रोम (ROM) - Revision history

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	इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book\|author=Han-Way Huang\|title=Embedded System Design with C805\|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|date=5 December 2008\|publisher=Cengage Learning\|isbn=978-1-111-81079-5\|page=22\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book\|author1=Marie-Aude Aufaure\|author2=Esteban Zimányi\|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures\|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|date=17 January 2013\|publisher=Springer\|isbn=978-3-642-36318-4\|page=136\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।		इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book\|author=Han-Way Huang\|title=Embedded System Design with C805\|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|date=5 December 2008\|publisher=Cengage Learning\|isbn=978-1-111-81079-5\|page=22\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book\|author1=Marie-Aude Aufaure\|author2=Esteban Zimányi\|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures\|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|date=17 January 2013\|publisher=Springer\|isbn=978-3-642-36318-4\|page=136\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।

	1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, ~~REF नाम = ComputerHistory>~~{{cite journal\|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/\|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated\|journal=The Silicon Engine\|publisher=[[Computer History Museum]]}}~~</ref>~~ ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा ~~परोसा जाता~~ है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। ~~REF NAME = SCIANDIRECT>~~{{cite web \|title=Transistors - an overview \|url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors \|website=[[ScienceDirect]] \|access-date=8 August 2019}}~~</ref>~~ 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल ~~का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग~~ रीड-ओनली मेमोरी ~~के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।~~(EPROM) ~~1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>~~{{cite web \|title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced \|url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ \|website=[[Computer History Museum]] \|access-date=19 June 2019}}~~</ref>~~ 1971 का आविष्कार ~~EPROM~~ अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया ~~गया है~~, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।		1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के आगमन,{{cite journal\|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/\|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated\|journal=The Silicon Engine\|publisher=[[Computer History Museum]]}}ने अर्धचालक मेमोरी (semiconductor memory) में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर (magnetic cores) मेमोरी द्वारा काम आता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। {{cite web \|title=Transistors - an overview \|url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors \|website=[[ScienceDirect]] \|access-date=8 August 2019}}1967 में, बेल लैब्स (ell Labs )के डावन काहंग (Dawon Kahng) और साइमन सेज़ (Simon Sze) ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस (MOS semiconductor device) के फ्लोटिंग गेट (floating gate) का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम (reprogrammable ROM) के सेल (cell) के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल (Intel) के डोव फ्रोहमैन (Dov Frohman) ने 1971 में इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EPROM) का आविष्कार किया। {{cite web \|title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced \|url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ \|website=[[Computer History Museum]] \|access-date=19 June 2019}}1971 में ईपिरोम (EPROM) के आविष्कार ने अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया, क्योंकि ईपिरोम EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।

