान्तर''' के अंतर, '''विद्युत दबाव''' या '''विद्युत तनाव''' के दो बिंदुओं के बीच विद्युत क्षमता में अंतर है, जो (एक स्थिर विद्युत क्षेत्र में) दो बिंदुओं के बीच एक परीक्षण आवेश को स्थानांतरित करने के लिए प्रति यूनिट आवेश (चार्ज) को कार्य के रूप में परिभाषित किया गया है। अंतर्राष्ट्रीय प्रणाली में, वोल्टेज (विभवांतर) के लिए व्युत्पन्न इकाई को '' वोल्ट '' नाम दिया गया है।<ref name="SI-Bro">{{SIbrochure9th}}</ref> एसआई (SI) इकाइयों में, कार्य प्रति यूनिट आवेश को जूल प्रति कूलम्ब के रूप में व्यक्त किया जाता है, जहां, 1 वोल्ट = 1 जूल (कार्य का) प्रति 1 कूलम्ब (आवेश का)। ''वोल्ट'' के लिए पुरानी एसआई(SI) परिभाषा शक्ति और धारा, 1990 में शुरू की गई, क्वांटम हॉल और जोसेफसन प्रभाव का उपयोग किया गया था, और हाल ही में (2019) मौलिक,भौतिक स्थिरांक सभी एसआई(SI) इकाइयों और व्युत्पन्न इकाइयों की परिभाषा के लिए पेश किए गए हैं।<ref name="SI-Bro" />{{rp|177f, 197f}} वोल्टेज या विद्युत विभव के संभावित अंतर को प्रतीकात्मक रूप से निरूपित किया जाता है ,<math>\Delta V</math>, सरलीकृत V,<ref>IEV: [http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ievref=121-11-25 electric potential]</ref> विशेष रूप से अंग्रेजी बोलने वाले देशों में या अंतर्राष्ट्रीय में U, द्वारा दर्शाया जाता है,<ref>IEV: [http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ievref=121-11-27 voltage]</ref> उदाहरण के लिए ओम के नियम के संदर्भ में, ओम या किरचॉफ के परिपथ नियम। | '''वोल्टेज,''' '''विद्युत विभवान्तर''' के अंतर, '''विद्युत दबाव''' या '''विद्युत तनाव''' के दो बिंदुओं के बीच विद्युत क्षमता में अंतर है, जो (एक स्थिर विद्युत क्षेत्र में) दो बिंदुओं के बीच एक परीक्षण आवेश को स्थानांतरित करने के लिए प्रति यूनिट आवेश (चार्ज) को कार्य के रूप में परिभाषित किया गया है। अंतर्राष्ट्रीय प्रणाली में, वोल्टेज (विभवांतर) के लिए व्युत्पन्न इकाई को '' वोल्ट '' नाम दिया गया है।<ref name="SI-Bro">{{SIbrochure9th}}</ref> एसआई (SI) इकाइयों में, कार्य प्रति यूनिट आवेश को जूल प्रति कूलम्ब के रूप में व्यक्त किया जाता है, जहां, 1 वोल्ट = 1 जूल (कार्य का) प्रति 1 कूलम्ब (आवेश का)। ''वोल्ट'' के लिए पुरानी एसआई(SI) परिभाषा शक्ति और धारा, 1990 में शुरू की गई, क्वांटम हॉल और जोसेफसन प्रभाव का उपयोग किया गया था, और हाल ही में (2019) मौलिक,भौतिक स्थिरांक सभी एसआई(SI) इकाइयों और व्युत्पन्न इकाइयों की परिभाषा के लिए पेश किए गए हैं।<ref name="SI-Bro" />{{rp|177f, 197f}} वोल्टेज या विद्युत विभव के संभावित अंतर को प्रतीकात्मक रूप से निरूपित किया जाता है ,<math>\Delta V</math>, सरलीकृत V,<ref>IEV: [http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ievref=121-11-25 electric potential]</ref> विशेष रूप से अंग्रेजी बोलने वाले देशों में या अंतर्राष्ट्रीय में U, द्वारा दर्शाया जाता है,<ref>IEV: [http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/display?openform&ievref=121-11-27 voltage]</ref> उदाहरण के लिए ओम के नियम के संदर्भ में, ओम या किरचॉफ के परिपथ नियम। | ||
