अर्धचालक स्मृति

सेमीकंडक्टर मेमोरी एक डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर डिवाइस है जिसका उपयोग डिजिटल डेटा स्टोरेज के लिए किया जाता है, जैसे कि कंप्यूटर मेमोरी।यह आम तौर पर MOS मेमोरी को संदर्भित करता है, जहां डेटा को एक सिलिकॉन इंटीग्रेटेड सर्किट मेमोरी चिप पर धातु -ऑक्साइड -सेमिकंडक्टर (MOS) मेमोरी कोशिकाओं के भीतर संग्रहीत किया जाता है।  विभिन्न अर्धचालक प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके कई अलग -अलग प्रकार हैं।रैंडम-एक्सेस मेमोरी (RAM) के दो मुख्य प्रकार स्टैटिक रैम (SRAM) हैं, जो प्रति मेमोरी सेल, और डायनेमिक रैम (DRAM) के कई MOS ट्रांजिस्टर का उपयोग करते हैं, जो MOS ट्रांजिस्टर और एक MOS कैपेसिटर प्रति सेल का उपयोग करता है।गैर-वाष्पशील मेमोरी (जैसे कि EPROM, EEPROM और FLASH मेमोरी) फ्लोटिंग-गेट मेमोरी कोशिकाओं का उपयोग करती है, जिसमें एक एकल फ्लोटिंग-गेट MOSFET शामिल है। फ्लोटिंग-गेट MOS ट्रांजिस्टर प्रति सेल।

अधिकांश प्रकार के अर्धचालक मेमोरी में यादृच्छिक पहुंच की संपत्ति होती है, जिसका अर्थ है कि किसी भी मेमोरी स्थान तक पहुंचने में समान समय लगता है, इसलिए डेटा को किसी भी यादृच्छिक क्रम में कुशलता से एक्सेस किया जा सकता है। यह डेटा स्टोरेज मीडिया जैसे हार्ड डिस्क और सीडी के साथ विपरीत है जो डेटा को लगातार पढ़ते और लिखते हैं और इसलिए डेटा को केवल उसी अनुक्रम में एक्सेस किया जा सकता है जो इसे लिखा गया था।सेमीकंडक्टर मेमोरी में अन्य प्रकार के डेटा स्टोरेज की तुलना में बहुत तेज पहुंच समय है;डेटा का एक बाइट कुछ नैनोसेकंड के भीतर सेमीकंडक्टर मेमोरी से लिखा या पढ़ा जा सकता है, जबकि स्टोरेज को घूर्णन के लिए एक्सेस समय जैसे कि हार्ड डिस्क मिलीसेकंड की सीमा में है।इन कारणों से इसका उपयोग प्राथमिक भंडारण के लिए किया जाता है, प्रोग्राम को रखने के लिए और कंप्यूटर वर्तमान में अन्य उपयोगों के बीच काम कर रहा है।

, अर्धचालक मेमोरी चिप्स बेचते हैं US$124 billion वार्षिक रूप से, के लिए लेखांकन अर्धचालक उद्योग का %। शिफ्ट रजिस्टर, प्रोसेसर रजिस्टर, डेटा बफ़र्स और अन्य छोटे डिजिटल रजिस्टर जिनके पास कोई मेमोरी पता डिकोडिंग तंत्र नहीं है, आमतौर पर मेमोरी के रूप में संदर्भित नहीं किया जाता है, हालांकि वे डिजिटल डेटा भी संग्रहीत करते हैं।

विवरण
एक अर्धचालक मेमोरी चिप में, प्रत्येक बाइनरी डेटा के प्रत्येक बिट को एक छोटे सर्किट में संग्रहीत किया जाता है जिसे मेमोरी सेल कहा जाता है जिसमें एक से कई ट्रांजिस्टर शामिल होते हैं।मेमोरी कोशिकाओं को चिप की सतह पर आयताकार सरणियों में रखा जाता है।1-बिट मेमोरी कोशिकाओं को छोटी इकाइयों में वर्गीकृत किया जाता है, जिन्हें शब्द कहा जाता है, जिन्हें एक ही मेमोरी पते के रूप में एक साथ एक्सेस किया जाता है।मेमोरी शब्द लंबाई में निर्मित होती है जो आमतौर पर दो की शक्ति होती है, आमतौर पर n = 1, 2, 4 या 8 बिट्स।