	~~विद्युत रूप से~~ इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM), 1972 में इलेक्ट्रोटेक्निकल ~~लेबोरेटरी~~ में यासुओ तारुई, यूटाका हयाशी और कियोको नागा द्वारा विकसित किया गया था, ~~ref>~~{{cite journal\|last1=Tarui\|first1=Y.\|last2=Hayashi\|first2=Y.\|last3=Nagai\|first3=K.\|title=Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory\|journal=IEEE Journal of Solid-State Circuits\|date=1972\|volume=7\|issue=5\|pages=369–375\|doi=10.1109/JSSC.1972.1052895\|issn=0018-9200\|bibcode=1972IJSSC...7..369T}}~~</ref>~~ समस्या 4 को हल करने के लिए एक लंबा रास्ता तय किया, क्योंकि एक EEPROM को इन-प्लेस प्रोग्रामेबल प्रोग्राम किया जा सकता ~~है। इन-प्लेस~~ यदि युक्त डिवाइस एक बाहरी स्रोत से प्रोग्राम सामग्री प्राप्त करने का एक साधन प्रदान करता है (उदाहरण के लिए, एक ~~व्यक्तिगत कंप्यूटरएक~~ सीरियल केबल के माध्यम से)।1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा में फ़ुजियो मासुओका द्वारा आविष्कार किया गया और 1980 के दशक के उत्तरार्ध में व्यवसायीकरण किया गया, EEPROM का एक रूप है, जो चिप क्षेत्र का बहुत कुशल उपयोग करता है और इसे बिना नुकसान के हजारों बार मिटा दिया जा सकता ~~है।यह पूरे~~ डिवाइस के बजाय डिवाइस के केवल एक विशिष्ट हिस्से के ERASURE और प्रोग्रामिंग की अनुमति देता ~~है।यह~~ उच्च गति पर किया जा सकता है, इसलिए नाम फ्लैश है। ~~ref>~~{{Cite web\|url=https://www.eweek.com/storage/1987-toshiba-launches-nand-flash\|title=1987: Toshiba Launches NAND Flash\|website=eWEEK}}~~</ref~~><ref>{{cite book		इलेक्ट्रिकली इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM) को 1972 में इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला (Electrotechnical Laboratory) में यासुओ तारुई (Yasuo Tarui), यूटाका हयाशी (Yutaka Hayashi) और कियोको नागा (Kiyoko Naga) द्वारा विकसित किया गया था, {{cite journal\|last1=Tarui\|first1=Y.\|last2=Hayashi\|first2=Y.\|last3=Nagai\|first3=K.\|title=Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory\|journal=IEEE Journal of Solid-State Circuits\|date=1972\|volume=7\|issue=5\|pages=369–375\|doi=10.1109/JSSC.1972.1052895\|issn=0018-9200\|bibcode=1972IJSSC...7..369T}} उन्होने समस्या 4 को हल करने के लिए एक लंबा रास्ता तय किया, क्योंकि एक EEPROM को इन-प्लेस प्रोग्रामेबल (in-place programmed) प्रोग्राम किया जा सकता है यदि युक्त डिवाइस एक बाहरी स्रोत से प्रोग्राम सामग्री प्राप्त करने का एक साधन प्रदान करता है (उदाहरण के लिए, एक पर्सनल कंप्यूटर एक सीरियल केबल के माध्यम से)।1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा (Toshiba) में फ़ुजियो मासुओका (Fujio Masuoka) द्वारा फ़्लैश मेमोरी (Flash memory) का आविष्कार किया गया और 1980 के दशक के उत्तरार्ध में व्यवसायीकरण किया गया, ईईपिरोम (EEPROM) का एक रूप है, जो चिप क्षेत्र का बहुत कुशल उपयोग करता है और इसे बिना नुकसान के हजारों बार मिटा दिया जा सकता है। यह पूरी डिवाइस के बजाय डिवाइस के केवल एक विशिष्ट हिस्से के इरेज़र (ERASURE) और प्रोग्रामिंग की अनुमति देता है। यह उच्च गति पर किया जा सकता है, इसलिए नाम फ्लैश (flash) है।

			{{Cite web\|url=https://www.eweek.com/storage/1987-toshiba-launches-nand-flash\|title=1987: Toshiba Launches NAND Flash\|website=eWEEK}}><ref>{{cite book
	\| title = Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability		\| title = Flash Memories: Economic Principles of Performance, Cost and Reliability
	\| author = Detlev Richter		\| author = Detlev Richter
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	}}		}}
	</ref>		</ref>
	इन सभी तकनीकों ने ROM के लचीलेपन में सुधार किया, लेकिन एक महत्वपूर्ण लागत-प्रति-चिप में, ताकि बड़ी मात्रा में मास्क ROM कई वर्षों तक एक किफायती विकल्प बने रहे।(Reprogrammable उपकरणों की घटती लागत ने 2000 तक मास्क ROM के लिए बाजार को लगभग समाप्त कर दिया था।) पुन: लिखित प्रौद्योगिकियों को मास्क रोम के लिए प्रतिस्थापन के रूप में कल्पना की गई थी।

