विशोषण - Revision history

Manidh at 05:17, 14 August 2023

2023-08-14T05:17:47Z

@@ Line 84: / Line 84: @@
 ==संदर्भ==
 {{reflist}}
 [[Category:Created On 19/07/2023]]
-[[Category:Vigyan Ready]]
+[[Category:Lua-based templates]]

Indicwiki: 8 revisions imported from :alpha:विशोषण

2023-08-11T02:04:01Z

8 revisions imported from alpha:विशोषण

← Older revision	Revision as of 07:34, 11 August 2023
(No difference)

alpha>Neeraja: added Category:Vigyan Ready using HotCat

2023-08-10T07:51:21Z

added Category:Vigyan Ready using HotCat

← Older revision		Revision as of 13:21, 10 August 2023
Line 90:		Line 90:
	[[Category: Machine Translated Page]]		[[Category: Machine Translated Page]]
	[[Category:Created On 19/07/2023]]		[[Category:Created On 19/07/2023]]
			[[Category:Vigyan Ready]]

alpha>Shalini Verma at 15:42, 27 July 2023

2023-07-27T15:42:06Z

Show changes

alpha>Shalini Verma at 11:24, 27 July 2023

2023-07-27T11:24:01Z

← Older revision		Revision as of 16:54, 27 July 2023
Line 1:		Line 1:
	{{Short description\|Release of an embedded substance from another substance}}विशोषण वह भौतिक प्रक्रिया है जहां पहले से अधिशोषित पदार्थ किसी सतह से मुक्त हो जाता है। ऐसा तब होता है जब कोई अणु उसे सतह पर बनाए रखने वाली बाध्य ऊर्जा के सक्रियण अवरोध को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त कर लेता है।<ref name="Hussla"/>		{{Short description\|Release of an embedded substance from another substance}}'''विशोषण''' वह भौतिक प्रक्रिया है जहां पहले से अधिशोषित पदार्थ किसी सतह से मुक्त हो जाता है। ऐसा तब होता है जब कोई अणु उसे सतह पर बनाए रखने वाली बाध्य ऊर्जा के सक्रियण अवरोध को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त कर लेता है।<ref name="Hussla"/>

	सोखने के कई अलग-अलग प्रकार होते हैं, यह उस तंत्र पर निर्भर करता है जो सोखने को सब्सट्रेट से अलग करता है; इसलिए ऐसा कोई समीकरण नहीं है। जो प्रक्रिया का वर्णन करता हो। ध्यान दें कि विशोषण, अधिशोषण के विपरीत है, जो अवशोषण से भिन्न है क्योंकि यह पदार्थों को थोक में अवशोषित होने के विपरीत, सतह पर चिपके रहने को संदर्भित करता है।		सोखने के कई अलग-अलग प्रकार होते हैं, यह उस तंत्र पर निर्भर करता है जो सोखने को सब्सट्रेट से अलग करता है; इसलिए ऐसा कोई समीकरण नहीं है। जो प्रक्रिया का वर्णन करता हो। ध्यान दें कि विशोषण, अधिशोषण के विपरीत है, जो अवशोषण से भिन्न है क्योंकि यह पदार्थों को थोक में अवशोषित होने के विपरीत, सतह पर चिपके रहने को संदर्भित करता है।

alpha>Shalini Verma at 03:45, 27 July 2023

2023-07-27T03:45:42Z

Show changes

alpha>Shalini Verma at 03:40, 27 July 2023

2023-07-27T03:40:37Z

← Older revision		Revision as of 09:10, 27 July 2023
Line 24:		Line 24:
	जहाँ <math> t_0 </math> आरंभिक समय है और <math> T_0 </math> प्रारंभिक तापमान है<ref name="basic">BASIC TECHNIQUES OF SURFACE PHYSICS Surface Analysis with Temperature Programmed Desorption and Low-Energy Electron Diffraction, Versuch Nr. 89 F-Praktikum in den Bachelor- und Masterstudiengängen, SS2017 Physik Department Lehrstuhl E20, Raum 205 Contacts: Dr. Y.-Q. Zhang, Dr. T. Lin and Dr. habil. F. Allegretti</ref> विशोषण तापमान पर, अणुओं के लिए सतह से बाहर निकलने के लिए पर्याप्त तापीय ऊर्जा होती है। किसी धातु की बंधन ऊर्जा की जांच के लिए थर्मल डिसोर्प्शन का उपयोग तकनीक के रूप में किया जा सकता है।<ref name="basic" />		जहाँ <math> t_0 </math> आरंभिक समय है और <math> T_0 </math> प्रारंभिक तापमान है<ref name="basic">BASIC TECHNIQUES OF SURFACE PHYSICS Surface Analysis with Temperature Programmed Desorption and Low-Energy Electron Diffraction, Versuch Nr. 89 F-Praktikum in den Bachelor- und Masterstudiengängen, SS2017 Physik Department Lehrstuhl E20, Raum 205 Contacts: Dr. Y.-Q. Zhang, Dr. T. Lin and Dr. habil. F. Allegretti</ref> विशोषण तापमान पर, अणुओं के लिए सतह से बाहर निकलने के लिए पर्याप्त तापीय ऊर्जा होती है। किसी धातु की बंधन ऊर्जा की जांच के लिए थर्मल डिसोर्प्शन का उपयोग तकनीक के रूप में किया जा सकता है।<ref name="basic" />