डेटा को एक बाइनरी नंबर के माध्यम से एक्सेस किया जाता है जिसे चिप के एड्रेस पिन पर लागू मेमोरी एड्रेस कहा जाता है, जो निर्दिष्ट करता है कि चिप में किस शब्द को एक्सेस किया जाना है।यदि मेमोरी एड्रेस में एम बिट्स होते हैं, तो चिप पर पते की संख्या 2 हैM, each containing an N bit word. Consequently, the amount of data stored in each chip is N2M bits. एम संख्या के पता लाइनों के लिए मेमोरी स्टोरेज क्षमता 2 द्वारा दी गई हैM जो आमतौर पर दो की शक्ति में होता है: 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 और 512 और किलोबिट्स, मेगाबिट्स, गीगाबिट्स या टेराबिट्स, आदि में मापा जाता है। सबसे बड़ा अर्धचालक मेमोरी चिप्स कुछ गीगाबिट्स डेटा रखता है, लेकिन उच्च क्षमता वाली मेमोरी लगातार विकसित की जा रही है।कई एकीकृत सर्किटों को मिलाकर, मेमोरी को एक बड़े शब्द लंबाई और/या पते की जगह में व्यवस्थित किया जा सकता है, जो प्रत्येक चिप द्वारा पेश की जाती है, अक्सर लेकिन जरूरी नहीं कि दो की शक्ति हो। मेमोरी चिप द्वारा किए गए दो बुनियादी संचालन पढ़े जाते हैं, जिसमें मेमोरी वर्ड की डेटा सामग्री को पढ़ा जाता है (nondestructively), और लिखते हैं कि किस डेटा को मेमोरी वर्ड में संग्रहीत किया जाता है, जो पहले से संग्रहीत किए गए किसी भी डेटा को बदल देता है।डेटा दर बढ़ाने के लिए, कुछ नवीनतम प्रकार के मेमोरी चिप्स जैसे कि DDR SDRAM कई शब्द प्रत्येक रीड या राइट ऑपरेशन के साथ एक्सेस किए जाते हैं।

स्टैंडअलोन मेमोरी चिप्स के अलावा, सेमीकंडक्टर मेमोरी के ब्लॉक कई कंप्यूटर और डेटा प्रोसेसिंग एकीकृत सर्किट के अभिन्न अंग हैं।उदाहरण के लिए, कंप्यूटर चलाने वाले माइक्रोप्रोसेसर चिप्स में निष्पादन की प्रतीक्षा में निर्देशों को संग्रहीत करने के लिए कैश मेमोरी होती है।

