मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट

मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट, या एमएमआईसी (कभी-कभी नकल कहा जाता है), एक प्रकार का इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी) उपकरण है जो माइक्रोवेव आकाशवाणी आवृति  (300 मेगाहर्ट्ज से 300 गीगाहर्ट्ज) पर काम करता है। ये उपकरण आम तौर पर माइक्रोवेव फ्रीक्वेंसी मिक्सर, पावर एम्प्लीफिकेशन, कम शोर वाला एम्पलीफायर|लो-नॉइज़ एम्प्लीफिकेशन और हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विचिंग जैसे कार्य करते हैं। एमएमआईसी उपकरणों पर इनपुट और आउटपुट अक्सर 50 ओम की विशिष्ट प्रतिबाधा से मेल खाते हैं। इससे उनका उपयोग करना आसान हो जाता है, क्योंकि एमएमआईसी के कैस्केडिंग के लिए बाहरी मिलान नेटवर्क की आवश्यकता नहीं होती है। इसके अतिरिक्त, अधिकांश माइक्रोवेव परीक्षण उपकरण 50-ओम वातावरण में संचालित करने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं।

एमएमआईसी आयामी रूप से छोटे होते हैं (लगभग 1 मिमी² से 10 मिमी² तक) और बड़े पैमाने पर उत्पादित किए जा सकते हैं, जिससे मोबाइल फ़ोन जैसे उच्च-आवृत्ति उपकरणों के प्रसार की अनुमति मिली है। एमएमआईसी को मूल रूप से गैलियम (III) आर्सेनाइड (GaAs), एक बाहरी अर्धचालक#सेमीकंडक्टर डोपिंग|III-V यौगिक अर्धचालक का उपयोग करके निर्मित किया गया था। आईसी प्राप्ति के लिए पारंपरिक सामग्री सिलिकॉन (एसआई) पर इसके दो मूलभूत फायदे हैं: डिवाइस (ट्रांजिस्टर) गति और एक अर्ध-इन्सुलेटिंग वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)। दोनों कारक उच्च-आवृत्ति सर्किट फ़ंक्शंस के डिज़ाइन में सहायता करते हैं। हालाँकि, Si-आधारित प्रौद्योगिकियों की गति धीरे-धीरे बढ़ी है क्योंकि ट्रांजिस्टर फीचर आकार कम हो गए हैं, और MMICs को अब Si प्रौद्योगिकी में भी निर्मित किया जा सकता है। Si प्रौद्योगिकी का प्राथमिक लाभ GaAs की तुलना में इसकी कम निर्माण लागत है। सिलिकॉन वेफर व्यास बड़े होते हैं (आमतौर पर GaAs के लिए 4 से 8 की तुलना में 8 से 12) और वेफर की लागत कम होती है, जो कम महंगी आईसी में योगदान करती है।

मूल रूप से, एमएमआईसी ने सक्रिय उपकरण के रूप में MESFET|धातु-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (MESFETs) का उपयोग किया। हाल ही में उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर (एचईएमटी), स्यूडोमोर्फिक एचईएमटी और हेटेरोजंक्शन द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर आम हो गए हैं।

अन्य III-V प्रौद्योगिकियां, जैसे कि इंडियम फॉस्फाइड (InP), लाभ, उच्च कटऑफ आवृत्ति और कम शोर के मामले में GaAs को बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती हैं। हालाँकि, छोटे वेफर आकार और बढ़ी हुई सामग्री की नाजुकता के कारण वे अधिक महंगे भी होते हैं।

SiGe (SiGe) एक Si-आधारित यौगिक अर्धचालक तकनीक है जो पारंपरिक Si उपकरणों की तुलना में उच्च गति वाले ट्रांजिस्टर प्रदान करती है लेकिन समान लागत लाभ के साथ।

MMICs के लिए GaN (GaN) भी एक विकल्प है। क्योंकि GaN ट्रांजिस्टर बहुत अधिक तापमान पर काम कर सकते हैं और GaAs ट्रांजिस्टर की तुलना में बहुत अधिक वोल्टेज पर काम कर सकते हैं, वे माइक्रोवेव आवृत्तियों पर आदर्श पावर एम्पलीफायर बनाते हैं।

यह भी देखें

 * हाइब्रिड इंटीग्रेटेड सर्किट
 * संचरण लाइन

संदर्भ

 * Practical MMIC Design, Steve Marsh, published by Artech House ISBN 1-59693-036-5
 * RFIC and MMIC Design and Technology, editors I. D. Robertson and S. Lucyszyn, published by the IEE (London) ISBN 0-85296-786-1