	तापीय विशोषण का विश्लेषण करने के लिए कई अलग-अलग प्रक्रियाएँ हैं। उदाहरण के लिए, रेडहेड की शिखर अधिकतम विधि<ref name = "redhead">Redhead, P.A. (1962). "Thermal desorption of gases". Vacuum. 12 (4): 203–211. Bibcode:1962Vacuu..12..203R. doi:10.1016/0042-207X(62)90978-8</ref> विशोषण प्रयोगों में सक्रियण ऊर्जा निर्धारित करने के विधियों में से एक है। पहले क्रम के विशोषण के लिए, सक्रियण ऊर्जा का अनुमान तापमान (T<sub>''p''</sub>) से लगाया जाता है) जिस पर विशोषण दर अधिकतम होती है। विशोषण की दर के लिए समीकरण (पॉलियानी वाइनर समीकरण) का उपयोग करके, कोई (''T<sub>p</sub>'') पा सकता है और रेडहेड दर्शाता है कि ''T<sub>p</sub>'' के बीच संबंध है और E को रैखिक होने का अनुमान लगाया जा सकता है, यह देखते हुए कि दर स्थिरांक और तापन दर का अनुपात 10<sup>8</sup> – 10<sup>13</sup> की सीमा के अन्दर है'''{{sup\|8}} – 10{{sup\|13}}.''' हीटिंग दर को अलग-अलग करके, और फिर ग्राफ़ बनाकर <math>\log(\beta)</math> विरुद्ध <math>\log(T_p)</math>, कोई निम्नलिखित समीकरण का उपयोग करके सक्रियण ऊर्जा पा सकता है:		तापीय विशोषण का विश्लेषण करने के लिए कई अलग-अलग प्रक्रियाएँ हैं। उदाहरण के लिए, रेडहेड की शिखर अधिकतम विधि<ref name = "redhead">Redhead, P.A. (1962). "Thermal desorption of gases". Vacuum. 12 (4): 203–211. Bibcode:1962Vacuu..12..203R. doi:10.1016/0042-207X(62)90978-8</ref> विशोषण प्रयोगों में सक्रियण ऊर्जा निर्धारित करने के विधियों में से एक है। पहले क्रम के विशोषण के लिए, सक्रियण ऊर्जा का अनुमान तापमान (T<sub>''p''</sub>) से लगाया जाता है) जिस पर विशोषण दर अधिकतम होती है। विशोषण की दर के लिए समीकरण (पॉलियानी वाइनर समीकरण) का उपयोग करके, कोई (''T<sub>p</sub>'') पा सकता है और रेडहेड दर्शाता है कि ''T<sub>p</sub>'' के बीच संबंध है और E को रैखिक होने का अनुमान लगाया जा सकता है, यह देखते हुए कि दर स्थिरांक और तापन दर का अनुपात 10<sup>8</sup> – 10<sup>13</sup> की सीमा के अन्दर है'''{{sup\|8}} – 10{{sup\|13}}.''' हीटिंग दर को अलग-अलग करके, और फिर ग्राफ़ बनाकर <math>\log(\beta)</math> विरुद्ध <math>\log(T_p)</math>, कोई निम्नलिखित समीकरण का उपयोग करके सक्रियण ऊर्जा पा सकता है:
	: <math>\frac{\mathrm{d}\log(\beta)}{\mathrm{d}\log(T_p)} = \frac{E}{RT_p} + 2 </math><ref name = "redhead"/>		: <math>\frac{\mathrm{d}\log(\beta)}{\mathrm{d}\log(T_p)} = \frac{E}{RT_p} + 2 </math><ref name = "redhead"/>