वाष्पशील स्मृति
वाष्पशील मेमोरी अपने संग्रहीत डेटा को खो देती है जब मेमोरी चिप की शक्ति बंद हो जाती है।हालांकि यह गैर-वाष्पशील स्मृति की तुलना में तेज और कम महंगा हो सकता है।इस प्रकार का उपयोग अधिकांश कंप्यूटरों में मुख्य मेमोरी के लिए किया जाता है, क्योंकि डेटा को हार्ड डिस्क पर संग्रहीत किया जाता है जबकि कंप्यूटर बंद है।प्रमुख प्रकार हैं: रैम ( रैंडम-एक्सेस मेमोरी ) – यह किसी भी अर्धचालक मेमोरी के लिए एक सामान्य शब्द बन गया है, जिसे लिखा जा सकता है, साथ ही साथ, ROM (नीचे) के विपरीत, जिसे केवल पढ़ा जा सकता है।सभी अर्धचालक मेमोरी, न केवल रैम, यादृच्छिक पहुंच की संपत्ति है।
 * 'DRAM' (डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) – यह मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) मेमोरी सेल का उपयोग करता है जिसमें प्रत्येक बिट को स्टोर करने के लिए एक MOSFET (MOS फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) और एक MOS कैपेसिटर होता है।इस प्रकार की रैम घनत्व में सबसे सस्ती और उच्चतम है, इसलिए इसका उपयोग कंप्यूटर में मुख्य मेमोरी के लिए किया जाता है।हालांकि, इलेक्ट्रिक चार्ज जो मेमोरी कोशिकाओं में डेटा को संग्रहीत करता है, धीरे -धीरे लीक हो जाता है, इसलिए मेमोरी कोशिकाओं को समय -समय पर ताज़ा (फिर से लिखा गया) होना चाहिए, जिसके लिए अतिरिक्त सर्किटरी की आवश्यकता होती है।ताज़ा प्रक्रिया को कंप्यूटर द्वारा आंतरिक रूप से संभाला जाता है और इसके उपयोगकर्ता के लिए पारदर्शी है।
 * FPM DRAM ( फास्ट पेज मोड DRAM ) – एक पुराने प्रकार का एसिंक्रोनस ड्राम जो पिछले प्रकार पर सुधार हुआ था, जो कि एक एकल पृष्ठ को मेमोरी के एक पृष्ठ तक पहुंचने की अनुमति देता है जो तेजी से दर पर होता है।1990 के दशक के मध्य में उपयोग किया गया।
 * EDO DRAM ( विस्तारित डेटा आउट DRAM ) – एक पुराने प्रकार का एसिंक्रोनस ड्राम, जिसमें एक नई मेमोरी एक्सेस शुरू करने में सक्षम होने से पहले के प्रकारों की तुलना में तेजी से पहुंच का समय था, जबकि पिछली पहुंच से डेटा अभी भी स्थानांतरित किया जा रहा था।1990 के दशक के बाद के भाग में उपयोग किया गया।
 * व्राम ( वीडियो रैंडम एक्सेस मेमोरी ) – एक पुराने प्रकार की दोहरी-पोर्टेड रैम | दोहरे पोर्टेड मेमोरी एक बार वीडियो एडेप्टर (वीडियो कार्ड) के फ्रेम बफ़र्स के लिए उपयोग की जाती है।
 * SDRAM ( सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी ) – यह DRAM चिप में सर्किटरी को जोड़ा गया जो कंप्यूटर की मेमोरी बस में जोड़े गए घड़ी सिग्नल के साथ सभी ऑपरेशनों को सिंक्रनाइज़ करता है।इसने चिप को एक साथ पाइपलाइनिंग का उपयोग करके, गति बढ़ाने के लिए कई मेमोरी अनुरोधों को एक साथ संसाधित करने की अनुमति दी।चिप पर डेटा को भी बैंकों में विभाजित किया जाता है जो प्रत्येक एक साथ मेमोरी ऑपरेशन पर काम कर सकता है।यह वर्ष 2000 के बारे में लगभग कंप्यूटर मेमोरी का प्रमुख प्रकार बन गया।
 * 'DDR SDRAM' (डबल डेटा रेट SDRAM) – यह डबल पंपिंग (घड़ी पल्स के बढ़ते और गिरने दोनों किनारों पर डेटा स्थानांतरित करने) द्वारा प्रत्येक घड़ी चक्र पर डेटा (लगातार दो लगातार शब्दों) को दो बार स्थानांतरित कर सकता है।इस विचार के एक्सटेंशन मेमोरी एक्सेस रेट और थ्रूपुट को बढ़ाने के लिए वर्तमान (2012) तकनीक का उपयोग किया जा रहा है।चूंकि यह मेमोरी चिप्स की आंतरिक घड़ी की गति को और बढ़ाना मुश्किल साबित हो रहा है, ये चिप्स प्रत्येक घड़ी चक्र पर अधिक डेटा शब्दों को स्थानांतरित करके स्थानांतरण दर को बढ़ाते हैं
 * DDR2 SDRAM – प्रति आंतरिक घड़ी चक्र प्रति लगातार 4 शब्दों को स्थानांतरित करता है
 * DDR3 SDRAM – प्रति आंतरिक घड़ी चक्र के अनुसार 8 लगातार शब्दों को स्थानांतरित करता है।
 * DDR4 SDRAM – प्रति आंतरिक घड़ी चक्र के अनुसार 16 लगातार शब्दों को स्थानांतरित करता है।
 * rdram ( रामबस ड्राम ) – एक वैकल्पिक डबल डेटा दर मेमोरी मानक जो कुछ इंटेल सिस्टम पर उपयोग किया गया था, लेकिन अंततः डीडीआर एसडीआरएएम से हार गया।
 * XDR DRAM ( एक्सट्रीम डेटा रेट ड्राम )
 * SGRAM ( सिंक्रोनस ग्राफिक्स रैम ) – ग्राफिक्स एडेप्टर (वीडियो कार्ड) के लिए बनाया गया एक विशेष प्रकार का एसडीआरएएम।यह ग्राफिक्स से संबंधित संचालन जैसे बिट मास्किंग और ब्लॉक राइट कर सकता है, और एक ही बार में मेमोरी के दो पृष्ठ खोल सकता है।
 * GDDR SDRAM ( ग्राफिक्स DDR SDRAM )
 * gddr2
 * GDDR3 SDRAM
 * GDDR4 SDRAM
 * GDDR5 SDRAM
 * GDDR6 SDRAM
 * एचबीएम ( हाई बैंडविड्थ मेमोरी ) – ग्राफिक्स कार्ड में उपयोग किए जाने वाले एसडीआरएएम का विकास जो डेटा को तेज दर पर स्थानांतरित कर सकता है।इसमें एक व्यापक डेटा बस के साथ, एक दूसरे के शीर्ष पर स्टैक किए गए कई मेमोरी चिप्स होते हैं।
 * PSRAM ( स्यूडोस्टैटिक रैम ) – यह DRAM है जिसमें चिप पर मेमोरी रिफ्रेश करने के लिए सर्किटरी होती है, ताकि यह SRAM की तरह काम करे, जिससे बाहरी मेमोरी कंट्रोलर को ऊर्जा बचाने के लिए बंद कर दिया जा सके।इसका उपयोग कुछ गेम कंसोल जैसे Wii में किया जाता है।
 * SRAM ( स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी ) – यह एक सर्किट में प्रत्येक बिट डेटा को संग्रहीत करता है जिसे फ्लिप-फ्लॉप (इलेक्ट्रॉनिक्स) कहा जाता है। फ्लिप-फ्लॉप, 4 से 6 ट्रांजिस्टर से बना है।SRAM DRAM की तुलना में कम घना और अधिक महंगा है, लेकिन तेजी से और मेमोरी रिफ्रेश की आवश्यकता नहीं है।इसका उपयोग कंप्यूटर में छोटी कैश यादों के लिए किया जाता है।
 * CAM ( कंटेंट-एड्रेसबल मेमोरी ) – यह एक विशेष प्रकार है, जिसमें एक पते का उपयोग करके डेटा तक पहुंचने के बजाय, एक डेटा शब्द लागू किया जाता है और मेमोरी को मेमोरी में संग्रहीत होने पर स्थान लौटाता है।यह ज्यादातर अन्य चिप्स जैसे कि माइक्रोप्रोसेसर्स में शामिल किया जाता है जहां इसका उपयोग कैश मेमोरी के लिए किया जाता है।

