14 एनएम प्रक्रिया

14 एनएम प्रक्रिया मॉरफेट  प्रौद्योगिकीय नोड को संदर्भित करती है, जो 22 एनएम या 20 एनएम नोड प्रक्रिया का सकसेसर के रूप में होता है। 14 एनएम को अर्धचालक (आईटीआरएस) के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय रोडमैप द्वारा नामित किया गया था और 2011 तक 22 एनएम के बाद नोड 16 होने की उम्मीद थी। सभी 14 एनएम नोडों ने फिनफिट फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकीय का उपयोग करते हैं, जो एक प्रकार की मल्टी-गेट मॉसफेट  प्रौद्योगिकीय के रूप में होती है, जो कि प्लानर सिलिकॉन सीएमओएस प्रौद्योगिकीय का एक गैर-प्लानर विकास है।

2013 में 10 एनएम प्रक्रिया नंद फ्लैश चिप बनाने से पहले सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 2014 में 14 एनएम चिप को टैप आउट किया था। इसी वर्ष, एसके हाइनिक्स ने 16 एनएम नैंड फ्लैश का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था और टीएसएमसी ने 16 एनएम फिनफिट का उत्पादन प्रारंभ किया था। अगले वर्ष इंटेल ने उपभोक्ताओं को 14 एनएम स्केल उपकरणों का शिपिंग  प्रारंभ  किया था।

पृष्ठभूमि
इलेक्ट्रॉन-किरण लिथोग्राफी के साथ भी, एक बहुलक प्रतिरोध में 14 एनएम रिज़ॉल्यूशन प्राप्त करना कठिन है। इसके अतिरिक्त आयनीकरण विकिरण के रासायनिक प्रभाव भी अत्यधिक पराबैंगनी लिथोग्राफी के लिए विश्वसनीय संकल्प को सीमित करते हैं, जो कि वर्तमान अत्याधुनिक इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग करके भी प्राप्त किया जा सकता है। हार्डमास्क सामग्री और कई पैटर्निंग की आवश्यकता होती है।

एक अधिक महत्वपूर्ण सीमा प्लाज्मा क्षति κ परावैद्युत तक आती है। क्षति की सीमा सामान्यतः 20 एनएम मोटी होती है, लेकिन लगभग 100 एनएम तक भी जा सकती है। क्षति संवेदनशीलता के बदतर होने की उम्मीद है क्योंकि लो-k सामग्री अधिक पोरस हो जाती है और इस प्रकार तुलना के लिए एक अप्रतिबंधित सिलिकॉन का परमाणु त्रिज्या 0.11 एनएम के रूप में होता है। इस प्रकार लगभग 90 Si परमाणु चैनल की लंबाई को बढ़ा देते है, जिससे पर्याप्त रिसाव (इलेक्ट्रॉनिक्स) में हो जाता है।

टेला इनोवेशन और सेक्वायआ डिजाइन प्रणालियों ने 16/14 एनएम नोड लगभग 2010 के लिए दोहरे एक्सपोजर की अनुमति देते हुए एक पद्धति विकसित की थी। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और सिनोप्सिस ने भी 22 एनएम और 16 एनएम डिज़ाइन प्रवाह में डबल पैटर्न को लागू करना प्रारंभ कर दिया है। मेंटर ग्राफिक्स ने 2010 में 16 एनएम टेस्ट चिप को टैप आउट करने की सूचना दी थी। 17 जनवरी, 2011 को आईबीएम ने घोषणा की कि वे 14 एनएम चिप प्रोसेसिंग प्रौद्योगिकीय विकसित करने के लिए आर्म होल्डिंग्स के साथ मिलकर काम कर रहे हैं।

18 फरवरी, 2011 को, इंटेल ने घोषणा की कि वह एरिज़ोना में एक नए $5 बिलियन के अर्धचालक निर्माण संयंत्र का निर्माण करेंगे, जिसे 14 एनएम निर्माण प्रक्रियाओं और अग्रणी-धार 300 मिमी वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स) का उपयोग करके चिप बनाने के लिए डिज़ाइन किया गया है।  और इस प्रकार  नए निर्माण संयंत्र को फैब 42 नाम दिया जाना था और निर्माण 2011 के मध्य में प्रारंभ  होना था। इंटेल ने नई सुविधा को दुनिया में सबसे उन्नत उच्च-मात्रा निर्माण सुविधा के रूप में प्रस्तुत   किया और कहा कि यह 2019 में लाइन पर आ जाएगी। 2013. इंटेल ने तब से इस सुविधा को खोलने को स्थगित करने का निर्णय लिया है और इसके अतिरिक्त 14-एनएम चिप का समर्थन करने के लिए अपनी उपस्थित सुविधाओं का उन्नयन किया है। 17 मई, 2011 को, इंटेल ने 2014 के लिए एक रोडमैप की घोषणा की जिसमें उनके जिऑन, इंटेल कोर और इंटेल परमाणु उत्पाद लाइनों के लिए 14 एनएम ट्रांजिस्टर के रूप में सम्मलित  थे।