	सबसे हालिया ~~विकास~~ नंद फ्लैश है, जो तोशिबा में ~~भी आविष्कार~~ किया गया ~~है।इसके~~ डिजाइनर स्पष्ट रूप से पिछले अभ्यास से टूट गए, स्पष्ट रूप से कहा गया कि नंद फ्लैश का उद्देश्य हार्ड डिस्क को बदलना है,<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide] {{webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20091007201702/http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf \|date=2009-10-07 }}''.</ref> गैर-वाष्पशील प्राथमिक भंडारण के रूप में ROM के पारंपरिक उपयोग के बजाय। {{As of\|2021}}, नंद ने हार्ड डिस्क, कम विलंबता, शारीरिक सदमे की उच्च सहिष्णुता, चरम लघु (यूएसबी फ्लैश ड्राइव और छोटे माइक्रोएसडी मेमोरी कार्ड के रूप में, उदाहरण के लिए), और बहुत कम बिजली की खपत की तुलना में इस लक्ष्य को पूरी तरह से हासिल कर लिया है।।		इन सभी तकनीकों ने रोम (ROM) के लचीलेपन में सुधार किया, लेकिन एक महत्वपूर्ण कॉस्ट-प्रति-चिप (cost-per-chip) में, ताकि बड़ी मात्रा में मास्क ROM कई वर्षों तक एक किफायती विकल्प बनी रहे। (रेप्रोग्रामेबल (Reprogrammable) उपकरणों की घटती लागत ने 2000 तक मास्क ROM के लिए बाजार को लगभग समाप्त कर दिया था।) पुन: लिखित प्रौद्योगिकियों को मास्क रोम (Mask ROM) के लिए प्रतिस्थापन के रूप में कल्पना की गई थी।

			सबसे हालिया विकसित नंद फ्लैश (NAND flash) है, जिसका अविष्कार भी तोशिबा (Toshiba) में किया गया है। इसके डिजाइनर स्पष्ट रूप से पिछले अभ्यास से टूट गए, स्पष्ट रूप से कहा गया कि नंद फ्लैश (NAND flash) का उद्देश्य हार्ड डिस्क को बदलना है,<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide] {{webarchive\|url=https://web.archive.org/web/20091007201702/http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf \|date=2009-10-07 }}''.</ref> गैर-वाष्पशील प्राथमिक भंडारण के रूप में ROM के पारंपरिक उपयोग के बजाय। 2021 तक ({{As of\|2021}}), नंद (NAND flash) ने हार्ड डिस्क, कम विलंबता (lower latency), शारीरिक सदमे की उच्च सहिष्णुता (higher tolerance of physical shock), चरम लघु (यूएसबी फ्लैश ड्राइव और छोटे माइक्रोएसडी मेमोरी कार्ड के रूप में, उदाहरण के लिए), और बहुत कम बिजली की खपत की तुलना में इस लक्ष्य को पूरी तरह से हासिल कर लिया है।।

	=== भंडारण कार्यक्रमों के लिए उपयोग करें ===		=== भंडारण कार्यक्रमों के लिए उपयोग करें ===

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	{{Authority control}}		{{Authority control}}

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alpha>Dheeraj Pandey at 13:23, 29 August 2022