Line 48:		Line 48:

	इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण पर अग्रणी मॉडलों में से एक का वर्णन पीटर एंटोनिविज़ द्वारा किया गया है<ref name="peter">		इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण पर अग्रणी मॉडलों में से एक का वर्णन पीटर एंटोनिविज़ द्वारा किया गया है<ref name="peter">
	Model for electron- and photon-stimulated desorption, Antoniewicz, Peter R., Phys. Rev. B 21.9, pages: 3811—3815, May 1980, American Physical Society, doi = {10.1103/PhysRevB.21.3811},</ref> संक्षेप में, उनका सिद्धांत यह है कि आपतित इलेक्ट्रॉनों द्वारा अधिशोषक आयनित हो जाता है और फिर आयन छवि आवेश क्षमता का अनुभव करता है जो इसे सतह की ओर आकर्षित करता है। जैसे-जैसे आयन सतह के समीप आता है, सब्सट्रेट से इलेक्ट्रॉन टनलिंग की संभावना बढ़ जाती है और इस प्रक्रिया के माध्यम से आयन न्यूट्रलाइजेशन हो सकता है। निष्प्रभावी आयन में अभी भी पहले से गतिज ऊर्जा है, और यदि यह ऊर्जा और प्राप्त संभावित ऊर्जा बंधनकारी ऊर्जा से अधिक है तो आयन सतह से विघटित हो सकता है। चूँकि इस प्रक्रिया के लिए आयनीकरण की आवश्यकता होती है, इससे पता चलता है कि परमाणु कम उत्तेजना ऊर्जा पर विघटित नहीं हो सकता है, जो इलेक्ट्रॉन अनुरूपित विशोषण पर प्रयोगात्मक डेटा से सहमत है।<ref name="peter" />इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण को समझना [[ लार्ज हैड्रान कोलाइडर ]] जैसे त्वरक के लिए महत्वपूर्ण है, जहां सतहों पर ऊर्जावान इलेक्ट्रॉनों की तीव्र बमबारी होती है। विशेष रूप से, बीम वैक्यूम प्रणाली में गैसों का अवशोषण सतहों की द्वितीयक इलेक्ट्रॉन उपज को संशोधित करके त्वरक के प्रदर्शन को दृढ़ता से प्रभावित कर सकता है।<ref>Electron Stimulated Desorption of Condensed Gases on Cryogenic Surfaces (September 2005) Dipl. Ing. Herbert Tratnik Matrikelnr. 9226169, page:3 </ref>		Model for electron- and photon-stimulated desorption, Antoniewicz, Peter R., Phys. Rev. B 21.9, pages: 3811—3815, May 1980, American Physical Society, doi = {10.1103/PhysRevB.21.3811},</ref> संक्षेप में, उनका सिद्धांत यह है कि आपतित इलेक्ट्रॉनों द्वारा अधिशोषक आयनित हो जाता है और फिर आयन छवि आवेश क्षमता का अनुभव करता है जो इसे सतह की ओर आकर्षित करता है। जैसे-जैसे आयन सतह के समीप आता है, सब्सट्रेट से इलेक्ट्रॉन टनलिंग की संभावना बढ़ जाती है और इस प्रक्रिया के माध्यम से आयन न्यूट्रलाइजेशन हो सकता है। निष्प्रभावी आयन में अभी भी पहले से गतिज ऊर्जा है, और यदि यह ऊर्जा और प्राप्त संभावित ऊर्जा बंधनकारी ऊर्जा से अधिक है तो आयन सतह से विघटित हो सकता है। चूँकि इस प्रक्रिया के लिए आयनीकरण की आवश्यकता होती है, इससे पता चलता है कि परमाणु कम उत्तेजना ऊर्जा पर विघटित नहीं हो सकता है, जो इलेक्ट्रॉन अनुरूपित विशोषण पर प्रयोगात्मक डेटा से सहमत है।<ref name="peter" />इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण को समझना [[ लार्ज हैड्रान कोलाइडर \|लार्ज हैड्रान कोलाइडर]] जैसे त्वरक के लिए महत्वपूर्ण है, जहां सतहों पर ऊर्जावान इलेक्ट्रॉनों की तीव्र बमबारी होती है। विशेष रूप से, बीम वैक्यूम प्रणाली में गैसों का अवशोषण सतहों की द्वितीयक इलेक्ट्रॉन उपज को संशोधित करके त्वरक के प्रदर्शन को दृढ़ता से प्रभावित कर सकता है।<ref>Electron Stimulated Desorption of Condensed Gases on Cryogenic Surfaces (September 2005) Dipl. Ing. Herbert Tratnik Matrikelnr. 9226169, page:3 </ref>


