डाई श्रिंक

डाई सिकुड़न (ऑप्टिकल सिकुड़न या प्रक्रिया सिकुड़न) शब्द धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (एमओएस) उपकरणों के सेमीकंडक्टर स्तर के उदाहरणों की सूची को संदर्भित करता है। डाई (एकीकृत परिपथ) को सिकोड़ने का कार्य अधिक उन्नत निर्माण प्रक्रिया का उपयोग करके कुछ समान परिपथ का निर्माण करता है, जिसमें सामान्यतः पत्थर के छापे से छापने का सेमीकंडक्टर नोड का अग्रिम सम्मिलित होता है। यह चिप कंपनी के लिए समग्र लागत को कम करता है, क्योंकि प्रोसेसर में प्रमुख वास्तुशिल्प परिवर्तनों की अनुपस्थिति अनुसंधान एवं विकास की व्यय को कम करती है जबकि उसी समय में सिलिकॉन बिस्किट के भाग पर प्रोसेसर डाई की अनुमति देता है, जिसके परिणामस्वरूप  विक्रय की जाने वाले प्रति उत्पाद की व्यय कम होती है।

सेमीकंडक्टर कंपनी जैसे सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, इंटेल, टीएसएमसी,एवं एसके हाइनिक्स, एवं उन्नत माइक्रो डिवाइसेस (पूर्व व्हाट टेक्नोलॉजीज सहित), एनविडीए एवं मीडियाटेक जैसे कल्पित निर्माताओं में डाई सिकुड़न कम कीमतों एवं उच्च प्रदर्शन की कुंजी है।

विवरण
2000 के दशक के उदाहरणों में सोनी एवं तोशीबा से प्लेस्टेशन 2 के भावना इंजन प्रोसेसर की डाउनस्केलिंग (2000 में 180 एनएम सीएमओएस से 2003 में 90 एनएम सीएमओएस तक), कोडनेम सीडर मिल पेंटियम 4 प्रोसेसर (90 एनएम सीएमओएस से 65 एनएम सीएमओएस तक) सम्मिलित हैं एवं पेनरीन (माइक्रोआर्किटेक्चर) प्रोसेसर (65 एनएम सीएमओएस से 45 एनएम सीएमओएस), कोडनेम ब्रिस्बेन एथलॉन 64 X2 प्रोसेसर (इंसुलेटर पर 90 एनएम सिलिकॉन से लेकर इंसुलेटर पर 65 एनएम सिलिकॉन), एटीआई एवं एनवीडिया दोनों से ग्राफ़िक्स प्रोसेसिंग युनिट की विभिन्न पीढ़ियां, एवं सैमसंग, तोशिबा एवं एसके हाइनिक्स की रैंडम एक्सेस मेमोरी एवं फ्लैश मेमोरी चिप्स की विभिन्न पीढ़ियां हैं। जनवरी 2010 में, इंटेल ने क्लार्कडेल कोर i5 (माइक्रोप्रोसेसर) सूची जारी की एवं कोर इंटेल i7 प्रोसेसर को 32 एनएम प्रक्रिया के साथ निर्मित किया, जो नेहलेम (माइक्रोआर्किटेक्चर) सेंट्रल प्रोसेसिंग यूनिट के प्राचीन पुनरावृत्तियों में उपयोग की जाने वाली प्राथमिक 45 एनएम प्रक्रिया से कम है। इंटेल, विशेष रूप से, पूर्व में अपने टिक-टॉक मॉडल के माध्यम से नियमित रूप से उत्पाद के प्रदर्शन को श्रेष्ठ बनाने के लिए डाई सिकुड़न का लाभ उठाने पर ध्यान केंद्रित करता था। इस व्यवसाय मॉडल में, उसी माइक्रोआर्किटेक्चर के साथ प्रदर्शन को श्रेष्ठ बनाने के लिए प्रत्येक (माइक्रोआर्किटेक्चर) (टॉक) के पश्चात डाई श्रिंक (टिक) किया जाता है। डाई सिकोड़ना एंड-यूजर्स के लिए लाभकारी होता है क्योंकि डाई को सिकोड़ने से चिप क्लॉक फ्रीक्वेंसी को बनाए रखते हुए अर्धचालक उपकरण में प्रत्येक ट्रांजिस्टर स्विचिंग के प्रारम्भ या संवृत होने से करंट कम हो जाता है, जिससे कम बिजली का उपयोग करने (एवं इस प्रकार कम ऊष्मा उत्पादन) वाला उत्पाद बनता है, एवं क्लॉक रेट हेडरूम में वृद्धि एवं कीमतों में कमी होती है। चूंकि 200 मिमी या 300 मिमी सिलिकॉन वेफर बनाने की व्यय फैब्रिकेशन चरणों की संख्या के समानुपाती होती है एवं वेफर पर चिप्स की संख्या के अनुपात में नहीं होती है, डाई प्रत्येक वेफर पर अधिक चिप्स को सिकोड़ती है, जिसके परिणामस्वरूप प्रति चिप निर्माण लागत कम हो जाती है।।

आधा सिकुड़ना
सीपीयू फैब्रिकेशन में, डाई सिकुड़न में माइक्रोलिथोग्राफी नोड के लिए अग्रिम सम्मिलित होता है, जैसा कि सेमीकंडक्टर के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप (सूची देखें) द्वारा परिभाषित किया गया है। चिप निर्माण पर जीपीयू एवं प्रणाली के लिए, डाई के सिकुड़ने में प्रायः आईटीआरएस द्वारा परिभाषित नोड पर डाई कम करना सम्मिलित होता है, उदाहरण के लिए, 150 एनएम, 110 एनएम, 80 एनएम, 55 एनएम, 40 एनएम एवं अधिक वर्तमान में 8 एनएम नोड्स, कभी-कभी अर्ध-नोड के रूप में संदर्भित किया जाता है। यह दो आईटीआरएस-परिभाषित लिथोग्राफी नोड्स के मध्य स्टॉपगैप है (इस प्रकार इसे "आधा-नोड सिकुड़न" कहा जाता है), इससे पहले कि कम आईटीआरएस-परिभाषित नोड्स घटित होते हैं, जो अतिरिक्त आर एंड डी की व्यय को बचाने में सहायता करता है। पूर्ण नोड्स या अर्ध-नोड्स के लिए डाई सिकुड़ने का विकल्प एकीकृत परिपथ डिजाइनर के पास नहीं अपितु फाउंड्री के पास होता है ।

यह भी देखें

 * एकीकृत परिपथ
 * सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण
 * फोटोलिथोग्राफी
 * मूर की विधि
 * ट्रांजिस्टर गिनती

बाहरी संबंध

 * 0.11 µm Standard Cell ASIC
 * EETimes: ON Semi offers 110-nm ASIC platform
 * Renesas 55 nm process features
 * RDA, SMIC make 55-nm mixed-signal IC
 * Globalfoundries 40nm
 * UMC 45/40nm
 * SiliconBlue tips FPGA move to 40-nm
 * Globalfoundries 28nm, Leading-Edge Technologies
 * TSMC Reiterates 28 nm Readiness by Q4 2011
 * Design starts triple for TSMC at 28-nm