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बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर विद्युत आवेश (जैसे, एक संधारित्र) के निर्माण,और एक इलेक्ट्रोमोटिव बल (जैसे, जनरेटर, इंडक्टर्स और ट्रांसफार्मर में विद्युत चुम्बकीय प्रेरण) के कारण हो सकता है।<ref>Demetrius T. Paris and F. Kenneth Hurd, ''Basic Electromagnetic Theory'', McGraw-Hill, New York 1969, {{ISBN|0-07-048470-8}}, pp. 512, 546</ref><ref>P. Hammond, ''Electromagnetism for Engineers'', p. 135, Pergamon Press 1969 {{OCLC|854336}}.</ref> एक मैक्रोस्कोपिक पैमाने पर, एक संभावित अंतर इलेक्ट्रोकेमिकल प्रक्रियाओं (जैसे, सेल और बैटरी), दबाव-प्रेरित पीजोइलेक्ट्रिक प्रभाव और थर्मोइलेक्ट्रिक प्रभाव के कारण हो सकता है। | बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर विद्युत आवेश (जैसे, एक संधारित्र) के निर्माण,और एक इलेक्ट्रोमोटिव बल (जैसे, जनरेटर, इंडक्टर्स और ट्रांसफार्मर में विद्युत चुम्बकीय प्रेरण) के कारण हो सकता है।<ref>Demetrius T. Paris and F. Kenneth Hurd, ''Basic Electromagnetic Theory'', McGraw-Hill, New York 1969, {{ISBN|0-07-048470-8}}, pp. 512, 546</ref><ref>P. Hammond, ''Electromagnetism for Engineers'', p. 135, Pergamon Press 1969 {{OCLC|854336}}.</ref> एक मैक्रोस्कोपिक पैमाने पर, एक संभावित अंतर इलेक्ट्रोकेमिकल प्रक्रियाओं (जैसे, सेल और बैटरी), दबाव-प्रेरित पीजोइलेक्ट्रिक प्रभाव और थर्मोइलेक्ट्रिक प्रभाव के कारण हो सकता है। | ||
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वोल्टेज माप को निर्दिष्ट करने के लिए उन बिंदुओं के स्पष्ट या निहित विनिर्देश की आवश्यकता होती है जिन पर वोल्टेज मापा जाता है।संभावित अंतर को मापने के लिए वोल्टमीटर का उपयोग करते समय, वोल्टमीटर के एक विद्युत लीड को पहले बिंदु से जोड़ा जाना चाहिए, एक दूसरे बिंदु से। | वोल्टेज माप को निर्दिष्ट करने के लिए उन बिंदुओं के स्पष्ट या निहित विनिर्देश की आवश्यकता होती है जिन पर वोल्टेज मापा जाता है।संभावित अंतर को मापने के लिए वोल्टमीटर का उपयोग करते समय, वोल्टमीटर के एक विद्युत लीड को पहले बिंदु से जोड़ा जाना चाहिए, एक दूसरे बिंदु से। | ||
वोल्टेज शब्द का एक सामान्य उपयोग एक विद्युत उपकरण (जैसे एक अवरोधक) में गिराए गए वोल्टेज का वर्णन करने में है।डिवाइस में वोल्टेज ड्रॉप को एक सामान्य संदर्भ बिंदु (या जमीन) के संबंध में डिवाइस के प्रत्येक टर्मिनल पर माप के बीच के अंतर के रूप में समझा जा सकता | वोल्टेज शब्द का एक सामान्य उपयोग एक विद्युत उपकरण (जैसे एक अवरोधक) में गिराए गए वोल्टेज का वर्णन करने में है।डिवाइस में वोल्टेज ड्रॉप को एक सामान्य संदर्भ बिंदु (या जमीन) के संबंध में डिवाइस के प्रत्येक टर्मिनल पर माप के बीच के अंतर के रूप में समझा जा सकता है। वोल्टेज ड्रॉप दो रीडिंग के बीच का अंतर है। एक विद्युत परिपथ में दो बिंदु जो प्रतिरोध के बिना एक आदर्श कंडक्टर द्वारा जुड़े होते हैं और एक बदलते चुंबकीय क्षेत्र के भीतर नहीं शून्य का वोल्टेज होता है।एक ही क्षमता वाले किसी भी दो बिंदुओं को एक कंडक्टर द्वारा जोड़ा जा सकता है और उनके बीच कोई धारा प्रवाहित नहीं होगी। | ||