गैर-वाष्पशील स्मृति
गैर-वाष्पशील मेमोरी (एनवीएम) उस समय में संग्रहीत डेटा को संरक्षित करता है जब चिप को बंद कर दिया जाता है।इसलिए, इसका उपयोग पोर्टेबल उपकरणों में मेमोरी के लिए किया जाता है, जिसमें डिस्क नहीं हैं, और अन्य उपयोगों के बीच हटाने योग्य मेमोरी कार्ड के लिए।प्रमुख प्रकार हैं: * रोम ( पढ़ने-केवल मेमोरी ) – यह स्थायी डेटा रखने के लिए डिज़ाइन किया गया है, और सामान्य ऑपरेशन में केवल पढ़ा जाता है, नहीं लिखा गया है।यद्यपि कई प्रकारों को लिखा जा सकता है, लेखन प्रक्रिया धीमी है और आमतौर पर चिप में सभी डेटा को एक बार में फिर से लिखा जाना चाहिए।यह आमतौर पर सिस्टम सॉफ़्टवेयर को संग्रहीत करने के लिए उपयोग किया जाता है जो कंप्यूटर के लिए तुरंत सुलभ होना चाहिए, जैसे कि BIOS प्रोग्राम जो कंप्यूटर शुरू करता है, और पोर्टेबल उपकरणों और एम्बेडेड कंप्यूटर जैसे कि माइक्रोकंट्रोलर के लिए सॉफ्टवेयर (माइक्रोकोड)।
 * MROM ( मास्क प्रोग्राम्ड रोम  या  मास्क रोम ) – इस प्रकार में डेटा को चिप में प्रोग्राम किया जाता है जब चिप का निर्माण किया जाता है, इसलिए इसका उपयोग केवल बड़े उत्पादन रन के लिए किया जाता है।इसे नए डेटा के साथ फिर से नहीं लिखा जा सकता है।
 * प्रोम ( प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी ) – इस प्रकार में डेटा सर्किट में स्थापित होने से पहले एक मौजूदा प्रोम चिप में लिखा जाता है, लेकिन इसे केवल एक बार लिखा जा सकता है।डेटा को एक प्रोम प्रोग्रामर नामक डिवाइस में चिप को प्लग करके लिखा जाता है।
 * EPROM ( इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी ) – इस प्रकार में इसमें डेटा को सर्किट बोर्ड से चिप को हटाकर फिर से लिखा जा सकता है, इसे एक पराबैंगनी प्रकाश में उजागर किया जा सकता है to erase the existing data, and plugging it into a PROM programmer. The IC package has a small transparent "window" in the top to admit the UV light. It is often used for prototypes and small production run devices, where the program in it may have to be changed at the factory. [[Image:4Mbit EPROM Toshiba TC574200D (2).jpg|thumb|4m eprom, चिप को मिटाने के लिए इस्तेमाल की जाने वाली पारदर्शी खिड़की दिखाते हुए]]
 * EEPROM ( विद्युत रूप से इरेज़ेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी ) – इस प्रकार में डेटा को विद्युत रूप से फिर से लिखा जा सकता है, जबकि चिप सर्किट बोर्ड पर है, लेकिन लेखन प्रक्रिया धीमी है।इस प्रकार का उपयोग फर्मवेयर को रखने के लिए किया जाता है, निम्न स्तर का माइक्रोकोड जो हार्डवेयर डिवाइस चलाता है, जैसे कि अधिकांश कंप्यूटरों में BIOS प्रोग्राम, ताकि इसे अपडेट किया जा सके।
 * NVRAM ( गैर-वाष्पशील यादृच्छिक-पहुंच मेमोरी )
 * फ्रैम ( फेरोइलेक्ट्रिक रैम ) – एक प्रकार का गैर -रोलम रैम।
 * फ्लैश मेमोरी – इस प्रकार में लेखन प्रक्रिया EEPROMS और RAM मेमोरी के बीच गति में मध्यवर्ती है;इसे लिखा जा सकता है, लेकिन मुख्य स्मृति के रूप में सेवा करने के लिए पर्याप्त तेजी से नहीं।यह अक्सर फ़ाइलों को संग्रहीत करने के लिए एक हार्ड डिस्क के अर्धचालक संस्करण के रूप में उपयोग किया जाता है।इसका उपयोग पोर्टेबल उपकरणों जैसे कि पीडीए, यूएसबी फ्लैश ड्राइव और डिजिटल कैमरों और सेलफोन में उपयोग किए जाने वाले हटाने योग्य मेमोरी कार्ड में किया जाता है।

