सोलर फ्रंटियर

सोलर फ्रंटियर काबुशिकी कैशा एक जापानी फोटोवोल्टिक कंपनी है जो कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल का उपयोग करके पतली फिल्म सौर सेल का विकास और निर्माण करती है। यह शोवा शेल सेकियू की पूर्ण स्वामित्व वाली सहायक कंपनी है और मिनाटो, टोक्यो, जापान में स्थित है। कंपनी की स्थापना 2006 में शोवा शेल सोलर के रूप में हुई थी और अप्रैल 2010 में इसका नाम बदलकर सोलर फ्रंटियर कर दिया गया।

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पृष्ठभूमि
सोलर फ्रंटियर की मूल कंपनी शोवा शेल सेकियू 1978 से सौर ऊर्जा से जुड़ी हुई थी। सौर सेल के लिए क्रिस्टलीय सिलिकॉन मॉड्यूल के व्यावसायिक पैमाने पर उत्पादन 1983 में प्रारंभ हुआ, और सीआईएस (कॉपर-इंडियम-सेलेनियम) विधि पर शोध 1993 में प्रारंभ हुआ था।

विनिर्माण संयंत्र
सोलर फ्रंटियर के मियाज़ाकी प्रान्त में विनिर्माण संयंत्र हैं, जहां यह सीआईएस सौर पैनलों का विकास और निर्माण करता है, जो कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड और सीआईजीएसई सामग्री को मिलाते हैं। कंपनी इस तथ्य पर जोर देती है कि वह अपनी कोशिकाओं के लिए न तो कैडमियम (Cd) और न ही लेड (Pb) का उपयोग करती है। कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल प्रौद्योगिकी अक्सर पतली (<50 एनएम) कैडमियम सल्फाइड बफर परत का उपयोग करती है, और प्रतिद्वंद्वी कैडमियम टेलुराइड फोटोवोल्टाइक्स-प्रौद्योगिकी की अर्धचालक सामग्री में विषाक्त कैडमियम (सीडी) होता है, जबकि पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन मॉड्यूल सीसा का उपयोग करते हैं- मिलाप सामग्री युक्त। कंपनी का सबसे बड़ा संयंत्र कुनिटोमी में स्थित है और फरवरी, 2011 में इसकी शुरुआत के बाद से काम कर रहा है, जिसकी उत्पादन क्षमता 1 GW प्रति वर्ष (900 MW) के करीब है। अप्रैल 2015 में, सोलर फ्रंटियर ने ओहिरा, मियागी|ओहिरा, मियागी प्रान्त में अपने चौथे उत्पादन संयंत्र, 150-मेगावाट तोहोकू संयंत्र का निर्माण पूरा किया, जिसने जून 2016 में वाणिज्यिक उत्पादन प्रारंभ किया। नवीनतम सीआईएस लाइन प्रौद्योगिकी में 15% से अधिक की सौर सेल दक्षता वाले सौर मॉड्यूल शामिल हैं। जब कुनिटोमी प्लांट की तुलना में तोहोकू प्लांट को प्रति मेगावाट निवेश और जनशक्ति के केवल दो-तिहाई की आवश्यकता होती है। CIS सौर पैनल के निर्माण के लिए भी केवल एक-तिहाई समय की आवश्यकता होती है।

सीआईएस प्रौद्योगिकी
सीआईएस प्रमुख सामग्री तांबा, ईण्डीयुम और सेलेनियम के लिए खड़ा है। ताँबा इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल, हालांकि, एक ऐसी सामग्री का उपयोग करता है जो CIS (CuInSe) और CGS (CuGaSe) के ठोस घोल का मिश्रण होता है जिसमें तत्व गैलियम होता है। CIS और CGS के अनुपात के आधार पर परिणामी CIGS सेमीकंडक्टर सामग्री के लिए रासायनिक सूत्र CuIn के रूप में लिखा जाता हैxयहाँ(1-x)से2, जहाँ x का मान 1 (शुद्ध CIS) से 0 (शुद्ध CGS) तक भिन्न हो सकता है। इसके अलावा, सोलर फ्रंटियर के सेमीकंडक्टर में भी गंधक होता है। यह च्लोकोपीराइट क्रिस्टल संरचना के साथ चतुष्फलकीय ी रासायनिक बंधुआ अर्धचालक है। ऊर्जा अंतराल लगभग 1.0 eV (कॉपर इंडियम सेलेनाइड के लिए) से लगभग 1.7 eV (कॉपर गैलियम सेलेनाइड के लिए) x के साथ लगातार बदलता रहता है। सोलर फ्रंटियर इस तथ्य को रेखांकित करता है कि उनके सीआईएस मॉड्यूल पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन मॉड्यूल की तुलना में वास्तविक दुनिया की स्थितियों में उच्च ऊर्जा उपज (किलोवाट-घंटे प्रति किलोवाट चोटी ) उत्पन्न करते हैं।

यह भी देखें

 * कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सोलर सेल (CIGS विधि)
 * कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड (CIGS सामग्री)
 * CIGS कंपनियों की सूची
 * जापान में सौर ऊर्जा
 * पतली फिल्म सौर सेल