प्रौद्योगिकीय डेमो
1990 के दशक के अंत में, हितैची की केंद्रीय अनुसंधान प्रयोगशाला की जापानी टीम ने टीएसएमसी के  चैनमिंग हू और कैलिफोर्निया के विभिन्न विश्वविद्यालय, बर्कले के शोधकर्ताओं सहित फिनफिट प्रौद्योगिकीय को और विकसित करने के लिए शोधकर्ताओं की एक अंतरराष्ट्रीय टीम के साथ सहयोग करना प्रारंभ  कर दिया था। 1998 में, टीम ने सफलतापूर्वक उपकरणों को 17 एनएम प्रक्रिया में बनाया था। उउन्होंने बाद में 2001 में 15 एनएम फिनफिट प्रक्रिया प्रक्रिया विकसित की थी। 2002 में, यूसी बर्कले में शोधकर्ताओं की एक अंतरराष्ट्रीय टीम जिसमें शिबली अहमद (बांग्लादेशी), स्कॉट बेल, साइरस टेबेरी (ईरानी), जेफरी बुश, डेविड कयसर, चेनमिंग हू ताइवान अर्धचालक मैन्युफैक्चरिंग कंपनी और टीएसयू जेएइ किंग लियू के रूप में सम्मलित हैं। फिनफिट उपकरणों को 10 एनएम गेट लंबाई तक प्रदर्शित किया गया था।

2005 में, तोशीबा ने साइडवॉल स्पेसर प्रक्रिया का उपयोग करते हुए 15 एनएम गेट लंबाई और 10 एनएम फिन (विस्तारित सतह) चौड़ाई के साथ 15 एनएम फिनफिट प्रक्रिया का प्रदर्शन किया। यह सुझाव दिया गया है कि 16 एनएम नोड के लिए एक लॉजिक ट्रांजिस्टर की गेट लंबाई लगभग 5 एनएम के रूप में होती है। दिसंबर 2007 में, तोशिबा ने एक प्रोटोटाइप मेमोरी यूनिट का प्रदर्शन किया जिसमें 15-नैनोमीटर पतली रेखाओं का उपयोग किया गया था।

दिसंबर 2009 में, ताइवान सरकार के स्वामित्व वाली नेशनल नैनो डिवाइस लेबोरेटरीज ने 16 एनएम स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी चिप का उत्पादन किया था।

सितंबर 2011 में, एसके हाइनिक्स ने 15 एनएम एनएएनडी सेल के विकास की घोषणा की थी।

दिसंबर 2012 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 14 एनएम चिप को टैप आउट किया था।

सितंबर 2013 में, इंटेल ने एक अल्ट्राबुक लैपटॉप का प्रदर्शन किया जिसमें 14 एनएम ब्रॉडवेल (माइक्रोआर्किटेक्चर) का उपयोग किया गया था और इंटेल के सीईओ ब्रायन क्रज़ानिच ने कहा, सीपीयू इस साल के अंत तक शिपिंग कर दिया जाएगा। चूंकि शिपमेंट में 2014 की चौथी तिमाही तक और देरी हुई थी।

अगस्त 2014 में, इंटेल कोर एम माइक्रोप्रोसेसरों की सूची की अपनी आगामी सूची के लिए 14 एनएम माइक्रोआर्किटेक्चर के विवरण की घोषणा की थी, जो इंटेल की 14 एनएम निर्माण प्रक्रिया पर निर्मित होने वाला पहला उत्पाद के रूप में था। प्रेस विज्ञप्ति के अनुसार, कोर एम प्रोसेसर पर आधारित पहला सिस्टम 2014 की चौथी तिमाही में उपलब्ध होना था। इंटेल की 14 नैनोमीटर प्रौद्योगिकीय दूसरी पीढ़ी के मल्टीगेट डिवाइस ट्राई-गेट ट्रांजिस्टर का उपयोग उद्योग-अग्रणी प्रदर्शन शक्ति घनत्व और लागत प्रति ट्रांजिस्टर देने के लिए करती है और मार्क बोर, इंटेल सीनियर फेलो टेक्नोलॉजी एंड मैन्युफैक्चरिंग ग्रुप के निदेशक ने कहा की प्रक्रिया वास्तुकला और एकीकरण के रूप में होती है।