2022-08-29T13:23:54Z

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	=== असतत-घटक रोम ===		=== असतत-घटक रोम ===
	<!-- If anybody has information on earlier use, or on dates, please add it (with references). -->		<!-- If anybody has information on earlier use, or on dates, please add it (with references). -->
	आईबीएम ने संधारित्र रीड-ओनली स्टोरेज (~~सीआरओएस~~) और ट्रांसफॉर्मर रीड-ओनली स्टोरेज (~~टीआरओ~~) का उपयोग किया, ~~जो कि~~ छोटे ~~आईबीएम~~ सिस्टम/360 के लिए ~~माइक्रोकोड को स्टोर करने के लिए है।दो आईबीएम सिस्टम~~/~~370 \|~~ सिस्टम/370 ~~मॉडल~~ (~~आईबीएम सिस्टम~~/370 मॉडल ~~155 \|~~ 370/155 और ~~आईबीएम सिस्टम/370 मॉडल 165 \|~~ 370/165)~~।कुछ~~ मॉडलों पर अतिरिक्त डायग्नोस्टिक्स और एमुलेशन सपोर्ट के लिए एक राइट करने योग्य कंट्रोल स्टोर (WCS) भी ~~था।अपोलो~~ गाइडेंस कंप्यूटर ने कोर रोप मेमोरी का उपयोग किया, जो चुंबकीय कोर के माध्यम से तारों को थ्रेड करके प्रोग्राम किया गया।		आईबीएम (IBM) ने संधारित्र रीड-ओनली स्टोरेज (CROS) और ट्रांसफॉर्मर रीड-ओनली स्टोरेज (TROS) का उपयोग किया, छोटे सिस्टम/360 (System/360) मॉडल के लिए, 360/85, और शुरुआती दो सिस्टम/370 (System/370) मॉडल (370/155 और 370/165)। कुछ मॉडलों पर अतिरिक्त डायग्नोस्टिक्स (diagnostics) और एमुलेशन सपोर्ट(emulation support) के लिए एक राइट करने योग्य कंट्रोल स्टोर (WCS) भी था। अपोलो गाइडेंस कंप्यूटर (Apollo Guidance Computer) ने कोर रोप मेमोरी (core rope memory) का उपयोग किया, जो चुंबकीय कोर के माध्यम से तारों को थ्रेड (threading) करके प्रोग्राम किया गया।

	=== सॉलिड-स्टेट रोम ===		=== सॉलिड-स्टेट रोम (Solid-state ROM) ===
	{{See also\|Semiconductor memory}}		{{See also\|Semiconductor memory}}
	~~सबसे सरल प्रकार का ठोस-राज्य इलेक्ट्रॉनिक्स \|~~ सॉलिड-स्टेट ROM उतना ही पुराना है जितना कि ~~अर्धचालक तकनीक ही है।कॉम्बिनेशनल~~ लॉजिक गेट्स को मैन्युअल रूप से मैप करने के लिए जोड़ा जा सकता है {{mvar\|n}}-बिट पते इनपुट के मनमाने मूल्यों पर {{mvar\|m}}-बिट डेटा आउटपुट (एक लुक-अप टेबल)। एकीकृत सर्किट के आविष्कार के साथ मास्क रोम आया। मास्क ROM में वर्ड लाइन्स (एड्रेस इनपुट) और बिट लाइन्स (डेटा आउटपुट) का एक ग्रिड होता है, चुनिंदा रूप से ट्रांजिस्टर स्विच के साथ जुड़ता है, और एक नियमित भौतिक लेआउट और अनुमानित प्रसार देरी के साथ एक मनमानी लुक-अप टेबल का प्रतिनिधित्व कर सकता है।		सॉलिड-स्टेट रोम (ROM) का सबसे सरल प्रकार उतना ही पुराना है जितना कि सेमीकंडक्टर तकनीक। कॉम्बिनेशनल लॉजिक गेट्स (Combinational logic gates) को मैन्युअल रूप से मैप करने के लिए जोड़ा जा सकता है {{mvar\|n}}-बिट पते (n-bit address) इनपुट के मनमाने मूल्यों पर {{mvar\|m}}-बिट डेटा आउटपुट (एक लुक-अप टेबल)। एकीकृत सर्किट के आविष्कार के साथ मास्क रोम ( mask ROM) आया। मास्क रोम (ROM) में वर्ड लाइन्स (एड्रेस इनपुट) और बिट लाइन्स (डेटा आउटपुट) का एक ग्रिड होता है, जोकि चुनिंदा रूप से ट्रांजिस्टर स्विच के साथ जुड़ता है, और एक नियमित भौतिक लेआउट और अनुमानित प्रसार देरी (propagation delay) के साथ एक मनमानी लुक-अप टेबल का प्रतिनिधित्व कर सकता है।

