View source for मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र

[[File:2N140_PNP_Germanium_Alloy_Junction_Transistor_closeup.jpg|thumb|एक आरसीए 2एन140 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीकी दृश्य, लगभग 1953]]
[[File:2N1307 transistor die with bond wires attached.jpg|thumb|1960 के दशक के सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्रधातु संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के आंतरिक भाग का नज़दीक से दृश्य]][[जर्मेनियम]] '''मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र''' या '''मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र''', एक प्रारंभिक प्रकार का [[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|द्विध्रुवी संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र]] था, जिसे 1951 में [[ सामान्य विद्युतीय |सामान्य विद्युतीय]] और [[आरसीए]] में विकसित किया गया था, जो पहले [[विकसित-जंक्शन ट्रांजिस्टर|संवृद्ध-]][[द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर|संयोजन]] [[प्रतिरोधान्तरित्र]] पर सुधार के रूप में था। 

एक मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र का सामान्य निर्माण एक [[जर्मेनियम]] क्रिस्टल है जो आधार बनाता है, जिसमें उत्सर्जक और संग्राहक के मिश्र धातु के मोती विपरीत दिशा में जुड़े होते हैं। एन-क्षेत्र जर्मेनियम की एक पट्टी पर मिश्र धातु संयोजन बनाने के लिए आमतौर पर[[ ईण्डीयुम | इन्डियम]] और [[सुरमा|ऐन्टिमनी]] का उपयोग किया जाता था। संग्राहक संयोजन गोला व्यास में लगभग 50 मील (एक इंच का हजारवां हिस्सा) और उत्सर्जक गोला लगभग 20 मील होगा। आधार क्षेत्र लगभग 1 मील (0.001 इंच, 25 माइक्रोन) मोटा होगा।<ref>Lloyd P. Hunter (ed.), ''Handbook of Semiconductor Electronics'', Mc Graw Hill, 1956  pp. 7–18, 7–19</ref> कई प्रकार के बेहतर मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र विकसित किए गए थे जो कि वे निर्मित किए गए थे।

1960 के दशक के प्रारंभ तक, सभी प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र अप्रचलित हो गए, [[प्लानर ट्रांजिस्टर|समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र]] की शुरुआत के साथ, जो आसानी से बड़े पैमाने पर निर्मित किये जा सकते थे, जबकि मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र को व्यक्तिगत रूप से बनाया जाना था। पहले जर्मेनियम समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र के चक्र के मिश्र धातु-संयोजन जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र की तुलना में बहुत खराब विशेषताएं थीं, लेकिन उनकी लागत बहुत कम थी, और समतलीय प्रतिरोधान्तरित्र की विशेषताओं में बहुत तेजी से सुधार हुआ, जो कि पहले के सभी जर्मेनियम प्रतिरोधान्तरित्र से अधिक था।

== सूक्ष्म मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र ==
'''सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र (एमएटी)''' को [[फिल्को]] द्वारा एक बेहतर प्रकार के मिश्र धातु-संयोजन प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किया गया था, जो बहुत अधिक गति प्रदान करता है।

यह एक आधार अर्धचालक क्रिस्टल का से बना है, जिसमें स्रोतों की एक जोड़ी को विपरीत दिशा में निक्षारित किया गया है ([[फ़िल्को]] के पहले के [[सतह-बाधा ट्रांजिस्टर|पृष्ठी प्राचीर प्रतिरोधान्तरित्र]] के समान) और फिर उत्सर्जक और संग्राही मिश्र धातु की मोतियों को स्रोतों में जोड़ा जाता है।

== सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ==
'''सूक्ष्म-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र(एमएडीटी)''', या '''सूक्ष्म-मिश्र धातु [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]]''', [[फिल्को]] द्वारा एक बेहतर प्रकार के सूक्ष्म-मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र के रूप में विकसित किए गए थे; इसने और भी उच्च गति की पेशकश की। यह एक प्रकार का [[विसरित-आधार ट्रांजिस्टर|विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र]] है।

आधार अर्धचालक क्रिस्टल पदार्थ में वैद्युतरासायनिक तकनीकों और निक्षारण अवदाब स्रोतों का उपयोग करने से पहले, एक गर्म विसरित फॉस्फोरस गैसीय परत पूरे आंतरिक अर्धचालक आधार क्रिस्टल पर बनाई जाती है, जिससे एन-प्रकार के श्रेणीबद्ध आधार के अर्धचालक पदार्थ बऩते है। इस विसरण आधार परत में उत्सर्जक स्रोत बहुत उथला है।

तीव्र गति की संक्रिया के लिए, संग्राही स्रोत को विसरित आधार परत के माध्यम से और अधिकांश आंतरिक आधार अर्धचालक क्षेत्र के माध्यम से सभी तरह से निक्षारित किया जाता है जिससे एक अत्यंत पतला आधार क्षेत्र बनता है। <ref>A High Frequency Transistor Analysis by James K. Keihner, 1956</ref><ref>Wall Street Journal, Article: "Philco Says It Is Producing A New Kind Of Transistor", October 9, 1957, pg 19</ref> [[आवेश वाहक]] आधार संक्रमण ताप ([[ बहाव-क्षेत्र ट्रांजिस्टर | बहाव-क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र]] के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक [[अपमिश्रण-अभियंत्रित विद्युत क्षेत्र]] बनाया गया था।

== पोस्ट मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ==
'''पोस्ट-मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र (पीएडीटी)''', या '''पोस्ट-मिश्र धातु विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र''', [[ PHILIPS |फ़िलिप्स]] द्वारा विकसित किया गया था (लेकिन जीई और आरसीए ने लाइसेंस के लिए दायर किया और आरसीए के जैक्स पैंकोव ने इसके लिए लाइसेंस प्राप्त किया) जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र बेहतर संयोजन के रूप में, इसने और भी उच्च गति प्रदान की। यह एक प्रकार का विसरण-आधार प्रतिरोधान्तरित्र है।