इतिहास
प्रारंभिक कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय-कोर मेमोरी शामिल थी, जैसा कि प्रारंभिक ठोस-राज्य इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक, जिसमें ट्रांजिस्टर जैसे द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (BJT) शामिल थे, डिजिटल भंडारण तत्वों (मेमोरी सेल) के रूप में उपयोग के लिए अव्यवहारिक थे।सबसे पहले अर्धचालक मेमोरी 1960 के दशक की शुरुआत में द्विध्रुवी स्मृति के साथ है, जिसमें द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर का उपयोग किया गया था। असतत उपकरणों से बनी द्विध्रुवी अर्धचालक मेमोरी को पहली बार टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स द्वारा संयुक्त राज्य अमेरिका वायु सेना में 1961 में भेज दिया गया था। उसी वर्ष, ठोस-राज्य इलेक्ट्रॉनिक्स की अवधारणा। एक एकीकृत सर्किट (आईसी) चिप पर ठोस-राज्य मेमोरी को अनुप्रयोगों द्वारा प्रस्तावित किया गया था।फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में इंजीनियर बॉब नॉर्मन। पहला द्विध्रुवी अर्धचालक मेमोरी आईसी चिप 1965 में आईबीएम द्वारा शुरू की गई एसपी 95 थी। While bipolar memory offered improved performance over magnetic-core memory, it could not compete with the lower price of magnetic-core memory, which remained dominant up until the late 1960s. Bipolar memory failed to replace magnetic-core memory because bipolar flip-flop circuits were too large and expensive.

