फोटोवोल्टिक प्रभाव

फोटोवोल्टिक प्रभाव प्रकाश के संपर्क में आने पर पदार्थ में वोल्टेज और विद्युत प्रवाह की उत्पत्ति है। यह एक भौतिक और रासायनिक घटना है।

फोटोवोल्टिक प्रभाव,फोटोइलेक्ट्रिक(प्रकाश विद्युत प्रभाव) से निकटता से संबंधित है। दोनों घटनाओं के लिए,प्रकाश अवशोषित होता है,जिससे एक विद्युदअणु या अन्य आवेश वाहक उच्च-ऊर्जा अवस्था में उत्तेजित हो जाता है। प्रकाश विद्युत प्रभाव और फोटोवोल्टिक प्रभाव में मुख्य अंतर यह है कि प्रकाश विद्युत प्रभाव शब्द का उपयोग सामान्यतौर पर तब किया जाता है जब विद्युदअणु को पदार्थ से बाहर निकाल दिया जाता है (सामान्यतौर पर एक शून्यक में) और फोटोवोल्टिक प्रभाव का उपयोग तब किया जाता है जब उत्तेजित आवेश वाहक अभी भी पदार्थ  के भीतर समाहित होता है। किसी भी स्तिथि  में,आवेशों के पृथक्करण से एक विद्युत क्षमता उत्पन्न होती है,और प्रकाश में उत्तेजना के लिए संभावित अवरोध को दूर करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा होनी चाहिए। सामान्यतौर पर असमानता का भौतिक सार यह है कि प्रकाश विद्युत प्रभाव उत्सर्जन बैलिस्टिक चालन द्वारा आवेशों को अलग करता है और फोटोवोल्टिक उत्सर्जन उन्हें प्रसार द्वारा अलग करता है,लेकिन कुछ गर्म वाहक फोटोवोल्टिक उपकरणों की अवधारणा इस असमानता को अस्पष्ट कर देती है।

इतिहास
1839 में एडमंड बेकरेल द्वारा एक विद्युत रासायनिक कोशिका का इस्तेमाल करके फोटोवोल्टिक प्रभाव का पहला प्रदर्शन हुआ था। उन्होंनेकॉम्पटेस रेंडस डे ल'एकेडेमी डेस साइंसेज में अपनी खोज की व्याख्या की,एक विद्युत प्रवाह का उत्पादन जब प्लैटिनम या सोने की दो प्लेटें एक अम्ल,निष्पक्ष,या क्षारीय विलयन में डूबा हुआ सौर विकिरण के असमान तरीके से सामने आती हैं।

पहली सौर कोशिका,का प्रयोग 1884 में चार्ल्स फ्रिट्स द्वारा किया गया था जिसमें सोने की पतली परत से ढकी सेलेनियम की एक परत होती है,लेकिन इसकी दक्षता बहुत कम थी। हालांकि,फोटोवोल्टिक प्रभाव का सबसे परिचित रूप फोटोडायोड है जिसमे ठोस-अवस्था उपकरणों का उपयोग किया जाता है। जब सूरज की रोशनी या अन्य पर्याप्त ऊर्जावान प्रकाश फोटोडायोड पर आपतित होता है,तो वैलेंस और कंडक्शन बैंड में मौजूद विद्युदअणु ऊर्जा को अवशोषित करते हैं और उत्तेजित होकर कंडक्शन बैंड में कूद जाते हैं और मुक्त हो जाते हैं। ये उत्तेजित विद्युदअणु विसरित होते हैं,और कुछ सुधार संयोजन (सामान्यतौर पर एक डायोड पी-एन जंक्शन) तक पहुँचते हैं जहाँ वे अंतर्निहित क्षमता (गैलवानी क्षमता) द्वारा एन-टाइप अर्धचालक पदार्थ में त्वरित होते हैं। यह एक वैद्युतवाहक बल और एक विद्युत प्रवाह उत्पन्न करता हैऔर इस प्रकार कुछ प्रकाश ऊर्जा विद्युत ऊर्जा में परिवर्तित हो जाती है। फोटोवोल्टिक प्रभाव तब भी हो सकता है जब दो फोटॉन एक साथ एक प्रक्रिया में अवशोषित होते हैं जिसे दो-फोटॉन फोटोवोल्टिक प्रभाव कहा जाता है।