	मास्क रोम में, डेटा को सर्किट में ~~शारीरिक~~ रूप से एन्कोड किया जाता है, इसलिए इसे केवल निर्माण के दौरान प्रोग्राम किया जा सकता है। यह कई गंभीर नुकसान ~~की ओर जाता है~~:		मास्क रोम में, डेटा को सर्किट में भौतिक रूप से एन्कोड (encoded) किया जाता है, इसलिए इसे केवल निर्माण के दौरान प्रोग्राम किया जा सकता है।
	* बड़ी मात्रा में मास्क रोम खरीदना केवल किफायती है, क्योंकि उपयोगकर्ताओं को कस्टम डिजाइन का उत्पादन करने के लिए एक फाउंड्री के साथ अनुबंध करना चाहिए।
			इससे कई गंभीर नुकसान होते हैं:
			* बड़ी मात्रा में मास्क रोम खरीदना केवल किफायती है, क्योंकि उपयोगकर्ताओं को कस्टम डिजाइन (custom design) का उत्पादन करने के लिए एक फाउंड्री (foundry) के साथ अनुबंध करना चाहिए।
	* एक मास्क रोम के लिए डिजाइन को पूरा करने और तैयार उत्पाद प्राप्त करने के बीच टर्नअराउंड समय एक ही कारण से लंबा है।		* एक मास्क रोम के लिए डिजाइन को पूरा करने और तैयार उत्पाद प्राप्त करने के बीच टर्नअराउंड समय एक ही कारण से लंबा है।
	* मास्क रोम आर एंड डी के काम के लिए अव्यावहारिक है क्योंकि डिजाइनरों को अक्सर मेमोरी की सामग्री को संशोधित करने की आवश्यकता होती है क्योंकि वे एक डिजाइन को परिष्कृत करते हैं।		* मास्क रोम आर एंड डी (R&D) के काम के लिए अव्यावहारिक है क्योंकि डिजाइनरों को अक्सर मेमोरी की सामग्री को संशोधित करने की आवश्यकता होती है क्योंकि वे एक डिजाइन को परिष्कृत करते हैं।
	* यदि किसी उत्पाद को दोषपूर्ण मास्क रोम के साथ भेज दिया जाता है, तो इसे ठीक करने का एकमात्र तरीका उत्पाद को ~~याद करना~~ है और भौतिक रूप से भेजे गए प्रत्येक इकाई में ROM को बदलना है।		* यदि किसी उत्पाद को दोषपूर्ण मास्क रोम (mask ROM) के साथ भेज दिया जाता है, तो इसे ठीक करने का एकमात्र तरीका उत्पाद को रिकॉल (recall) है और भौतिक रूप से भेजे गए प्रत्येक इकाई में रोम (ROM) को बदलना है।

	इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को ~~संबोधित~~ किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book\|author=Han-Way Huang\|title=Embedded System Design with C805\|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|date=5 December 2008\|publisher=Cengage Learning\|isbn=978-1-111-81079-5\|page=22\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book\|author1=Marie-Aude Aufaure\|author2=Esteban Zimányi\|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures\|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|date=17 January 2013\|publisher=Springer\|isbn=978-3-642-36318-4\|page=136\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज ~~दालों~~ के अनुप्रयोग के साथ ~~शारीरिक रूप से~~ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति ~~दी।इसने~~ ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी ~~बस ताजा~~ प्रोम चिप्स के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।		इसके बाद के घटनाक्रम ने इन कमियों को संसोधित किया है। 1956 में वेन टिंग चाउ (Wen Tsing Chow) द्वारा आविष्कार किए गए प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM),<ref name="Huang2008">{{cite book\|author=Han-Way Huang\|title=Embedded System Design with C805\|url=https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|date=5 December 2008\|publisher=Cengage Learning\|isbn=978-1-111-81079-5\|page=22\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=3zRtCgAAQBAJ&pg=PA22\|archive-date=27 April 2018}}</ref><ref name="AufaureZimányi2013">{{cite book\|author1=Marie-Aude Aufaure\|author2=Esteban Zimányi\|title=Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures\|url=https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|date=17 January 2013\|publisher=Springer\|isbn=978-3-642-36318-4\|page=136\|url-status=live\|archive-url=https://web.archive.org/web/20180427092847/https://books.google.com/books?id=7iK5BQAAQBAJ&pg=PA136\|archive-date=27 April 2018}}</ref> उपयोगकर्ताओं को उच्च-वोल्टेज पल्सेस (high-voltage pulses) के अनुप्रयोग के साथ अपनी संरचना को भौतिक रूप से बदलकर एक बार अपनी सामग्री को प्रोग्राम करने की अनुमति दी। इसने ऊपर की समस्याओं को संबोधित किया 1 और 2 ऊपर, क्योंकि एक कंपनी फ्रेश प्रोम चिप्स (fresh PROM chips) के एक बड़े बैच को ऑर्डर कर सकती है और उन्हें अपने डिजाइनरों की सुविधा में वांछित सामग्री के साथ प्रोग्राम कर सकती है।