MOS मेमोरी
धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) का आगमन, 1959 में बेल लैब्स में मोहम्मद एम। अटला और दाऊन काहंग द्वारा आविष्कार किया गया, मेमोरी सेल स्टोरेज तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर (MOS) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक फ़ंक्शन जो पहले चुंबकीय-कोर मेमोरी द्वारा परोसा जाता है। कंप्यूटर मेमोरी में चुंबकीय कोर। MOS memory was developed by John Schmidt at Fairchild Semiconductor in 1964. उच्च प्रदर्शन के अलावा, MOS मेमोरी सस्ती थी और चुंबकीय-कोर मेमोरी की तुलना में कम शक्ति का सेवन करती थी। इसने MOSFETS को अंततः कंप्यूटर मेमोरी में मानक भंडारण तत्वों के रूप में चुंबकीय कोर की जगह ले ली।

In 1965, J. Wood and R. Ball of the Royal Radar Establishment proposed digital storage systems that use CMOS (complementary MOS) memory cells, in addition to MOSFET power devices for the power supply, switched cross-coupling, switches and delay-line storage. 1968 में फेयरचाइल्ड में फेडरिको फागिन द्वारा सिलिकॉन-गेट एमओएस इंटीग्रेटेड सर्किट (एमओएस आईसी) प्रौद्योगिकी के विकास ने एमओएस मेमोरी चिप्स के उत्पादन को सक्षम किया। 1970 के दशक की शुरुआत में आईबीएम द्वारा NMOS मेमोरी का व्यवसायीकरण किया गया था। MOS मेमोरी ने 1970 के दशक की शुरुआत में प्रमुख मेमोरी तकनीक के रूप में चुंबकीय कोर मेमोरी को पछाड़ दिया।

