रिवर्स लीकेज करंट

सेमीकंडक्टर डिवाइस में रिवर्स लीकेज करंट उस सेमीकंडक्टर डिवाइस से इलेक्ट्रिक करंट होता है जब डिवाइस पी-एन जंक्शन होता है।

जब एक सेमीकंडक्टर डिवाइस P-n जंक्शन पर होता है तो उसे किसी भी विद्युत प्रवाह का संचालन नहीं करना चाहिए, हालांकि, एक बढ़ी हुई बाधा क्षमता के कारण, p पक्ष के मुक्त इलेक्ट्रॉनों को बैटरी के धनात्मक टर्मिनल में खींचा जाता है, जबकि n पक्ष के छिद्रों को बैटरी के टर्मिनल तक खींचा जाता है। नकारात्मक टर्मिनल। इससे अल्पांश आवेश वाहकों की धारा उत्पन्न होती है और इसलिए इसका परिमाण बहुत कम होता है। स्थिर तापमान के लिए, रिवर्स करंट लगभग स्थिर होता है, हालांकि लागू रिवर्स वोल्टेज को एक निश्चित सीमा तक बढ़ाया जाता है। अतः इसे पश्च संतृप्त धारा भी कहते हैं।

यह शब्द विशेष रूप से अधिकतर अर्धचालक जंक्शनों, विशेष रूप से डायोड और thyristor पर लागू होता है।

रिवर्स लीकेज करंट को MOSFETs के साथ जीरो गेट वोल्टेज ड्रेन करंट के रूप में भी जाना जाता है। लीकेज करंट तापमान के साथ बढ़ता गया। एक उदाहरण के रूप में, फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर FDV303N में 50 डिग्री सेल्सियस के जंक्शन तापमान के साथ 10 माइक्रोएम्प्स तक बढ़ने वाले कमरे के तापमान पर 1 माइक्रोएम्प तक का रिवर्स रिसाव होता है। सभी बुनियादी उद्देश्यों के लिए, रिसाव धाराएं बहुत छोटी होती हैं, और, इस प्रकार, सामान्य रूप से नगण्य होती हैं।

श्रेणी: अर्धचालक