=== वोल्टेज का जोड़ === | === वोल्टेज का जोड़ === | ||
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एक प्रवाहकीय सामग्री के अंदर, एक इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा न केवल औसत विद्युत क्षमता से प्रभावित होती है, बल्कि विशिष्ट थर्मल और परमाणु वातावरण द्वारा भी प्रभावित होती है। जब एक वोल्टमीटर दो अलग -अलग प्रकार की धातु के बीच जुड़ा होता है, तो यह इलेक्ट्रोस्टैटिक संभावित अंतर को नहीं मापता है, बल्कि इसके बजाय कुछ और जो थर्मोडायनामिक्स से प्रभावित होता है।<ref>{{cite book|url=https://books.google.com/books?id=09QI-assq1cC&pg=PA22 |title=Fundamentals of electrochemistry|first= Vladimir Sergeevich|last= Bagotskii|page=22|isbn=978-0-471-70058-6|year=2006}}</ref>एक वोल्टमीटर द्वारा मापी गई मात्रा, इलेक्ट्रॉन आवेश द्वारा विभाजित इलेक्ट्रॉनों (फर्मी स्तर) की विद्युत रासायनिक क्षमता के अंतर का नकारात्मक है और आमतौर पर वोल्टेज अंतर के रूप में संदर्भित किया जाता है, जबकि शुद्ध अनुचित इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षमता (वोल्टमीटर के साथ औसत दर्जे का नहीं है)कभी -कभी गैलवानी क्षमता कहा जाता है। शब्द वोल्टेज और विद्युत क्षमता अस्पष्ट हैं, व्यवहार में, वे इनमें से किसी एक को अलग -अलग संदर्भों में संदर्भित कर सकते हैं। | एक प्रवाहकीय सामग्री के अंदर, एक इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा न केवल औसत विद्युत क्षमता से प्रभावित होती है, बल्कि विशिष्ट थर्मल और परमाणु वातावरण द्वारा भी प्रभावित होती है। जब एक वोल्टमीटर दो अलग -अलग प्रकार की धातु के बीच जुड़ा होता है, तो यह इलेक्ट्रोस्टैटिक संभावित अंतर को नहीं मापता है, बल्कि इसके बजाय कुछ और जो थर्मोडायनामिक्स से प्रभावित होता है।<ref>{{cite book|url=https://books.google.com/books?id=09QI-assq1cC&pg=PA22 |title=Fundamentals of electrochemistry|first= Vladimir Sergeevich|last= Bagotskii|page=22|isbn=978-0-471-70058-6|year=2006}}</ref> एक वोल्टमीटर द्वारा मापी गई मात्रा, इलेक्ट्रॉन आवेश द्वारा विभाजित इलेक्ट्रॉनों (फर्मी स्तर) की विद्युत रासायनिक क्षमता के अंतर का नकारात्मक है और आमतौर पर वोल्टेज अंतर के रूप में संदर्भित किया जाता है, जबकि शुद्ध अनुचित इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षमता (वोल्टमीटर के साथ औसत दर्जे का नहीं है) कभी -कभी गैलवानी क्षमता कहा जाता है। शब्द वोल्टेज और विद्युत क्षमता अस्पष्ट हैं, व्यवहार में, वे इनमें से किसी एक को अलग -अलग संदर्भों में संदर्भित कर सकते हैं। | ||
== इतिहास == | == इतिहास == | ||
Revision as of 18:59, 25 August 2022
| Articles about |
| Electromagnetism |
|---|
| Solenoid |