The term "memory" when used with reference to computers most often refers to volatile random-access memory (RAM). The two main types of volatile RAM are static random-access memory (SRAM) and dynamic random-access memory (DRAM). Bipolar SRAM was invented by Robert Norman at Fairchild Semiconductor in 1963, followed by the development of MOS SRAM by John Schmidt at Fairchild in 1964. SRAM became an alternative to magnetic-core memory, but required six MOS transistors for each bit of data. SRAM का व्यावसायिक उपयोग 1965 में शुरू हुआ, जब IBM ने IBM सिस्टम/360 | सिस्टम/360 मॉडल 95 के लिए अपना SP95 SRAM चिप पेश किया।

Toshiba introduced bipolar DRAM memory cells for its Toscal BC-1411 electronic calculator in 1965. हालांकि यह चुंबकीय-कोर मेमोरी पर बेहतर प्रदर्शन की पेशकश करता है, द्विध्रुवी DRAM तत्कालीन प्रमुख चुंबकीय-कोर मेमोरी की कम कीमत के साथ प्रतिस्पर्धा नहीं कर सकता है। MOS तकनीक आधुनिक DRAM का आधार है।1966 में, आईबीएम थॉमस जे। वॉटसन रिसर्च सेंटर में डॉ। रॉबर्ट एच। डेनार्ड एमओएस मेमोरी पर काम कर रहे थे।MOS तकनीक की विशेषताओं की जांच करते हुए, उन्होंने पाया कि यह कैपेसिटर के निर्माण में सक्षम था, और यह कि MOS कैपेसिटर पर एक शुल्क या कोई शुल्क का भंडारण करने से 1 और 0 का प्रतिनिधित्व नहीं हो सकता है, जबकि MOS ट्रांजिस्टर चार्ज को नियंत्रित कर सकता है।संधारित्र।इसके कारण एकल-ट्रांसिस्टर DRAM मेमोरी सेल का उनका विकास हुआ। In 1967, Dennard filed a patent under IBM for a single-transistor DRAM memory cell, based on MOS technology. इसने अक्टूबर 1970 में पहले वाणिज्यिक DRAM IC चिप, इंटेल 1103 का नेतृत्व किया।  सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (SDRAM) ने बाद में 1992 में सैमसंग KM48SL2000 चिप के साथ शुरुआत की। शब्द मेमोरी का उपयोग अक्सर गैर-वाष्पशील मेमोरी, विशेष रूप से फ्लैश मेमोरी को संदर्भित करने के लिए किया जाता है।इसकी उत्पत्ति केवल-केवल मेमोरी (ROM) में है।प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (PROM) का आविष्कार 1956 में वेन टिंग चाउ द्वारा किया गया था, जबकि अमेरिकन बॉश अरमा कॉरपोरेशन के ARMA डिवीजन के लिए काम किया गया था। 1967 में, बेल लैब्स के डावन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्तावित किया कि एक एमओएस सेमीकंडक्टर डिवाइस के फ्लोटिंग गेट का इस्तेमाल एक रीड्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (आरओएम) के सेल के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल का आविष्कार करने वाले डव फ्रॉमन ने ईप्रॉम (मिटने योग्य प्रॉम (इवेसिबल प्रॉम) का उपयोग किया।) 1971 में। EEPROM (विद्युत रूप से इरेज़ेबल प्रोम) को 1972 में इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला में यासुओ तारुई, यूटाका हयाशी और कियोको नागा द्वारा विकसित किया गया था। फ्लैश मेमोरी का आविष्कार 1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा में फुजियो मासुओका द्वारा किया गया था।  मासुओका और सहकर्मियों ने 1984 में नोर फ्लैश का आविष्कार प्रस्तुत किया, और फिर 1987 में नंद फ्लैश। 1987 में तोशिबा ने नंद फ्लैश मेमोरी का व्यवसायीकरण किया।

यह भी देखें

 * सबसे अधिक बिकने वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की सूची
 * सेमीकंडक्टर उद्योग

संदर्भ
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