	1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, REF नाम = ComputerHistory>{{cite journal\|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/\|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated\|journal=The Silicon Engine\|publisher=[[Computer History Museum]]}}</ref> ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। REF NAME = SCIANDIRECT>{{cite web \|title=Transistors - an overview \|url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors \|website=[[ScienceDirect]] \|access-date=8 August 2019}}</ref> 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग रीड-ओनली मेमोरी के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।(EPROM) 1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>{{cite web \|title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced \|url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ \|website=[[Computer History Museum]] \|access-date=19 June 2019}}</ref> 1971 का आविष्कार EPROM अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया गया है, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।		1959 में बेल लैब्स में आविष्कार किए गए मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, REF नाम = ComputerHistory>{{cite journal\|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/\|title=1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated\|journal=The Silicon Engine\|publisher=[[Computer History Museum]]}}</ref> ने अर्धचालक मेमोरी में मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। REF NAME = SCIANDIRECT>{{cite web \|title=Transistors - an overview \|url=https://www.sciencedirect.com/topics/computer-science/transistors \|website=[[ScienceDirect]] \|access-date=8 August 2019}}</ref> 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का उपयोग एक रिप्रॉग्मैमबल रोम के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने योग्य प्रोग्रामिंग रीड-ओनली मेमोरी के डव फ्रॉमन के लिए नेतृत्व किया गया।(EPROM) 1971 में। REF नाम = ComputerHistory1971>{{cite web \|title=1971: Reusable semiconductor ROM introduced \|url=https://www.computerhistory.org/storageengine/reusable-semiconductor-rom-introduced/ \|website=[[Computer History Museum]] \|access-date=19 June 2019}}</ref> 1971 का आविष्कार EPROM अनिवार्य रूप से समस्या 3 को हल किया गया है, क्योंकि EPROM (PROM के विपरीत) को मजबूत पराबैंगनी प्रकाश के संपर्क में आने से बार -बार अपनी अप्रकाशित स्थिति में रीसेट किया जा सकता है।