भौतिकी
मुक्त विद्युदअणुों के प्रत्यक्ष फोटोवोल्टिक उत्तेजना के अलावा, सीबेक प्रभाव के माध्यम से एक विद्युत प्रवाह भी उत्पन्न हो सकता है। जब प्रवाहकीय या अर्धचालक पदार्थ को विद्युत चुम्बकीय विकिरण के अवशोषण से गर्म किया जाता है, तो ताप से अर्धचालक पदार्थ  में तापमान में वृद्धि हो सकती है या सामग्रियों के बीच अंतर हो सकता है। बदले में ये तापीय अंतर एक वोल्टेज उत्पन्न कर सकते हैं क्योंकि विद्युदअणु ऊर्जा के स्तर अलग-अलग क्षेत्रों में अलग-अलग स्थानांतरित होते हैं,उन क्षेत्रों के बीच एक संभावित अंतर पैदा करते हैं जो बदले में एक विद्युत प्रवाह बनाते हैं। फोटोवोल्टिक प्रभाव बनाम सीबेक प्रभाव के सापेक्ष योगदान घटक पदार्थ  की कई विशेषताओं पर निर्भर करते हैं।

उपरोक्त सभी प्रभाव प्रत्यक्ष धारा उत्पन्न करते हैं,प्रत्यावर्ती धारा फोटोवोल्टिक प्रभाव (ऐसी PV) का पहला प्रदर्शन 2017 में  जॉर्जिया तकनीकी संस्थान में डॉ. हैयांग ज़ू और प्रो. झोंग लिन वांग द्वारा किया गया था। ऐसी PV प्रभाव किसकी पीढ़ी है गैर-संतुलन अवस्थाओं में प्रत्यावर्ती धारा (ऐसी ) जब प्रकाश समय-समय पर जंक्शन या पदार्थ  के इंटरफ़ेस पर चमकता है। एसी पीवी प्रभाव कैपेसिटिव मॉडल पर आधारित है जो वर्तमान में हेलिकॉप्टर की आवृत्ति पर दृढ़ता से निर्भर करता है। एसी पीवी प्रभाव को गैर-संतुलन स्थितियों के तहत जंक्शन/इंटरफ़ेस से सटे सेमीकंडक्टर्स के अर्ध-फर्मी स्तरों के बीच सापेक्ष बदलाव और पुन: संरेखण का परिणाम होने का सुझाव दिया गया है। दो इलेक्ट्रोड के बीच संभावित अंतर को संतुलित करने के लिए विद्युदअणु बाहरी सर्किट में आगे और पीछे प्रवाहित होते हैं। कार्बनिक सौर सेल, जिसमें पदार्थ  की प्रारंभिक वाहक एकाग्रता नहीं होती है, एसी पीवी प्रभाव नहीं होता है।

तापमान का प्रभाव
एक फोटोवोल्टिक मॉड्यूल का प्रदर्शन पर्यावरणीय परिस्थितियों पर निर्भर करता है,मुख्य रूप से मॉड्यूल विमान पर वैश्विक घटना विकिरण जी पर। हालांकि, पी-एन जंक्शन का तापमान टी भी मुख्य विद्युत मापदंडों को प्रभावित करता है: शॉर्ट-सर्किट वर्तमान आईएससी, ओपन-सर्किट वोल्टेज वीओसी, और अधिकतम पावर पीएमएक्स। जी और टी की अलग-अलग स्थितियों के तहत पीवी कोशिकाओं के व्यवहार के बारे में पहला अध्ययन कई दशक पहले हुआ था। 1-4 सामान्य तौर पर, यह ज्ञात है कि वीओसी टी के साथ एक महत्वपूर्ण उलटा सहसंबंध दिखाता है, जबकि आईएससी के लिए यह सहसंबंध प्रत्यक्ष है, लेकिन कमजोर, ताकि यह वृद्धि VOC की कमी की भरपाई न करे। परिणामस्वरूप, T बढ़ने पर Pmax कम हो जाता है। एक सौर सेल की उत्पादन शक्ति और उसके जंक्शन के कामकाजी तापमान के बीच यह सहसंबंध अर्धचालक पदार्थ पर निर्भर करता है, 2 और यह आंतरिक वाहकों की एकाग्रता, जीवनकाल और गतिशीलता पर टी के प्रभाव के कारण होता है, अर्थात विद्युदअणुों और छेद, पीवी सेल के अंदर।