Line 56:		Line 56:

	===फ़ोनन सक्रिय विशोषण===		===फ़ोनन सक्रिय विशोषण===
	2005 में, जॉन वीवर और अन्य द्वारा विशोषण की विधि की खोज की गई थी। इसमें तापीय और इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण दोनों के तत्व हैं। यह विधा विशेष रुचि की है क्योंकि बाहरी उत्तेजना के बिना बंद प्रणाली में विशोषण हो सकता है।<ref> Physics Today 58, 5, 9 (2005); doi: 10.1063/1.1995718</ref> [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप]] का उपयोग करके सिलिकॉन पर अवशोषित ब्रोमीन की जांच करते समय इस मोड की खोज की गई थी। प्रयोग में, Si-Br वेफर्स को 620 से 775 K तक के तापमान तक गर्म किया गया।<ref>Electron-stimulated desorption from an unexpected source: Internal hot electrons for Br–Si(1 0 0)-(2 · 1) B.R. Trenhaile, V.N. Antonov, G.J. Xu, Koji S. Nakayama, J.H. Weaver * Department of Physics, Department of Materials Science and Engineering, and Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, United States Received 14 February 2005; accepted for publication</ref> चूंकि, यह साधारण थर्मल डिसोर्प्शन बॉन्ड ब्रेकिंग नहीं था जिसे अरहेनियस प्लॉट से गणना की गई सक्रियण ऊर्जा Si-Br बॉन्ड ताकत से कम पाया गया था। इसके अतिरिक्त, सिलिकॉन के ऑप्टिकल फोनन कंपन के माध्यम से सतह के बंधन को असक्त करते हैं और इलेक्ट्रॉन को एंटीबॉडी आणविक कक्षीय अवस्था में उत्तेजित करने के लिए ऊर्जा भी प्रदान करते हैं।		2005 में, जॉन वीवर और अन्य द्वारा विशोषण की विधि की खोज की गई थी। इसमें तापीय और इलेक्ट्रॉन प्रेरित विशोषण दोनों के तत्व हैं। यह विधा विशेष रुचि की है क्योंकि बाहरी उत्तेजना के बिना बंद प्रणाली में विशोषण हो सकता है।<ref> Physics Today 58, 5, 9 (2005); doi: 10.1063/1.1995718</ref> [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप]] का उपयोग करके सिलिकॉन पर अवशोषित ब्रोमीन की जांच करते समय इस मोड की खोज की गई थी। प्रयोग में, Si-Br वेफर्स को 620 से 775 K तक के तापमान तक गर्म किया गया।<ref>Electron-stimulated desorption from an unexpected source: Internal hot electrons for Br–Si(1 0 0)-(2 · 1) B.R. Trenhaile, V.N. Antonov, G.J. Xu, Koji S. Nakayama, J.H. Weaver * Department of Physics, Department of Materials Science and Engineering, and Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, United States Received 14 February 2005; accepted for publication</ref> चूंकि, यह साधारण थर्मल डिसोर्प्शन बॉन्ड ब्रेकिंग नहीं था जिसे अरहेनियस प्लॉट से गणना की गई सक्रियण ऊर्जा Si-Br बॉन्ड ताकत से कम पाया गया था। इसके अतिरिक्त, सिलिकॉन के ऑप्टिकल फोनन कंपन के माध्यम से सतह के बंधन को असक्त करते हैं और इलेक्ट्रॉन को एंटीबॉडी आणविक कक्षीय अवस्था में उत्तेजित करने के लिए ऊर्जा भी प्रदान करते हैं।

	== आवेदन ==		== आवेदन ==

alpha>Shalini Verma at 03:40, 27 July 2023

2023-07-27T03:40:10Z

Show changes

alpha>Shalini Verma at 18:55, 26 July 2023

2023-07-26T18:55:14Z

Show changes

alpha>Indicwiki: Created page with "{{Short description|Release of an embedded substance from another substance}} {{multiple issues| {{refimprove|date=November 2013}} {{more footnotes|date=November 2013}} }}..."

2023-07-19T03:09:23Z

Created page with "{{Short description|Release of an embedded substance from another substance}} {{multiple issues| {{refimprove|date=November 2013}} {{more footnotes|date=November 2013}} }}..."

Show changes