वोल्टेज, विद्युत विभवान्तर के अंतर, विद्युत दबाव या विद्युत तनाव के दो बिंदुओं के बीच विद्युत क्षमता में अंतर है, जो (एक स्थिर विद्युत क्षेत्र में) दो बिंदुओं के बीच एक परीक्षण आवेश को स्थानांतरित करने के लिए प्रति यूनिट आवेश (चार्ज) को कार्य के रूप में परिभाषित किया गया है। अंतर्राष्ट्रीय प्रणाली में, वोल्टेज (विभवांतर) के लिए व्युत्पन्न इकाई को वोल्ट नाम दिया गया है।[1] एसआई (SI) इकाइयों में, कार्य प्रति यूनिट आवेश को जूल प्रति कूलम्ब के रूप में व्यक्त किया जाता है, जहां, 1 वोल्ट = 1 जूल (कार्य का) प्रति 1 कूलम्ब (आवेश का)। वोल्ट के लिए पुरानी एसआई(SI) परिभाषा शक्ति और धारा, 1990 में शुरू की गई, क्वांटम हॉल और जोसेफसन प्रभाव का उपयोग किया गया था, और हाल ही में (2019) मौलिक,भौतिक स्थिरांक सभी एसआई(SI) इकाइयों और व्युत्पन्न इकाइयों की परिभाषा के लिए पेश किए गए हैं।[1]: 177f, 197f वोल्टेज या विद्युत विभव के संभावित अंतर को प्रतीकात्मक रूप से निरूपित किया जाता है ,, सरलीकृत V,[2] विशेष रूप से अंग्रेजी बोलने वाले देशों में या अंतर्राष्ट्रीय में U, द्वारा दर्शाया जाता है,[3] उदाहरण के लिए ओम के नियम के संदर्भ में, ओम या किरचॉफ के परिपथ नियम।
| [[:en:File:AA_AAA_AAAA_A23_battery_comparison-1.jpg|File:AA AAA AAAA A23 battery comparison-1.jpg]] बैटरी कई विद्युत परिपथों में वोल्टेज के स्रोत हैं
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| सामान्य प्रतीक | V , ∆V , U , ∆U |
|---|---|
| SI इकाई | volt |
| SI आधार इकाइयों में | kg⋅m2⋅s−3⋅A−1 |
| अन्य मात्राओं से व्युत्पत्ति | Voltage = Energy / charge |
| परिमाण | M L2 T−3 I−1 |
बिंदुओं के बीच विद्युत संभावित अंतर विद्युत आवेश (जैसे, एक संधारित्र) के निर्माण,और एक इलेक्ट्रोमोटिव बल (जैसे, जनरेटर, इंडक्टर्स और ट्रांसफार्मर में विद्युत चुम्बकीय प्रेरण) के कारण हो सकता है।[4][5] एक मैक्रोस्कोपिक पैमाने पर, एक संभावित अंतर इलेक्ट्रोकेमिकल प्रक्रियाओं (जैसे, सेल और बैटरी), दबाव-प्रेरित पीजोइलेक्ट्रिक प्रभाव और थर्मोइलेक्ट्रिक प्रभाव के कारण हो सकता है।
एक सिस्टम में, दो बिंदुओं के बीच वोल्टेज (या विभवांतर) को मापने के लिए एक वोल्टमीटर का उपयोग किया जा सकता है। प्रायः एक सामान्य संदर्भ क्षमता जैसे कि सिस्टम की क्षति का उपयोग बिंदुओं में से वोल्टेज के रूप में किया जाता है। वोल्टेज या तो ऊर्जा के स्रोत या नुकसान, अपव्यय, या ऊर्जा के भंडारण का प्रतिनिधित्व कर सकता है।
परिभाषा
वोल्टेज को परिभाषित करने के कई उपयोगी तरीके हैं, जिसमें पहले उल्लेखित मानक परिभाषा भी शामिल है। कार्य प्रति आवेश की अन्य उपयोगी परिभाषाएँ भी हैं (देखें § गैलवानी क्षमता बनाम विद्युत रासायनिक क्षमता)।
वोल्टेज को परिभाषित किया जाता है ताकि नकारात्मक रूप से चार्ज की गई वस्तुओं को उच्च वोल्टेज की ओर खींचा जाए, जबकि सकारात्मक रूप से चार्ज की गई वस्तुओं को कम वोल्टेज की ओर खींचा जाता हैं। इसलिए, एक तार या अवरोधक में पारंपरिक धारा हमेशा उच्च वोल्टेज से कम वोल्टेज की ओर बहती है।
ऐतिहासिक रूप से, वोल्टेज को "तनाव" और "दबाव" जैसे शब्दों का उपयोग करने के लिए संदर्भित किया गया है। आज भी, "तनाव" शब्द का उपयोग अभी भी किया जाता है, उदाहरण के लिए वाक्यांश "उच्च तनाव" (HT) के भीतर जो आमतौर पर थर्मोनिक वाल्व (वैक्यूम ट्यूब) आधारित इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किया जाता है।
इलेक्ट्रोस्टैटिक्स में परिभाषा
इलेक्ट्रोस्टैटिक्स में, वोल्टेज बिंदु से बढ़ता है कुछ बिंदु पर इलेक्ट्रोस्टैटिक क्षमता में परिवर्तन द्वारा दिया गया है से से ।परिभाषा से, ये है,