तापमान संवेदनशीलता को सामान्यतौर पर कुछ तापमान गुणांकों द्वारा वर्णित किया जाता है, प्रत्येक पैरामीटर के व्युत्पन्न को व्यक्त करता है जो इसे जंक्शन तापमान के संबंध में संदर्भित करता है। इन मापदंडों के मान किसी भी पीवी मॉड्यूल डेटा शीट में पाए जा सकते हैं; वे निम्नलिखित हैं:

- T के संबंध में VOC की भिन्नता का गुणांक, ∂VOC/∂T द्वारा दिया गया।

- α T के संबंध में ISC की भिन्नता का गुणांक, ∂ISC/∂T द्वारा दिया गया।

– δ T के संबंध में Pmax की भिन्नता का गुणांक, ∂Pmax/∂T द्वारा दिया गया।

प्रयोगात्मक डेटा से इन गुणांकों का आकलन करने की तकनीकें साहित्य में पाई जा सकती हैं। कुछ अध्ययन सेल या मॉड्यूल तापमान के संबंध में श्रृंखला प्रतिरोध की भिन्नता का विश्लेषण करते हैं। वर्तमान-वोल्टेज वक्र को उपयुक्त रूप से संसाधित करके इस निर्भरता का अध्ययन किया जाता है। श्रृंखला प्रतिरोध के तापमान गुणांक का अनुमान सिंगल डायोड मॉडल या डबल डायोड मॉडल का उपयोग करके लगाया जाता है।

 सौर सेल 

अधिकांश फोटोवोल्टिक अनुप्रयोगों में विकिरण  सूर्य का प्रकाश है, और उपकरणों को सौर सेल कहा जाता है। सेमीकंडक्टर पी-एन (डायोड) जंक्शन सौर सेल के स्तिथि  में, पदार्थ  को रोशन करने से विद्युत प्रवाह पैदा होता है क्योंकि उत्तेजित विद्युदअणुों और शेष छिद्रों को अलग-अलग दिशाओं में कमी क्षेत्र के अंतर्निर्मित विद्युत क्षेत्र द्वारा बह दिया जाता है। एसी पीवी गैर-संतुलन स्थितियों में संचालित होता है। पहला अध्ययन p-Si/TiO पर आधारित था2 nanofilm. यह पाया गया है कि पी-एन जंक्शन पर आधारित पारंपरिक पीवी प्रभाव द्वारा उत्पन्न डीसी आउटपुट को छोड़कर, एसी करंट भी उत्पन्न होता है जब इंटरफ़ेस पर एक चमकती रोशनी प्रकाशित होती है। एसी पीवी प्रभाव ओम के नियम का पालन नहीं करता है, कैपेसिटिव मॉडल पर आधारित होने के कारण वर्तमान दृढ़ता से हेलिकॉप्टर की आवृत्ति पर निर्भर करता है, लेकिन वोल्टेज आवृत्ति से स्वतंत्र है। उच्च स्विचिंग आवृत्ति पर ऐसी का चरम प्रवाह DC की तुलना में बहुत अधिक हो सकता है। आउटपुट का परिमाण पदार्थ  के प्रकाश अवशोषण से भी जुड़ा हुआ है।

यह भी देखें

 * सौर कोशिकाओं का सिद्धांत
 * इलेक्ट्रोमोटिव बल # सौर सेल
 * प्रकाश विद्युत प्रभाव