2018 में इंटेल द्वारा 14 एनएम फैब क्षमता की कमी की घोषणा की गई थी।

शिपिंग डिवाइस
2013 में, SK Hynix ने 16 का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया{{nbsp}एनएम नंद फ्लैश, टीएसएमसी 16 से प्रारंभ  हुआ{{nbsp}एनएम फिनफिट उत्पादन, और  SAMSUNG  ने 10 एनएम प्रक्रिया प्रारंभ  की|10 एनएम क्लास एनएएनडी फ्लैश प्रोडक्शन। 5 सितंबर 2014 को, इंटेल ने पहले तीन ब्रॉडवेल-आधारित प्रोसेसर लॉन्च किए जो थर्मल डिज़ाइन पावर | लो-टीडीपी कोर एम परिवार से संबंधित थे: कोर एम-5वाई10, कोर एम-5वाई10ए और कोर एम-5वाई70। फरवरी 2015 में, सैमसंग ने घोषणा की कि उनके फ्लैगशिप स्मार्टफोन, सैमसंग गैलेक्सी S6 में एक चिप (एसओसी) पर 14 एनएम Exynos  सिस्टम होगा। 9 मार्च, 2015 को, Apple Inc. ने प्रारंभिक 2015 मैकबुक (12-इंच) और मैकबुक प्रो जारी किया, जिसमें 14 एनएम इंटेल प्रोसेसर का उपयोग किया गया था। ध्यान देने योग्य i7-5557U है, जिसमें इंटेल HD, UHD और Iris ग्राफ़िक्स 6100 और दो कोर हैं जो केवल 28 वाट का उपयोग करके 3.1 GHz पर चल रहे हैं। 25 सितंबर, 2015 को, Apple Inc. ने iPhone 6S|iPhone 6S और 6S Plus जारी किया, जो डेस्कटॉप-क्लास Apple A9 चिप से लैस हैं जो सैमसंग द्वारा 14 एनएम और टीएसएमसी (ताइवान अर्धचालक मैन्युफैक्चरिंग कंपनी) द्वारा 16 एनएम दोनों में निर्मित हैं।

मई 2016 में, Nvidia ने पास्कल (माइक्रोआर्किटेक्चर) आर्किटेक्चर पर आधारित अपनी GeForce 10 सीरीज़ ग्राफ़िक्स प्रोसेसिंग युनिट जारी की, जिसमें टीएसएमसी की 16 nm फिनफिट प्रौद्योगिकीय और सैमसंग की 14 nm फिनफिट प्रौद्योगिकीय सम्मलित है। जून 2016 में, उन्नत माइक्रो डिवाइसेस ने ग्राफिक्स कोर नेक्स्ट#GCN 4th जनरेशन (आर्कटिक आइलैंड्स) आर्किटेक्चर पर आधारित अपना AMD Radeon 400 सीरीज GPU जारी किया, जिसमें सैमसंग की 14 nm फिनफिट प्रौद्योगिकीय सम्मलित है। दोहरी सोर्सिंग के लिए ग्लोबल फाउंड्रीज को प्रौद्योगिकीय का लाइसेंस दिया गया था।

2 अगस्त 2016 को, Microsoft ने Xbox One#Xbox One S जारी किया, जिसमें टीएसएमसी द्वारा 16 एनएम का उपयोग किया गया।

2 मार्च, 2017 को, एएमडी ने ज़ेन (माइक्रोआर्किटेक्चर) आर्किटेक्चर के आधार पर अपने रेजेन सीपीयू जारी किए, जिसमें सैमसंग से 14 एनएम फिनफिट प्रौद्योगिकीय सम्मलित थी जिसे ग्लोबलफाउंड्रीज़ के निर्माण के लिए ग्लोबल फाउंड्रीज़ को लाइसेंस दिया गया था। रेफरी नाम = एक्सट्रीमटेक.कॉम>

NEC SX-Aurora TSUBASA प्रोसेसर, अक्टूबर 2017 में प्रस्तुत  किया गया, रेफरी नाम = 2017-एनईसी-प्रेस विज्ञप्ति> 16 का उपयोग करता है{{nbsp}टीएसएमसी से nm फिनफिट प्रक्रिया और NEC SX सुपर कंप्यूटर के साथ उपयोग के लिए डिज़ाइन की गई है। 22 जुलाई, 2018 को, GlobalFoundries ने सैमसंग से लाइसेंस प्राप्त 14LP प्रक्रिया के आधार पर अपनी 12 एनएम लीडिंग-परफॉर्मेंस (12LP) प्रक्रिया की घोषणा की। सितंबर 2018 में एनवीडिया ने अपने ट्यूरिंग (माइक्रोआर्किटेक्चर) के आधार पर जीपीयू जारी किए, जो टीएसएमसी की 12 एनएम प्रक्रिया पर बने थे और प्रति वर्ग मिलीमीटर 24.67 मिलियन ट्रांजिस्टर का ट्रांजिस्टर घनत्व है।

14 एनएम प्रक्रिया नोड्स
ट्रांजिस्टर घनत्व को छोड़कर कम संख्या बेहतर होती है, जो उस स्थिति में विपरीत होती है। और इस प्रकार ट्रांजिस्टर गेट पिच को सीपीपी (संपर्क पॉली पिच) के रूप में भी जाना जाता है और इंटरकनेक्ट पिच को एमएमपी न्यूनतम धातु पिच भी कहा जाता है।