फिल्को मिश्र धातु विसरित प्रतिरोधान्तरित्र में एक यांत्रिक कमजोरी थी जिसने अंततः उनकी गति को सीमित कर दिया; बहुत पतला होने पर पतली विसरण-आधार परत टूट जाएगी, लेकिन उच्च गति प्राप्त करने के लिए इसे जितना संभव हो उतना पतला होना जरूरी था। साथ ही इतनी पतली परत के दोनों तरफ मिश्रधातु को नियंत्रित करना बहुत मुश्किल था।

पोस्ट-मिश्र धातु के बाद विसरित प्रतिरोधान्तरित्र ने अधिकांश अर्धचालक क्रिस्टल को संग्राहक (आधार के बजाय) बनाकर इस समस्या को हल किया, जो यांत्रिक शक्ति के लिए आवश्यक रूप से मोटे हो सकते है। इसके ऊपर विसरण-आधार परत बनाई गई थी। फिर दो मिश्र धातु के मोती, एक पी-प्रकार और एक एन-प्रकार को विसरण-आधार परत के ऊपर संगलित किया गया। आधार अपमिश्रक के समान प्रकार वाला मोती तब आधार का हिस्सा बना, जब आधार अपमिश्रक से विपरीत प्रकार का मोती उत्सर्जक बन गया।

आवेश वाहक आधार संक्रमण ताप (बहाव क्षेत्र प्रतिरोधान्तरित्र के समान) को कम करने के लिए विसरित आधार परत में एक अपमिश्रण-अभियांत्रिक विद्युत क्षेत्र बनाया गया था।

== चित्र गैलरी ==

<gallery>
File:Index.php?title=File:TG51 Transistor 02.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
File:Index.php?title=File:TG51 Transistor 03.jpg|TEWA पोलैंड द्वारा निर्मित टीजी 51 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
File:Index.php?title=File:2N1307 transistor die.jpg|सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
File:Index.php?title=File:2N1307 transistor bond wires.jpg|सामान्य वैद्युत 2एन1307 पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र
File:Index.php?title=File:2N404.jpg|आरसीए 2एन404 जर्मेनियम पीएनपी प्रतिरोधान्तरित्र। मध्यम गति स्विच
File:Index.php?title=File:ACY21.jpg|पीएनपी जर्मेनियम मिश्र धातु प्रतिरोधान्तरित्र एफ प्रवर्धक / स्विच के रूप में अभिप्रेत है
</gallery>


== यह भी देखें ==
* [[टेट्रोड ट्रांजिस्टर|टेट्रोड प्रतिरोधान्तरित्र]]

== संदर्भ ==
{{Reflist}}


== बाहरी संबंध ==
*[http://www.thevalvepage.com/trans/manufac/manufac1.htm Manufacture of Junction Transistors]
<!-- Note: copyrighted *[http://www.iop.org/EJ/abstract/0508-3443/5/4/301 New advances in the junction transistor] Abstract, full text available, for a fee, in PDF.
*[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/16/31557/01472374.pdf?arnumber=1472374 Microalloy Transistor] (PDF) Covers Philco's MAT and MADT.  -->
<!-- This doesn'y really have anything to do with the general subject of this article
*{{cite book
 | title = High Speed Switching Transistor Handbook
 | edition = 2nd edition
 | year = 1963
 | publisher = Motorola
 | pages = p. 17
 | quote = Significant improvements in base-width control of simple alloy devices can be achieved by electrochemically etching a deep pit for the collector and a shallow pit for the emitter into the base region prior to alloying.  With this process, the base thickness can be controlled to within one ten-thousandth of an inch through the use of light transmission during the etching operation.  Very thin layers of indium, or similar materials, are plated to the bottom of these pits and alloyed into the base with a very shallow penetration. Transistors made with this process (referred to as the micro-alloy transistor), have an extremely thin base layer with a corresponding improvement of switching time.  Although there is a slight increase in base resistance, which is not particularly harmful, collector and emitter resistances are relatively unchanged.  The major difficulty with such units is caused by the very thin base region which reduce the voltage rating.  However, by limiting collector voltage to 6 volts, switching rate to about 2 mcs [added note: i.e., 2 mega-cycles/second] can be achieved. These devices are rather fragile because the collector and emitter contacts are supported only on a very thin membrane of semiconductor material.
 }}[http://groups.google.vu/group/sci.electronics.components/tree/browse_frm/month/2003-04/c97c04dc783ab61e?rnum=21&_done=%2Fgroup%2Fsci.electronics.components%2Fbrowse_frm%2Fmonth%2F2003-04%3F] -->
<!--  *[http://ieeexplore.ieee.org/iel5/10933/4065428/04065458.pdf?tp=&isnumber=&arnumber=4065458 Technology of Micro-Alloy Diffused Transistors] (PDF) Covers Philco's MADT.
*[http://ieeexplore.ieee.org/iel6/8223/25329/01136310.pdf The Universal Communications Transistor] (PDF) Covers Philip's PADT.

NOTE: all the above articles are '© Copyright 2010 IEEE – All Rights Reserved'  and unavailable to the public -->

  

[[pl:Tranzystor stopowy]]

[[Category:1951 परिचय]]
[[Category:Created On 09/03/2023]]
[[Category:Machine Translated Page]]
[[Category:Pages with broken file links]]
[[Category:Pages with script errors]]
[[Category:द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर]]