alpha>Dheeraj Pandey at 12:48, 29 August 2022

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	{{Memory types}}		{{Memory types}}
	[[File:PokemonSilverBoard.jpg\|thumb\|कई गेम कंसोल विनिमेय रोम कारतूस का उपयोग करते हैं, जिससे एक प्रणाली को कई गेम खेलने की अनुमति मिलती है।यहाँ दिखाया गया एक पोकेमोन सिल्वर गेम बॉय कारतूस के अंदर है।ROM सही लेबल वाले MX23C1603-12A पर IC है।]]		[[File:PokemonSilverBoard.jpg\|thumb\|कई गेम कंसोल विनिमेय रोम कारतूस का उपयोग करते हैं, जिससे एक प्रणाली को कई गेम खेलने की अनुमति मिलती है।यहाँ दिखाया गया एक पोकेमोन सिल्वर गेम बॉय कारतूस के अंदर है।ROM सही लेबल वाले MX23C1603-12A पर IC है।]]
	रीड-ओनली मेमोरी (ROM) कंप्यूटर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग की जाने वाली गैर-वाष्पशील मेमोरी का एक प्रकार ~~है।ROM~~ में संग्रहीत डेटा को मेमोरी डिवाइस के निर्माण के बाद इलेक्ट्रॉनिक रूप से संशोधित नहीं किया जा सकता ~~है।रीड~~-ओनली मेमोरी सॉफ्टवेयर को स्टोर करने के लिए उपयोगी होती है जो सिस्टम के जीवन के दौरान शायद ही कभी बदल जाती है, ~~जिसे~~ फर्मवेयर के रूप में भी जाना जाता ~~है।प्रोग्राम~~ करने योग्य उपकरणों के लिए सॉफ़्टवेयर एप्लिकेशन (वीडियो गेम की तरह) को ROM युक्त प्लग-~~इन कारतूस~~ के रूप में वितरित किया जा सकता है।		रीड- ओनली मेमोरी (ROM) कंप्यूटर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग की जाने वाली गैर-वाष्पशील मेमोरी (non-volatile memory) का एक प्रकार है। रोम (ROM) में संग्रहीत डेटा को मेमोरी डिवाइस (memory device) के निर्माण के बाद इलेक्ट्रॉनिक रूप से संशोधित नहीं किया जा सकता है। रीड-ओनली मेमोरी (ROM) सॉफ्टवेयर को स्टोर करने के लिए उपयोगी होती है जो सिस्टम के जीवन काल के दौरान शायद ही कभी बदल जाती है, इसे फर्मवेयर के रूप में भी जाना जाता है। प्रोग्राम करने योग्य उपकरणों के लिए सॉफ़्टवेयर एप्लिकेशन (वीडियो गेम की तरह) को ROM युक्त प्लग इन कार्टरिजस (plug-in cartridges) के रूप में वितरित किया जा सकता है।

	~~सख्ती~~ से, '' रीड-ओनली मेमोरी '' मेमोरी को संदर्भित करता है जो हार्ड-वायर्ड है, जैसे कि डायोड मैट्रिक्स या एक रीड-ओनली मेमोरी#सॉलिड-स्टेट रोम ~~\| मास्क रोम इंटीग्रेटेड सर्किट~~ (~~आईसी~~)~~, जो~~ इलेक्ट्रॉनिक रूप से नहीं हो सकता है{{efn\|Some discrete component ROM could be mechanically altered, e.g., by adding and removing transformers. IC ROMs, however, cannot be mechanically changed.}} ~~निर्माण के बाद बदल गया।यद्यपि~~ असतत सर्किट को सिद्धांत रूप में बदल दिया जा सकता है, बोड्स तारों के अलावा और/या घटकों के हटाने या प्रतिस्थापन के माध्यम से, आईसी नहीं कर ~~सकते।त्रुटियों~~ का सुधार, या सॉफ़्टवेयर में अपडेट, नए उपकरणों का निर्माण करने और स्थापित डिवाइस को बदलने की आवश्यकता होती है।		कड़ाई से बोलते हुए, ''रीड-ओनली मेमोरी '' (ROM) उस मेमोरी को संदर्भित करता है जो हार्ड-वायर्ड (hard-wired) है, जैसे कि डायोड मैट्रिक्स (diode matrix) या एक रीड-ओनली मेमोरी सॉलिड-स्टेट रोम (mask ROM integrated circuit (IC)) \| जिसे इलेक्ट्रॉनिक रूप से निर्माण के बाद नहीं बदला जा सकता है।{{efn\|Some discrete component ROM could be mechanically altered, e.g., by adding and removing transformers. IC ROMs, however, cannot be mechanically changed.}} ।यद्यपि असतत सर्किट (discrete circuits) को सिद्धांत रूप में बदल दिया जा सकता है, बोड्स तारों के अलावा और/या घटकों के हटाने या प्रतिस्थापन के माध्यम से, आईसी (ICs) नहीं कर सकते। त्रुटियों का सुधार, या सॉफ़्टवेयर में अपडेट, नए उपकरणों का निर्माण करने और स्थापित डिवाइस को बदलने की आवश्यकता होती है।

	फ़्लोटिंग-गेट ROM सेमीकंडक्टर मेमोरी इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EPROM) के रूप में, ~~विद्युत रूप से~~ इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM) और फ्लैश मेमोरी को ~~मिटा दिया~~ जा सकता है और फिर से प्रोग्राम किया जा सकता ~~है।लेकिन आमतौर पर~~, यह केवल अपेक्षाकृत धीमी गति से किया जा सकता है, प्राप्त करने के लिए विशेष उपकरणों की आवश्यकता ~~हो सकती~~ है, और ~~आमतौर पर~~ केवल एक निश्चित संख्या में संभव है।<ref>{{Cite web\|url=https://www.pcmag.com/encyclopedia/term/43279/flash-rom\|archive-url=https://web.archive.org/web/20131110193127/http://www.pcmag.com/encyclopedia_term/0%2C%2Ct%3D%26i%3D43279%2C00.asp\|url-status=dead\|title=flash ROM Definition from PC Magazine Encyclopedia\|archive-date=November 10, 2013\|website=pcmag.com}}</ref>		फ़्लोटिंग-गेट (Floating-gate) रोम (ROM) सेमीकंडक्टर मेमोरी इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EPROM) के रूप में, इलेक्ट्रिकली इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (EEPROM) और फ्लैश मेमोरी को मिटाया जा सकता है और फिर से प्रोग्राम किया जा सकता है। लेकिन सामान्यतया, यह केवल अपेक्षाकृत धीमी गति से ठीक किया जा सकता है, इसे प्राप्त करने के लिए विशेष उपकरणों की आवश्यकता होती है, और सामान्यतया केवल एक निश्चित संख्या में संभव है।<ref>{{Cite web\|url=https://www.pcmag.com/encyclopedia/term/43279/flash-rom\|archive-url=https://web.archive.org/web/20131110193127/http://www.pcmag.com/encyclopedia_term/0%2C%2Ct%3D%26i%3D43279%2C00.asp\|url-status=dead\|title=flash ROM Definition from PC Magazine Encyclopedia\|archive-date=November 10, 2013\|website=pcmag.com}}</ref>
	ROM ~~शब्द~~ का उपयोग कभी -कभी एक ROM डिवाइस से किया जाता है जिसमें विशिष्ट सॉफ़्टवेयर होता है, या सॉफ़्टवेयर के साथ एक फ़ाइल EEPROM या फ्लैश मेमोरी में संग्रहीत होती ~~है।उदाहरण~~ के लिए, एंड्रॉइड ऑपरेटिंग सिस्टम को संशोधित करने या बदलने वाले उपयोगकर्ता एक संशोधित या ~~रिप्लेसमेंट~~ ऑपरेटिंग सिस्टम वाली ~~फ़ाइलों~~ का वर्णन ~~करते हैं, जो कि स्टोरेज के प्रकार के बाद~~ कस्टम रोम के रूप में ~~कस्टम रोम के रूप में लिखी गई थी।~~
			शब्द रोम (ROM) का उपयोग कभी-कभी एक ROM डिवाइस से किया जाता है जिसमें विशिष्ट सॉफ़्टवेयर होता है, या सॉफ़्टवेयर के साथ एक फ़ाइल EEPROM या फ्लैश मेमोरी (Flash Memory) में संग्रहीत होती है। उदाहरण के लिए, एंड्रॉइड ऑपरेटिंग सिस्टम (Android operating system) को संशोधित करने या बदलने वाले उपयोगकर्ता एक संशोधित या प्रतिस्थापन ऑपरेटिंग सिस्टम वाली फाइलों का वर्णन "कस्टम रोम" (custom ROMs) के रूप में करते हैं, जिस प्रकार की फाइल को लिखा जाता था।

	== इतिहास ==		== इतिहास ==

alpha>Arti Shah: Created page with "{{Dablink|The concept of read-only data can also refer to file system permissions.}} {{About||the British book publisher|Read-Only Memory (publisher)|the EP|Read Only Memo..."

2022-08-25T09:50:45Z

Created page with "{{Dablink|The concept of read-only data can also refer to file system permissions.}} {{About||the British book publisher|Read-Only Memory (publisher)|the EP|Read Only Memo..."

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